【課題】この発明は、光能動素子のリーク電流を少なく抑えることができる光導波路集積型半導体光素子およびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】光導波路集積型半導体光素子１０１は、レーザ部２０と光導波路部２１を備える。レーザ部２０は、クラッド層２上に、活性層３およびクラッド層４を備える。光導波路部２１は、クラッド層２上に、光導波層６およびアンドープ型ＩｎＰ層７を備える。光導波層６の上面およびクラッド層４の側面と、アンドープ型ＩｎＰ層７の表面との間に、高抵抗層１５が設けられる。 （もっと読む）

【課題】第１基板から窒化物半導体層を容易に剥離する。
【解決手段】ＳｉＣ基板１０１の表面で単層又は複数層のグラフェン層１１１が成長する工程と、グラフェン層との界面で、共有結合性を有することなく、原子レベルのポテンシャルの規則性のみを用いた結合力を伴って窒化物半導体層１１４が形成される工程と、窒化物半導体層１１４とグラフェン層１１１ａとの間、あるいはグラフェン層相互間１１１ａ，１１１ｂ，１１１ｃのポテンシャルによる接合力以上の力で、窒化物半導体層がＳｉＣ基板から剥離される工程とを備える。また、剥離された窒化物半導体層が第２基板１３０の表面に接合される。 （もっと読む）

【課題】素子特性および歩留まりを向上させることが可能な窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】この窒化物半導体レーザ素子１５０（窒化物半導体発光素子）は、結晶成長面１ａを有し、結晶成長面１ａから厚み方向に掘り込まれた掘り込み領域３と、掘り込まれていない領域である非掘り込み領域４とを含むｎ型ＧａＮ基板１と、掘り込み領域３に形成され、窒化物半導体の結晶成長を抑制する成長抑制膜５と、ｎ型ＧａＮ基板１の結晶成長面１ａ上に形成されたｎ型クラッド層１１を含む半導体素子層１０とを備えている。上記掘り込み領域３は、凹部２を含んでおり、上記成長抑制膜５は、凹部２内における結晶成長面１ａより低い位置に形成されている。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ単結晶体を成長させる際および成長させたＧａＮ単結晶体を基板状などに加工する際、ならびに基板状のＧａＮ単結晶体上に少なくとも１層の半導体層を形成して半導体デバイスを製造する際に、クラックの発生が抑制されるＧａＮ単結晶体およびその製造方法ならびに半導体デバイスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】本ＧａＮ単結晶体１０は、ウルツ型結晶構造を有し、３０℃において、弾性定数Ｃ₁₁が３４８ＧＰａ以上３６５ＧＰａ以下かつ弾性定数Ｃ₁₃が９０ＧＰａ以上９８ＧＰａ以下、または、弾性定数Ｃ₁₁が３５２ＧＰａ以上３６２ＧＰａ以下である。 （もっと読む）

【課題】（０００１）面以外の任意に特定される主面を有する結晶性の高い大面積III族窒化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】オフ角を有する複数のシードを準備する工程と、シードの主面が略同一方向に向くようにしてシードを配置する工程と、シードの主面上に、III族窒化物結晶を成長させる工程と、を含むIII族窒化物結晶の製造方法であって、前記配置工程において、前記複数のシードのオフ角の方向がほぼ同一方向となるように配置する。 （もっと読む）

【課題】ＥＬ発光パターンを改善することにより、発光効率を向上させることが可能な窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】この窒化物半導体レーザ素子１００（窒化物半導体素子）は、ｍ面に対してａ軸方向にオフ角度を有する面を成長主面１０ａとするｎ型ＧａＮ基板１０と、ｎ型ＧａＮ基板１０の成長主面１０ａ上に形成された窒化物半導体層２０とを備えている。上記ｎ型ＧａＮ基板１０は、成長主面１０ａから厚み方向に掘り込まれた凹部２（掘り込み領域３）と、掘り込まれていない領域である非掘り込み領域４とを含んでいる。また、ｎ型ＧａＮ基板１０上に形成された窒化物半導体層２０は、凹部２（掘り込み領域３）に近づくにしたがって層厚が傾斜的に減少する層厚傾斜領域５と、層厚変動の非常に小さい発光部形成領域６とを有している。そして、上記発光部形成領域６にリッジ部２８が形成されている。 （もっと読む）

