【課題】 高温領域において、膜中の不純物濃度が極めて低く、膜厚均一性が良好な絶縁膜を形成する。
【解決手段】 基板を収容した処理容器内に原料ガスを供給し排気して所定元素含有層を形成する工程と、加熱された大気圧未満の圧力雰囲気下にある処理容器内に酸素含有ガスと水素含有ガスとを供給し排気して所定元素含有層を酸化層に変化させる工程とを、その間に処理容器内をパージする工程を挟んで交互に繰り返して基板上に酸化膜を形成する工程を有し、所定元素含有層を形成する工程では、原料ガスを基板の側方に設けられたノズルを介して基板に向けて供給し、その際、そのノズルを介して原料ガスと一緒に不活性ガスまたは水素含有ガスを基板に向けて供給することで、基板表面と平行方向に流れる原料ガスの流速を、処理容器内をパージする工程において基板表面と平行方向に流れる不活性ガスの流速よりも大きくする。 （もっと読む）

【課題】自重による基板素材の撓みを低減することができる基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】周縁部１ｂが支持された場合、自重による撓みを生じる基板素材の一面１ａには、自重による基板素材の撓みを低減し、基板素材の熱膨張係数より大きい熱膨張係数を有する膜が形成されている。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、高温での酸化膜形成におけるリスクを回避しつつ酸化膜の膜質を向上させ、電気特性を改善することにある。また、本発明の他の目的は、酸化膜形成の際に、下地となる材料の消費を最小限に抑え、微細な構造への適正な酸化膜形成を実現することにある。
【解決手段】 基板を収容した処理容器内に所定元素を含む原料ガスを供給し排気して、基板上に所定元素含有層を形成する工程と、加熱された大気圧未満の圧力雰囲気下にある処理容器内に酸素含有ガスと水素含有ガスとを供給し排気して、所定元素含有層を酸化層に変化させる工程と、を交互に繰り返して、基板上に所定膜厚の酸化膜を形成する工程と、加熱された大気圧未満の圧力雰囲気下にある処理容器内に酸素含有ガスと水素含有ガスとを供給し排気して、基板上に形成された酸化膜を改質する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】処理室内からの酸化剤の排出時間を短縮し、生産性を向上させる。
【解決手段】基板を収容した処理室内の排気コンダクタンスを第１の排気コンダクタンスとした状態で、処理室内に原料ガスを供給しつつ処理室内を排気する工程と、処理室内の排気コンダクタンスを第１の排気コンダクタンスとした状態で、処理室内にパージガスを供給しつつ処理室内を排気することで処理室内の原料ガスを排出する工程と、処理室内の排気コンダクタンスを第１の排気コンダクタンスとした状態で、処理室内に酸化剤を供給しつつ処理室内を排気する工程と、処理室内の排気コンダクタンスを第１の排気コンダクタンスよりも大きな第２の排気コンダクタンスとした状態で、処理室内にパージガスを供給しつつ処理室内を排気することで処理室内の酸化剤を排出する工程と、を１サイクルとして、このサイクルを複数回繰り返す。 （もっと読む）

【課題】内部応力を有する膜を基板の裏面にのみ形成することにより、基板の反り量を抑制し、その際に基板の表面にダメージを与えず、裏面に対する成膜と表面に対するパターン形成とを一貫して行う半導体製造装置を得られるようにする。
【解決手段】基板に薬液を塗布する薬液塗布部１０２と、基板を加熱する加熱処理部１０４と、基板の表面にレジストを塗布するレジスト塗布部１０７と、そのレジストに所定のパターンを露光する露光部１０５と、そのレジストを現像することにより所定のパターンを得る現像部１０８とを備えている。薬液塗布部１０２は、基板を浮遊した状態で、基板を回転させながら基板の裏面にのみ薬液を塗布する薬液塗布手段を有し、加熱処理部１０４は、基板に熱処理を行うことにより、内部応力を有する応力印加膜を成膜する熱処理手段を有し、裏面に応力印加膜の成膜を行うことと、表面に所定のパターンを形成する処理とを一貫して行う。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、クリーニング時間を短縮し、生産性を向上させることのできる半導体装置の製造方法および基板処理装置を提供することにある。
【解決手段】 処理容器の天井壁内面を覆うように設けられたシャワー板を介して、不活性ガスを処理容器内に供給してその下方に向けて流し、処理容器の下部に設けられた排気口より排気した状態で、処理容器内の下部から上部まで立ち上がった第１ノズル部、第２ノズル部を介して、それ単独で膜を堆積させることのできる第１ガス、それ単独で膜を堆積させることのできない第２ガスをそれぞれ処理容器内に供給してその下方に向けて流し、排気口より排気して、基板上に薄膜を形成し、それを繰り返した後、シャワー板および第１ノズル部を介して、クリーニングガスを処理容器内に供給してその下方に向けて流し、排気口より排気して処理容器内および第１ノズル部内に付着した堆積物を除去するようにした。 （もっと読む）

