【課題】クラックの発生を防止し、各窒化物半導体薄膜の各膜厚が均一で、表面平坦性が良好な成長面を得ることで、諸特性にばらつきが無く、歩留まり良く作製できる窒化物半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】掘り込み領域２内において、側面部と底面部の境界に窪み７を形成するとともに、丘３の両端部に突起部５を形成することで、丘と掘り込み領域との間において、窒化物半導体薄膜の原料となる原子・分子がマイグレーションなどで行き来することを抑制することにより、丘上において表面平坦性が良好な窒化物半導体成長層４が形成でき、歩留まり良く窒化物半導体発光素子を製造できる。 （もっと読む）

【課題】４３０ｎｍ以上の発光波長を有する窒化物半導体発光素子において、発光効率の向上、歩留まりの向上または発光素子の長寿命化を図る。
【解決手段】発光層は、１以上の井戸層、１以上の障壁層、および前記井戸層と前記障壁層との間に接して設けられた１以上の保護層を含み、４３０ｎｍ以上の発光波長を有するものであり、ＩｎとＧａを含むＩＩＩ族元素原料、アンモニアガス、および窒素を含むキャリアガスにより井戸層を形成する工程と、Ｇａを含むＩＩＩ族元素原料、アンモニアガス、および窒素を含むキャリアガスにより保護層を形成する工程と、前記Ｇａを含むＩＩＩ族元素原料の供給を停止し、アンモニアガス、および窒素と水素を含むキャリアガスを供給して、所定の時間、結晶成長を中断する第１の成長中断工程と、前記Ｇａを含むＩＩＩ族元素原料、アンモニアガス、および窒素と水素を含むキャリアガスにより障壁層を形成する工程、をこの順に含む。 （もっと読む）

【課題】非発光領域の低減により、発光層の発光効率が向上する窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】無極性、もしくは半極性、窒化物半導体基板３１にＩｎ組成比ｘが０．１５以上、０．５０以下、Ａｌ組成比ｙが０．０以上１．０以下のＩｎ_xＡｌ_yＧａ_1-x-yＮ井戸層を有する、窒化物半導体発光素子３０を製造する手法において、発光層３５より下部に形成される、ｎ型窒化物半導体層を、９００℃以上１1００℃以下の成長温度で形成し、かつ、発光層３５より上部に形成される、Ａｌを有するｐ型窒化物半導体からなる層が、６００℃以上９００℃未満の成長温度にて形成されることで、非発光領域の低減により、発光層の発光効率が向上する。また、平坦性の改善により、素子の歩留まりが向上する。 （もっと読む）

【課題】高いＰＬ発光強度を安定して得ることが可能な窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】この窒化物半導体発光素子の製造方法では、ガス供給管２１およびリアクタ２２にＭｇが残留している状態下において、ガス供給管２１をベーキングして真空置換する工程、リアクタ２２をベーキングして真空置換する工程、および、リアクタ２２の内壁上にコート膜３１を形成する工程の全てを行うことによって、活性層４のエピタキシャル成長時に、活性層４にドープされてしまうＭｇの濃度を制御する。 （もっと読む）

【課題】ｐ型非極性GaN面と電極との間に良好なオーミック接触を提供できる、電極を作製する方法を提供する。
【解決手段】半導体領域１３の非極性主面１３ａの酸化物１５上にニッケルを含む金属層１７及び金を含む金属層１９を順に堆積した後に、基板生産物Ｐ２の熱処理を行う。この熱処理によって、金属層１７のニッケルが非極性主面１３ａの自然酸化物中の酸素の少なくとも一部分が除かれる。第１の層２１ａはニッケルを含み、第２の層２１ｂは金を含む。第２の層２１ｂが半導体領域１３に接合を成す。第２の層２１ｂが第１の層２１ａと半導体領域１３との間に移動する。ニッケルと酸素の化合物２３は、基板生産物の表面近傍に形成される。ニッケルと酸素の化合物２３を除去して、基板生産物Ｐ３が得られる。ｐ型ドーパントを含む半導体領域１３に接触を成す金属電極２１を作製できる。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、発光ダイオード（ＬＥＤ）またはレーザダイオード（ＬＤ）などのデバイスを製造するための基板の前処理のための装置および方法に関する。本発明の一実施形態は、酸化アルミニウム含有基板の面をアンモニア（ＮＨ_３）およびハロゲンガスを含む前処理ガス混合物に暴露することにより酸化アルミニウム含有基板を前処理することを含む。
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【課題】光導波層の結晶性を良好とすることができることにより長寿命の、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を用いた半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層５、ｎ型ＧａＮ光導波層６、活性層７、アンドープＧａＮ光導波層１７、ｐ型ＡｌＧａＮキャップ層９、ｐ型ＧａＮ光導波層１０、ｐ型ＡｌＧａＮ／ＧａＮ超格子クラッド層１８およびｐ型ＧａＮコンタクト層を順次成長させて半導体レーザを製造する場合、ｎ型ＧａＮ光導波層６からｐ型ＡｌＧａＮキャップ層９まではＮ₂ 雰囲気で成長を行い、ｐ型ＧａＮ光導波層１０からｐ型ＧａＮコンタクト層まではＮ₂ とＨ₂ との混合ガス雰囲気で成長を行う。 （もっと読む）

