【課題】
２フローリアクタにおいて排気間に再び材料ガス流への中間反応ガスの巻き込みを防止し半導体素子の製造歩留まりを高める気相成長装置を提供することを目的とする。
【解決手段】
気相成長装置は、基板を担持して、これを加熱および回転するサセプタと、基板へ向かう材料ガス噴出口を有し、材料ガス噴出口から基板上に沿って材料ガスの層流を供給する材料ガスノズルと、基板へ向かう押さえガス噴出口を有し、押さえガス噴出口から押さえガスを、基板の法線方向から所定角度範囲で且つ基板の面積より広い面積で、押さえガス流として基板上に供給する押さえガス噴出器と、を備え、材料ガス噴出口および押さえガス噴出口から離れた材料ガスノズルの上方に離間して配置され且つ、押さえガス噴出口および材料ガス噴出口の間隙へ向かう遮断ガスを噴出する遮断ガス噴出口を有する遮断ガスノズルを有する。 （もっと読む）

【課題】オン抵抗やリーク電流を低減したＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体エピタキシャルウェハを提供する。
【解決手段】単結晶基板上に、少なくとも、ＧａＡｓ層、ＡｌＧａＡｓ層からなるバッファ層、ＩｎＧａＡｓ層からなるチャネル層、ｎ型不純物を含有するＡｌＧａＡｓ層又はＩｎＧａＰ層若しくはＳｉプレナードープ層からなる電子供給層、ノンドープ又は低濃度ｎ型不純物を含有するＡｌＧａＡｓ層からなるショットキー層、Ｓｅ又はＴｅをドーパントとしたｎ型不純物を含有するＩｎ_xＧａ_(1-x)Ａｓ層（但し０＜ｘ＜１）からなるコンタクト層を積層したＨＥＭＴ構造を有するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体エピタキシャルウェハにおいて、その表面清浄度検査におけるＨａｚｅ値が５００ｐｐｍ以下であるものである。 （もっと読む）

【課題】水素又は塩化水素を含むパージガス用いるとともに、ＳｉＣヒータを備える成膜装置において、ＳｉＣヒータの劣化を抑制することができる技術を提供することを目的とする。
【解決手段】ウエハ７０の表面にシリコン膜を成長させる成膜装置１０であって、ウエハ７０を設置可能なウエハステージ１４、１６と、ウエハステージ内に配置されており、ウエハ７０を加熱するＳｉＣヒータ４２と、ウエハ７０の被成膜面に、シリコン膜の原料ガスを供給する原料ガス供給手段６０、６２、６４と、ウエハステージ内に形成されており、ウエハの裏面と外周面の少なくとも一部に、水素または塩化水素を含むパージガスを供給するパージガス流路３２、３０、３６と、ウエハステージ内に形成されており、ＳｉＣヒータ４２に、ＳｉＣヒータ４２に対して不活性なガスを供給する不活性ガス流路４４、４８を有している。 （もっと読む）

【課題】一度に処理できる基板の枚数を増加させたコールドウォール型の基板処理装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】処理炉２０２内に複数のウエハ２００を積載したボート２１７を配置し、該ボート２１７の外周側に、リング状に形成されたリング状プレート３１１をリングボート３１２により支持して、前記ウエハ２００の積載方向に複数並べて配置する。前記リング状プレート３１１を誘導加熱装置２０６で誘導加熱し、その輻射熱により前記ウエハ２００を外周縁全体から加熱する。前記リング状プレート３１１の外周側にガス供給ノズル２３２を配置し、該ガス供給ノズル２３２のガス供給口２３２ａから吐出されたガスを、隣り合う複数の前記リング状プレート３１１の間の隙間部分を通して前記ウエハ２００に供給する。 （もっと読む）

【課題】反応容器のメンテナンス処理を削減しつつ、反応容器に収納できる基板の枚数を増やす。
【解決手段】処理炉２０２内のボート２１７の外周側に、各ウェハ２００の積載方向に延在し、かつ各ウェハ２００の周方向に所定の間隙を成すよう複数のカーボン支柱２３４を設け、各カーボン支柱２３４を誘導加熱装置２０６で誘導加熱し、各カーボン支柱２３４からの輻射熱で各ウェハ２００を加熱するようにした。よって、基板処理装置１０１をコールドウォール方式としつつ、処理炉２０２内に収納できるウェハ２００の枚数を増やすことができる。ホットウォール方式の基板処理装置に比して、処理炉２０２の内部全体を処理温度に昇温しなくて済むので、アウターチューブ２０５の内壁等に半導体膜が形成されるのを抑制して、ひいては処理炉２０２のメンテナンス処理を削減できる。 （もっと読む）

【課題】基板面内のコンタクト抵抗を低く抑えることを可能とした化合物半導体エピタキシャルウェハの製造方法と、トランジスタ用エピタキシャルウェハを提供する。
【解決手段】基板１上に有機金属原料化学気相成長法で化合物半導体層を形成する気相エピタキシャル成長装置１０によってｎ型不純物がドーピングされたｎ型コンタクト層を成長させる際に、原料ガスが供給される上流側に設けられた第１ヒータ１６のヒータ温度を５００℃以上とし、第１ヒータ１６より下流側に設けられた他のヒータ１７，１８のヒータ温度を第１ヒータ１６のヒータ温度よりも低く、かつ、３５０℃以上５００℃以下に調整する。 （もっと読む）

