【課題】駆動電圧が低い半導体発光素子を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、ｎ形半導体層と、電極と、ｐ形半導体層と、発光層と、を備えた半導体発光素子が提供される。前記ｐ形半導体層は、前記ｎ形半導体層と前記電極との間に設けられる。前記ｐ形半導体層は、前記電極に接するｐ側コンタクト層を含む。発光層は、前記ｎ形半導体層と前記ｐ形半導体層との間に設けられる。前記ｐ側コンタクト層は、前記ｎ形半導体層から前記ｐ形半導体層に向かう第１方向に対して垂直な平面を有する平坦部と、前記平坦部から前記電極に向かって突出した複数の突起部と、を含む。前記複数の突起部の前記第１方向に沿った高さは、前記発光層から放出される光の主波長の１／４の長さよりも小さい。前記複数の突起部の前記平面内における密度は、５×１０^７個／ｃｍ^２以上、２×１０^８個／ｃｍ^２以下である。 （もっと読む）

【課題】成長を繰り返しても、エピタキシャル層の面内不均一が生じにくい半導体ウェハの製造方法を提供する。
【解決手段】予め、成長炉１内をＧａＳｅからなる層状構造結晶でコーティングして、成長炉１内にＧａＳｅコーティング層５を形成しておき、成長炉１内で、ＧａＡｓ基板２上に気相成長によりエピタキシャル層２ａを形成する。 （もっと読む）

【課題】III 族窒化物半導体発光素子の光取り出し効率を向上させること。
【解決手段】実施例１のIII 族窒化物半導体発光素子は、凹凸形状が形成されたサファイア基板１０と、サファイア基板１０の凹凸形状側表面上に、バッファ層を介して順に積層された、III 族窒化物半導体からなるｎ型層、発光層、ｐ型層と、を有している。凹凸形状は、サファイア基板１０表面上にｘ軸方向をストライプ方向とする第１のストライプ形状１００が形成され、その上にｘ軸方向と直交するｙ軸方向をストライプ方向とする第２のストライプ形状１０１が重ねて形成された形状である。このような凹凸形状とすることで、従来のIII 族窒化物半導体発光素子よりも光取り出し効率を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】石英製の反応炉の損傷を抑制することができ、副生成物の生成を抑制できるＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法、ＩＩＩ族窒化物テンプレートの製造方法、ＩＩＩ族窒化物結晶及びＩＩＩ族窒化物テンプレートを提供する。
【解決手段】本発明に係るＩＩＩ族窒化物結晶は、ＩＩＩ族窒化物結晶中に１×１０^１６ｃｍ^−３以上１×１０^２０ｃｍ^−３未満の炭素を含み、前記炭素がＶ族サイトを置換しており、かつ、前記ＩＩＩ族窒化物結晶内でアクセプタとして働く他の不純物を含まないものである。 （もっと読む）

【課題】 埋め込み工程におけるスループットを向上でき、埋め込み工程が多用される半導体集積回路装置であっても、優れた生産能力を発揮することが可能な成膜装置を提供すること。
【解決手段】 アミノシラン系ガスを供給する供給機構１２２、及びアミノ基を含まないシラン系ガスを供給する供給機構１２１を備え、アミノシラン系ガスを供給して前記導電体に達する開孔を有した絶縁膜の表面、及び前記開孔の底の表面にシード層を形成する処理、及びアミノ基を含まないシラン系ガスを供給してシード層上にシリコン膜を形成する処理を、一つの処理室内１０１において順次実行する。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ電子走行層の厚さを広い範囲で選択することができ、デバイス設計の自由度を高めることができる窒化物半導体素子、および耐圧および信頼性に優れる窒化物半導体素子パッケージを提供すること。
【解決手段】基板４１上に、ＡｌＮ層４７、第１ＡｌＧａＮ層４８（平均Ａｌ組成５０％）および第２ＡｌＧａＮ層４９（平均Ａｌ組成２０％）からなるバッファ層４４を形成する。バッファ層４４上には、ＧａＮ電子走行層４５およびＡｌＧａＮ電子供給層４６からなる素子動作層を形成する。これにより、ＨＥＭＴ素子３を構成する。 （もっと読む）