【課題】 活性層からクラッド層への電子のオーバーフローを十分に抑制可能な窒化物半導体発光素子及びその製造方法を提供することをその目的とする。
【解決手段】 窒化物半導体発光素子１は、活性層Ｉと、活性層Ｉの一方側に設けられたｐ型クラッド層Ｌと、ｐ型クラッド層Ｌと活性層Ｉとの間に設けられたｐ型電子ブロック層Ｋと、活性層Ｉとｐ型電子ブロック層Ｋとの間に設けられた第２ガイド層Ｊとを備え、活性層Ｉ、ｐ型クラッド層Ｌ、ｐ型電子ブロック層Ｋ、及び第２ガイド層ＪがIII族窒化物系半導体を含み、ガイド層Ｊのうちｐ型電子ブロック層Ｋ側に位置する部分は、ｐ型不純物を含むと共にｐ型電子ブロック層Ｋとがヘテロ接合を形成する。 （もっと読む）

【課題】素子特性に優れたＩＩＩ族窒化物半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に、ＩＩＩ族窒化物化合物からなるバッファ層及び下地層を積層する方法であって、バッファ層をＡｌＮで形成し、バッファ層の膜厚を１０〜５００ｎｍの範囲とし、バッファ層のa軸の格子定数がバルク状態におけるＡｌＮのa軸の格子定数より小さく、バッファ層の格子定数が下記（１）式で表される関係を満たし、バッファ層はＶ族元素を含むガスと金属材料とを、プラズマで活性化して反応させることによって成膜し、下地層はＧａＮからなり、バッファ層に接して設けられるＩＩＩ族窒化物半導体素子の製造方法を提供する。（ｃ_０−ｃ）／（ａ_０−ａ）≧−１．４…（１）（但し、（１）式中、ｃ_０はバルクのＡｌＮのｃ軸の格子定数、ｃはバッファ層のｃ軸の格子定数、ａ_０はバルクのＡｌＮのａ軸の格子定数、ａはバッファ層のａ軸の格子定数である。） （もっと読む）

【課題】高い光閉じ込め及びキャリア閉じ込めを提供できるクラッド層を有するIII族窒化物半導体レーザダイオードを提供する。
【解決手段】（２０−２１）面ＧａＮ基板７１上にｎ型Ａｌ_０．０８Ｇａ_０．９２Ｎクラッド層７２を格子緩和するように成長する。ｎ型クラッド層７２上にＧａＮ光ガイド層７３ａを格子緩和するように成長する。光ガイド層７３ａ上に活性層７４、ＧａＮ光ガイド層７３ｂ、Ａｌ_０．１２Ｇａ_０．８８Ｎ電子ブロック層７５及びＧａＮ光ガイド層７３ｃを格子緩和しないように成長する。光ガイド層７３ｃ上にｐ型Ａｌ_０．０８Ｇａ_０．９２Ｎクラッド層７６を格子緩和するように成長する。ｐ型クラッド層７６上にｐ型ＧａＮコンタクト層７７を格子緩和しないように成長して、半導体レーザ１１ａを作製する。接合７８ａ〜７８ｃの転位密度は他の接合における転位密度より大きい。 （もっと読む）

【課題】格子緩和によるキャリアブロック性能の低下を低減できる窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】支持基体１３の六方晶系ＧａＮのｃ軸ベクトルＶＣは主面１３ａの法線軸Ｎｘに対してＸ軸方向に傾斜する。半導体領域１５において、活性層１９、第１の窒化ガリウム系半導体層２１、電子ブロック層２３及び第２の窒化ガリウム系半導体層２５は支持基体１３の主面１３ａ上で法線軸Ｎｘに沿って配列されている。ｐ型クラッド層１７はＡｌＧａＮからなり、電子ブロック層２３はＡｌＧａＮからなる。電子ブロック層２３はＸ軸方向の引っ張り歪みを受ける。第１の窒化ガリウム系半導体層２１はＸ軸方向の圧縮歪みを受ける。界面２７ａにおけるミスフィット転位密度は界面２７ｂにおけるミスフィット転位密度より低い。ピエゾ分極により界面２７ａにおける電子へのバリアが高くなる。 （もっと読む）

【課題】結晶成長中において基板の形状を計測し、かつ原料ガスの流れの乱れを少なくすることができるＭＯＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】本発明のＭＯＣＶＤ装置は、原料ガス３８ａを供給して基板３３の被処理面に結晶を成長させ、基板３３の被処理面に面した壁に、基板３３の被処理面の中央部を望み得る窓３０ｃを有する反応室３０と、反応室３０に設けられ、基板３３を載置して回転（移動）させるための回転台（移動台）３１と、回転台３１によって回転する基板３３の被処理面に、窓３０ｃを介してレーザー光４０ａを垂直に照射するとともに、被処理面から反射したレーザー光４０ｂを、窓３０ｃを介して受光して、ドップラー効果を利用して基板３３の回転速度を計測するための第１の速度計測手段４０と、第１の速度計測手段４０による計測結果を処理して基板３３の形状情報を出力するための処理手段４１とを備えている。 （もっと読む）

