【課題】 埋め込み工程におけるスループットを向上でき、埋め込み工程が多用される半導体集積回路装置であっても、優れた生産能力を発揮することが可能な成膜装置を提供すること。
【解決手段】 アミノシラン系ガスを供給する供給機構１２２、及びアミノ基を含まないシラン系ガスを供給する供給機構１２１を備え、アミノシラン系ガスを供給して前記導電体に達する開孔を有した絶縁膜の表面、及び前記開孔の底の表面にシード層を形成する処理、及びアミノ基を含まないシラン系ガスを供給してシード層上にシリコン膜を形成する処理を、一つの処理室内１０１において順次実行する。 （もっと読む）

【課題】 ＣＶＤ法によるシリコン酸化膜の成膜方法であって、シリコン酸化膜成膜後に熱処理または塩素処理などの別の改質工程を行わずとも、ＯＨ基の含有量が抑えられたシリコン酸化膜を成膜することができるシリコン酸化膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】 エピタキシャル成長用のシリコンウエーハに対してＣＶＤ法を用いてシリコン酸化膜を成膜する方法であって、少なくとも、前記シリコンウエーハとして表面にエピタキシャル層を成長する前のシリコンウエーハに対して、シリコン原料ガスの他に塩素ガスを含有する反応ガス雰囲気下で、前記ＣＶＤ法によりシリコン酸化膜を成膜することを特徴とするシリコン酸化膜の成膜方法。 （もっと読む）

【課題】現在、良質な膜を得るために、下地膜から非晶質シリコン膜までの形成プロセスは、各々の成膜室にて行われている。これらの成膜条件をそのまま用いて同一成膜室にて下地膜から非晶質シリコン膜までを連続形成すると、結晶化工程で十分に結晶化されない。
【解決手段】水素希釈したシランガスを用いて非晶質シリコン膜を形成することにより、下地膜から非晶質シリコン膜までを同一成膜室内で連続形成しても、結晶化工程で十分に結晶化可能となる。 （もっと読む）

【課題】クリーニングガスに含まれた元素を有効に排除することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】処理室内に基板を搬入する工程と、処理室内に複数の反応ガスを交互に供給して基板に膜を形成する工程と、処理室から基板を搬出する工程と、処理室内にクリーニングガスを供給し、処理室内をクリーニングする工程と、複数の反応ガスの全てを処理室内に供給し、処理室内に供給したクリーニングガスに含まれた元素を除去する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】被処理体を載置する載置台の電極にバイアス用の高周波電力を供給する方式のプラズマ処理装置において、プラズマ電位の振動を抑制し、安定なプラズマを生成させると共に、金属製の対向電極のスパッタリングによるコンタミネーションの発生を防止する。
【解決手段】蓋部材２７の内周側には、拡張突出部６０が形成されている。拡張突出部６０は、プラズマ生成空間Ｓに臨んで形成されており、載置台５の電極７に対してプラズマ生成空間Ｓを隔てて対をなす対向電極として機能する主要部分である。バイアス用電極面積に対する対向電極表面積の比（対向電極表面積／バイアス用電極面積）は、１以上５以下の範囲内が好ましい。 （もっと読む）

【課題】ＡＬＤ法により成膜を行う半導体デバイスの製造方法であって、Ｎａによる基板の汚染を低減できる半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体デバイスの製造方法は、基板を収容する処理室に、第１の処理ガス及び第２の処理ガスを互いに混合させないように、それぞれの処理ガスの供給と排出を交互行って、前記基板の表面に膜を生成する基板処理工程と、前記処理室に前記第１の処理ガス及び前記第２の処理ガスを共に供給して、前記処理室の内壁表面にコーティング膜を形成するコーティング膜形成工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 プラズマ窒化処理によって形成した酸化窒化珪素膜からのＮ抜けによる膜中窒素濃度の低下を抑制し、被処理体間・ロット間での窒素濃度のばらつきを最小限にする。
【解決手段】 絶縁膜の改質方法は、被処理体の表面に露出した酸化珪素膜をプラズマ窒化処理し、酸化窒化珪素膜を形成する窒化処理工程と、前記酸化窒化珪素膜の表面を酸化処理する改質工程とを行い、窒化処理工程の終了から前記改質工程の開始までの間、真空雰囲気を維持する。また、プラズマ窒化処理は、窒化処理工程直後の酸化窒化珪素膜の膜中窒素濃度をＮ_Ｃ０とし、改質工程後の酸化窒化珪素膜の膜中窒素濃度の目標値をＮ_ＣＴとしたとき、Ｎ_Ｃ０＞Ｎ_ＣＴとなるように行う。 （もっと読む）

