【課題】結晶成長層にダメージを与えることなくサファイア基板から結晶成長層を容易に分離することが可能なＧａＮ系化合物半導体の成長方法及び当該成長層付き基板を提供する。
【解決手段】サファイア基板１０上にコラム状結晶層１１を成長する工程と、コラム状結晶層１１上にバッファ層１２を成長する工程と、バッファ層１２上にＧａＮ系化合物結晶１３を成長する工程と、を有する。結晶成長後に降温すると、サファイア基板１０とナノコラム状態のＺｒＢ2層１１の界面に大きな歪みが生じ、サファイア基板１０から結晶成長層１８が容易に分離する。 （もっと読む）

【課題】反り形状を適正に制御した、横方向を主電流導通方向とする電子デバイス用エピタキシャル基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】Si単結晶基板と、該Si単結晶基板上に複数層のIII族窒化物層をエピタキシャル成長させて形成したIII族窒化物積層体とを具え、横方向を主電流導通方向とする電子デバイス用エピタキシャル基板であって、前記Si単結晶基板と前記III族窒化物積層体との間に、絶縁層としてのバッファをさらに具え、前記バッファは、１×10¹⁸/cm³以上のCを含む超格子多層構造からなる積層体を有し、前記Si単結晶基板はｐ型基板であって、かつ比抵抗値が0.01Ω・cm以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】低コストでしかも高品質の窒化物系の半導体エピタキシャルウェハ及びその製造方法、並びに電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】化合物半導体を結晶成長させるための基板（１）と、基板（１）上に形成されるバッファ層（２）と、バッファ層（２）上に位置する第１の窒化物半導体層（３）と、第１の窒化物半導体層（３）上に位置する第２の窒化物半導体層（５）と、第２の窒化物半導体層（５）上に位置し第２の窒化物半導体層（５）よりも電子親和力の小さい第３の窒化物半導体層（６）とを備えた半導体エピタキシャルウェハにおいて、第１の窒化物半導体層（３）にはＦｅがドープされ、第１の窒化物半導体層（３）と第２の窒化物半導体層（５）との間には、第１の窒化物半導体層（３）及び第２の窒化物半導体層（５）よりも電子親和力の小さい窒化物半導体挿入層（４）が設けられている。 （もっと読む）

【課題】サセプタで支持された基板上へのエピタキシャル膜の成膜において、成膜装置内への基板の搬入から基板上での成膜処理までの間で発生する基板の変形を抑制する成膜方法を提供する。
【解決手段】昇温した基板Ｗ支持用のサセプタ２０を、基板Ｗの成膜処理を行う初期位置から上昇させ、成膜室２内に搬入された基板を受け取り、当該サセプタ２０を下降させて、初期位置に復帰させ、サセプタ２０上で基板Ｗを成膜温度に加熱し、気相成長反応を行う成膜方法において、サセプタ２０が基板Ｗを受け取る前、搬入された基板Ｗ下方の停止位置で昇温したサセプタ２０を停止させる。そして、基板Ｗを昇温したサセプタ２０により加熱し、所定温度に基板Ｗを加熱した後、さらにサセプタ２０を上昇させて基板Ｗを受け取るようにする。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板の表面温度を低下させつつ、リーク電流が少ないゲート絶縁膜を形成する。
【解決手段】 上記課題を解決するために、酸素原子及び窒素原子を含むガスを処理室内に供給し、酸素原子及び窒素原子を含むガスをプラズマによって活性化し、シリコン基板を前記プラズマにより処理を行い窒素が含有された二酸化シリコン膜を形成する半導体装置の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体層のエピタキシャル成長に用いるサファイア基板において、効率良く基板の反り形状及び／又は反り量を精密に制御することができ、且つ、成膜中に生じる基板の反りを抑制、それを用いて作製される窒化物半導体層成膜体、窒化物半導体デバイス、窒化物半導体バルク基板及びそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】サファイア基板の内部に、前記サファイア基板の研磨面側を通してパルスレーザを集光し、走査し、前記パルスレーザによる多光子吸収を利用して改質領域パターンを形成し、サファイア基板の反り形状及び／又は反り量を制御する。本発明により得られたサファイア基板を用いて窒化物半導体層を形成すると、成膜中の基板の反りを抑制し、基板の反り挙動を小さくすることができるため、膜の品質及び均一性が向上し、窒化物半導体デバイスの品質及び歩留まりを向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハの金属汚染を防止し、かつ半導体ウェーハの内外において損傷を防止する。
【解決手段】気相成長装置１００は、加熱した半導体ウェーハ１を金属製の円板状の冷却プレート１１に近接して、半導体ウェーハ１を冷却する冷却チャンバ１０を備える。冷却チャンバ１０は、冷却プレート１１に取り付けて、半導体ウェーハ１の周縁を周方向に間隔をあけて支持する複数の支持部材１３を備える。支持部材１３は、半導体ウェーハ１が載置される円弧状の頂部が冷却プレート１１の中心に向かう支持面１３１と、支持面１３１から突出して半導体ウェーハ１の外周を部分的に囲う段差１３２を有する。円弧状の頂部は、半導体ウェーハ１が冷却プレート１１に接触しない所定の高さを設けると共に、冷却プレート１１の中心に向かって下り傾斜している。 （もっと読む）

