【課題】
薄膜製造の生産性を向上ことが可能な薄膜製造装置を提供する。
【解決手段】
薄膜製造装置は、第１整合器１３と、第１給電伝送路１２と、放電電極３と、対向電極２とを具備する。第１整合器１３は、出力側のインピーダンスを整合可能で、供給された第１電力を送電する。第１給電伝送路１２は、一端を第１整合器１３に接続され、その第１電力の送電を媒介する。放電電極３は、第１給電伝送路１２の他端に接続され、その第１電力を受電する。対向電極２は、放電電極３に対向する。第１給電伝送路１２の特性インピーダンスは２０Ω以上、３０Ω以下である。第１給電伝送路１３は熱媒体を通す第１熱媒体供給管２０を備え、放電電極３はその熱媒体を通す熱媒体流通管２５を備える。第１整合器１３は、第１熱媒体供給管２０へその第１熱媒体を供給する第１熱媒体供給部１７を備える。 （もっと読む）

【課題】 基板の反り、クラックの発生を効果的に抑制することができるとともに、半導体層各面における剥がれを防止することができる半導体基板、半導体結晶成長用基板、半導体装置、光半導体装置およびそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板（１００）は、基板（１）の一面上に成長した半導体結晶層（２）と、基板（１）の他面および側面に形成され、半導体結晶層（２）が基板（１）に付与する応力と同じ方向に基板（１）に応力を付与する応力緩和層（３）とを備えることを特徴とする。この場合、半導体結晶層（２）の基板（１）に対する応力が相殺される。それにより、半導体基板（１００）の反りおよびクラックの発生が抑制される。 （もっと読む）

ガス状の前駆体混合物を形成するためにシリコンソース、ゲルマニウムソース及びエッチャントを混合することを含む、ＳｉＧｅ膜（３０）をブランケット堆積する方法。本方法はさらに、化学気相成長条件下において、ガス状の前駆体物質を基板（１０）上に流し、パターンの有無に関わらず、基板（１０）上にエピタキシャルＳｉＧｅのブランケット層（３０）を堆積させることを包含する。
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【課題】基板の温度を均一に保ちながらより高速に昇温する。
【解決手段】押し具１９により基板１４が載せられているヒータカバー１５に基板１４を押し付け、ヒータカバー１５と基板１４との間に隙間ができにくくする。製膜室に安価で熱伝導率の高いＨ_２を導入して昇温する。基板１４が反ることによりヒータカバー１５から基板１４が浮きはじめるタイミングで一旦、Ｈ_２の密度を低下させる。基板１４の温度が一様となったら再びＨ_２の密度を上昇させる。Ｈ_２の分子密度は１×１０^２３個／ｍ^３〜３×１０^２３個／ｍ^３（１０００Ｐａ）、好ましくは２×１０^２３個／ｍ^３付近となるように制御される。 （もっと読む）

【課題】窒化物からなる半導体層の形成に係る作業工数を減らして生産効率を向上させるとともに、製造コストの抑制を図る事が可能な窒化物半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】サファイヤ基板１の主面の表面に溝パターン２を形成させた後、このサファイヤ基板１の溝パターン２が形成された面に、溝パターン２を埋めるようにＳｉＯ_２膜３を形成させ、さらに、サファイヤ基板１の主面の表面が現れるまでＳｉＯ_２膜３を研磨させ、最後に、研磨により現れたサファイヤ基板１の表面上にＧａＮ膜４を選択的に成長させる。 （もっと読む）

【課題】 処理空間内での基板形状の変形に起因する処理ムラ・特性ムラを押え、太陽電池等のデバイス特性の均一性および再現性の高い生産設備を実現する。
【解決手段】 処理空間内に基板を搬入して基板表面の処理を行なう基板処理方法において、処理空間に搬入される基板のたわみ量をセンサー１１０により検知し、この検知したたわみ量に基づいて基板のたわみ量を制御した後に該基板を処理空間内に搬入する。 （もっと読む）

