【課題】吸着前後の半導体ウェーハの形状変化を定量化する評価方法を提供する。また、これを利用する半導体ウェーハの処理方法、製造方法等を提供する。
【解決手段】半導体ウェーハの周縁部の形状を評価する形状評価方法であって、半導体ウェーハのウラ面を基準面に倣わせる前の形状データを測定し、半導体ウェーハのウラ面を基準面に倣わせた後の形状データを測定し、前記倣わす前及び前記倣わした後の形状データの差分を外周部において算出することにより半導体ウェーハの形状を評価することを特徴とする半導体ウェーハの形状評価方法、及びそれを利用した処理方法並びに製造方法。 （もっと読む）

【課題】バイアスパワー印加によるＳｉＮ膜の埋め込み成膜が可能なプラズマ処理方法、及び、プラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】シリコン及び水素を含有する原料ガスと窒素を含有するガスとのプラズマにより、プラズマ処理対象の基板２１に対して窒化シリコン膜を成長させるプラズマ処理方法において、前記基板２１にイオン入射させるバイアスパワーを閾値以上にすることでＳｉ−Ｈ結合量を増加させて圧縮応力を低減させた。 （もっと読む）

【課題】被処理体の表面に堆積される薄膜の膜質を高く維持しつつパーティクルの発生を抑制することが可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】複数枚の被処理体Ｗが収容されて真空引き可能になされた処理容器４内に、シラン系ガスと窒化ガスとを供給して前記被処理体の表面にシリコン窒化膜よりなる薄膜を形成する成膜処理を行うようにした成膜方法において、前記シラン系ガスを供給するシラン系ガス供給工程と前記窒化ガスを供給する窒化ガス供給工程とを交互に繰り返し行うと共に、少なくとも前記成膜処理の初期の一定の期間及び／又は末期の一定の期間を除いて前記窒化ガス供給工程ではプラズマを立てるようにする。これにより、被処理体の表面に堆積される薄膜の膜質を高く維持しつつパーティクルの発生を抑制する。 （もっと読む）

【課題】オフ角ばらつきの小さい、窒化物半導体基板を製造することができる窒化物半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】下地基板（１）上に窒化物半導体層（２）を形成し、前記下地基板（１）から分離した前記窒化物半導体層（２）を用いて自立した窒化物半導体基板（３）を作製する窒化物半導体基板の製造方法において、前記下地基板（１）の反り量を、前記下地基板（１）の中心位置と前記下地基板（１）の中心から距離Ｒの位置とにおける結晶成長面である表面の高さの差（ただし、前記表面の高さの差の正負を、前記下地基板（１）の表面が凸形状の場合をマイナス、凹形状の場合をプラスとする）と定義したとき、前記下地基板（１）は、Ｒ＝２５ｍｍに換算した場合の前記反り量が−１００μｍ以上−２０μｍ以下の範囲にある。 （もっと読む）

【課題】
窒化ガリウム層成長時に発生する歪みを減らしてクラックがない窒化ガリウム基板を製造する方法を提供する。
【解決手段】
窒化ガリウム層成長時に発生する歪みを減らしてクラックがない窒化ガリウム基板を得ることができるように窒化ガリウム層とベース基板の間に複数のボイド（ｖｏｉｄ）を有する窒化物挿入層を形成する。そのために本発明の窒化ガリウム層製造方法は、ベース基板を準備する工程と、ベース基板上に複数のＩｎリッチ領域を有する窒化物挿入層を第１温度で成長させる工程と、窒化物挿入層上に第１温度より高い第２温度で窒化ガリウム層を成長させて、第２成長によってＩｎリッチ領域で金属化が起きるようにして多数のボイド（ｖｏｉｄ）を形成する工程を含んで構成される。 （もっと読む）

【課題】熱処理中に発生する基板のスリップ転位欠陥、基板裏面傷の発生を抑制し、高品質な半導体装置（デバイス）や基板を製造することができる熱処理方法を提供する。
【解決手段】複数枚の基板を処理室に搬入する工程と、前記基板のエッジからデバイス作製領域に至るまでの領域に対応する裏面部分においてのみ前記基板と接触するよう炭化珪素から構成されてなるリング状の支持部により前記基板を略水平状態で間隔をもって縦方向複数段に渡って支持する工程と、前記処理室内にて、前記基板を前記支持部により支持した状態で、水素雰囲気のもと、１２００℃以上の温度で熱処理する工程と、熱処理後の前記基板を前記処理室より搬出する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 広い温度範囲においても体積抵抗率が安定化しており、これにより吸脱着特定性が安定化した静電チャックを提供するものである。
【解決手段】 少なくとも２個以上の静電チャック１ａ，１ｂとベース板からなる静電チャックユニットであって、静電チャックを１ａ，１ｂを２水準の体積抵抗率とし温度領域により吸着電圧を切り替えて吸着発生面１ａ，１ｂを切り替えることにより広い範囲の温度領域に対応できるようにした。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板上に厚い窒化物半導体層をエピタキシャル成長しても、シリコン基板に反りや、窒化物半導体層に割れが生じない良好な窒化物半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１０上に、窒化アルミニウム層１１を成長させる。この窒化アルミニウム層１１の一部を除去し、それぞれ区画された複数の小領域を形成する。トリメチルガリウムとアンモニアガスを成長ガスとして使用し、窒化ガリウム層１３を成長させる。シリコンとトリメチルガリウムの反応により、メルトバックエッチングが生じ、小領域上に選択的に窒化ガリウム層１３が成長する。 （もっと読む）