【課題】処理容器内の温度を精度良く目標温度まで収束させ、かつ収束時間を短縮することができる熱処理装置及びその制御方法を提供する。
【解決手段】熱処理装置１は炉本体５と、炉本体５内周面に設けられたヒータ１８Ａと、炉本体５内に配置された処理容器３と、炉本体５に接続された冷却媒体供給ブロア５３および冷却媒体排気ブロア６３と、処理容器３内に設けられた温度センサ５０とを備えている。温度センサ５０からの信号が制御装置５１のヒータ出力演算部５１ａに送られる。ヒータ出力演算部５１ａにおいて、設定温度決定部５１ｃで求められた設定温度Ａと温度センサ５０からの温度に基づいて、ヒータ１８Ａのみで温度調整した場合のヒータ出力が求められる。ブロア出力演算部５１ｂはヒータ出力に基づいてブロア出力を生じさせる。 （もっと読む）

【課題】
バッファ層に導電性を持たせつつもバッファ層上に形成されるデバイス層において良好な結晶性を得ることができる積層半導体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】
前記ＧａＮ系窒化物半導体膜とは異種の材料からなる基板上に第１のバッファ層および第２のバッファ層を交互に３回以上繰り返し積層した中間層を形成する。前記中間層の上にＧａＮ系窒化物半導体膜を成長させてデバイス層を形成する。前記第１のバッファ層は、単結晶成長温度よりも低い温度でシリコンをドープしつつＧａＮ系窒化物半導体膜を成長させることにより形成される。前記第２のバッファ層は、単結晶成長温度でシリコンをドープしつつ互いに組成の異なる２種類のＧａＮ系窒化物半導体膜を交互に繰り返し成長させることにより形成される。前記第１のバッファ層は、前記第２のバッファ層よりも高濃度でシリコンドープされる。 （もっと読む）

【課題】半導体材料を堆積させる新規な方法及び堆積システムを提供する。
【解決手段】ＩＩＩ−Ｖ族半導体材料を基板に堆積させる方法は、複数のガスコラムに対する基板の空間的位置づけを変更することによってＩＩＩ族元素のガス状前駆体及びＶ族元素のガス状前駆体を基板に連続的に導入するステップを含む。例えば、基板は、各々が異なる前駆体を配置する複数の実質的に位置合わせされたガスコラムに対して移動することができる。前駆体を生成するための熱運動化ガス噴射器は、入口と、熱運動化管路と、液体試薬を保持するように構成された液体容器と、出口とを含むことができる。１つ又は複数のＩＩＩ−Ｖ族半導体材料を基板の表面に形成するための堆積システムは、前駆体を複数のガスコラムを介して基板に誘導するように構成された１つ又は複数のそのような熱運動化ガス噴射器を含むことができる。 （もっと読む）

【課題】 Ｓｂ含有層を備えながら、結晶性に優れたＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体のエピタキシャルウエハ、半導体素子、およびこれらの製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明のエピタキシャルウエハの製造方法は、気相成長法によって、基板１の上に、ＧａＡｓＳｂ層３ａとＩｎＧａＡｓ層３ｂとを交互に繰り返し成長する工程を備え、ＧａＡｓＳｂ層の成長の際、該ＧａＡｓＳｂ層のＶ族中のＳｂモル分率ｘ_１と、供給している原料ガス（気相）のＶ族中のＳｂモル分率ｘ_２とが、０．７５≦（ｘ_１／ｘ_２）≦１．２０、を満たすように、基板温度を設定し、かつ原料ガスを供給することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ドープされる元素の濃度と成長速度とのバッチ間均一性が良好な膜を作製することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】製品基板に対して処理を行うステップと、反応炉内に処理後の製品基板を収容した状態で、反応炉内への不活性ガスの供給と反応炉内の排気とを含むサイクルを１回以上行うことで、反応炉内の圧力を変化させて反応炉内に対し第１パージを行うステップと、反応炉内から処理後の製品基板を取り出した状態で、反応炉内への不活性ガスの供給と反応炉内の排気とを含むサイクルを１回以上行うことで反応炉内の圧力を変化させて反応炉内に対し第２パージを行うステップと、を有し、第２パージにおける反応炉内の圧力変化量を、第１パージおける反応炉内の圧力変化量よりも大きくする。 （もっと読む）

【課題】触媒成長によって成長したワイヤの表面上の金属触媒残渣を取り除く方法を提供する。
【解決手段】触媒成長によって得られた、第１材料で作られたソリッド構造体（３）の表面上に存在する触媒残渣（２）を取り除くこの方法は、以下の段階：第２材料で作られたソリッド構造体（４）を前記触媒残渣（２）から触媒成長させる段階と、前記第２材料で作られたソリッド構造体（４）を選択的に取り除く段階と、を含む。前記ソリッド構造体（３，４）はワイヤであり、且つ有利にナノワイヤである。前記触媒（２）は、銅、金、白金及びアルミニウムを含む群から有利に選ばれた金属触媒である。 （もっと読む）