本発明は、一般に、ＬＥＤ構造を形成する装置および方法を提供する。本発明の一実施形態は、水素化物気相エピタキシャル（ＨＶＰＥ）プロセスまたは有機金属化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）プロセスによって第１の処理チャンバ内で基板上に第１の第ＩＩＩ族元素および窒素を含む第１の層を形成するステップと、ＭＯＣＶＤプロセスによって第２の処理チャンバ内で第１の層を覆って第２の第ＩＩＩ族元素および窒素を含む第２の層を形成するステップと、ＭＯＣＶＤプロセスによって第２の層を覆って第３の第ＩＩＩ族元素および窒素を含む第３の層を形成するステップとを含む、窒化化合物構造を製作する方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】蓄積された製造技術やノウハウを活かしつつ、ｐ型不純物の拡散を抑えた発光素子用エピタキシャルウェハを提供する。
【解決手段】ｎ型ＧａＡｓ基板２上に、ｎ型クラッド層３、活性層５、ｐ型クラッド層７及びｐ型ＧａＡｓキャップ層８を有する発光素子用エピタキシャルウェハにおいて、ｐ型クラッド層７は、ｐ型不純物としてＣをドーピングしたＣドープ層７ａと、ＭｇをドーピングしたＭｇドープ層７ｂとを有し、かつｐ型クラッド層７は、Ｃドープ層７ａが活性層５に近い側に形成され、ｐ型ＧａＡｓキャップ層８のｐ型不純物はＺｎであり、活性層５中のＣ原子濃度、Ｍｇ原子濃度、Ｚｎ原子濃度は、それぞれ５．０×１０¹⁵ｃｍ^-3以下、１．０×１０¹⁶ｃｍ^-3以上１．６×１０¹⁶ｃｍ^-3以下、１．１×１０¹⁶ｃｍ^-3以上５．０×１０¹⁸ｃｍ^-3以下であるものである。 （もっと読む）

【課題】結晶成長時に結晶中に取り込まれる不純物量を低減して、Ａｌ含有率が高いIII族窒化物半導体を品質よく製造する方法を提供する。
【解決手段】基板１１上に、組成式Ａｌ_ＡＧａ_ＢＩｎ_ＣＮで表され、Ａ＋Ｂ＋Ｃ＝１．０，Ｂ≧０，Ｃ≧０，０．５≦Ａ≦１．０である関係を満足するＡｌＧａＩｎＮ層１３が形成されたIII族窒化物半導体を製造する方法であって、反応炉１内に設置したダミー基板上に、組成式Ａｌ_ＸＧａ_ＹＩｎ_ＺＮで表され、Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１．０，Ｙ≧０，Ｚ≧０，０．５≦Ｘ≦１．０であり、かつＹ≦Ｂ、Ｚ≦Ｃである関係を満足するダミー層を１１００℃以上の温度で形成する準備処理工程と、反応炉内からダミー基板を取り出し、ダミー基板とは異なる基板１１を反応炉１内に設置し、該基板１１上に、組成式Ａｌ_ＡＧａ_ＢＩｎ_ＣＮで表される前記ＡｌＧａＩｎＮ層を形成する第一製造工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】高い歩留でレーザーダイオードを製作することが可能な窒化物半導体自立基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ハイドライド気相成長法または有機金属気相成長法による窒化物半導体自立基板の製造方法であって、前記成長用基板上の前記窒化物半導体層が成長する領域における原料ガスを含むガスのガス流速を１ｍ／ｓ以上に、かつ、前記窒化物半導体層を形成するための原料ガスを含むガスを吹き出すガス吹出口から前記窒化物半導体層が成長する領域までの距離を５０ｃｍ以上に設定することで、ガス流れが均一となり、これにより、膜厚分布が大幅に改善し、基板表面Ｗ１での転位密度が４×１０^６／ｃｍ^２以下で、基板表面Ｗ１の面内における基板表面Ｗ１に沿った結晶軸の向きａのバラツキの範囲が、±０.２°以下の窒化物半導体自立基板Ｗが得られる。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル成長時の面内温度分布を均一にして、混晶比やキャリア濃度において均一なエピタキシャル結晶膜を成長させることができる窒化物半導体基板を提供する。
【解決手段】表面側に凹又は凸の反りをもつ窒化物半導体基板１であって、裏面３側を平面５に置いたとき、前記平面５と接触していない部分であって前記平面５から前記裏面３までの高さが所定値以上の部分における前記裏面３の平均粗さを、前記平面５と接触している部分を含む前記平面５から前記裏面３までの高さが前記所定値未満の部分における前記裏面３の平均粗さより大きくする。このように、窒化物半導体基板１が平面５と接触していない部分の表面粗さを大きくすれば、その部分の窒化物半導体基板１はより多くの輻射熱を受けて温度が高くなるので、基板面内温度の均一性を向上させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、欠陥密度レベルの減少した、エピタキシーによる窒化ガリウム膜の製造に関する。それは、ＧａＮのエピタキシャル付着により窒化ガリウム（ＧａＮ）膜を製造するための方法に関する。
【解決手段】本発明は、それが少なくとも１ステップのエピタキシャル横方向成長を含んでなり、それがＧａＮ基板への直接的イオン注入による脆化でその基板からＧａＮ層の一部を分離させるステップを含んでなることで特徴付けられる。本発明は、上記方法で得られる膜、並びに該窒化ガリウム膜を備えた光電子および電子部品にも関する。 （もっと読む）

