【課題】 エピタキシャル成長用シリコンウェーハの断面形状を適正形状とすることにより、特許文献２よりも反りをより一層低減させたエピタキシャルシリコンウェーハおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】 エピタキシャル成長用シリコンウェーハおよびエピタキシャル層を有するエピタキシャルシリコンウェーハであって、前記エピタキシャル層は、所定の式の関係を満たす断面形状を有するエピタキシャル成長用シリコンウェーハ上に形成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】４５０ｍｍ以上の大口径ウェーハの表面のみにエピタキシャル膜を成長させた際に、ウェーハの反りを低減可能で、かつ高いイントリンシックゲッタリング能力も得られるエピタキシャルシリコンウェーハおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】直径が４５０ｍｍ、比抵抗が０．１Ω・ｃｍ以上の大口径で高抵抗のシリコンウェーハに、インゴット引き上げ時の溶融液への窒素、炭素、またはその両方の導入によりイントリンシックゲッタリング機能を付与した。これにより、エピタキシャル膜１２の成長後、シリコンウェーハ１１に大きな反りが発生しにくい。その結果、エピタキシャルシリコンウェーハ１０の反りを低減でき、しかも高いイントリンシックゲッタリング能力が得られる。 （もっと読む）

【課題】反り量が小さい大口径のシリコンエピタキシャルウェーハを提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法により育成され、ボロンとゲルマニウムとが添加されたシリコン単結晶インゴットをスライスして作製された直径３００ｍｍ以上のシリコンウェーハ１であって、ボロン濃度が８．５×１０^１８（ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３）以上ドープされ、ゲルマニウムが、式１の関係式を満たす範囲でドープされたシリコンウェーハ１の表面に、シリコンエピタキシャル層２を成長させた。
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【課題】Ａｌ系ＩＩＩ族窒化物単結晶自立基板を製造するためのベース基板として好適に使用できる、結晶レベルでの歪みが低減されており、クラックおよび反りの発生が抑制された自立基板製造用基板を提供する。
【解決手段】不活性ガス中１０００℃において分解しない無機物質であって、１０００℃以上１６００℃以下で還元性ガスと接触することにより分解して揮発性物質を生成する無機物質の単結晶からなるベース基板、ベース基板上に形成された、単結晶Ａｌ系ＩＩＩ族窒化物、または単結晶Ａｌ系ＩＩＩ族窒化物と非晶質Ａｌ系ＩＩＩ族窒化物との混合物からなる厚さ３ｎｍ以上２００ｎｍ以下のＡｌ系ＩＩＩ族窒化物薄膜層、Ａｌ系ＩＩＩ族窒化物薄膜層上に形成された、Ａｌ系ＩＩＩ族窒化物薄膜層の厚さの１００倍以上の厚さを備えたＩＩＩ族窒化物非単結晶層、を備えて構成される積層体とし、ベース基板とＡｌ系ＩＩＩ族窒化物薄膜層との界面に複数の空隙を設ける。 （もっと読む）

【課題】半導体光素子の作製プロセス中、半導体ウェハにダメージを与えることを抑制可能な半導体光素子の作製方法を提供する。
【解決手段】基板１１の上に、活性層１７を含む半導体積層１３を成長する第１工程と、第１工程の後に、半導体積層１３の上に、所定の膜応力および所定の厚みを有するシリコン酸化膜２１を形成する第２工程と、第２工程の後に、シリコン酸化膜２１の上に形成したレジスト２３を用いてシリコン酸化膜２１を半導体積層１３の表面が露出するまでエッチングすることにより、シリコン酸化膜２１にストライプ状の溝２５を形成する第３工程と、第３工程の後に、溝２５に、ｐ型クラッド層１９の他の一部１９ｂを成長する第４工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体基板などを加熱雰囲気中で成膜させる際には、昇温させるだけでも半導体基板には相当の反り（湾曲）が発生する。反りが原因で、基板上に成膜させた膜質の均質性が劣化したり、基板にクラックが発生しやすくなるなどの問題が起こる。
【解決手段】基板の主表面の上側と下側との両方から基板を加熱することにより、主表面の上側と下側との温度勾配（温度差）を小さくし、基板の反りを抑制する。 （もっと読む）

【課題】耐圧性が高く反りが小さい半導体電子デバイスを提供すること。
【解決手段】基板と、前記基板上に形成された、前記基板よりも格子定数が小さく熱膨張係数が大きい窒化物系化合物半導体からなる第一半導体層と該第一半導体層よりも格子定数が小さく前記基板よりも熱膨張係数が大きい窒化物系化合物半導体からなる第二半導体層とが交互に積層した２層以上の複合層を有するバッファ層と、前記基板と前記バッファ層との間に形成された、前記第一半導体層よりも格子定数が小さく前記基板よりも熱膨張係数が大きい窒化物系化合物半導体からなる介在層と、前記バッファ層上に形成された、窒化物系化合物半導体からなる半導体動作層と、を備え、前記バッファ層において、前記第一半導体層の層厚が不均一であるとともに、該第一半導体層のうち少なくとも一つが、前記基板に対して発生させる反りの方向が反転する臨界厚さよりも厚い層厚を有する。 （もっと読む）