【課題】蓄積された製造技術やノウハウを活かしつつ、ｐ型不純物の拡散を抑えた発光素子用エピタキシャルウェハを提供する。
【解決手段】ｎ型ＧａＡｓ基板２上に、少なくともＡｌＧａＩｎＰ系材料からなるｎ型クラッド層３、活性層５、ｐ型クラッド層７およびｐ型ＧａＡｓキャップ層８を順次積層したダブルヘテロ構造を有する発光素子用エピタキシャルウェハにおいて、ｐ型クラッド層７中のｐ型不純物が炭素とマグネシウムであり、ｐ型ＧａＡｓキャップ層８中のｐ型不純物が炭素と亜鉛であるものである。 （もっと読む）

【課題】
冷媒中間室のヒータからの加熱による劣化や破損を防止し、かつ、作製が容易で、かつシャワープレートの冷却を均一に行い、ガスのシャワープレートでの反応によるシャワープレートにおけるガス吐出孔の目詰まりを回避し得る冷媒中間室を備える気相成長装置を提供する。
【解決手段】
シャワープレート上に、ガスを充満させるガス中間室と、前記ガスを冷却する冷媒を充満させる冷媒中間室とが、該冷媒中間室を前記シャワープレート側にして順に積層され、
前記冷媒中間室には、前記ガス中間室から前記シャワープレートの複数のガス吐出孔に連通する複数のガス供給管が貫通させるためのガス供給管貫通孔が設けられ、
前記冷媒中間室がシャワープレート、ガス中間室との境界板、ガス供給貫通孔との仕切り部で構成されており、
前記シャワープレートと前記ガス供給貫通孔との仕切り部が一体となった構造となっている。 （もっと読む）

【課題】ＥＬ発光パターンを改善することにより、発光効率を向上させることが可能な窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】この窒化物半導体レーザ素子１００（窒化物半導体発光素子）は、成長主面１０ａを有するＧａＮ基板１０と、このＧａＮ基板１０の成長主面１０ａ上に成長された窒化物半導体各層１１〜１８とを備えている。そして、ＧａＮ基板１０の成長主面１０ａが、ｍ面に対して、ａ軸方向およびｃ軸方向の各方向にオフ角度を有する面からなり、ａ軸方向のオフ角度が、ｃ軸方向のオフ角度より大きい角度となっている。 （もっと読む）

【課題】結晶性が高く、また、内部抵抗が低減され、優れた発光特性を有するＩＩＩ族窒化物半導体発光素子及びその製造方法、並びにレーザダイオードを提供する。
【解決手段】エピタキシャル膜成長用の基板１１上又は該基板１１上に形成されたバッファ層（ＩＩＩ族窒化物層）１２上に、Ａｌ_ＸＧａ_１−ＸＮ（０＜Ｘ≦１）からなる組成を有する下地層（ＥＬＯ成長層）１３が形成され、下地層１３上に、ＩＩＩ族窒化物半導体からなるｎ型半導体層１４、発光層１５及びｐ型半導体層１６が順次積層されており、下地層１３は、基板１１又はバッファ層１２上に形成された炭素材料からなるＥＬＯ用マスクパターンを用いて形成されたものである。 （もっと読む）

【課題】ＥＬ発光パターンを改善することにより、発光効率を向上させることが可能な窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】この窒化物半導体レーザ素子１００（窒化物半導体発光素子）は、
成長主面１０ａを有するＧａＮ基板１０と、このＧａＮ基板１０の成長主面１０ａ上に成長され、Ｉｎを含む活性層１４（井戸層１４ａ）およびキャリアブロック層１５を含む窒化物半導体各層１１〜１８とを備えている。そして、ＧａＮ基板１０の成長主面１０ａが、ｍ面に対して、ａ軸方向にオフ角度を有する面からなり、活性層１４（井戸層１４ａ）のＩｎ組成比が、０．１５以上０．４５以下に設定されている。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板の全表面にわたって均一な厚みを有しかつ品質の安定したＳｉ₃Ｎ₄へテロエピタキシャルバッファ層を容易にかつ安価に作製する作成方法及び装置を提供する。
【解決手段】シリコン基板を表面再構成可能に清浄化処理し、次いで、前記清浄化処理したシリコン基板上に、誘導結合プラズマ方式のＲＦ（高周波）高輝度（ＨＢ）放電により生成した解離窒素原子フラックスおよび励起窒素分子フラックスを照射して表面界面反応によりＳｉ₃Ｎ₄単結晶膜をエピタキシャル成長させること。 （もっと読む）