【課題】Ｉｎを含む窒化物化合物半導体結晶で、より容易にｐ型の電気的特性が得られるようにする。
【解決手段】まず、基板１０１を加熱する。次に、少なくともＩｎ原料、アンモニア、窒素以外のＶ族の原料、およびｐ型ドーパントの原料を基板１０１の上に供給する。ただし、窒素以外のＶ族は、Ａｓ，Ｐ，およびＳｂの中より選択したものである。なお、Ｉｎ原料の他に、Ｇａ原料、Ａｌ原料などを加えるようにしてもよい。これにより、基板１０１の上に、Ｉｎを含むｐ型窒化物化合物半導体結晶の層１０２が形成できる。 （もっと読む）

【課題】低減された酸素濃度のｐ型窒化ガリウム系半導体層を有するIII族窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】III族窒化物半導体素子１１は、基板１３、ｎ型III族窒化物半導体領域１５、発光層１７、及びｐ型III族窒化物半導体領域１９を備える。基板１３の主面１３ａは、該第１の窒化ガリウム系半導体のｃ軸に沿って延びる基準軸Ｃｘに直交する面Ｓｃから５０度以上１３０度未満の範囲の角度で傾斜する。ｐ型III族窒化物半導体領域１９は、第１のｐ型窒化ガリウム系半導体層２１を含み、第１のｐ型窒化ガリウム系半導体層２１の酸素濃度は５×１０^１７ｃｍ^−３以下である。第１のｐ型窒化ガリウム系半導体層２１のｐ型ドーパント濃度Ｎｐｄと酸素濃度Ｎｏｘｇとの濃度比（Ｎｏｘｇ／Ｎｐｄ）が１／１０以下である。 （もっと読む）

【課題】基板保持具に棚状に積載された複数の基板に対して成膜ガスを供給して成膜処理を行うにあたり、パーティクルの発生や基板と基板保持具との張り付きを抑えることのできる縦型熱処理装置を提供すること。
【解決手段】ウエハＷの各々の収納位置毎に、ウエハＷの周方向に互いに離間した位置において当該ウエハＷの周縁部を下方側から各々支持する複数の主保持部３３ａと、これら主保持部３３ａに対してウエハＷの周方向に離れた位置に設けられ、各々の主保持部３３ａに支持されるウエハＷの周縁部に対して前記傾斜軸方向において下方側から臨む位置に配置された補助保持部３３ｂと、を設けて、このウエハボート１１が１回転する度に、ウエハＷの姿勢が各々の主保持部３３ａで支持される姿勢と主保持部３３ａの少なくとも１つ及び補助保持部３３ｂにより支持される姿勢との間で変わるようにする。 （もっと読む）

【課題】ｎ型不純物を導入した表面の荒れを抑制できる半導体ウエハの製造方法、半導体装置の製造方法およびセンサアレイの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体ウエハ１０の製造方法は、以下の工程を備えている。成長室内で、ＧａＳｂ基板１２上に、Ｓｂ供給部からＳｂの原料を供給することでＧａＳｂを含む層を成長する。成長室内で、ＧａＳｂを含む層上に第１のＩｎＡｓ層１６を成長することで、エピタキシャルウエハを得る。第１のＩｎＡｓ層１６の成長時の温度よりも高い温度でエピタキシャルウエハを保持する。成長室からエピタキシャルウエハを取り出して、Ｓｂ供給部を立ち下げる。Ｓｂ供給部が立ち下げられた状態で、エピタキシャルウエハを成長室内に投入し、第１のＩｎＡｓ層１６上に第２のＩｎＡｓ層１７を形成する。 （もっと読む）