【課題】 格子の差異により生じる膜層品質不良の問題を解決でき、また発光ダイオードにおいてサファイア基板とその上に成長されるIII族窒化物間の格子不整合により発生する応力に起因する亀裂の問題の解決に利用できる、半導体素子の製造方法の提供。
【解決手段】 本発明の半導体素子の製造方法は、基板を提供し、前記基板表面にフォトリソグラフィエッチングまたはレーザーエッチングの方式で複数本の溝部を形成し、この複数本の溝部が前記基板表面を複数個のメサ構造（ｍｅｓａ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）に分割し、かつ前記基板をパターン化基板とする、及び半導体素子（例：光電素子または発光ダイオード）を前記パターン化基板表面に成長させる、という手順を含み、前記半導体素子は少なくとも１層の膜層を備え、前記パターン化基板と接触する第一膜層が複数本の溝部により複数個の相互に連続しない区域に分割される。 （もっと読む）

【課題】先行技術の欠点を回避しながら応力のないエピタキシャル被覆させた半導体ウェハを提供すること
【解決手段】少なくとも前面がポリシングされた半導体ウェハを準備し、枚葉式エピタキシャル反応器中のサセプタに裁置し、１０００〜１２００℃の温度で化学気相蒸着によりエピタキシャル層をポリシングされた前面に設けることにより被覆するエピタキシャル被覆させた半導体ウェハの製造方法において、エピタキシャル被覆が行われた後に、前記半導体ウェハを１２００〜９００℃の温度範囲で、１秒あたり５℃より低い速度で冷却する、エピタキシャル被覆させた半導体ウェハの製造方法 （もっと読む）

【課題】全面で良好な平坦度をもつエピタキシャルウェーハを製造する技術の提供。
【解決手段】種々の成膜条件で実際にウェーハサンプル上にエピタキシャル膜を成長させてみて、成長前後のウェーハの全面での厚み形状を測定し、その差から、種々の成膜条件下でのエピタキシャル膜の全域での膜厚形状を把握し記憶する。その後、素材ウェーハの全域での厚み形状を測定し、それに、記憶しておいた種々の成膜条件下での膜厚形状をそれぞれ加算して、種々の成膜条件下での製品ウェーハの平坦度を予測する。そして、予測された平坦度が要求仕様を満たす１種類の加工条件を選択し、その加工条件で実際に素材ウェーハ上にエピタキシャル膜を成長させる。 （もっと読む）

【課題】非極性面または半極性面を成長主面としたIII族窒化物半導体を用いて、発光効率の向上された半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体レーザダイオード７０は、基板１と、この基板１上に形成されたIII族窒化物半導体積層構造２とを含む。基板１は、ｍ面を主面としたＧａＮ単結晶基板である。III族窒化物半導体積層構造２が結晶成長させられている。III族窒化物半導体積層構造２は、ｎ型半導体層１１、発光層１０、およびｐ型半導体層１２を積層して構成されている。発光層１０は、ＩｎＧａＮ量子井戸層とＡｌＧａＮ障壁層とを積層した多重量子井戸構造を有している。ＡｌＧａＮ障壁層は、ＩｎＧａＮ量子井戸層の圧縮応力を緩和する歪み補償層として機能する。 （もっと読む）

【課題】異種材料基板の上にそりを制御して窒化物半導体結晶の層が形成できるようにする。
【解決手段】シリコン基板１０１と、シリコン基板１０１の上にエピタキシャル成長されたＡｌＮ結晶からなる膜厚１００ｎｍの核形成層１０２と、核形成層１０２の上にエピタキシャル成長されたＡｌＧａＮからなる膜厚１００ｎｍの挿入層１０３と、挿入層１０３の上にエピタキシャル成長されたＧａＮからなるキャリア走行層１０４と、キャリア走行層１０４の上にエピタキシャル成長されたＡｌ_0.25Ｇａ_0.75Ｎからなる膜厚２５ｎｍのバリア層１０５とを備える。バリア層１０５は、キャリア走行層１０４に対してキャリアを供給するキャリア供給層として機能する。また、ＡｌＧａＮからなる挿入層１０３にホウ素が添加されている。 （もっと読む）

【課題】バウの制御のためだけでなく、ＳｉＧｅエピタキシャル層の品質を改善するために、特にＳｉ基板上に堆積されたＳｉＧｅ層のクロスハッチ及び表面ラフネスを低減するために、背面層によって形成された応力を用いる適切な解決策を提供すること。
【解決手段】第１の面及び第２の面を有する基板１０、前記基板の第１の面に堆積された完全に又は部分的に緩和されたヘテロエピタキシャル層２０、及び前記基板の第２の面に堆積された応力相殺層３０を有する、半導体ウェハ。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物の結晶体の基板を製造する際における剥離バッファー層をエッチングするための時間を短縮する方法を提供する。
【解決手段】基板の製造方法は、下地基板の上にバッファー層を形成するバッファー層形成工程Ｓ１と、バッファー層の上に、バッファー層の一部を覆うマスクパターンを形成するマスクパターン形成工程Ｓ２と、バッファー層及びマスクパターンを覆うように、ＩＩＩ族窒化物の結晶体を成長させる成長工程Ｓ５と、マスクパターンの第１のエッチャントを用いてマスクパターンを選択的にエッチングすることにより、バッファー層の第２のエッチャントを供給するための経路を形成する経路形成工程Ｓ６と、経路を介して第２のエッチャントを供給してバッファー層を選択的にエッチングすることにより、結晶体を下地基板から分離する分離工程Ｓ７とを備える。 （もっと読む）