【課題】 ヘテロエピタキシャル成長膜の、応力の緩和と、緩和に伴って発生し表面へ貫通する結晶欠陥の密度の抑制を両立させるために要求される、膜厚に対する制限を低減し、プロセス設計の自由度を向上させる。
【解決手段】 単結晶半導体基板１０の上に単結晶半導体基板１０とは格子定数及び／又は熱膨張率が異なる第１単結晶半導体層１２を成長させた後に、水素を含む還元性雰囲気中で熱処理することにより、第１単結晶半導体層１２の表面は平坦化され、結晶欠陥は単結晶半導体基板１０との界面近傍の領域１４に局在化され、表面近傍の領域１６に加わる応力は緩和される。この熱処理工程の後に実施される第２成長工程において、下地となる第１単結晶半導体層１２はその応力が緩和されているので、第１単結晶半導体層１２とは格子定数及び／又は熱膨張率が異なる第２単結晶半導体層１８に応力が加わり、良質な歪み半導体基板を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】数ｍｍの厚さに成長しても反りがほとんどない、独立した窒化ガリウム単結晶厚膜およびその成長方法を提供する。
【解決手段】サファイヤ基板上に、ハイドライド気相成長法（ＨＶＰＥ）を用いてシリコン（Ｓｉ）が過剰にドープされた窒化ガリウム膜を２０〜５０μｍ範囲の厚さに成長させてクラックを誘導し、該積層体を冷却して基板の下部までクラックを伝播させたあと、該窒化ガリウム積層体上にＨＶＰＥによって窒化ガリウム厚膜を成長させる。こうして得られた基板／Ｓｉ過剰ドープされた窒化ガリウム／窒化ガリウム積層体から、誘導されたクラックを有する基板とＳｉ過剰ドープされた窒化ガリウム膜とを除去することにより、表面距離当り＜０００１＞方向に対するｃ軸方向の結晶チルト角の値が０．００２２（°／ｍｍ）以下の、独立した窒化ガリウム厚膜が得られる。 （もっと読む）

【課題】フラットパネルディスプレイの製造において大面積基板を支持するためのシステム及び方法を提供する。
【解決手段】複数の支持プレート２９は、少なくとも１つのアクチュエータ２１８に結合された複数の支持シャフト２３３、２３４により支持される。サセプタ２１４の水平断面プロフィールを選択的に調整して均等且つ均一な処理を促進するように設計される。水平プロフィールは、平坦、凹状又は凸状の１つでよく、処理の前、処理中又は処理の後に調整を行う。 （もっと読む）

【課題】 トランジスタの信頼性の劣化を抑制しつつ、高電圧駆動を可能とするとともに高速化を図る。
【解決手段】 酸化防止膜４をマスクとしてエピタキシャル成長を行うことにより、第１単結晶半導体層３上に第２単結晶半導体層５を形成し、酸化防止膜４をマスクとして第２単結晶半導体層５の熱処理を行うことにより、第２単結晶半導体層５の構成成分を第１単結晶半導体層３内に拡散させ、第１単結晶半導体層３の一部を第３単結晶半導体層７に変換した後、第１単結晶半導体層３上および第３単結晶半導体層７上に第４単結晶半導体層８を形成し、第３単結晶半導体層７上に配置された第４単結晶半導体層８上にゲート絶縁膜１１を形成するとともに、オフセットゲート層１５ｂおよびドレイン層１５ｃを第１単結晶半導体層３および第４単結晶半導体層８に形成する。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル成長によって生じる基板の反りの影響を低減して歩留まりを向上させることができる発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】発光素子の製造方法として、基板の表面にエピタキシャル成長によって膜付けを行うエピタキシャル成長工程と、このエピタキシャル成長工程の後に基板の裏面を研磨によって平坦化する平坦化工程と、この平坦化工程の後に基板の表面に所定の処理を行う基板処理工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】基板処理装置並びに基板処理装置用電気ヒーターに於いて、発熱体の熱歪みの発生を抑止する。また、発熱体間或は発熱体の均熱管等構造物への接触を防止して、発熱体の長寿命化を図る。
【解決手段】基板１２を収納し処理する処理室と、発熱体４３を有し該発熱体により前記処理室内を加熱する加熱装置２とを具備する。前記発熱体は一端のみを保持部によって保持されている。また、発熱体は少なくとも一部が前記基板に向かって凸となる様に形成されている。 （もっと読む）

【課題】ボートへ移載済みのウェハに対して温度インタロック制御を行うことにより、熱ストレスを少なくして製品歩留りの高い半導体基板を製造する。
【解決手段】温度制御ゾーン２が複数のゾーン（Ｕ，ＣＵ，ＣＬ，Ｌ）に分散された複数のヒータによって加熱される加熱炉１へ、複数枚のウェハ４を載置したボート３を挿入する挿入工程と、挿入工程に続いて加熱炉１においてウェハ４に所定の処理を施す処理工程と、処理工程に続いて加熱炉１よりボート３を引き出す引出工程と、引出工程に続いてウェハ４を冷却する冷却工程とを含む。そして、挿入工程及び引出工程において、温度制御ゾーン２における複数のゾーンに温度傾斜が生じるように、非接触温度センサでウェハ４の温度監視を行いながら複数のヒータの加熱制御を行う。これによってウェハ４の熱ストレスは防止される。 （もっと読む）

