【課題】自動搬送を行う場合、温度変化による凹凸形状の相対位置バラツキと機構停止精度等による相対位置バラツキの和が、嵌合部における隙間量を超えると搬送不能となるが、これに対し複雑な位置検出機構を用いなくても搬送不良を起こさない高温炉などの処理装置を提供する。
【解決手段】まず十分な隙間量を有する位置で浅い嵌合深さで挿入用穴部と前記挿入用突起部のみを嵌合し、次にそれらを平面方向に相対移動させて、前記挿入用穴部と前記挿入用突起部に加えて前記位置決め用穴部と前記位置決め用突起部も嵌合可能な位置で前記挿入用突起部と前記挿入用穴部との側面同士を接触させ、さらに深く挿入して前記位置決め用穴部と前記位置決め用突起部も嵌合させることで、搬送時の装置温度によらず位置決め後の突起部と穴部の相対位置を安定させることが可能で、より高精度な位置決めが可能になる。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル成長処理において、裏面デポジションの成長を抑えることにより、得られるエピタキシャルウェーハの平坦度を向上させるエピタキシャル成長方法を提供する。
【解決手段】エピタキシャル成長炉２内に付着したシリコン堆積物を塩化水素含有ガスによりエッチング除去するクリーニング処理工程と、クリーニング処理工程に引き続き、エピタキシャル成長炉内にシリコンソースガスを供給してサセプタ表面にグレーンサイズが０．７μｍ〜０．３μｍのポリシリコン膜を形成するポリシリコン成膜工程とを有することを特徴とするエピタキシャル成長方法である。 （もっと読む）

【課題】転位密度が低く、かつ、不純物の濃度が低いＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法、ＩＩＩ族窒化物結晶基板およびＩＩＩ族窒化物半導体デバイスを提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法は、液相法により第１のＩＩＩ族窒化物結晶１０を成長させる工程と、第１のＩＩＩ族窒化物結晶１０の表面を、表面粗さＲａが５ｎｍ以下かつ反りの曲率半径が２ｍ以上になるように加工する工程と、加工がされた第１のＩＩＩ族窒化物結晶１０上に気相法により第２のＩＩＩ族窒化物結晶２０を成長させる工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体基板にエピタキシャル成長する場合において、基板ホルダとの密着性を向上させ、基板面内の温度分布を均一にして、膜厚などの特性を均一にすることが可能な窒化物半導体基板を提供する。
【解決手段】基板２８表面側に凹の反りを負、基板２８表面側に凸の反りを正とし、基板裏面２８ａの一端から基板中心線Ｌ上を通り前記基板裏面２８ａの他端に至る線分を引き、該線分で基板２８を基板厚さ方向に切断したとき、引いた前記線分上の任意の点から切断面の裏面側輪郭線までの距離の最短値のうち、最大のものを直径方向の反りＨと定義した場合に、前記直径方向の反りＨを基板周方向にわたって求め、その最大のものをＨｍａｘとし、最小のものをＨｍｉｎとしたとき、前記直径方向の反りＨが、Ｈｍａｘ−Ｈｍｉｎ≦３０μｍとなるように規定された窒化物半導体基板２８。 （もっと読む）

【課題】内部応力及び反りを低減させる。
【解決手段】まず、室温において、基板２の裏面上に、基板２よりも熱膨張率が低い第１の膜３を成膜する（ａ）。次に、高温まで加熱した後に（ｂ）、基板２の表面２ａ上に、基板２よりも熱膨張率が高いバッファ層４及び第２の膜５を成膜する（ｃ）。しかる後、半導体積層構造体１の温度が室温まで低下すると、半導体積層構造体１は基板２及びすべての膜３、４、５がほぼ反りのない平坦なものとなる（ｄ）。 （もっと読む）