【課題】反り形状を適正に制御した、横方向を主電流導通方向とする電子デバイス用エピタキシャル基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】Si単結晶基板２と、該Si単結晶基板２上に複数層のIII族窒化物層をエピタキシャル成長させて形成したIII族窒化物積層体４とを具え、横方向を主電流導通方向とする電子デバイス用エピタキシャル基板であって、前記Si単結晶基板はｐ型基板であって、かつ比抵抗値が0.01Ω・cm以下であること。 （もっと読む）

【課題】ウェーハとサセプタとの間のスティッキングによるエピタキシャルウェーハの裏面の歪みを低減しながら、リフトピンの存在によるエピタキシャルウェーハの平坦度の低下を防止するようなエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の製造方法は、半導体ウェーハの裏面に酸化膜からなる親水部を形成させる酸化膜形成工程Ｓ１と、前記酸化膜の一部を前記半導体ウェーハと同心の円形状に除去して、半導体ウェーハの裏面が露出してなる疎水部を設けるエッチング工程Ｓ２と、前記半導体ウェーハの裏面を下側にして、前記半導体ウェーハを前記ウェーハ載置部に載置するウェーハ載置工程Ｓ３と、前記半導体ウェーハの主表面にエピタキシャル層を成長させるエピタキシャル成長工程Ｓ４と、を備え、サセプタの底面に円周上に設けられたリフトピンからなるリフトピン設置円周が前記疎水部の直径よりも小さいことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＥＬＯ法によって結晶成長させた窒化物系半導体発光素子における不均一な歪みの発生を抑制する。
【解決手段】本発明の窒化物系半導体発光素子は、窒化物系半導体積層構造５０を有する窒化物系半導体発光素子であって、窒化物系半導体積層構造５０は、Ａｌ_aＩｎ_bＧａ_cＮ結晶層（ａ＋ｂ＋ｃ＝１，ａ≧０，ｂ≧０，ｃ≧０）を含む活性層３２と、Ａｌ_dＧａ_eＮオーバーフロー抑制層３６（ｄ＋ｅ＝１，ｄ＞０，ｅ≧０）と、Ａｌ_fＧａ_gＮ層３８（ｆ＋ｇ＝１，ｆ≧０，ｇ≧０，ｆ＜ｄ）とを含み、Ａｌ_dＧａ_eＮオーバーフロー抑制層３６は、活性層３２とＡｌ_fＧａ_gＮ層３８との間に設けられ、Ａｌ_dＧａ_eＮオーバーフロー抑制層３６は、濃度が１×１０¹⁶ａｔｍｓ／ｃｍ³以上１×１０¹⁹ａｔｍｓ／ｃｍ³以下のＩｎを含有する層３５を含み、Ｉｎを含有する層３５の厚さは、Ａｌ_dＧａ_eＮオーバーフロー抑制層３６の厚さの半分以下である。 （もっと読む）