【課題】デバイス活性層でのクラック発生が抑制され、かつ、転位密度の低減等の結晶性の向上を図りつつ、窒化物半導体の厚膜化に伴う反りも抑制された、製造効率に優れたバッファ構造を備えた窒化物半導体エピタキシャル基板を提供する。
【解決手段】Ｓｉ基板１と、厚さ２〜１０ｎｍのＡｌ_aＧａ_1-aＮ（０．９≦ａ≦１．０）単結晶層３１および厚さ１０〜３０ｎｍのＡｌ_bＧａ_1-bＮ（０≦ｂ≦０．１）単結晶層３２が交互に繰り返し積層された第１の多層バッファ領域３と、厚さ２〜１０ｎｍのＡｌ_cＧａ_1-cＮ（０．９≦ｃ≦１．０）単結晶層４１および厚さ２００〜５００ｎｍのＡｌ_dＧａ_1-dＮ（０≦ｄ≦０．１）単結晶層４２が交互に繰り返し積層された第２の多層バッファ領域４と、ＧａＮ単結晶層５と、Ａｌ_xＧａ_1-xＮ（０＜ｘ＜１）単結晶層６とを備えた構成の窒化物半導体エピタキシャル基板を作製する。 （もっと読む）

ＩＩＩ／Ｖ族化合物半導体を組み込んでいる電子デバイスを形成するための基板を準備するための方法および装置が提供される。元素状ハロゲンガス、ハロゲン化水素ガス、または他のハロゲンガスもしくはハロゲン化物ガスが、液体または固体のＩＩＩ族金属と接触して、窒素ソースと反応して基板上に窒化物バッファ層を堆積させる前駆物質を形成する。移行層とすることができるバッファ層は、複数のＩＩＩ族金属を取り込むことができ、非晶質形態または結晶質形態で堆積させることができる。非晶質層を、熱処理によって部分的にまたは完全に再結晶化させることができる。層の代わりに、複数の分離した核形成サイトを形成することができ、そのサイズ、密度、および分布を制御することができる。窒素ソースは、反応性窒素化合物ならびに遠隔プラズマソースからの活性窒素を含むことができる。バッファ層または移行層の組成は、所望のプロファイルに従う深さによっても変更可能である。
（もっと読む）

【課題】簡易な方法で不純物の不活性化を抑制することの可能な半導体層の製造方法、不純物の不活性化が抑制された半導体層、簡易な方法で不純物の不活性化を抑制することの可能な半導体レーザの製造方法、および不純物の不活性化が抑制された半導体層を備えた半導体レーザを提供する。
【解決手段】上部ＤＢＲ層を形成したのち、結晶成長を完了した段階（時刻ｔ₁）で、ＴＭＡ、ＴＭＧ、ＤＭＺの供給を停止すると共に、プロセス温度の降下を開始する。ＡｓＨ₃については、プロセス温度が５００℃以上となっている時に供給を停止する。このとき、ＡｓＨ₃に代わる新たなガス、例えば、有機Ａｓや窒素などを別途供給しない。 （もっと読む）