【課題】おもて面と裏面とを有するシリコン単結晶基板及び前記おもて面上に堆積されたＳｉＧｅの層を含んでなるウェーハを製造する方法。
【解決手段】本方法は、次の順序で工程：前記シリコン単結晶基板のおもて面及び裏面を同時に研磨する工程；応力補償層を前記シリコン単結晶基板の裏面上に堆積させる工程；前記シリコン単結晶基板のおもて面を研磨する工程；前記裏面上に堆積された応力補償層を有する前記シリコン単結晶基板を洗浄する工程；及びＳｉＧｅの完全に又は部分的に緩和された層を前記シリコン単結晶基板の前記おもて面上に堆積させる工程を含んでなる。 （もっと読む）

【課題】貫通転位密度が小さく、かつ基板表面においても転位の束が存在せず、劈開面の乱れを起こさないＧａＮ基板の製造方法およびＧａＮ基板を提供すること。
【解決手段】基板の上にＧａＮ単結晶を気相成長させ、気相成長でできたＧａＮ単結晶インゴットを成長方向と平行な面でスライス加工して基板とする。転位は成長方向に伸びるので、成長方向と平行に結晶を切ると転位延長方向と平行にスライスすることになる。スライスした基板においては、転位が表面に平行に走るので低転位密度になる。さらにこれを種結晶としてＧａＮ成長させる。表面の転位密度が低いので、2度目に成長したＧａＮはさらに低転位になる。これもＧａＮ基板とすることができる。 （もっと読む）

【課題】結晶成長中において基板の形状を計測し、かつ原料ガスの流れの乱れを少なくすることができるＭＯＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】本発明のＭＯＣＶＤ装置は、原料ガス３８ａを供給して基板３３の被処理面に結晶を成長させ、基板３３の被処理面に面した壁に、基板３３の被処理面の中央部を望み得る窓３０ｃを有する反応室３０と、反応室３０に設けられ、基板３３を載置して回転（移動）させるための回転台（移動台）３１と、回転台３１によって回転する基板３３の被処理面に、窓３０ｃを介してレーザー光４０ａを垂直に照射するとともに、被処理面から反射したレーザー光４０ｂを、窓３０ｃを介して受光して、ドップラー効果を利用して基板３３の回転速度を計測するための第１の速度計測手段４０と、第１の速度計測手段４０による計測結果を処理して基板３３の形状情報を出力するための処理手段４１とを備えている。 （もっと読む）