【課題】高品位で且つ低コストな発光素子用エピタキシャルウェハを提供する。
【解決手段】ｎ型基板２上に、少なくともｎ型クラッド層６、活性層８、ｐ型クラッド層を順次積層する化合物半導体発光素子用エピタキシャルウェハにおいて、ｎ型基板２として、ほぼ円形であるｎ型基板の直径を（ａ）、ｎ型基板の厚さを（ｂ）としたとき、（ｂ）／（ａ）が０．００４７以下であるｎ型基板を用いて作製したものである。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ装置により薄膜を成膜する基板を、昇温してある成膜プレート上に載置した時の基板の反りを防止することにより、膜質や歩留りの低下を防ぐ。
【解決手段】連続式平行平板型ＣＶＤ装置に用いる成膜プレートへの基板載置方法において、基板を前記成膜プレート上に載置する前および／または載置した後に、基板の略中央部に対し加熱を行う。 （もっと読む）

【課題】 ハイドライド気相成長法を用いてＧａＰ電流拡散層を厚く形成する際にＧａＰ電流拡散層にピットが形成されることを抑制し、反りを生じた状態で研磨やダイシングなどの素子化加工を行った際に該ピットを基点とした割れ等を生じにくくする。
【解決手段】 ＧａＡｓ単結晶基板１上に、２種以上のＩＩＩ族元素を含む（Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘ）_ｙＩｎ_１−ｙＰ（ただし、０≦ｘ≦１，０＜ｙ≦１）にて構成される発光層部２４と、第一ＧａＰ層７ａとをこの順序にて有機金属気相成長法により形成する。そして、第一ＧａＰ７ａ層上に第二ＧａＰ層７をハイドライド気相成長法により形成する。第二ＧａＰ層７は、発光層部に近い側に位置するＧａＰ高速成長層７ｂと該ＧａＰ高速成長層７ｂに続くＧａＰ低速成長層７ｃとを有するものとして、ＧａＰ高速成長層７ｂを第一成長速度により、ＧａＰ低速成長層７ｃを第一成長速度よりも低い第二成長速度により、それぞれ成長する。 （もっと読む）

【課題】 反りの低減が図られたＧａＡｓ基板、積層基板及びそれを用いた電子デバイス、ダミー用途ＧａＡｓ基板、再利用用途のＧａＡｓ基板を提供する。
【解決手段】 本発明に係るＧａＡｓ基板１２は、エピタキシャル層１３が成膜されるべきＧａＡｓ基板１２であって、添加されているＳｉの濃度（Ｃ［Ｓｉ］ｃｍ^−３）とＢの濃度（Ｃ［Ｂ］ｃｍ^−３）とが、下記の２式（１）（２）
４．０×１０^１７≦Ｃ［Ｓｉ］≦１．０×１０^１９ ‥‥（１）
Ｃ［Ｂ］≧４．８×１０^５×Ｃ［Ｓｉ］^０．７ ‥‥（２）
を満たす。すなわち、発明者らは、上記２式（１）（２）を満たすＧａＡｓ基板１２に、エピタキシャル層１３を成膜した場合には、基板１０の反りが低減することを新たに見出した。 （もっと読む）

