【課題】窒化物半導体膜の気相成長において、一度に処理する基板の枚数を増大させ、生産性を向上させることができる膜の形成方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】縦型バッチ処理室２０１内の基板処理領域２０６２に複数の基板が搬入される工程と、前記処理室内の前記基板処理領域が加熱維持され、前記処理室内の前記基板処理領域外に設けられた第一ガス供給口９３１から窒素含有ガスが供給され、前記第一ガス供給口９３１よりも前記基板処理領域側に設けられた第二，第三，第四，第五ガス供給口９３５，９３６，９３７，９３８から金属含有ガスが供給され、前記複数の基板に窒素及び金属からなる窒化物半導体膜が形成される工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】長期信頼性が高い窒化物系化合物半導体および窒化物系化合物半導体素子を提供すること。
【解決手段】アルミニウム原子、ガリウム原子、インジウム原子およびボロン原子から選択される１以上のＩＩＩ族原子と、窒素原子とを含む窒化物系化合物半導体であって、添加物としてドープした金属原子とガリウム格子間原子とが複合体を形成している。好ましくは、前記添加物は鉄またはニッケルである。好ましくは、前記添加物のドープ濃度は、前記ガリウム格子間原子の濃度と同程度である。 （もっと読む）

【課題】従来よりも原子レベルで平坦な表面を有する窒化物半導体薄膜及びその成長方法を提供すること。
【解決手段】ミスカットを有するGaN基板１０１のステップフロー成長（第１の成長工程）により制限領域１０２内に形成されたテラス２０２に、第１の成長工程よりも低い基板温度である第２の設定値Ｔ２でTMG又はTEGを供給する。これにより、テラス２０２の上にGaNの２次元核３０１が発生するが（図３（ａ）参照）、発生する２次元核３０１の個数が１個以上100個以下発生するだけの時間だけこの第２の成長工程を行う。次に、基板温度をＴ２よりも高い第３の設定値Ｔ３にする（第３の成長工程）。これにより、複数の２次元核３０１が横方向成長して１分子層の厚さの連続的なGaN薄膜３０２となる（図３（ｂ）参照）。第２と第３の工程を交互に繰り返すことにより、２分子層以上の厚さのGaN薄膜３０３を成長可能である（図３（ｃ）参照）。 （もっと読む）

【課題】ＭＯＣＶＤ法を用いた化合物半導体の製造において、化合物半導体の結晶を成長させる基板表面の温度分布及び平均波長の狙い値からのズレを抑制する。
【解決手段】有機金属気相成長法を用いて化合物半導体の層を形成する化合物半導体製造装置であって、反応容器と、反応容器内に配置され、被形成体の被形成面が上方を向くように被形成体が載置される保持体と、反応容器内に外部から化合物半導体の原料ガスを供給する原料供給口と、を備え、保持体は、保持体の上面の中心から被形成体の外周部よりも内側で被形成体の下面と接し、保持体の上面と被形成体の下面とが所定の間隔を保つように被形成体を支持する支持部を有することを特徴とする化合物半導体の製造装置。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンド基板上に、クラックが抑制され、かつ膜厚が厚い単結晶窒化物層を有する半導体積層構造を提供すること。
【解決手段】ダイヤモンド基板上に直接成長した窒化物層が多結晶となる上記課題を解決するため、本発明に係る半導体積層構造は、ダイヤモンド基板と、ダイヤモンド基板上の、Ｓｉを含む第１の層と、第１の層上の、単結晶窒化物で構成される第２の層とを備える。Ｓｉを含む第１の層をダイヤモンド基板と第２の層との間に設けることにより、第２の層の膜厚を大きくしても、第２の層を構成する窒化物を、クラックの抑制された単結晶とすることができる。したがって、当該半導体積層構造を利用することで、高いドレイン電流および出力電力密度を有する電界効果トランジスターを実現することが可能である。 （もっと読む）

【課題】基板に化合物半導体を結晶成長する際の基板の反りを抑制する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、基板の一方の面にアモルファス半導体層を形成する工程と、基板の他方の面に化合物半導体層を形成する際の加熱処理により、アモルファス半導体層を結晶化させる工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】製造バッチ間において安定したデバイス特性を有するシリコンエピタキシャルウエーハ製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン単結晶基板上にシリコンエピタキシャル層をシリコン原料ガスから気相成長させる工程を有するシリコンエピタキシャルウエーハの製造方法であって、複数のシリコン原料ガスのロットを用いてシリコンエピタキシャルウエーハが製造される場合において、前記シリコン原料ガスのロットに含まれる炭素含有化合物濃度のうち最大となる濃度を最小濃度値とし、１０００ｐｐｍｗを最大濃度値とし、該最小濃度値以上該最大濃度値以下の炭素含有化合物を、前記シリコン原料ガスに混入し、又は前記シリコン原料ガスと供に気相成長装置内に供給することにより、前記シリコンエピタキシャル層を気相成長させる。 （もっと読む）