【課題】デバイス活性層でのクラック発生が抑制され、かつ、転位密度の低減等の結晶性の向上を図りつつ、窒化物半導体の厚膜化に伴う反りも抑制された、製造効率に優れたバッファ構造を備えた窒化物半導体エピタキシャル基板を提供する。
【解決手段】Ｓｉ基板１と、厚さ２〜１０ｎｍのＡｌ_aＧａ_1-aＮ（０．９≦ａ≦１．０）単結晶層３１および厚さ１０〜３０ｎｍのＡｌ_bＧａ_1-bＮ（０≦ｂ≦０．１）単結晶層３２が交互に繰り返し積層された第１の多層バッファ領域３と、厚さ２〜１０ｎｍのＡｌ_cＧａ_1-cＮ（０．９≦ｃ≦１．０）単結晶層４１および厚さ２００〜５００ｎｍのＡｌ_dＧａ_1-dＮ（０≦ｄ≦０．１）単結晶層４２が交互に繰り返し積層された第２の多層バッファ領域４と、ＧａＮ単結晶層５と、Ａｌ_xＧａ_1-xＮ（０＜ｘ＜１）単結晶層６とを備えた構成の窒化物半導体エピタキシャル基板を作製する。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル成長に関するウェーハの評価を適切に行うことのできる技術を提供する。
【解決手段】ウェーハ評価方法において、ウェーハの形状を測定する測定ステップと、エピタキシャル成長の成長条件に基づいて、エピタキシャル成長によりウェーハに付加される反り付加形状を特定する反り付加形状特定ステップと、ウェーハの上面に対して、エピタキシャル成長を行った場合の第１推定形状を特定する第１形状特定ステップと、ウェーハの下面に対して、エピタキシャル成長を行った場合のウェーハである第２推定形状を特定する第２形状特定ステップと、第１推定形状及び第２推定形状に基づいて、ウェーハのいずれの主平面に対してエピタキシャル成長を行うか評価する評価ステップとを有するようにする。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体層の割れ（クラック）や結晶欠陥、反りの発生を抑制し、かつ生産性の向上が可能な化合物半導体基板を提供する。
【解決手段】化合物半導体基板１は、結晶面方位が（１１１）面であるシリコン単結晶基板１０と、シリコン単結晶基板１０上に形成され、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ単結晶（０＜ｘ≦１）で構成された第１バッファ層２０ａおよび２０ｂと、第１バッファ層２０ａおよび２０ｂ上に形成され、厚さが２５０ｎｍ以上３５０ｎｍ以下のＡｌ_ｙＧａ_１−ｙＮ単結晶（０≦ｙ＜０．１）で構成された第１単層３０ａと、厚さが５ｎｍ以上２０ｎｍ以下のＡｌ_ｚＧａ_１−ｚＮ単結晶（０．９＜ｚ≦１）で構成された第２単層３０ｂとが交互に複数積層された第２バッファ層３０と、第２バッファ層３０上に形成され、少なくとも１層以上の窒化物系半導体単結晶層を含む半導体素子形成領域４０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】反りの発生を低減させ、かつ製造歩留まりを向上することができるIII族窒化物半導体層の製造方法を提供する。
【解決手段】下地基板１０上に、炭化チタン、炭化ジルコニウム、炭化ハフニウム、炭化バナジウムまたは炭化タンタルから選択されるいずれかの炭化物層１１を形成する工程と、炭化物層１１の上部にIII族窒化物半導体層１２を成長させる工程と炭化物層１１の上部のIII族窒化物半導体層１２中で亀裂を生じさせて、下地基板１０を除去し、III族窒化物半導体層１２を得る工程とを含む。III族窒化物半導体層１２を成長させる工程は、炭化物層１１の上部にファセット構造を形成しながら、３次元成長により第一のIII族窒化物半導体層１２１を成長させる工程と、第一のIII族窒化物半導体層１２１上に２次元成長により第二のIII族窒化物半導体層１２２を形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板上への窒化物半導体薄膜の形成時における、熱膨張係数差から生じる熱応力および多孔質シリコンの構造変化に起因したピットの問題を解消し、更に該被膜に生じる反りと応力を低減できる、窒化物半導体薄膜形成に好適な窒化物半導体薄膜形成用基板を提供。
【解決手段】シリコン単結晶基体上に、異なる多孔質構造を有するシリコン層を組み合わせ設けたものを基板とし、更に、その上にシリコンエピタキシャル膜層を設けた窒化物半導体形成用基板。 （もっと読む）

