【課題】遷移金属のエネルギー準位を安定にすることが可能な半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、ＳｉＣ基板１０上に設けられ、遷移金属であるＦｅとＦｅよりも深い準位を有する不純物であるＣとをそれぞれ一定の濃度で含有する第１のＧａＮ層２０と、第１のＧａＮ層２０上に設けられ、Ｆｅの濃度の変化に従いＣの濃度が変化する第２のＧａＮ層２２と、第２のＧａＮ層２２上に設けられ、ＧａＮよりもバンドギャップが大きい電子供給層１８と、を有する半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】熱分解やガスの反応による生成物質が処理室周辺に付着する事を抑制可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置２０２は、複数のサセプタ（被誘導加熱体）２１８と該サセプタ上に載置された複数のウェハ２００を有し、サセプタ２１８からの輻射熱によりウェハ２００を加熱処理する、インナーチューブ２３０から形成される処理室２０１と、インナーチューブ２３０の外側に設けられ、インナーチューブ２３０と間隙ＳＰを成して囲うアウターチューブ２０５と、間隙ＳＰに配置されるガス供給ノズル２３２１と、アウターチューブ２０５の外側に設けられ、サセプタ２１８を誘導加熱する誘導加熱装置と、を備え、インナーチューブ２３０には、処理室２０１に配置されるウェハ２００の周縁側方に開口部ＦＨが設けられている。また、ガス供給ノズル２３２１には、開口部ＦＨおよびウェハ２００に向けてガスを吹き出す吹出し口が設けられている。 （もっと読む）

【課題】従来よりも反りの値を低減させたIII族窒化物エピタキシャル基板を提供することを目的とする。
【解決手段】Ｓｉ基板と、上記Ｓｉ基板上に形成された超格子積層体と、上記超格子積層体上にエピタキシャル成長されたIII族窒化物積層体とを具え、上記超格子積層体が、上記Ｓｉ基板側からAlN材料を含む第１層、Al_xGa_1-xN(0＜x＜1)材料を含む第２層、およびAl_yGa_１−yN(0≦y＜1)材料を含む第３層（但し、第２層のAl組成xおよび第３層のAl組成ｙは、y＜xの関係を有する）を順に有する積層体を複数組そなえることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＡｌＮ層表面のピット状欠陥の発生を抑制する。
【解決手段】シリコン基板１０の表面を、熱処理温度が７００℃以上１０６０℃以下、熱処理時間が５分以上１５分以下、水素が含まれた雰囲気中においてサーマルクリーニングする工程と、前記サーマルクリーニングの後、前記シリコン基板表面に、Ｎ原料を供給せずにＡｌ原料を供給するステップと、前記Ａｌ原料を供給するステップの後に前記Ａｌ原料と前記Ｎ原料とを供給するステップとを行って、前記シリコン基板上に第１ＡｌＮ層１１を第１のV/III原料比を用い成長する工程と、前記第１ＡｌＮ層上に、前記第１のV/III原料比より大きな第２のV/III原料比を用い第２ＡｌＮ層１２を成長する工程と、前記第２ＡｌＮ層上にＧａＮ系半導体層を成長する工程と、を含む半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】好適なＡｌＮ層を成長することが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、Ｎ原料を供給せずにＡｌ原料を供給するステップと、Ａｌ原料を供給するステップの後にＡｌ原料とＮ原料とを供給するステップとを行って、Ｓｉからなる基板１０上にＡｌＮ層１２を成長する工程と、ＡｌＮ層１２を成長する工程の後に、ＡｌＮ層１２上にＧａＮ系半導体層２１を成長する工程と、を有し、ＡｌＮ層１２を成長する工程は、ＡｌＮ層１２の膜厚をｘ、ＡｌＮ層１２の（００２）面ロッキングカーブの半値幅をｙとすると、
７６５００／ｘ^０．８１＜ｙ＜５３８００／ｘ^０．８３
となるＡｌＮ層１２を成長する工程である半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ系半導体層内に形成される電子トラップ濃度を低減する。
【解決手段】Ｓｉ基板１０上に接して形成されたＡｌＮを主成分とする下地層１２と、前記下地層１２上に形成され、前記下地層１２上に形成され、前記下地層１２から圧縮応力を受ける第１バッファ層１４と、前記第１バッファ層１４上に形成された第２バッファ層１６と、前記第２バッファ層１６上に形成されたＡｌの組成比が０．１以下のＧａＮ系半導体層１８と、を具備し、前記第２バッファ層１６における前記第１バッファ層１４側の面の結晶軸長に対し前記第１バッファ層１４と反対の面の結晶軸長が前記ＧａＮ系半導体層１８に近く、前記第２バッファ層１６の伝導帯底エネルギーが前記ＧａＮ系半導体層１８より高い半導体装置。 （もっと読む）