【課題】量子ドットのサイズ、組成等と独立に広帯域化を図ることのできる半導体積層構造及びこれを備えた光学素子並びに半導体積層構造における光学スペクトルの広帯域化方法を提供する。
【解決手段】半導体積層構造１において、基板１０と、第１量子ドット層３０と、スペーサ層４０と、第２量子ドット層５０と、キャップ層６０と、をこの順で有し、スペーサ層４０の厚さを、当該厚さの変化により光学スペクトルが実質的に変化する変化範囲とした。 （もっと読む）

【課題】凹凸を有する基層上に均一な結晶を成長させる半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】凹凸が設けられた主面を有する基層の前記主面に窒化物半導体の結晶を成長させる工程を備えた半導体発光素子の製造方法であって、前記主面に、Ｇａ_ｘＡｌ_１−ｘＮ（０．１≦ｘ＜０．５）を含み、厚さが２０ナノメートル以上５０ナノメートル以下のバッファ層を、０．１マイクロメートル／時以下の速度で堆積し、前記バッファ層の上に、前記バッファ層の堆積における前記基層の温度よりも高い温度で、窒化物半導体を含む結晶を成長させることを特徴とする半導体発光素子の製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】逆相境界（ＡＰＢ）の無いＩＩＩ−Ｖ化合物半導体材料およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ−Ｖ化合物半導体材料の製造方法は、ａ）｛００１｝配向を有する第１半導体材料からなる基板と、基板の上に位置し、これと接触する絶縁層と、絶縁層内に、少なくとも部分的に基板を露出させる凹部領域を用意する工程と、ｂ）凹部領域において露出基板の上に位置し、これと接触するバッファ層を形成する工程工程と、ｃ）バッファ層の表面を粗面化するために、熱処理を印加する工程とを含み、バッファ層が、熱処理の印加後に二重ステップ表面を有する丸み形状をなし、ｄ）凹部領域を、バッファ層の二重ステップ表面の上に位置し、これと接触するＩＩＩ−Ｖ化合物半導体材料で少なくとも部分的に充填する工程をさらに含む。 （もっと読む）

【課題】欠陥密度を低減させることが可能なアモルファスカーボン膜及びこれを用いた太陽電池を提供する。
【解決手段】Ｓｉ含有量が１ａｔ％以下である、アモルファスカーボン膜とし、該アモルファスカーボン膜を用いた太陽電池とする。 （もっと読む）

【課題】活性層の劣化を抑制した半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、窒化物半導体を含む結晶層を含む半導体発光素子の製造方法が提供される。窒化物半導体は、Ｉｎ原子及びＧａ原子を含み、Ｉｎ原子の数とＧａ原子の数との合計に対するＩｎ原子の数の比であるｘｓが０．２以上０．４以下である。製造方法は、基体の主面に、Ｇａ原子を含む第１分子とＩｎ原子を含む第２分子とを含む原料ガスを供給して結晶層を形成する工程を備える。第１分子及び第１分子の分解種の原料ガスに対する第１分圧と、第２分子及び第２原料分子の分解種の原料ガスに対する第２分圧と、の合計に対する第２分圧の比をＩｎの気相供給量比ｘｖとする。（１−１／ｘｖ）／（１−１／ｘｓ）を０．１よりも小さくする。 （もっと読む）

【課題】III族窒化物の表面欠陥の数を低減可能な、III族窒化物半導体を成長する方法を提供する。
【解決手段】成長工程Ｓ１では、アンモニアおよびIII族有機金属物質を含むガスＧ１を気相成長装置１１の成長炉１５に供給して、ＧａＮ等のIII族窒化物半導体を成長する。工程Ｓ２では、時刻ｔ１においてIII族有機金属物質を気相成長装置１１へ供給することを停止して、III族窒化物半導体の成長を終了する。工程Ｓ３では、時刻ｔ２において気相成長装置１１の反応炉１５の温度が、時刻ｔ１における温度Ｔｅｍｐ１よりも低い温度Ｔｅｍｐ２になるように、アンモニアを含むガスを供給しながら時刻ｔ１以降の期間中に気相成長装置１１の温度を変更する。III族窒化物半導体の成長期間Ｔａおよび気相成長装置の温度の変更期間Ｔｂの少なくともいずれかの期間中に、アンモニアの供給量が増加される。 （もっと読む）

