半導体構造は、基板、前記基板上の核生成層、前記核生成層上の組成傾斜層、及び前記組成傾斜層上の窒化物半導体材料の層を含む。前記窒化物半導体材料の層は、前記窒化物半導体材料の層の中に間隔をおいて配置された複数の実質的に緩和された窒化物中間層を含む。前記実質的に緩和された窒化物中間層は、アルミニウム及びガリウムを含み、ｎ型ドーパントで導電的にドープされ、また前記複数の窒化物中間層を含む前記窒化物半導体材料の層は、少なくとも約２．０μｍの全厚を有する。
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【課題】 シリコン基板上への窒化物半導体薄膜成長時における、各材料間の格子定数差および熱膨張係数差から生じる、該薄膜の歪み、および熱応力に伴うクラック・反りの問題を低減した、窒化物半導体薄膜形成に好適な窒化物半導体薄膜形成用基板を提供すること。
【解決手段】 シリコン単結晶基板片面上に、相対的に多孔度の高い第２多孔質シリコン層および酸化膜除去された相対的に多孔度の低い第１多孔質シリコン層が順次設けられてなることを特徴とする窒素化物半導体形成用基板およびシリコン単結晶基板片面を、電解液中で相対的に低い電流密度で陽極酸化することによって、相対的に低い多孔度の第１多孔質シリコン層を形成する工程、電解液中で相対的に高い電流密度で陽極酸化することによって、シリコン単結晶基板と前記第１シリコン層の間に相対的に高い多孔度の第２多孔質シリコン層を形成する工程、前記第１多孔質層シリコン層および第２多孔質シリコン層を形成した後、酸化膜を除去する工程を含む窒化物半導体形成用基板の製造法。 （もっと読む）

【課題】低転位で結晶性に優れた窒化物層群を形成することのできる、新規なエピタキシャル基板及びこれを用いた半導体積層構造を提供する。
【解決手段】所定の基材１上において、III族窒化物下地層２と、少なくともＧａを含むIII族窒化物層３とを順次に積層し、III族窒化物層３中に６００℃〜９５０℃で形成されるとともにＧａを含むIII族窒化物中間層を介在させてエピタキシャル基板１０を作製する。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体ウェハに温度歪みによる結晶欠陥を生じさせないための化合物半導体エピタキシャルウェハの製造方法及び化合物半導体エピタキシャルウェハを提供する。
【解決手段】化合物半導体ウェハの表面に、有機金属気相成長法を用いて化合物半導体結晶を成長させる方法において、上記化合物半導体ウェハの外周部の表面温度が、上記化合物半導体ウェハの中心部の表面温度の＋１５℃〜＋３０℃の範囲内となるように面内温度分布を制御する。 （もっと読む）

特に単結晶シリコンからなる少なくとも１つの基板（３）および単結晶シリコンの覆い層シリコン（５）を有するタイプの電子および／または光電子デバイスを実現するのに適している半導体基板（１）について記載する。有利なことに、本発明によれば、半導体基板（１）は、使われた材料の差違に関連した欠陥を減らすのに適している少なくとも１つの機能的カップリング層（１０）を有している。特に、機能的カップリング層１０は、単結晶シリコンからなる層（５）に形成され前述の使われた材料の結晶格子の差違に関連した欠陥を減らすのに適した波形状または山谷形状の部分（６）を有している。他の実施形態として、機能的カップリング層（１０）は、単結晶シリコンからなる基板（３）および単結晶シリコンからなる層（５）の間に配置され、使われた材料の熱膨張率の差違によって生じたストレスを減らすのに適した多孔質層（４）を有している。前述の半導体基板の製造プロセスも記載されている。
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【課題】大型で反りが少なく結晶性のよいＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法は、下地基板１０を準備する工程と、下地基板１０を複数の下地チップ基板１０ｃに分割する工程と、複数の下地チップ基板１０ｃをその主面１０ｍが互いに平行に、かつその側面１０ｓが互いに隣接するように配置する工程と、複数の下地チップ基板１０ｃの主面１０ｍ側にＩＩＩ族窒化物結晶２０を成長させる工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】結晶性の良好なＧａＮ層を有し、かつ反りの小さな半導体基板および半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明は、Ｓｉ基板１０上に設けられたＡｌＮ層１２と、ＡｌＮ層１２上に設けられたＡｌの組成比が０．３以上かつ０．６以下のＡｌＧａＮ層１４と、ＡｌＧａＮ層１４上に設けられたＧａＮ層１６と、を具備する半導体基板および半導体装置である。本発明よれば、ＡｌＧａＮ層１４のＡｌ組成比を０．６以下とすることによりウエハの反りが小さくなり、０．３以上とすることによりＧａＮ層の結晶性が向上する。 （もっと読む）