【課題】電気的な絶縁性及び良好な熱伝導性を有する中間層を備えた化合物半導体基板の提供。
【解決手段】表面の結晶面方位が｛１１１｝面であるＳｉ単結晶基板１００と、前記Ｓｉ単結晶基板１００の表面に形成され、ＡｌＮで構成された第１層１１０ａと、ＭｇＯで構成された第２層１１０ｂとが、この順で互いに交互に複数積層された中間層１１０と、前記中間層１１０上に形成され、ＧａＮ（０００１）、ＡｌＮ（０００１）又はＩｎＮ（０００１）のいずれか１種で構成された窒化物半導体単結晶層１２０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】反りが抑制され、結晶性を低下させることなく、高品質なＳｉＣ膜が形成された化合物半導体基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉ基板１０の表面１０ａに、前記Ｓｉ基板１０の表面１０ａに該表面１０ａにおける幅Ｗおよび該表面１０ａからの深さＤが、ＳｉＣ膜２０の厚さよりも大きい溝部３０を形成し、前記Ｓｉ基板１０の表面１０ａに、前記溝部３０によって島状にそれぞれ分離された複数のＳｉＣ島部２０ａとして、ＳｉＣ膜２０を形成する。 （もっと読む）

【課題】バッチ式熱処理装置において、熱処理中に基板が自重によって変形することを防止するために、基板の長辺側を支持する第１及び第２支持ロードが備えられた、基板を搭載支持するボートを提供する。
【解決手段】本発明に係るボート１００は、バッチ式熱処理装置において、熱処理工程の実施空間を提供するチャンバ内に複数の基板１０を搭載するためのものであり、下部フレーム１１０と、上部フレーム１２０と、前記下部フレーム及び前記上部フレームを結合する複数の垂直フレーム２００と、前記各垂直フレームの一側に、前記基板の内側方向へ延出するように水平方向に形成された複数の第１支持ロード２１０と、前記各第１支持ロードを水平方向に互いに連結する第２支持ロード２２０とを含むものである。 （もっと読む）

生物学に基づく自律学習ツールシステムと、生物学に基づく自律学習ツールシステムが学習と分析とに用いる方法とを提供する。生物学に基づく自律学習ツールシステムは、（ａ）１つ以上のツールシステムと、（ｂ）相互作用マネージャと、（ｃ）生物学的な学習原理に基づく自律学習システムとを含む。１つ以上のツールシステムは、特定のタスク又はプロセスのセットを実行して、アセットと、アセットに関するデータとを生成する。アセットと、アセットに関するデータは、様々なプロセス及び関連するツールの性能を特徴付ける。相互作用マネージャは、データを受信して、フォーマットする。このようなシステムは、メモリプラットフォームと処理プラットフォームとを含む。メモリプラットフォームと処理プラットフォームは、再帰的に定義され、ネットワークを通して通信する。次第に複雑化する自律ツールをアセンブルするために、自律ツールシステムは、再帰的に配備され得る。個々の又はアセンブルされた複雑な自律ツールに関連する自律学習システムにおいて生成され蓄積された知識は、意味ネットワークにキャストされ得る。意味ネットワークは、コンテキストに基づいてツールの目標を学習して進めるために用いられ得る。 （もっと読む）

【課題】 複雑な装置を必要とせずに、反応容器内への搬入時に起こるウェーハの反りに起因する裏面エッジ部とサセプタとの擦れから発生するパーティクル、及びシリコンウェーハ裏面エッジ部における傷の発生を低減することが可能なエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】原料ガスを反応容器２０に流通させることにより反応容器２０内に配置されたシリコンウェーハ２１の表面にエピタキシャル層を成膜するエピタキシャルウェーハの製造方法において、シリコンウェーハ２１の抵抗率に応じて、シリコンウェーハ２１を反応容器２０へ搬入する際のサセプタ２４の温度を調整する。 （もっと読む）

【課題】溶剤を用いて半導体ウエハから容易に剥離し得るが、半導体ウエハの加工を行う過程において基板から剥がれにくいサポートプレートを実現する。
【解決手段】基板２に貼着して基板２を支持するサポートプレート１を提供する。サポートプレート１において、複数の開孔１５・１５’が、基板２に面する接着面と該接着面に対向する非接着面とを貫通しており、該接着面には、第１領域１１および第１領域１１を取り囲む第２領域１２からなる開孔が形成されている領域１３が設けられており、第１領域１１における開孔率が第２領域１２の開孔率より大きい。 （もっと読む）