【課題】比較的安価な多結晶ＳｉＣ基板を母材基板として歪みが少なく大型で結晶性の良い単結晶ＳｉＣ基板を安価に製造する方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉ母材層２に所定厚さの表面Ｓｉ層３と埋め込み酸化物層４が形成されたＳＯＩ基板１に対し、表面Ｓｉ層３側からＰイオンを注入することにより、埋め込み酸化物層４をＰＳＧ層６に変成させて軟化点を低下させるＰイオン注入工程と、ＰＳＧ層６が形成されたＳＯＩ基板１を炭化水素系ガス雰囲気中で加熱して表面Ｓｉ層３をＳｉＣに変成させたのち冷却させて表面に単結晶ＳｉＣ層を形成するＳｉＣ形成工程とを行なう。 （もっと読む）

【課題】高耐圧電子デバイスおよび耐環境電子デバイスを提供する。
【解決手段】本発明においては、ダイオードやトランジスタ等の電子デバイス中で電子が走行する領域に、高純度の酸化モリブデンであって、その禁制帯幅が３．４５ｅＶ以上であるような酸化モリブデンが用いられる。本発明によれば、高耐圧特性および高耐環境特性を有する電子デバイスが実現できる。 （もっと読む）

【課題】エピウエハを形成した場合に要求される反り以下になり、かつコストを低減できるＧａＮ基板の製造方法、エピウエハの製造方法、半導体素子の製造方法およびエピウエハを提供する。
【解決手段】ＧａＮ基板１０の半径をｒ（ｍ）、厚みをｔ１（ｍ）、エピウエハ２０が形成される前のＧａＮ基板の反りをｈ１（ｍ）、Ａｌ_xＧａ_(1-x)Ｎ層２１の厚みをｔ２ｍ、エピウエハの反りをｈ２ｍ、ＧａＮの格子定数をａ１、ＡｌＮの格子定数をａ２としたときに、（１．５×１０¹¹×ｔ１³＋１．２×１０¹¹×ｔ２³）×｛１／（１．５×１０¹¹×ｔ１）＋１／（１．２×１０¹¹×ｔ２）｝／｛１５．９６×ｘ×（１−ａ２／ａ１）｝×（ｔ１＋ｔ２）＋（ｔ１×ｔ２）／｛５．３２×ｘ×（１−ａ２／ａ１）｝−（ｒ²＋ｈ²）／２ｈ＝０により求められるｔ１の値をＧａＮ基板の最小厚みとし、この最小厚み以上４００μｍ未満の厚みのＧａＮ基板が形成される。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体単結晶層の割れ（クラック）、結晶欠陥等の発生を抑制し、かつ、窒化物半導体単結晶層の結晶性の向上を図ることができる化合物半導体基板の提供。
【解決手段】結晶面方位が｛１１１｝面であるＳｉ単結晶基板１００上に形成され、３Ｃ−ＳｉＣ単結晶層１１０ａと、ＴｉＣ、ＴｉＮ、ＶＣ、ＶＮのうちいずれか一種で構成された金属化合物層１１０ｂとがこの順で互いに積層され、最上層αが３Ｃ−ＳｉＣ単結晶層１１０ａまたは金属化合物層１１０ｂのいずれかで構成された第１の中間層１１０を備える。 （もっと読む）

【課題】低転位で結晶性に優れた窒化物層群を形成することのできる、新規なエピタキシャル基板及びこれを用いた半導体積層構造の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のエピタキシャル基板の製造方法は、所定の基材１上にＩＩＩ族窒化物下地層２を形成する工程と、該ＩＩＩ族窒化物下地層２上に、少なくともＧａを含むＩＩＩ族窒化物層３を、ＭＯＣＶＤ法により、前段の成膜と後段の成膜の２段階で形成する工程と、前記ＩＩＩ族窒化物層３を形成するための前段の成膜と後段の成膜の間に、前記ＩＩＩ族窒化物層３の形成温度よりも低い温度でＩＩＩ族窒化物中間層４を形成する工程とを具える。 （もっと読む）