ポリマーを含有する溶液中に溶解されている金属前駆物質を、小滴噴霧分布を用いて基板上に配置することは知られている。引き続きカルコゲン含有試薬との気相反応は、ポリマーマトリックス中の量子ドットを生じさせる。任意の、しかしながらポリマー不含のマトリックスを生じさせるために、本発明による方法は、前駆物質（ＰＣ）からなる量子ドット（ＱＤ）の施与後に、これを引き続き施与された量子ドット（ＱＤ）及び覆われていない基板（ＳＵ）と気相の試薬（ＲＧ）とを接触させることを用意し、この試薬は生じさせるべきマトリックス（ＭＡ）の全ての成分を含有し、その際に、前駆物質（ＰＣ）及び試薬（ＲＧ）の間の化学反応は、接触と同時の又は次の温度増大によりもたされる。それゆえ、量子ドット（ＱＤ）及びマトリックス（ＭＡ）の間の調和する組成が製造されることができ、その際に量子ドット（ＱＤ）は、前駆物質（ＰＣ）及び試薬（ＲＧ）の元素からなる添加組成を有し、かつマトリックス（ＭＡ）は試薬（ＲＧ）の元素から専らなる組成を有する。相応する元素選択により、二元系、三元系又は多元系の化合物半導体が製造されることができ、これらはナノオプティクス及びナノエレクトロニクスにおいて、しかしまた太陽電池の場合に使用される。 （もっと読む）

【課題】 ステージへの基板保持によって引き起こされる基板の局所変形や温度分布のムラのため発生する工程不良や表示不良などの製造不良を防ぐことができる基板処理装置を得る。
【解決手段】 この発明に係る基板処理装置においては、基板1の周辺部を保持し、前記基板１に張力を印加するクランプ２a、２b、３a、３bを備え、基板１に張力を印加した状態で、基板１に成膜、露光、加熱、或いはペースト塗布などの所定の処理を行うものである。 （もっと読む）

【課題】平坦度の高いエピタキシャルシリコンウェーハを得る。
【解決手段】エピタキシャル成長用シリコンウェーハ１２は、薄円板状のウェーハを研削又は研磨のいずれか一方又は双方の処理を行うことにより中央部が凹んだお椀状の反りが付与されたものである。エピタキシャルシリコンウェーハは、このように中央部が凹んだお椀状の反りが付与されたエピタキシャル成長用シリコンウェーハの表面にエピタキシャル層を形成することにより得る。エピタキシャル層を形成する以前のエピタキシャル成長用シリコンウェーハの表面を鏡面研磨することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 光を利用した熱処理において、ウェハの熱膨張に起因する変形を抑制することを目的としている。
【解決手段】 本発明は、ウェハ１２の表面に照射する光を遮蔽するマスク１０を提供する。マスク１０は、光を遮蔽する光遮蔽領域２８と、その光遮蔽領域２８によって区画されている光透過領域２６を備えている。光透過領域２６は、ウェハ１２の熱処理される領域に対応しており、光を遮蔽する隔壁２９によって複数の光透過孔２２６に区画されていることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】良好なエッジロールオフ値および良好な局所的平坦度を有すると同時に、望ましくない結晶欠陥、背面のハロ、オートドーピングおよびナノトポグラフィ作用を回避した、応力フリーのエピタキシャルコーディング半導体ウェハおよびその作製方法を提供する。
【解決手段】エピタキシャル反応器にて化学蒸着により、半導体ウェハの前面に層をデポジットする際に半導体ウェハを支持する装置に関しており、この装置は、ガス通気性構造を有するサセプタと、このサセプタに配置されるリングとを有しており、このリングは、上記のサスセプタと、支持される前記半導体ウェハとの間の熱バッファとして作用する。 （もっと読む）

【課題】 中間層３ａの表面状態を改善させ、窒化物半導体単結晶２の成膜に好ましく用いることの出来る単結晶基板と、それを用いた窒化物半導体単結晶２の製造方法を提供すること。
【解決手段】 Ａｌ_ｘＧａ_ｙＮ（ｘ，ｙ≧０、ｘ＋ｙ＝１）の一般式からなる窒化物半導体単結晶２を積層させるために用いられる単結晶基板１ｂであって、一方の主面４ａが凸面として形成されており、さらに当該凸面が鏡面に研磨されていることを特徴とする単結晶基板１ｂと、それを用いた窒化物半導体単結晶２の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】通電によって急速に劣化することのないＧａＮ系ＬＥＤを製造するための方法を提供することを目的とする。
【解決手段】ＭＯＶＰＥ法によって単結晶基板上にＧａＮ系半導体からなる複数の単結晶層を成長させて積層する工程を有し、該工程が下記（イ）〜（ニ）の工程を含む、ＧａＮ系半導体発光ダイオードの製造方法:（イ）ｎ型ＧａＮ系半導体層１３ｂを、表面にピットが形成されるように９００℃以下の温度で成長させる工程；（ロ）ｎ型ＧａＮ系半導体層１３ｂの上に、活性層１４を、表面にピットが形成されるように９００℃以下の温度で成長させる工程；（ハ）活性層１４の上に、その表面にピットが形成されるように９００℃以下の温度で、ＧａＮ系半導体層１５ａを、アンドープで、または、その少なくとも一部にｐ型不純物を添加しながら、成長させる工程；（ニ）ＧａＮ系半導体層１５ａの表面に存在するピットを埋め込む工程。 （もっと読む）