【課題】基板の温度分布を任意に調整することのできる成膜装置を提供する。また、基板を均一に加熱して、所望の厚さの膜を形成することのできる成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜装置１００は、チャンバ１０３と、チャンバ１０３内に設けられてシリコンウェハ１０１が載置されるサセプタ１０２と、サセプタ１０２を回転させる回転部１０４と、サセプタ１０２の下方に位置するインヒータ１２０およびアウトヒータ１２１と、これらのヒータの下方に位置するリフレクタ集合部１０５とを有する。リフレクタ集合部１０５は、環状のリフレクタと円盤状のリフレクタとが組み合わされてなる。 （もっと読む）

【課題】 高誘電率絶縁膜の吸湿を抑制し、信頼性を向上させる。
【解決手段】 処理容器内に基板を搬入する工程と、処理容器内で基板上に高誘電率絶縁膜を形成する工程と、処理容器内で高誘電率絶縁膜上に高誘電率絶縁膜よりも吸湿性の低い低吸湿性絶縁膜を形成する工程と、処理容器内より低吸湿性絶縁膜形成後の基板を搬出する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】基板面内のコンタクト抵抗を低く抑えることを可能とした化合物半導体エピタキシャルウェハの製造方法と、トランジスタ用エピタキシャルウェハを提供する。
【解決手段】基板１上に有機金属原料化学気相成長法で化合物半導体層を形成する気相エピタキシャル成長装置１０によってｎ型不純物がドーピングされたｎ型コンタクト層を成長させる際に、原料ガスが供給される上流側に設けられた第１ヒータ１６のヒータ温度を５００℃以上とし、第１ヒータ１６より下流側に設けられた他のヒータ１７，１８のヒータ温度を第１ヒータ１６のヒータ温度よりも低く、かつ、３５０℃以上５００℃以下に調整する。 （もっと読む）

【課題】生産性を向上し、空隙率が高いエアギャップを形成することができる半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供することができる。
【解決手段】表面に複数の配線層が形成された基板に対し処理ガスを供給して、前記基板の表面における隣り合う配線層間に形成される溝に対して段差被覆性の悪い条件で絶縁膜を形成する工程と、前記基板に対しエッチングガスを供給して、前記絶縁膜に対して等方性エッチングを行う工程と、を所定回数行うことにより、隣り合う配線層間にエアギャップを形成する。 （もっと読む）

【課題】 低コストで必要な仕事関数及び耐酸化性を有する金属膜を備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】 表面に金属膜が形成された基板を処理容器内に搬入する工程と、処理容器内に原料ガスと酸化源とを供給し排気することで、基板の表面に形成された金属膜上に所定膜厚の金属酸化膜を形成する処理を行う工程と、処理済基板を処理容器内から搬出する工程と、を有し、処理を行う工程では、酸化源としてオゾンガス、酸素ガスまたはプラズマにより活性化された酸素ガスを用い、所定膜厚の金属酸化膜を形成する過程において形成される金属酸化膜越しに、酸化源に含まれる酸素原子を、金属膜の表面に導入することで、金属膜の表面を酸化して導電性の金属酸化層に改質する。 （もっと読む）

【課題】 基板に対する原料ガスの供給を促し、基板上に形成される薄膜の成膜速度や膜厚均一性を向上させる。
【解決手段】 基板を収容した処理容器内に原料ガスを供給し排気管より排気する工程と、処理容器内に原料ガスとは異なる反応ガスを供給し排気管より排気する工程と、を１サイクルとして、このサイクルを１回以上行うことで、基板上に所定膜厚の薄膜を形成する工程を有し、原料ガスを供給する工程では、原料ガスを供給する直前に、排気管に設けられたバルブを一時的にフルクローズして排気管を一時的に閉塞する。 （もっと読む）

【課題】シャワープレート等を取り外さずに、シャワープレートの有無を切り替えて基板の処理や成膜が可能なガス分散用装置、このガス分散用装置を備えた真空処理装置、並びにこの真空処理装置を用いた基板の処理方法及びカーボンナノチューブの形成方法を提供する。
【解決手段】ガス供給管に連通する第１の開口部３２及び真空処理装置内部にガスを供給するための第２の開口部３３をそれぞれ対向して上面及び下面に有するハウジング３１と、ハウジング内に設けられた水平方向に滑動自在のガス分散用部材３４であって、複数のガス供給用孔３４ｃが設けられている前方部分３４ａ及びこの孔が設けられていない後方部分３４ｂとからなるガス分散用部材と、ガス分散用部材を滑動せしめるための駆動機構３５とを備えてなり、ガス分散用部材を前方に滑動せしめた時に、第２の開口部に前方部分が位置するように構成される。 （もっと読む）