【課題】 本発明は、ポリシリコン膜の界面特性を改善させることが可能な半導体素子のポリシリコン膜形成方法を提供することを目的としている。
【解決手段】 半導体基板を蒸着チャンバーの内部にロードさせた後、前記蒸着チャンバーの内部にＳｉＨ_４またはＳｉ_２Ｈ_６ガスを１５０ｓｃｃｍ以上、且つ２５０ｓｃｃｍ以下程度の流量でフローさせ、前記半導体基板上にアンドープトポリシリコン膜を蒸着する段階を含む構成としたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】温度計用保護管を処理室にシールを確保しつつ着脱可能に設置する。
【解決手段】熱電対６１が挿入される石英製の保護管６２をエルボ管形状に形成する。石英製のプロセスチューブ３１の炉口３３付近の側壁に開設された取付孔６３に石英製のスペーサ６４とパイプ６５を溶着し、パイプ６５に保護管６２の屈曲下端部をプロセスチューブ３１の内側から挿入する。パイプ６５にスペーサ６６とシールリング６７が収納されたキャップ６８を嵌合し、パイプ６５の外側端部に異径ウルトラトール６９を嵌合し、異径ウルトラトール６９の外側端部にスペーサ７０とシールリング７１が収納されたキャップ７２を嵌合する。一対の保護管６２、６２を連結棒７３で連結し、両保護管のプロセスチューブ３１の内周面との間に当てブロック７４、７４を挟み込む。保護管を石英製のプロセスチューブに着脱可能に取り付けることで、メンテナンス作業を向上できる。
（もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、ウェハをガスの風圧により浮上させて処理する場合においても、ウェハの位置、水平姿勢を保持することができ、処理を均一に行うことができる基板処理装置および半導体装置の製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】 基板処理装置は、ウェハＷを処理する処理室１と、処理室１内に処理ガスを供給するガス供給口３と、処理室１内を排気する排気口４と、処理室１内でウェハＷを浮上させるためにウェハ下面に対して下方からガスを吹き出すガス吹き出し口９と、ウェハ浮上時にウェハの水平姿勢を保持するためのホルダ１１と、ホルダ１１の垂直位置を制限するストッパ１２と、を有する。
【選択図】 図１
（もっと読む）

【課題】Ｈ₂ＳｅまたはＤＥＴｅを用いたノンアロイ層付ＨＥＭＴ等のエピタキシャルウェハを成長する前後での電気的特性の変動を、Ｎ₂ガスを用いて効果的に低減すること、すなわち反応炉内のＨ₂Ｓｅの「メモリー効果」を低減すること。
【解決手段】目的とするｎ型のノンアロイコンタクト層７を有する電子デバイス構造のためのエピタキシャル層の成長を終了した後、断熱圧縮された窒素ガスを反応炉内に多量、且つバースト状に送り込むプロセスを行い、その後に再び目的とするｎ型のノンアロイコンタクト層７を有する電子デバイス構造のためのエピタキシャル層の成長を行う。 （もっと読む）

シリコン含有及び/又はゲルマニウム含有膜の一括的又は選択的エピタキシャル堆積の清浄な基板表面を調製する方法。更に、シリコン含有及び/又はゲルマニウム含有膜を成長させる方法であって、基板洗浄方法と膜成長方法の双方が７５０℃未満、典型的には約７００℃〜約５００℃の温度で行われる前記方法。洗浄方法と膜成長方法は、シリコン含有膜が成長している処理容積において波長が約３１０ｎｍ〜約１２０ｎｍの範囲にある放射線の使用を用いる。反応性洗浄又は膜形成成分化学種の具体的な分圧範囲と組み合わせたこの放射線の使用は、業界で以前に知られている温度より低い温度で基板洗浄とエピタキシャル膜成長を可能にする。 （もっと読む）

マイクロエレクトロニック構造を形成する方法が記述される。それらの方法は、基板上にダイヤモンド層を形成し、そこではダイヤモンド層の一部が欠陥を含み、その後、ダイヤモンド層から欠陥を除去することによってダイヤモンド層内に空孔を形成する。 （もっと読む）

高誘電率層（１８０）を半導体装置中に集積するためにシリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）表面層（１６０）を使用する方法である。この方法は、基板（１５０）上にＳｉＧｅ表面層（１６０）を形成し、前記ＳｉＧｅ表面層（１６０）上に高誘電率層（１８０）を堆積する。酸化層（１７０）は、前記高誘電率層（１８０）とＳｉＧｅ表面層（１６０）の未反応部位との間に位置し、前記高誘電率層（１８０）の堆積中とその後のアニーリング処理中とのいずれか、又はいずれもの間に形成される。前記方法は、前記高誘電率層（１８０）上に電極層（１９０）を形成する。
（もっと読む）

本発明は、静止又は移動している基板のための窒化ケイ素薄膜形成装置と、このような薄膜を形成するための方法とを提供する。本発明に係る方法は、薄膜の厚さ及び薄膜の物性の均一性を高めるとともに、薄膜の堆積速度を高める。薄膜の物性は、太陽電池デバイスにおける反射防止層もしくは保護層、又は、薄膜トランジスタにおける誘電体層としての応用に適している。本発明に係る装置は多数の金属フィラメントを備えている。薄膜形成装置内の空間部において、フィラメントを基準にして基板とは反対側に、フィラメントとは予め設定された距離を隔ててガス供給システムが配設されている。静止している基板のための薄膜形成装置は、薄膜形成のための開始条件及び終了条件を制御するとともに、薄膜の厚さを制御するためのシャッターを備えている。
（もっと読む）