【課題】反りの小さな半導体基板および半導体装置を提供する。
【解決手段】Ｓｉ基板１０上に接して形成されたＸ線回折による（００２）面のロッキングカーブ半値幅が１５００秒以下のＡｌＮ層１２と、ＡｌＮ層１２上に形成されたＧａＮ系半導体層１４と、を具備する半導体基板であって、その反りの曲率半径は±２５ｍ以上であり、反り量は、半導体基板の大きさを４インチとした場合、±５０μｍ以下である。ＧａＮ系半導体層１４はＡｌＮ層１２から圧縮応力を受ける。 （もっと読む）

【課題】優れた制御性および再現性を実現しつつ、結晶中の面内方向および膜厚方向に均一に珪素が高濃度にドーピングされたＩＩＩ族窒化物結晶を製造できる方法を提供する。
【解決手段】結晶成長炉内に下地基板を準備する工程と、ＩＩＩ族元素のハロゲン化物と窒素元素を含む化合物を反応させて該下地基板上にＩＩＩ族窒化物結晶を成長させる成長工程を含むＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法であって、前記成長工程で結晶成長炉にさらにハロゲン元素含有物質及び珪素含有物質を同一の導入管から供給するＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】等方性酸化を複数枚の基板が積層して配置された装置にて実施する場合に、基板配置場所により水素濃度が異なり酸化膜厚が大きく変動するのを抑制し、高品質な半導体装置を製造する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、複数枚の半導体ウエハ１を処理室４内に搬入する工程と、処理室４内を加熱するとともに圧力を大気圧よりも低くした状態で、酸素含有ガスと水素含有ガスとを供給して半導体ウエハ１を酸化処理する工程と、複数枚の半導体ウエハ１を処理室４内より搬出する工程とを有し、酸化処理する工程では、水素含有ガスを、複数枚の半導体ウエハ１が垂直方向に積層されて配列される基板配列領域に対応する領域の半導体ウエハ１が配列される方向における複数箇所から供給することで、酸素含有ガスと水素含有ガスとを基板配列領域に対応する領域の複数箇所で反応させて反応種を生成し、酸化処理を行う。 （もっと読む）

【課題】主面の面積が大きな大口径のＧａＮ結晶基板を効率よく生産するためのＧａＮ結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】ＧａＮ種結晶基板１０１の主面１０１ｓ上に第１の気相法により第１のＧａＮ結晶１１０を成長させ、ＧａＮ種結晶基板１０１および第１のＧａＮ結晶１１０の少なくともいずれかを加工することによりＧａＮ種結晶基板１０１の主面１０１ｓに比べて面積が小さな主面１１１ｓを有する少なくとも１つの第１のＧａＮ結晶基板１１１を得て、この第１のＧａＮ結晶基板１１１ｂを液相法により成長させることにより第１のＧａＮ結晶基板１１１ｂの主面１１１ｂｓに比べて面積が大きな主面１１２ｓを有する第２のＧａＮ結晶基板１１２を得て、この第２のＧａＮ結晶基板１１２の主面１１２ｓ上に第２の気相法により第２のＧａＮ結晶１２０の成長させる。 （もっと読む）

【課題】電気的特性の測定を精度高く行うことが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、基板１０の裏面１０ｂに、絶縁体からなり、厚さが１μｍ以下の保護膜２２を形成する工程と、保護膜２２を設ける工程の後に、基板１０の表面１０ａに、ＭＯＣＶＤ法を用いて、ＧａＮ系半導体層を成長させる工程と、ＧａＮ系半導体層を成長させる工程の後に、ＧａＮ系半導体層の電気的特性を測定する工程と、を有する半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板上に優れた結晶性の窒化物半導体層が形成された窒化物半導体装置を提供する。
【解決手段】シリコン基板１０と、シリコン基板１０に接するとともにシリコン基板１０上の一部分に形成された窒化シリコンからなる選択成長マスク層２０とを備え、選択成長マスク層２０が形成されていないシリコン基板１０上に、当該シリコン基板１０に接するように窒化物半導体層３０が形成されている。 （もっと読む）

【課題】発光特性及び注入電流均一性に優れ、十分な耐性を有する窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】第一の主面１０１ａと第二の主面１０１ｂを有し、窒化物半導体基板１０１と、第一の主面１０１ａに接して形成された第一の窒化物半導体層１０２と、第一の窒化物半導体層１０２の第一の主面１０１ａと接する側とは反対側に形成された、ｎ型窒化物半導体層１０３、活性層１０４及びｐ型窒化物半導体層１０５を含む積層体と、ｎ型窒化物半導体層１０３に電気的に接続されたｎ側電極１０６と、ｐ型窒化物半導体層１０５に電気的に接続されたｐ側電極１０７とを備える。第一の窒化物半導体層１０２は、アンドープの窒化物半導体層である。また、第二の主面１０１ｂが光取り出し面とする窒化物半導体発光素子である。 （もっと読む）

【課題】薄膜形成の再現性を向上させる。
【解決手段】薄膜形成装置は、第１のサセプタに支持された被処理基板を搬送する搬送アームが設置された搬送室と、前記搬送室に連結され、前記搬送アームによって搬送された前記被処理基板に処理を施すことが可能な複数の処理室と、前記搬送室に連結され、前記第１のサセプタの表出面を覆う第２のサセプタを前記第１のサセプタに着脱することが可能なサセプタ交換室と、を備える。 （もっと読む）