【課題】熱伸びせず、耐久性に優れた通電加熱線、通電加熱線の製造方法及びこの通電加熱線を用いた真空処理装置を提供することにある。
【解決手段】本発明に係る通電加熱線（ＴａＢＮ線２０）は、窒化タンタル線からなる第１の層２１と、第１の層２１の表面を被覆し、例えばホウ化物からなる第２の層２２を有する。すなわち、強度が高く変形が少ない窒化タンタル線の表面を、第２の層が被覆することによって、高温環境下での窒化タンタル線からの脱窒素を抑制でき、耐久性が非常に高い通電加熱線として利用できる。また、このようなＴａＢＮ線２０を用いた真空処理装置は、コストの低減・生産性の向上を図れると同時に、基板成膜時の膜質安定化も期待できる。 （もっと読む）

【課題】面内にわたって表面抵抗率を均一化し、得られるＨＥＭＴ素子の製品抵抗のバラツキを低減した化合物半導体エピタキシャルウェハ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＡｓからなる基板１上に、少なくともＡｌＧａＡｓからなるバッファ層３、ＡｌＧａＡｓからなる下部電子供給層４、ＧａＡｓもしくはＩｎＧａＡｓからなる電子走行層５、ＡｌＧａＡｓからなる上部電子供給層６、ＡｌＧａＡｓからなるショットキー層７、及びｎ型不純物を含有するＧａＡｓからなるオーミックコンタクト層８が順次形成された化合物半導体エピタキシャルウェハ１０において、オーミックコンタクト層８の外周部のキャリア濃度を中心部のキャリア濃度より高くしたものである。 （もっと読む）

【課題】容量増加による高周波特性の劣化及び裏面電極に起因する絶縁破壊を抑止し、チップ面積を増加させることなく、インパクトイオン化により生成したホールを容易且つ確実に引き抜いて排出することを可能として、高耐圧性及び高信頼性を実現する化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁性又は半絶縁性の基板１の表面に電子走行層３、電子供給層４が形成され、電子供給層４内には局所的なｐ型領域７が形成されており、基板１の裏面にｐ型領域７の一部を露出させる開口１ａが形成され、開口１ａを導電材料で埋め込みｐ型領域７とオーミック接続された裏面電極８を備え、ＡｌＧａＮ／ＧａＮ・ＨＥＭＴが構成される。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンド半導体の不純物の新しい混入状態を実現する。
【解決手段】ダイヤモンド半導体は、ダイヤモンド１０とダイヤモンド１０内にドーピングされる不純物で構成される。不純物のドーピングにより、ダイヤモンド１０内に複数の高濃度ドープ領域２０が形成される。各高濃度ドープ領域２０は、ダイヤモンド１０内において空間的に局在化されており、そして、ダイヤモンド１０内において複数の高濃度ドープ領域２０が分散的に配置されている。不純物のドーピングによりキャリア生成のための活性化エネルギーを低下させつつ、各高濃度ドープ領域２０の局在化によりキャリア移動度の低下を抑えることが可能になる。 （もっと読む）

【課題】基板を誘導加熱する際に、放射温度計を用いて正確な温度測定が可能な基板処理技術を提供する。
【解決手段】複数の基板を収容して処理する反応管と、該反応管の内部に設けられ、複数の基板を加熱する積層された複数の被誘導加熱体と、前記複数の被誘導加熱体からの光を同時に集光する集光部を備え、該集光部が同時に集光した被誘導加熱体からの光に基づき、前記複数の被誘導加熱体の温度を測定する放射温度計と、前記反応管の外部に設けられ、前記放射温度計が測定した温度情報に基づき、前記被誘導加熱体を誘導加熱する誘導加熱体と、を有するように基板処理装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】シリコン薄膜の製造方法、シリコン薄膜太陽電池の製造方法、シリコン薄膜を提供する。
【解決手段】シリコン基板３２上にシリコン結晶１２の原料ガス２８に対して前記シリコン結晶１２の成長が不活性な不活性層３８を選択的に形成することにより前記シリコン基板３２の露出面３４と前記不活性層３８による不活性面３６を形成し、前記原料ガス２８のうち前記シリコン基板３２における表面分解反応が支配的な性質を有する原料ガス２８を前記シリコン基板３２に供給して前記シリコン結晶１２を前記露出面３４から成長させ前記シリコン結晶１２が前記シリコン基板を覆う態様でシリコン薄膜１０を製造する方法であって、前記露出面３４の幅を０．００１μｍから１μｍの範囲で形成することにより、前記シリコン薄膜１０を前記シリコン基板３２から剥離可能な状態で形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】固体原料から試薬を送出するためのシステムと方法を提供する。
【解決手段】固体原料物質を加熱し固体原料物質から蒸発により蒸気を発生するため、構造物であってその少なくとも一部により封じ込められている固体原料物質（３０）を保持するように構成された構造物（１６、２２、２４）、そのような蒸発のために固体原料物質を加熱するように構成された熱源（８２）、およびシステムから蒸気を放出するように構成された蒸気分配アセンブリ（５２、５４）を備える、試薬をその固体原料から送出するためのシステム（１０）が実現される。高伝導性弁（１５１０）は、入口および出口通路が実質的に互いに垂直であり、その内部端は完全開位置と完全閉位置との間で移動可能な選択的に位置決め可能な弁要素を含む弁室（１５３６）と連絡している弁本体（１５１２）を備える。 （もっと読む）