基板上に電流密度の高い垂直型のｐｉｎダイオードを形成する方法が記載される。これらの方法は、第ＩＶ族元素含有前駆体と、ｎ型ドーパント前駆体およびｐ型ドーパント前駆体へのいずれかの順序の連続露出を同時に組み合わせる工程を含む。第ＩＶ族元素含有前駆体を流しながら、ドーパント前駆体の流れを低減または除去することによって、ｎ型層とｐ型層の間に真性層が堆積される。この基板は、ｎ型層、真性層、およびｐ型層のそれぞれの堆積中、同じ処理チャンバ内に位置することができ、基板は、隣接する層の堆積間で大気へ露出されない。
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【課題】エピタキシャル成長により形成された結晶膜の成長面内における物性値を均一な値に近づける。
【解決手段】第１化合物半導体および第２化合物半導体を積層した積層半導体を含み、前記第１化合物半導体の所定物性値が第１面内分布を有し、前記第２化合物半導体の前記所定物性値が前記第１面内分布とは異なる第２面内分布を有し、前記積層半導体における前記所定物性値の面内分布の幅が、前記第１面内分布の幅または前記第２面内分布の幅より小さい半導体基板を提供する。 （もっと読む）

【課題】III族窒化物の露出エリアを絶縁膜の開口に対して良好な位置制御性で形成できる、III族窒化物半導体発光素子を作製する方法を提供する。
【解決手段】コンタクト層２７及びクラッド層２５を含むIII族窒化物半導体領域２９をマスク３５ａを用いてエッチングして、III族窒化物領域３３ｃ及びエピタキシャル領域２９ｂを形成する。次いで、マスク３５ａ、パターン形成されたIII族窒化物リフトオフ層３１ａ及びパターン形成されたIII族窒化物半導体領域３３ｃ上に絶縁膜３９を成長する。絶縁膜３９は、マスク３５ａ上に成膜される第１の部分３９ａと、パターン形成されたIII族窒化物半導体領域３３ｃ上に成膜される第２の部分３９ｂとを含む。引き続き、パターン形成されたIII族窒化物リフトオフ層３１ａを絶縁膜３９に対してエッチャントを用いて選択的に除去して、リフトオフ法により、開口３９ｃを有する絶縁膜３９ｂを形成する。 （もっと読む）

【課題】非単結晶であるグラファイト基板をＧａＮ等の窒化物半導体薄膜を作製する基板として使用し、結晶中の欠陥が少ない単結晶ＧａＮ薄膜を提供する。
【解決手段】グラファイト基板１０１上にアモルファスカーボン層１０２を設け、該アモルファスカーボン層上にＭＯＣＶＤ法によってＡｌＮのｃ軸配向膜１０３を成長させた後、該ｃ軸配向ＡｌＮ層上にＧａＮの低温成長バッファ層１０４を形成し、該低温成長ＧａＮバッファ層上にＧａＮ層１０５を形成する。 （もっと読む）

【課題】製膜初期におけるプラズマの放電状態を安定させることにより、膜質の低下を抑えることができるＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】チャンバ内に発生させたプラズマにより原料ガスを分解し、基板上にアモルファスシリコン膜を製膜するＣＶＤ装置であって、チャンバと、基板が載置される基板載置部と、載置された基板の温度が製膜に適した温度になるように温度調節可能な基板ヒーター部とを有するアノード電極と、前記基板載置部に載置された基板に対向する位置に設けられるカソード電極と、前記カソード電極と基板載置部との間に設けられ、開状態で基板載置部に載置された基板とカソード電極との対面を許容し、閉状態で基板とカソード電極との対面を遮断するシャッター部と、を備えており、前記シャッター部には、基板の温度に応じた温度に調整可能なヒーター部が設けられている。 （もっと読む）

【課題】バッファ室と反応室を連通させる孔及び孔の近傍に膜が堆積することを抑制し、堆積した膜によるパーティクルの発生を防止し、基板の品質を低下させることなく処理可能なプラズマ基板処理装置を提供する。
【解決手段】筒状の反応容器２９と、該反応容器の内部に画成され複数の基板２を収納可能な反応室３２と、前記反応容器の内部に設けられたバッファ室３８と、前記反応容器の長手方向に沿って設けられ前記バッファ室に処理ガスを導入可能なガス導入部３４，３５とを具備し、前記バッファ室は前記ガス導入部から導入される処理ガスを前記反応室に供給する複数のガス供給孔４８，５３と、プラズマ発生用の電極５４，５５を収容する空間５９と、前記バッファ室の壁を貫通し前記反応室に開口する孔であって、前記反応容器の薬液洗浄時に用いる水抜き孔を少なくとも１つ有する。 （もっと読む）

Ｓｂ，Ｓｂ−Ｔｅ，Ｇｅ−Ｓｂ及びＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ薄膜のようなＶＡ族元素を含有する薄膜を形成する原子層堆積（ＡＬＤ）方法は、関連する組成物及び構造と共に提供される。式Ｓｂ（ＳｉＲ^１Ｒ^２Ｒ^３）_３のＳｂ前駆体が好ましくは用いられ、Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３は、アルキル基である。Ａｓ，Ｂｉ及びＰ前駆体もまた記載される。これらのＳｂ前駆体を合成する方法もまた提供される。相変化メモリ装置においてＳｂ薄膜を用いる方法もまた提供される。 （もっと読む）