【課題】太陽電池の薄膜蒸着装置、システム、それを利用した太陽電池の製造方法及び異種接合の太陽電池の製造方法、並びにこれによって製造された異種接合の太陽電池を提供する。
【解決手段】太陽電池の薄膜蒸着装置は、基板Ｗを境界として区分される複数個の単位チャンバー１１０ａ，１１０ｂと、複数個の単位チャンバーに蒸着ガスＧ１，Ｇ２を独立的に注入させるための蒸着ガス注入部１２０ａ，１２０ｂと、前記単位チャンバー内にそれぞれ備えられ、前記注入された蒸着ガスを分解するための分解手段１３０ａ，１３０ｂと、を備え、前記基板の両面それぞれは、前記複数個の単位チャンバーに露出され、太陽電池の薄膜蒸着装置及びそれを利用した製造方法は、基板の回転なしに固定された状態で基板の両面蒸着を可能にする。したがって、一面に対して一層のみが積層される従来の技術に比べて、要求される設備の数が画期的に減ることができる。 （もっと読む）

【課題】信頼性を向上させた発光素子用エピタキシャルウェハ、及び発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子用エピタキシャルウェハは、ｎ型基板１上に、少なくともＰ（燐）系結晶のｎ型クラッド層３、Ａｌ_ｘＧａ_{（１−ｘ）}Ａｓ、又はＧａＡｓなどのＡｓ（砒素）系結晶で形成した量子井戸構造を有する発光層５、及びｐ型クラッド層７が順次積層された化合物半導体と、ｎ型クラッド層３と発光層５との間に、発光層５を構成するＡｌ_ｘＧａ_{（１−ｘ）}Ａｓ層とは異なるＡｌ_ｘＧａ_{（１−ｘ）}Ａｓ層４とを有している。 （もっと読む）

【課題】ｐ型III族窒化物半導体の電気特性を向上できるIII族窒化物半導体光素子を提供する。
【解決手段】窒化ガリウム系半導体領域１５及び窒化ガリウム系半導体領域１９は、基板１３の主面１３ａ上に設けられる。窒化ガリウム系半導体領域１９は、ｐ型ドーパントとしてマグネシウムを含むIII族窒化物半導体膜２１を有しており、III族窒化物半導体膜２１は、III族構成元素としてアルミニウムを含む。III族窒化物半導体膜２１の酸素濃度は、１．０×１０^１７ｃｍ^−３以上の範囲にあり、III族窒化物半導体膜２１の酸素濃度は、１．５×１０^１８ｃｍ^−３以下の範囲にある。また、III族窒化物半導体膜２１の水素濃度は１．０×１０^１７ｃｍ^−３以上の範囲にあり、III族窒化物半導体膜２１の水素濃度は１．５×１０^１８ｃｍ^−３以下の範囲にある。 （もっと読む）

【課題】製造コストを大幅に増加させずに、発光出力が高く、不要な波長の光の放出が少ない発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子１は、反射部２１０が複数のペア層を有し、第１の半導体層２１０ａが、光のピーク波長をλ_ｐ、第１の半導体層２１０ａの屈折率をｎ_Ａ、第２の半導体層２１０ｂの屈折率をｎ_Ｂ、第１クラッド層２２０の屈折率をｎ_Ｉｎ、光の入射角をθとした場合に、式（１）で定められる厚さＴ_Ａ１を有し、第２の半導体層２１０ｂが式（２）で定められる厚さＴ_Ｂ１を有し、ペア層が４４以上６１以下のθの値の範囲で式（１）及び式（２）で規定される厚さの第１の半導体層２１０ａ及び第２の半導体層２１０ｂを含み、４４以上６１以下のθの値の範囲で式（１）で規定される厚さの第１の半導体層２１０ａと式（２）で規定される厚さの第２の半導体層２１０ｂとからなるペア層を含む。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率を向上させることのできる発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子１は、第１半導体層と、第２半導体層と、第１半導体層と第２半導体層とに挟まれる発光層とを有する半導体積層構造１０と、半導体積層構造１０の一方の面上に設けられ、線状表面電極部を有する表面電極５０と、半導体積層構造１０の表面電極５０が設けられる側の反対の面側に設けられ、光を反射する反射層３２と、半導体積層構造１０と反射層３２との間に設けられる誘電体層と、半導体積層構造１０と反射層３２とを電気的に接続し、線状界面電極部を有する界面電極４０とを備え、線状表面電極部と線状界面電極部とがそれぞれ、平面視にて予め定められた方向に沿って延び、半導体積層構造１０が、半導体積層構造１０の反射層３２の反対側の表面に、予め定められた方向とは異なる方向に沿って設けられる溝８０を有する。 （もっと読む）