【課題】効率的な製造工程を提供し、製造コストを低減することができる半導体装置の製造装置および半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体装置の製造装置１００は、ウェハカセット２，３，４と、ウェハの洗浄および表面改質を行う装置５と、ウェハの位置合わせを行う装置６と、ウェハ表面にパッシベーション膜となる材料を射出する装置７と、パッシベーション膜の外観検査を行う装置８と、パッシベーション膜に熱処理を行う装置９と、処理順にウェハを各装置に搬送する装置１０を備えている。製造装置１００では、インクジェット技術を用いて、洗浄後のウェハ表面に、選択的にパッシベーション膜のパターンを形成する。次いで、パッシベーション膜のパターンが、所望のパターン条件を有しているか否かを検査する。パッシベーション膜が所望のパターンで形成されている場合に、パッシベーション膜を硬化および焼成する熱処理を行う。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体発光素子のクラックの発生を防ぎ、かつ基板の掘り込み領域以外の領域上における窒化物半導体層の組成変動を抑制して、高い歩留まりで窒化物半導体発光素子を得る。
【解決手段】窒化物半導体発光素子は、掘り込み領域（１６）が形成された主面を有する窒化物半導体基板（１０ａ）と、掘り込み領域上に形成された結晶成長抑制膜（１０ｂ）と、結晶成長抑制膜（１０ｂ）および基板（１０ａ）の主面を覆うように堆積された複数の窒化物半導体層（１１）を含むことを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、無極性面または半極性面を有する窒化物半導体基板に、歩留まりの向上等の目的で形成されたの掘り込み領域が、窒化物半導体薄膜の成長時に埋まってしまうことを抑制することを目的し、さらに、Ａｌ組成の変動を抑制することを目的とする。
【解決手段】本発明は、無極性面または半極性面を有する窒化物半導体基板に掘り込み領域を形成し、該窒化物半導体基板上に、ｎ型窒化物半導体薄膜、活性層およびＡｌを含むｐ型窒化物半導体薄膜を含む窒化物半導体薄膜を形成する窒化物半導体発光素子の製造方法であって、上記ｐ型窒化物半導体薄膜を７００℃以上９００℃未満の温度で成膜することを特徴とする、窒化物半導体発光素子の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】発光波長６５５ｎｍ以上の、高出力・高効率のＬＥＤを量産可能なエピタキシャルウェーハを提供する。
【解決手段】ＧａＡｓ基板１と、ＧａＡｓ基板１上に設けられた発光部２と、発光部２上に設けられた歪調整層３とを備え、発光部２は、組成式（Ａｌ_ＸＧａ_１−Ｘ）_ＹＩｎ_１−ＹＰ（０≦Ｘ≦０．１、０．３７≦Ｙ≦０．４６）からなる歪発光層７を有し、歪調整層３は、発光波長に対して透明であると共にＧａＡｓ基板１の格子定数よりも小さい格子定数を有することを特徴とする発光ダイオード用エピタキシャルウェーハ１０を採用する。 （もっと読む）

【課題】 ガラス基板等の基板全体を処理温度まで迅速に加熱することができる基板の熱処理装置を提供する。
【解決手段】 熱処理炉２の炉口６からプロセスチューブ４内に搬入・搬出されるボート７に保持されたガラス基板Ｗの中央部と、プロセスチューブ４の外側に配置されたヒータ５による輻射熱を断熱する遮熱板１３ａとの間に、輻射熱を吸収する吸熱フィン１４を配置する。 （もっと読む）

【課題】基板上に化合物半導体層を平坦でかつ不純物分布が均一になるように成長させることができるIII−Ｖ族窒化物系半導体基板を提供する。
【解決手段】自立したIII−Ｖ族窒化物系半導体基板の表面の任意の位置においてフォトルミネッセンスを測定してそのバンド端ピークの発光強度をＮ１とし、前記測定位置に対応する同一基板上の裏面側のバンド端ピークの発光強度をＮ２としたときに、その強度比α＝Ｎ_１／Ｎ_２が０．０１≦α≦０．９８となるときに良品歩留のIII−Ｖ族窒化物系半導体基板とする。 （もっと読む）

【課題】反り形状を適正に制御した、横方向を主電流導通方向とする電子デバイス用エピタキシャル基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】Si単結晶基板と、該Si単結晶基板上に複数層のIII族窒化物層をエピタキシャル成長させて形成したIII族窒化物積層体とを具え、横方向を主電流導通方向とする電子デバイス用エピタキシャル基板であって、前記Si単結晶基板と前記III族窒化物積層体との間に、絶縁層としてのバッファをさらに具え、前記バッファは、１×10¹⁸/cm³以上のCを含む超格子多層構造からなる積層体を有し、前記Si単結晶基板はｐ型基板であって、かつ比抵抗値が0.01Ω・cm以下であることを特徴とする。 （もっと読む）