【課題】原料ガスの発生を停止した際の気化器内における液体原料の残留を抑制し、液体原料供給経路内の洗浄を容易に行うことが可能な気化器を提供する。
【解決手段】気化器２２９ｓ，２２９ｂ，２２９ｔは、液体原料を気化する気化室５１ｓ，５１ｂ，５１ｔと、気化室内を加熱するヒータ６１ｓ，６１ｂ，６１ｔと、液体原料を気化室内に噴霧させる噴霧ノズル３１ｓ，３１ｂ，３１ｔと、噴霧ノズル内へのキャリアガス、液体原料および溶媒の供給を制御するバルブと、を有し、該バルブは噴霧ノズル３１ｓ，３１ｂ，３１ｔに直結されている。 （もっと読む）

【目的】
電流密度分布を均一化し、均一な発光強度分布及び高い発光効率の得られる、量産性に優れた高性能な半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】
サファイア（Ａｌ_２Ｏ_３）単結晶の基板上に成長したＺｎＯ系結晶層は、基板との界面にアルミニウム（Ａｌ）が８×１０^２０個／ｃｍ^３以上の濃度で固溶した固溶層、及びＡｌの濃度が１×１０^１９ｃｍ^３以上である高濃度拡散層を有している。 （もっと読む）

【課題】 プラズマＣＶＤ法により良質な結晶性珪素膜を高い成膜レートで成膜する方法を提供する。
【解決手段】 複数の孔を有する平面アンテナにより処理容器内にマイクロ波を導入してプラズマを生成するプラズマＣＶＤ装置を用い、式Ｓｉ_ｎＨ_２ｎ＋２（ここで、ｎは２以上の数を意味する）で表される珪素化合物を含む成膜ガスを前記マイクロ波により励起してプラズマを生成させ、該プラズマを用いてプラズマＣＶＤを行うことにより被処理体の表面に結晶性珪素膜を堆積させる。 （もっと読む）

【課題】 非極性面上に低抵抗な半導体結晶が形成された半導体を提供する。
【解決手段】 本発明の半導体は、基板１０１と、前記基板１０１の主面上に積層されたｐ型層１０８および１０９とを含み、前記基板主面は、非極性面であり、前記ｐ型層１０８および１０９は、ＩＩＩ族窒化物半導体およびＩＩ族酸化物半導体の少なくとも一方から形成され、且つ、前記ｐ型層１０８および１０９の上面が、前記基板主面と面方位が異なるファセット面を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 Ｃｕとの密着性を良好とすることが可能な金属酸化膜の成膜方法を提供すること。
【解決手段】 下地上に有機金属化合物を含むガスを供給し、下地上に金属酸化膜を成膜する金属酸化膜の成膜方法であって、下地上に有機金属化合物を供給して下地上に金属酸化膜を成膜し（工程２）、かつ、金属酸化膜の成膜プロセスの最後に、金属酸化膜を酸素含有ガス又は酸素含有プラズマに曝す（工程４）。 （もっと読む）

【課題】薄膜中への不純物の取り込みを抑制し、膜質を向上させる。
【解決手段】基板を処理する処理室内にハロゲン含有ガスを供給するハロゲン含有ガス供給工程と、処理室内にハロゲン含有ガスとは異なる原料ガスを供給する原料ガス供給工程と、処理室内に電子ビームを供給して基板近傍で原料ガスの活性種を生成する原料ガス活性種生成工程と、を有し、原料ガスの活性種とハロゲン含有ガスとを反応させて基板上に薄膜を形成する薄膜形成工程と、処理室内に水素含有ガスを供給する水素含有ガス工程と、処理室内に電子ビームを供給して基板近傍で水素含有ガスの活性種を生成する水素活性種生成工程と、を有し、水素含有ガスの活性種と、基板上に形成した薄膜中のハロゲン元素と、を反応させて基板上に形成した薄膜を改質する薄膜改質工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】気化器内に付着する残留物を除去し、長期間安定的に気化器を動作させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理室内２０１に基板を搬入する工程と、液体原料を気化部２２９ｔで気化させた原料ガスを処理室内２０１に供給して基板を処理する工程と、処理済みの基板を処理室２０１内から搬出する工程と、気化部２２９ｔ内をクリーニングする工程と、を有し、気化部２２９ｔは、液体原料を気化させる気化室２０ｔ，ｓと、気化室２０１内に液体原料を噴霧させる噴霧ノズルと、気化室２０１内を加熱する加熱部と、を有しており、気化部２２９ｔ内をクリーニングする工程は、噴霧ノズル内に洗浄用液体を供給して噴霧ノズル内に付着した物質を除去する工程と、気化室２０１内に洗浄用ガスを供給して気化室２０１内に付着した物質を除去する工程と、を有する。 （もっと読む）