【課題】基板の反りを抑え、研磨加工工程等の時に基板の割れを防止する高輝度発光ダイオードの製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、ＧａＡｓ基板の第一主表面側上に４元発光層を形成し、該４元発光層上にＧａＰ窓層を形成し、ＧａＡｓ基板の第二主表面側を研磨し、該基板をチップに加工して高輝度発光ダイオードの製造する方法において、
前記４元発光層上にＧａＰ窓層を形成する工程は、ＧａＡｓ基板をサセプタに形成されたザグリに保持して、ＧａＰエピタキシャル膜を気相成長させるものであり、該サセプタのザグリを貫通させ、エピタキシャル成長時に基板の表裏両面に原料ガスが触れるようにし、エピタキシャル成長により表裏両面にＧａＰエピタキシャル膜を同時に形成することを特徴とする高輝度発光ダイオードの製造方法。 （もっと読む）

半導体発光装置は、ｎ型領域７１とｐ型領域７３との間に配された発光層７２を含むウルツ鉱ＩＩＩ族窒化物半導体構造を含んでいる。テンプレート層１８及び転位曲げ層２０は、発光層７２の前に成長される。テンプレート層１８は、前記テンプレート層内の前記転位の少なくとも７０％がエッジ転位２９、３０、３１、３２であるように、成長される。前記テンプレート層内のエッジ転位２９、３０、３１、３２の少なくとも一部は、前記転位曲げ層内まで続いている。転位曲げ層２０は、テンプレート層１８とは異なる大きさの歪みを有するように成長される。テンプレート層１８と転位曲げ層２０との間の界面における歪みの変化は、前記テンプレート層のエッジ転位２９、３０、３１、３２の少なくとも一部を、前記転位曲げ層内の異なる方位に曲げさせる。曲げエッジ転位３３よりも上方に成長される半導体材料は、減少された歪みを呈し得る。
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【課題】テラス部に酸化膜を有するＳＯＩウェーハのＳＯＩ層上にシリコンエピタキシャル層を簡単に成長させることができ、製造されるＳＯＩウェーハの反りを抑制することができ、また、デバイス製造等といった後の工程においてもパーティクルの発生を低減することができ、さらにそのようなＳＯＩウェーハ製造のコスト削減を図ることができるＳＯＩウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】テラス部に酸化膜を有するＳＯＩウェーハのＳＯＩ層の全面にシリコンエピタキシャル層を形成する工程（ｆ）において、反応ガスにＨＣｌガスを混合することを特徴とするＳＯＩウェーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】ウエハに対して熱処理モジュールにて複数回の熱処理を行うにあたって、支持部材の支持に起因したウエハの損傷を防止することのできる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、半導体ウエハの処理レシピにおける処理条件と半導体ウエハの向きとを対応付けて設定するためのレシピ設定画面を備えたレシピ設定部を設けており、このレシピ設定画面上にて半導体ウエハの向きを設定し、位置合わせモジュールにおいて前記レシピ設定画面上で設定した向きになるように半導体ウエハの向きを合わせている。このような構成にすることで、熱処理モジュールで行われる熱処理では熱処理毎に半導体ウエハの裏面を支持部材により支持する部位を異ならせることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体素子を形成するためにエピタキシャル成長された半導体層による湾曲を抑制したシリコン基板を提供すること。
【解決手段】シリコン基板１において、窒化物系化合物半導体層２の成長によって凹状に反る方向に加わる圧縮応力と拮抗する応力が、シリコン基板１の窒素不純物濃度分布に対応した密度またはサイズの分布を有する酸素析出物の膨張力によって与えられたことを特徴とする、実質的に平坦な主面を有するシリコン基板、およびその製造方法。 （もっと読む）

【課題】窒化物系半導体基板の上に平坦性と結晶性に優れたエピタキシャル膜が成膜された、窒化物系半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置である発光装置は、窒素と化合物を形成する３Ｂ族元素であるＧａと窒素とを含む化合物から形成されるＧａＮ基板１と、ＧａＮ基板１の上に形成されたＧａと窒素とを含むエピタキシャル半導体膜であるｎ型バッファ層２とを備えている。そして、１０μｍ×１０μｍの範囲におけるＧａＮ基板１の表面粗さが、平均自乗平方根粗さで、１５ｎｍ以下であり、ｎ型バッファ層２の表面部が、１００μｍ〜１５０μｍのピッチで生成した高さ５０ｎｍ〜１５０ｎｍの凹凸を有しない。 （もっと読む）

【課題】成膜装置またはエッチング装置などの基板処理装置内に置かれた基板の傾きの有無およびその程度を簡便で小型の設備で精度よく求めることができるようにする。
【解決手段】光源３とカメラ４とからなる検出部が２基、第１検出部５が、基板処理装置のチャンバーの上壁部のビューポート２に配置され、第２検出部１２が、チャンバー内に位置することが可能とされて配置され、光源は表面が鏡面である基板７の鏡面を直接照明するものであり、カメラは基板の鏡面に映る光源の画像を撮像するものであり、画像処理部では、カメラで撮像された撮像画像と予め登録された基準画像とを対比し、撮像画像と基準画像とにおけるそれぞれの基準点の位置を比較して、基準点のズレに基づいて基板の傾きを検出する。検出部には光源とカメラとが一体化されており、基板の鏡面側の上方に配置されているものが好ましい。 （もっと読む）