本発明の基板処理装置は、ウエハ２００を収容する処理室２０１と、処理室２０１内に処理ガスを供給するガス供給系２３２ａ、２３２ｂと、処理室２０１内の雰囲気を排気する排気系２３１、２４６と、処理ガスをプラズマ化するため、保護管２７５内に挿抜可能に収容された一対の電極２６９、２７０とを有し、電極２６９、２７０は可撓性の部材で構成され、少なくとも一箇所が屈曲した状態で保護管２７５内に収容される。 （もっと読む）

所望のワイヤ径（ｄ）を有する半導体ナノワイヤ群（１０）を製作する方法は、少なくとも１つの予め製作された半導体ナノワイヤは所望のワイヤ径（ｄ）よりも大きいワイヤ径（ｄ’）を有する、予め製作された半導体ナノワイヤ群（１０’）を提供する工程と、少なくとも１つの予め製作されたナノワイヤ（１０’）のワイヤ径をエッチングによって小さくする工程とを備え、このエッチングは少なくとも１つの予め製作されたナノワイヤ（１０’）によって吸収される光によって誘起され、この少なくとも１つの予め製作されたナノワイヤが所望のワイヤ径（ｄ）に達したときに、この少なくとも１つの予め製作されたナノワイヤの吸収がかなり小さくなるように、この光のスペクトルが選択される。電子デバイス（１００）は、所望のワイヤ径（ｄ）を有するナノワイヤ群（１０）を備えてもよい。装置（２９）は本発明による方法を実行するのに使用され得る。
（もっと読む）

本発明は、半導体表面、特にシリコンに分子を付着させるための新規手順を提供するものである。ポルフィリンおよびフェロセンを含む（しかし、これらに限定されない）分子が分子ベースの情報記憶のための魅力的な候補であることは、以前に示されてきた。この新規付着手順は、単純であり、短時間に完了させることができ、最少量の材料しか必要とせず、様々な分子官能基と両立でき、場合によっては従来にない付着モチーフを生じる。これらの特徴は、ハイブリッド分子／半導体情報記憶デバイスを作るために必要な加工段階への分子材料の組込みを非常に向上させる。
（もっと読む）

【課題】バッチタイプ処理システムにおいて順次ガス露出処理によって基板上に金属含有膜を形成するための方法を提供する。
【解決手段】バッチタイプ処理システムの処理チャンバーに基板を供給し、基板を加熱し、金属含有前駆体ガスのパルスと反応ガスのパルスを処理チャンバーに順に流し、これらの流し処理を所望の膜特性を有する金属含有膜が基板上に形成されるまで繰り返す。この方法によって、ＨｆＯ_２やＺｒＯ_２などの酸化金属膜、Ｈｆ_ｘＯ_ｚＮ_ｗやＨｆ_ｘＯ_ｚＮ_ｗなどの酸窒化金属膜、Ｈｆ_ｘＳｉ_ｙＯ_ｚやＺｒ_ｘＳｉ_ｙＯ_ｚなどのケイ酸金属膜、Ｈｆ_ｘＳｉ_ｙＯ_ｚＮ_ｗやＺｒ_ｘＳｉ_ｙＯ_ｚＮなどの窒素含有ケイ酸金属が形成できる。 （もっと読む）

【課題】 窒化物系化合物半導体素子に長期信頼性を施与し、しかも素子特性を低下させることのない表面保護膜を備えた半導体素子を提供すること。
【解決手段】 サファイア基板１上にバッファ層２を介して第一導電型の半導体層３１、発光層３２、第二導電型の半導体層３３を順次成長してなり、ワイヤーボンディング用電極４１、４２からなる窒化物系発光素子の表面に、素子構造の成長技術であるＭＯＶＰＥを使って、非晶質又は多結晶窒化アルミニウムを主成分とする表面保護膜５を低温で形成することにより、機械的に、熱的に、化学的に安定した表面に変える事により素子の信頼性を向上する。 （もっと読む）

【課題】 有機モノマーを飽和蒸気圧の大きい高温で効率良く気化させるとともに得られた有機モノマーガスのプラズマ重合反応により有機高分子膜を高真空中で高速成長する。
【解決手段】 液体ジビニルシロキサンビスベンゾシクロブテン（ＤＶＳ−ＢＣＢ）モノマーをキャリアガスと混合した後、高温に保持された減圧気化室に噴霧して有機モノマーの液体微粒子からなるエアロゾルを形成し、該エアロゾルを介してＢＣＢモノマー（有機モノマー）を瞬時に気化させてＢＣＢモノマーガス（有機モノマーガス）を発生させる。これによって、比表面積の大きいエアロゾルは気化面積が大きく、高温加熱しても重合反応が生じる前に気化が生じるため、飽和蒸気圧の大きい２００℃での０．１ｇ／ｍｉｎ以上のＢＣＢモノマーガスが可能となり、プラズマ重合ＢＣＢ膜を従来の５倍以上の高速成膜が可能となる。 （もっと読む）

【課題】 加水分解性の液体材料が大気と接触するのを確実に防止できる液体自動供給システムを提供する。
【解決手段】 このＣＶＤ装置５０は、処理室５１にペンタエトキシタンタル（ＰＥＴ）を供給するための容器５３に予備容器７３を接続し、容器５３内のペンタエトキシタンタル（ＰＥＴ）の残量が少なくなったときは、配管５４と容器５３とを切り離して新しい容器５３と交換するのではなく、予備容器７３からペンタエトキシタンタル（ＰＥＴ）を補充する。これにより、配管５４と容器５３とを切り離すためのジョイント６１ｊを通じて配管５４内に大気が侵入し、配管５４内の残留ペンタエトキシタンタル（ＰＥＴ）が加水分解されて酸化タンタルが生成することはない。 （もっと読む）