【課題】低コストで板形状を制御した基板、当該基板上にエピタキシャル層が形成されたエピタキシャル層付基板およびそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に従った基板の製造方法は、窒化ガリウム（ＧａＮ）からなるインゴットを準備する工程としてのインゴット成長工程（Ｓ１１０）と、インゴットをスライスして窒化ガリウムからなる基板を得る工程としてのスライス工程（Ｓ１２０）とを備える。スライス工程（Ｓ１２０）では、スライス後の基板の主表面の算術平均粗さＲａが１０ｍｍ線上で０．０５μｍ以上１μｍ以下となっている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ウェーハの跳ね現象を抑え、ウェーハ上に均一に成膜を行うとともに、歩留り、生産性の低下を抑え、半導体装置の信頼性の向上を図ることが可能な半導体製造方法および半導体製造装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体製造方法は、反応炉内にウェーハを搬入し、反応炉内に設置され、ウェーハを載置するための突き上げシャフトを上昇させて、突き上げシャフト上にウェーハを載置し、突き上げシャフトを上昇させた状態で、予備加熱により面内温度分布を制御して、ウェーハを凹状態とし、ウェーハが凹状態のまま突き上げシャフトを下降させてサセプタ上にウェーハを保持し、ウェーハを所定の温度に加熱し、ウェーハを回転させ、ウェーハ上にプロセスガスを供給することを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、窒化物薄膜構造及びその形成方法に関する。窒化物ではない基板上に窒化物薄膜を形成すれば、基板と窒化物薄膜との格子定数差によって多くの欠陥が生じる。また基板と窒化物薄膜との熱膨張係数差によって基板が反るという問題がある。本発明ではかかる問題を解決するために、中の空いている粒子、すなわち、中空構造物を基板上に塗布した後、その上に窒化物薄膜を成長させた薄膜構造及びその形成方法を提案する。本発明によれば、中空構造物によるＥＬＯ（Ｅｐｉｔａｘｉａｌ Ｌａｔｅｒａｌ Ｏｖｅｒｇｒｏｗｔｈ）効果を得ることができて高品質の窒化物薄膜を形成でき、薄膜構造内の屈折率が調節されることによって、本発明による薄膜構造をＬＥＤのような発光素子で製作する時、光抽出効率が増大するという効果がある。それだけでなく、基板の熱膨張係数が窒化物薄膜に比べてさらに大きい場合には、窒化物薄膜内の中空構造物の圧縮によって窒化物薄膜の全体応力が低減して基板の反りを防止する効果もある。
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【課題】４５０ｍｍ以上の大口径ウェーハの表面のみにエピタキシャル膜を成長させた際に、ウェーハの反りを低減可能で、かつ高いエクストリンシックゲッタリング能力も得られるエピタキシャルシリコンウェーハおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】直径が４５０ｍｍ以上、比抵抗値が０．１Ω・ｃｍ以上の大口径で高抵抗のシリコンウェーハ１１の裏面に、エクストリンシックゲッタリング層を形成したので、エピタキシャルシリコンウェーハの反りを低減でき、高いゲッタリング能力が得られる。しかも、ドーパントがウェーハ裏面から外方拡散してデバイス形成面のエピタキシャル膜へ回り込むことで生じるオートドープ現象も抑制できる。 （もっと読む）

【課題】特に、縦型熱処理炉に熱処理用ボートをローディングする際に発生するウェーハ表面のキズやパーティクルを、生産性を落とすこと無く抑制することができる熱処理方法を提供することを目的とする。
【解決手段】反応管と、該反応管内に配置され、被処理基板を保持するための熱処理用ボートと、反応管の外側に配置されたヒータとを有する縦型熱処理炉を用いて結晶面が（１００）のシリコンウェーハを熱処理する方法であって、結晶面が（１００）のシリコンウェーハ裏面の結晶方位＜１１０＞方向の外縁領域を熱処理用ボートのウェーハ支持部により４点支持して、反応管内温度を反応管の下方の炉口側が上方の炉奥側より低い温度分布になるようにした反応管内へ、ウェーハを保持した熱処理用ボートをローディングしてウェーハの熱処理をするシリコンウェーハの熱処理方法。 （もっと読む）

【課題】４５０ｍｍ以上の大口径ウェーハの表面のみにエピタキシャル膜を成長させた際に、ウェーハの反りを低減可能で、かつ高いイントリンシックゲッタリング能力も得られるエピタキシャルシリコンウェーハおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】直径が４５０ｍｍ、比抵抗値が０．０１Ω・ｃｍ以上０．１Ω・ｃｍ未満の大口径シリコンウェーハ１１に、インゴット引き上げ時のシリコン溶融液５６への窒素導入によるイントリンシックゲッタリング構造を形成したので、エピタキシャル膜１２の成長後、シリコンウェーハ１１に大きな反りが発生しにくい。その結果、エピタキシャルシリコンウェーハ１０の反りを低減でき、しかも高いイントリンシックゲッタリング能力が得られる。 （もっと読む）