【課題】全表面でイエロー発光が少なく、導電性を有するＧａＮ結晶自立基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本ＧａＮ結晶自立基板は、ＨＶＰＥ法により、結晶側面を除く結晶成長面として、（０００１）面と｛１０−１１｝面および｛１１−２２｝面の少なくともいずれかの面とが混在する状態で成長させたものであり、（０００１）面成長結晶領域において炭素濃度が５×１０¹⁶個／ｃｍ³以下かつ珪素濃度が５×１０¹⁷個／ｃｍ³以上２×１０¹⁸個／ｃｍ³以下かつ酸素濃度が１×１０¹⁷個／ｃｍ³以下であり、｛１０−１１｝面および｛１１−２２｝面の少なくともいずれかの面を結晶成長面として成長したファセット結晶領域において炭素濃度が３×１０¹⁶個／ｃｍ³以下かつＳｉ濃度が５×１０¹⁷個／ｃｍ³以下かつ酸素濃度が５×１０¹⁷個／ｃｍ³以上５×１０¹⁸個／ｃｍ³以下である。 （もっと読む）

【課題】基板裏面側に形成されるエピタキシャル層を低減するエピタキシャル成長装置を提供する。
【解決手段】チャンバー２と、該チャンバー内に配置され、エピタキシャル成長させる基板Ｗを載置する、複数の貫通孔を有するサセプタ３と、該サセプタを支持するサポートシャフト７と、前記チャンバー２内の前記サセプタ３上に載置された基板Ｗに反応ガス供給源からの反応ガスを供給する反応ガス供給手段４と、反応後のガスを前記チャンバー２外に排出する反応ガス排出手段５と、を具備するエピタキシャル成長装置１において、前記サセプタ３の裏面側を覆うカバー９１を配設する。 （もっと読む）

【課題】発光層の結晶性に起因する不良が生じにくく、かつ、高い出力の得られる半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】第一有機金属化学気相成長装置において、基板上に第一ｎ型半導体層を積層する第一工程と、第二有機金属化学気相成長装置において前記第一ｎ型半導体層上に、第二ｎ型半導体層と、障壁層およびＧａ_１−ｙＩｎ_ｙＮ（０．０７＜ｙ＜０．３０）なる組成の井戸層からなる発光層と、ｐ型半導体層と、を順次積層する第二工程とを具備し、前記第二工程において、前記障壁層を第一の成長温度Ｔ１で成長させた後に、前記第一の成長温度Ｔ１よりも高温の第二の成長温度Ｔ２に昇温して前記障壁層を成長させ、さらに、前記第二の成長温度Ｔ２よりも低温の前記第三の成長温度Ｔ３に降温して前記障壁層の成長を続けることを特徴とする半導体発光素子の製造方法を採用する。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤや高電子移動度トランジスタなどのデバイス用として有用なＩＩＩ−Ｖ族窒化物品の提供。
【解決手段】自立ＩＩＩ−Ｖ族窒化物基板上に堆積したＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャル層を含むホモエピタキシャルＩＩＩ−Ｖ族窒化物品であって、前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャル層が１Ｅ６／ｃｍ²未満の転位密度を有しており、（ｉ）前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャル層と前記自立ＩＩＩ−Ｖ族窒化物基板の間に酸化物を有するか、（ii）前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャル層と前記自立ＩＩＩ−Ｖ族窒化物基板の間にエピ中間層を有するか、
（iii）前記自立ＩＩＩ−Ｖ族窒化物基板がオフカットされており、前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャル層が非（０００１）ホモエピタキシャルステップフロー成長結晶を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】アルミニウム系ＩＩＩ族窒化物結晶成長装置において、加熱機構に起因して発生するベース基板のそりを低減し、かつ、速い結晶成長速度を達成できるような高温度を両立できるような装置を提供する。
【解決手段】少なくともハロゲン化アルミニウムガスを含むＩＩＩ族原料ガスと窒素源ガスの原料ガスをベース基板１６表面に沿った流れで供給し、アルミニウム系ＩＩＩ族窒化物層を該ベース基板表面に成長させるアルミニウム系ＩＩＩ族窒化物製造装置において、反応部へ供給するまでの原料ガスの温度を該ガスの反応温度未満とし、かつアルミニウム系ＩＩＩ族窒化物層が成長するベース基板表面に対向する反応部内の面に加熱面を有する第二加熱手段１９を設置したことを特徴とするアルミニウム系ＩＩＩ族窒化物製造装置である。 （もっと読む）

【課題】拡大成長させた場合に、結晶性の良好なIII族窒化物半導体単結晶を得ることができるIII族窒化物半導体の種結晶の製造方法、およびIII族窒化物半導体単結晶の製造方法を提供すること。
【解決手段】III族窒化物半導体の種結晶の製造方法は、気相成長法により、種結晶形成用部材１上に複数のIII族窒化物半導体の核を離間させて形成し、前記複数の核を成長させて、前記複数の核から複数の種結晶２を得る。 （もっと読む）