【課題】ウエハのスリップ低減を図った縦型ウエハボートを提供する。
【解決手段】ウエハ挿入終端側に位置する支持部材４，５は、ウエハＷの挿入中心点Ｏを通りウエハＷの挿入方向に伸びた仮想線に対して線対称に構成されている。そして、ウエハ挿入後端側に位置する支持部材４，５は、ウエハ支持部２ａ，３ａの先端部のＲ形状Ｃと直径Ｂの仮想円Ｆの交点から仮想線Ｙに対して引いた仮想垂線Ｄと直径Ａの仮想円Ｅの交点まで、ウエハＷの挿入中心点Ｏに向かって形成され、ウエハ支持部４ａ，５ａは支持部材４，５からストレートに延設している。このような位置関係に構成しているので、ウエハ支持部４ａ，５ａの先端位置は、ウエハＷの挿入方向に奥にシフトしている。 （もっと読む）

【課題】サセプタを介した加熱による基板の反りを防止する。
【解決手段】熱処理装置のチャンバ本体内には、基板９の下面に当接して基板９を支持するとともに、外縁部７２３から中央部７２４に向かって僅かに漸次高くなる凸状の支持面７２２を有するサセプタ７２が設けられ、サセプタ７２の下側に取り付けられたホットプレート７１により支持面７２２が加熱される。熱処理装置１では、チャンバ本体内へと搬送された基板９に対して、凸状の支持面７２２の中央部７２４が外縁部７２３に先行して基板９の下面に当接し、基板９の中央部が外縁部より僅かに早く加熱される。これにより、サセプタ７２を介した加熱による基板９の反りを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】 半導体素子の使用温度において、半導体素子用基板の内部に各層の熱膨張係数差に起因する応力が発生しないようにすること。
【解決手段】 サファイア元基板１の主面１Ａ、１Ｂの少なくとも一方に３族窒化物半導体の熱膨張係数Ｋ４より小さい熱膨張係数Ｋ２を有する材料であるシリコン単結晶からなる補助層２を半導体素子の許容動作温度範囲内の温度下で形成して補助層付基板を作製した後、サファイア元基板１の主面又は補助層の表面に少なくとも１つの３族窒化物半導体層である化合物半導体層４を成長させることにより３族窒化物半導体素子用基板を製造する。補助層付基板と化合物半導体層４とは同じ熱膨張係数を有するので熱膨張差に起因する応力はこの２者の間には発生せず、しかも、補助層２は室温で形成されているので、サファイア元基板１と補助層２の間にも熱膨張差に起因する応力は発生ない。 （もっと読む）

【課題】 高度な緩和及び低い積層欠陥密度を有する薄いシリコン・ゲルマニウム・オン・インシュレータ（ＳＧＯＩ）構造体を形成する方法を提供する。
【解決手段】 ＳｉＧｅ層（１０４）をＳＯＩウェハ（１０２、１００）上に堆積する（３００）。ＳｉＧｅ及びＳｉ層の熱混合を遂行し（３０２）、高度な緩和及び低い積層欠陥密度を有する厚いＳＧＯＩ（１０６）を形成する。次に、ＳｉＧｅ層（１１０）が所望の最終の厚さにまで薄くする（３０６）。この薄層化処理によって、Ｇｅ濃度、緩和量、及び積層欠陥密度は不変に保持される。このようにして、高度な緩和及び低い積層欠陥密度を有するＳＧＯＩ薄膜が得られる。次に、Ｓｉ層（１１２）を薄いＳＧＯＩウェハ上に堆積する。薄層化方法には、低温（５５０℃−７００℃）ＨＩＰＯＸ又は蒸気酸化法、エピタキシ・チャンバ内でのその場の（ｉｎ−ｓｉｔｕ）ＨＣｌエッチング法、又はＣＭＰ法がある。ＨＩＰＯＸ又は蒸気酸化薄層化から得られる粗いＳｉＧｅ表面は、タッチ・アップＣＭＰ法、歪みＳｉ堆積中でのその場の水素ベーク及びＳｉＧｅバッファ層、又は、ＨＣｌ、ＤＣＳ及びＧｅＨ_４の気体混合物を有する水素環境中でウェハを加熱する方法、を用いて平坦化される。 （もっと読む）