【課題】本発明は、反りがない高品質の半導体用窒化ガリウム単結晶厚膜、特に、ｃ面（｛０００１｝面）窒化ガリウム単結晶厚膜を製造する方法に関する。
【解決手段】本発明は特に、ＨＶＰＥを使用して窒化ガリウム単結晶厚膜のｃ面（｛０００１｝面）を製造する方法である。窒化ガリウム膜は、塩化水素（ＨＣｌ）ガスとアンモニアガスを供給することによって基板上に成長される。基板上に窒化ガリウム膜を得て、基板上の窒化ガリウム膜上の窒化ガリウム厚膜が成長する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ウェーハ中心部と周辺部の温度差を抑えながら昇温、降温し、ウェーハの反りによる欠陥の発生を抑えることが可能な半導体製造方法及び半導体製造装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体製造方法は、反応室内に被処理ウェーハを保持する工程と、被処理ウェーハを所定温度に昇温する工程と、被処理ウェーハを所定温度に保持し、被処理ウェーハを回転させ、被処理ウェーハ上に反応ガスを供給して、被処理ウェーハ上に被膜を形成する工程と、被処理ウェーハを所定温度から降温する工程を備え、昇温する工程と、降温する工程において、被処理ウェーハの中心部、周辺部と、その中間部の温度を測定し、中心部と中間部との温度差に基づいて、中心部の温度を制御し、周辺部と中間部との温度差に基づいて、周辺部の温度を制御する。 （もっと読む）

【課題】 支持基板や他の基板を用いることなく、半導体ウエハに反りや割れ等の不具合が生じることを防止する。
【解決手段】 半導体ウエハ１の半導体構造６が形成される半導体構造形成領域５の外周近傍に、半導体構造形成領域５よりも弾性率が大きい半導体ウエハ補強領域３を形成する。半導体構造形成領域５から半導体ウエハ補強領域３にかけて、弾性率が連続的に変化している。半導体構造形成領域５の表面に半導体構造６を作りこむ工程と、半導体ウエハ１の裏面を研磨して半導体ウエハ１の厚み減じる工程を経て、半導体構造６を有する薄型の半導体ウエハ１を製造する。 （もっと読む）

【課題】 ボートの中心出し、傾き、高さを自動補正することによって、ウェハ移載の精度を向上させ、炉心管へボートを挿入する時の炉芯管への接触を避け、ウェハ成膜時の面内均一性を向上させることができる半導体製造装置およびボート載置台を提供する。
【解決手段】 ボート２の天板３および底板４の中央部に突起６、７を設け、ウェハ移載機３０に設置したセンサ３１によってボート２の天板３および底板４の突起６、７の位置を検出する。制御部４０は、ボート２の天板３および底板４の突起６、７の座標をセンサ３１の出力に基づき算出し、ボート載置台８の駆動部１５にボート載置台８を変位させることで、ボート２の位置を補正する。 （もっと読む）

【課題】ラテラル成長技術を用いて製造される新規な窒化物半導体ウェハを提供することを目的とする。
【解決手段】異種基板１と、異種基板１上に成長した窒化物半導体結晶層３と、からなる窒化物半導体ウェハであって、窒化物半導体結晶層３が、第１結晶層３１と、第１結晶層３１を下地層として成長した第２結晶層３２とを含んでおり、第２結晶層３２の少なくとも一部にはＭｇが添加されており、第１結晶層３１と第２結晶層３２との間にはマスク層Ｍが挟まれている窒化物半導体ウェハ。好ましくは、窒化物半導体結晶層３が、更に、第２結晶層３２の上にＭｇ拡散防止層３３を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】基板の主裏面に接触跡が形成されてしまうことを防止可能なサセプタをおよび半導体ウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板Ｗを主表面側からと主裏面側からとの双方から加熱して行う気相成長の際に該半導体基板Ｗを支持するサセプタ１である。サセプタ１に対し支持状態で半導体基板Ｗを位置決めさせるための座ぐり２を有する。座ぐり２の底面２２ａが、周縁部から中心に向かうほど次第に窪まされていることにより、気相成長の加熱の際における基板Ｗの撓み形状よりも窪まされている。この底面２２ａと半導体基板Ｗとの最大距離Ｄが、半導体基板Ｗを加熱しないで支持した状態で０．３５ｍｍ以上、０．４５ｍｍ未満となっている。 （もっと読む）