【課題】 量子ドットの寸法と分布密度とを独立に制御することができ、かつ粒界に起因するポテンシャル障壁の影響を軽減させることができる半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板の表面に、複数の半導体微粒子を供給することにより、表面に半導体微粒子を分布させる。半導体基板の表面に分布した半導体微粒子が変形する温度まで半導体微粒子を加熱する。変形した半導体微粒子を覆うように、半導体基板の上に半導体膜を成長させる。 （もっと読む）

【課題】ＧａＡｓを含む活性層を備える光半導体素子において、Ｇｅの拡散が少なく、良好なデバイス特性が得られるようにする。
【解決手段】光半導体素子を、Ｇｅ層２と、Ｇｅ層２上に形成され、ＧａＡｓのＡｓサイトの一部がＧａで置換されている第１ＧａＡｓ層３と、第１ＧａＡｓ層３の上方に形成されたＧａＡｓを含む活性層４とを備えるものとする。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ基板上に高品質なＳｂ系結晶を成長させた半導体素子を提供することを可能にする。
【解決手段】本発明の一態様による半導体素子は、Ｓｉ基板１１上に設けられ、Ｓｂと、Ｓｂ以外のＶ族元素を含み、膜厚が１ｎｍ以上２００ｎｍ以下の、第１の層１２と、第１の層上に設けられＳｂを含む第２の層１３と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】表面平坦性を大きく改善し、さらに良好な電子移動度を有するインジウム系化合物半導体薄膜を備えた半導体素子及びそれを備えた半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体素子は、ガリウム砒素からなる基板１上に形成されるインジウム系化合物半導体薄膜を備えている。ガリウム砒素の表面が、ガリウム砒素（１００）面又はこのガリウム砒素（１００）面と結晶学的に等価な面に対して（０−１−１）方向、又はガリウム砒素（１００）面と結晶学的に等価な方向に、０．２度以上２．４度以下の角度で傾斜している。インジウム系化合物半導体薄膜は、ｐ型インジウム系化合物半導体薄膜３とｎ型インジウム系化合物半導体薄膜２との積層構造を有する。この半導体素子は各種の光デバイスに適用可能である。 （もっと読む）

【課題】大面積で均一な低転位密度窒化ガリウムおよびその製造プロセスを提供する。
【解決手段】１５ｃｍを超える大面積と、少なくとも１ｍｍの厚さと、５Ｅ５ｃｍ^−２を超えない平均転位密度と、２５％未満の転位密度標準偏差比率と、を有する大面積で均一な低転位密度単結晶ＩＩＩ−Ｖ族窒化物材料、たとえば窒化ガリウム。かかる材料は、（Ｉ）たとえばＩＩＩ−Ｖ族窒化物材料の成長表面の少なくとも５０％にわたってピットを形成するピット化成長条件下で、ＩＩＩ−Ｖ族窒化物材料を基板上に成長させる第１段階であって、成長表面上のピット密度が、成長表面において少なくとも１０^２ピット／ｃｍ^２である段階と、（ＩＩ）ピット充填条件下でＩＩＩ−Ｖ族窒化物材料を成長させる第２段階と、を含むプロセスによって基板上に形成することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、無極性面または半極性面を有する窒化物半導体基板に、歩留まりの向上等の目的で形成されたの掘り込み領域が、窒化物半導体薄膜の成長時に埋まってしまうことを抑制することを目的し、さらに、Ａｌ組成の変動を抑制することを目的とする。
【解決手段】本発明は、無極性面または半極性面を有する窒化物半導体基板に掘り込み領域を形成し、該窒化物半導体基板上に、ｎ型窒化物半導体薄膜、活性層およびＡｌを含むｐ型窒化物半導体薄膜を含む窒化物半導体薄膜を形成する窒化物半導体発光素子の製造方法であって、上記ｐ型窒化物半導体薄膜を７００℃以上９００℃未満の温度で成膜することを特徴とする、窒化物半導体発光素子の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体発光素子のクラックの発生を防ぎ、かつ基板の掘り込み領域以外の領域上における窒化物半導体層の組成変動を抑制して、高い歩留まりで窒化物半導体発光素子を得る。
【解決手段】窒化物半導体発光素子は、掘り込み領域（１６）が形成された主面を有する窒化物半導体基板（１０ａ）と、掘り込み領域上に形成された結晶成長抑制膜（１０ｂ）と、結晶成長抑制膜（１０ｂ）および基板（１０ａ）の主面を覆うように堆積された複数の窒化物半導体層（１１）を含むことを特徴としている。 （もっと読む）