【課題】極力スループットを低下させずに、希釈ガスの無駄を抑制しつつ安全に可燃性ガスを排気することができる排気方法およびガス処理装置を提供すること。
【解決手段】処理ガスの排気流量を、処理ガスをその爆発下限界値に希釈したときに除害装置の最大処理能力のガス流量となる量以下の所定値に決定する工程と、決定した処理ガスの排気流量を維持するための単位時間当たりのチャンバ内の圧力降下量を、排気流量と単位時間当たりのチャンバ内の圧力降下量との関係式に基づいて算出する工程と、算出された単位時間当たりのチャンバ内の圧力降下量となるように、チャンバ内の圧力の目標設定値を所定時間毎に自動圧力制御バルブの制御値として更新設定して自動圧力制御バルブによりチャンバ内の圧力を制御しながら、決定された排気流量を維持するように排気する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ基板に存在するマイクロパイプを、閉塞させることが可能な半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、ＳｉＣ基板１０上に、第１のＧａＮ層１８を成長させる工程と、第１のＧａＮ層１８上に、（横方向成長速度）／（縦方向成長速度）が、第１のＧａＮ層１８の成長に比べて小さい条件を用いることで成長された第２のＧａＮ層２０を形成する工程と、を有する半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】ピンチオフ特性を改善することが可能な半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、ＳｉＣ基板１０上に設けられ、アクセプタ濃度（Ｎａ）がドナー濃度（Ｎｄ）以上の濃度であるＡｌＧａＮバッファ層１８と、ＡｌＧａＮバッファ層１８上に設けられたＧａＮ電子走行層１４と、ＧａＮ電子走行層１４上に設けられ、ＧａＮよりもバンドギャップが大きいＡｌＧａＮ電子供給層１６と、を有する半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】粒界を避けた素子配置を容易に形成させることにより、実質的に単結晶基板上と同等に高性能の素子を効率的に製造でき、更に粒界に沿って分割することで容易に素子を製造できる、大型の多角形ダイヤモンド結晶粒が配列した高配向ダイヤモンド膜を提供する。
【解決手段】異種材料の結晶基板上に、その結晶方位の情報を引き継いで成長を開始した高配向ダイヤモンド膜であって、表面において、多角形ダイヤモンド結晶粒が、重心間距離が２０μｍ以上の二次元繰り返しパターンで配列していることを特徴とする配列化ダイヤモンド膜。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板上にバッファ層を介して形成されるＧａＮ層を高品質にすることが可能な半導体装置およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、シリコン基板１０上に設けられ、ＧａＮよりもバンドギャップが大きいバッファ層１６と、バッファ層１６上に設けられた第１のＧａＮ層１８と、第１のＧａＮ層１８の上面に接して設けられた第２のＧａＮ層２０と、を有し、第１のＧａＮ層１８に含まれる炭素の濃度は、第２のＧａＮ層２０に含まれる炭素の濃度に比べて高い半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】転位およびクラックの発生、並びに、基板の反りを抑制することが可能な結晶成長方法を提供する。
【解決手段】このＩＩＩ族窒化物半導体の結晶成長方法は、シリコン基板１００を加熱する工程と、加熱されたシリコン基板１００に対して、少なくともＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）を含むガスを先出し供給することにより、基板表面に凹状構造１０５を形成する工程とを備えている。 （もっと読む）

【課題】直径１００ｍｍ以上の大口径であっても結晶欠陥部分が少なく、化合物半導体層のエピタキシャル形成に適した高品質かつ低コストのサファイア単結晶基板、および、かかる基板上に化合物半導体層を成膜した高品質の半導体発光素子を安定的に提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族化合物半導体層を有する半導体発光素子の製造方法であって、サファイア単結晶のインゴットからウエーハを切り出す基板切り出し工程Ｓ２００と、切り出したウエーハについてラング法によるＸ線トポグラフィ測定を行い、（１１−２０）面のＸ線回折像が得られるＸ線の入射角度ωに対し、±０．１５°の範囲内を判断基準とする湾曲補正値Δωにより補正したＸ線によりＸ線回折像が得られる結晶欠陥部分を含むウエーハを選別する選別工程Ｓ５００と、選別されたウエーハの被成膜面上にＩＩＩ族化合物半導体層を成膜する半導体層成膜工程Ｓ８００と、を有する。 （もっと読む）