【課題】混合基板の選択された領域上に、Ｓｉ含有膜を選択的に堆積するためのトリシランおよびハロゲン含有エッチャントソース（塩素など）を使用する化学気相成長方法を提供すること。
【解決手段】ドーパントソースは、ドープしたＳｉ含有膜を選択的に堆積させるために、トリシランおよびエッチャントソースと混合することもできる。この選択的堆積方法は、半導体製造などの様々な用途に有用である。 （もっと読む）

【課題】長期信頼性が高い窒化物系化合物半導体および窒化物系化合物半導体素子を提供すること。
【解決手段】アルミニウム原子、ガリウム原子、インジウム原子およびボロン原子から選択される１以上のＩＩＩ族原子と、窒素原子とを含む窒化物系化合物半導体であって、添加物としてリチウム、銅、銀、または金を含む。好ましくは、前記添加物のドープ濃度は、ガリウム格子間原子の濃度と同程度である。好ましくは、前記添加物のドープ濃度は、５×１０^１６ｃｍ^−３〜５×１０^１８ｃｍ^−３である。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体膜の気相成長において、一度に処理する基板の枚数を増大させ、生産性を向上させることができる膜の形成方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】縦型バッチ処理室２０１内の基板処理領域２０６２に複数の基板が搬入される工程と、前記処理室内の前記基板処理領域が加熱維持され、前記処理室内の前記基板処理領域外に設けられた第一ガス供給口９３１から窒素含有ガスが供給され、前記第一ガス供給口９３１よりも前記基板処理領域側に設けられた第二，第三，第四，第五ガス供給口９３５，９３６，９３７，９３８から金属含有ガスが供給され、前記複数の基板に窒素及び金属からなる窒化物半導体膜が形成される工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】長期信頼性が高い窒化物系化合物半導体および窒化物系化合物半導体素子を提供すること。
【解決手段】アルミニウム原子、ガリウム原子、インジウム原子およびボロン原子から選択される１以上のＩＩＩ族原子と、窒素原子とを含む窒化物系化合物半導体であって、添加物としてドープした金属原子とガリウム格子間原子とが複合体を形成している。好ましくは、前記添加物は鉄またはニッケルである。好ましくは、前記添加物のドープ濃度は、前記ガリウム格子間原子の濃度と同程度である。 （もっと読む）

【課題】電気特性が良好な半導体装置を、生産性高く作製する。
【解決手段】第１の条件により、高い結晶性の混相粒を低い粒密度で有する種結晶を形成した後、種結晶上に、第２の条件により種結晶の混相粒を成長させて混相粒の隙間を埋めるように、種結晶上に微結晶半導体膜を積層形成する。第１の条件は、シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体の流量に対する水素の流量を５０倍以上１０００倍以下にして堆積性気体を希釈し、且つ処理室内の圧力を１３３３Ｐａより大きく１３３３２Ｐａ以下とする条件である。第２の条件は、シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体の流量に対する水素の流量を１００倍以上２０００倍以下にして堆積性気体を希釈し、且つ処理室内の圧力を１３３３Ｐａ以上１３３３２Ｐａ以下とする条件である。 （もっと読む）

【課題】欠陥密度の低いアモルファスカーボン及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明に係るアモルファスカーボンは、フッ素濃度が５×１０^−５〜３％（ａｔｍ）であり、少量のフッ素原子を導入したフッ素化アモルファスカーボンである。これにより、アモルファスカーボン中の欠陥数を減少させることができ、欠陥密度の低いアモルファスカーボンが実現可能となる。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンド基板上に、クラックが抑制され、かつ膜厚が厚い単結晶窒化物層を有する半導体積層構造を提供すること。
【解決手段】ダイヤモンド基板上に直接成長した窒化物層が多結晶となる上記課題を解決するため、本発明に係る半導体積層構造は、ダイヤモンド基板と、ダイヤモンド基板上の、Ｓｉを含む第１の層と、第１の層上の、単結晶窒化物で構成される第２の層とを備える。Ｓｉを含む第１の層をダイヤモンド基板と第２の層との間に設けることにより、第２の層の膜厚を大きくしても、第２の層を構成する窒化物を、クラックの抑制された単結晶とすることができる。したがって、当該半導体積層構造を利用することで、高いドレイン電流および出力電力密度を有する電界効果トランジスターを実現することが可能である。 （もっと読む）