【課題】基板面に成長する結晶における面内の組成及び膜厚の均一性を向上し得る気相成長装置を提供すること。
【解決手段】環状の室構成面部５５と、その室構成面部５５に対向する環状の対向面４７とで画定されると共に、環状の室構成面部５５の径方向の外方側と径方向の内方側とに開口を有する反応室２を形成する。上記対向面４７に基板１を保持する基板ホルダ２１を形成する。室構成面部５５において基板ホルダ２１に対向する基板対向部６６を、石英の熱伝導率より大きい熱伝導率を有する材質で構成する。 （もっと読む）

【課題】半導体材料を堆積させる新規な方法及び堆積システムを提供する。
【解決手段】ＩＩＩ−Ｖ族半導体材料を基板に堆積させる方法は、複数のガスコラムに対する基板の空間的位置づけを変更することによってＩＩＩ族元素のガス状前駆体及びＶ族元素のガス状前駆体を基板に連続的に導入するステップを含む。例えば、基板は、各々が異なる前駆体を配置する複数の実質的に位置合わせされたガスコラムに対して移動することができる。前駆体を生成するための熱運動化ガス噴射器は、入口と、熱運動化管路と、液体試薬を保持するように構成された液体容器と、出口とを含むことができる。１つ又は複数のＩＩＩ−Ｖ族半導体材料を基板の表面に形成するための堆積システムは、前駆体を複数のガスコラムを介して基板に誘導するように構成された１つ又は複数のそのような熱運動化ガス噴射器を含むことができる。 （もっと読む）

【課題】
バッファ層に導電性を持たせつつもバッファ層上に形成されるデバイス層において良好な結晶性を得ることができる積層半導体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】
前記ＧａＮ系窒化物半導体膜とは異種の材料からなる基板上に第１のバッファ層および第２のバッファ層を交互に３回以上繰り返し積層した中間層を形成する。前記中間層の上にＧａＮ系窒化物半導体膜を成長させてデバイス層を形成する。前記第１のバッファ層は、単結晶成長温度よりも低い温度でシリコンをドープしつつＧａＮ系窒化物半導体膜を成長させることにより形成される。前記第２のバッファ層は、単結晶成長温度でシリコンをドープしつつ互いに組成の異なる２種類のＧａＮ系窒化物半導体膜を交互に繰り返し成長させることにより形成される。前記第１のバッファ層は、前記第２のバッファ層よりも高濃度でシリコンドープされる。 （もっと読む）

【課題】応力のないエピタキシャル被覆させた半導体ウェハを提供する。
【解決手段】少なくとも前面がポリシングされた半導体ウェハを準備し、枚葉式エピタキシャル反応器中のサセプタに裁置し、１０００〜１２００℃の温度で化学気相蒸着によりエピタキシャル層をポリシングされた前面に設けることにより被覆するエピタキシャル被覆させた半導体ウェハの製造方法において、エピタキシャル被覆が行われた後に、前記半導体ウェハを１２００〜９００℃の温度範囲で、１秒あたり５℃より低い速度で冷却する。 （もっと読む）

【課題】
２フローリアクタにおいて排気間に再び材料ガス流への中間反応ガスの巻き込みを防止し半導体素子の製造歩留まりを高める気相成長装置を提供することを目的とする。
【解決手段】
気相成長装置は、基板を担持して、これを加熱および回転するサセプタと、基板へ向かう材料ガス噴出口を有し、材料ガス噴出口から基板上に沿って材料ガスの層流を供給する材料ガスノズルと、基板へ向かう押さえガス噴出口を有し、押さえガス噴出口から押さえガスを、基板の法線方向から所定角度範囲で且つ基板の面積より広い面積で、押さえガス流として基板上に供給する押さえガス噴出器と、を備え、材料ガス噴出口および押さえガス噴出口から離れた材料ガスノズルの上方に離間して配置され且つ、押さえガス噴出口および材料ガス噴出口の間隙へ向かう遮断ガスを噴出する遮断ガス噴出口を有する遮断ガスノズルを有する。 （もっと読む）