【課題】中間層の一部が露出している支持基板であっても、それに適切な処理を加えることにより、半導体デバイスを歩留まりよく製造することができる半導体デバイスの製造方法およびエピタキシャル成長用の支持基板を提供する。
【解決手段】本半導体デバイスの製造方法は、少なくとも１層のＩＩＩ族窒化物半導体層４０をエピタキシャル成長させることができる下地基板１０と、下地基板１０上に全面的に配置された中間層２０と、中間層２０上に部分的に配置されたＧａＮ層３０ａとを含み、ＧａＮ層３０ａと中間層２０の一部とが露出している支持基板２を形成する工程と、支持基板２の中間層２０が露出している部分２０ｐ，２０ｑ，２０ｒを選択的に除去することにより、下地基板１０の一部を露出させる工程と、ＧａＮ層３０ａ上に、ＩＩＩ族窒化物半導体層をエピタキシャル成長させる工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 良好なデバイス特性を得ることできる、複数の細孔が形成された窒化物半導体を有する構造体の製造方法、および該構造体を備えた発光素子の提供を目的とする。
【解決手段】 Ｉｎを含むIII族窒化物半導体からなる第１の半導体層を形成する工程と、第１の半導体層の上に、第１の半導体層よりもＩｎ組成が低いIII族窒化物半導体からなる第２の半導体層を形成する工程を有する。第２の半導体層および第１の半導体層に複数の細孔を形成する工程と、窒素元素を含む雰囲気下で熱処理することにより、複数の細孔が形成された第１の半導体層の側壁の少なくとも一部に、第１の半導体層よりもＩｎ組成が低い半導体結晶構造を形成する。 （もっと読む）

【課題】原料ガスの流れ方向におけるサセプタにかかる領域で、上流側での原料ガスの消費を抑え、エピ厚さのウェハ面内の均一性を向上させることができる化合物半導体エピタキシャルウェハ製造装置を提供する。
【解決手段】化合物半導体結晶基板１１上に、化合物半導体結晶を気相エピタキシャル成長させる化合物半導体エピタキシャルウェハ製造装置１０において、反応炉１８内で原料ガス流路Ｇを形成する反応管１６内にスロープ２３を有する。 （もっと読む）

【課題】高効率の半導体発光素子を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、ｎ形半導体層と、ｐ形半導体層と、発光部と、を備えた半導体発光素子が提供される。発光部は、ｎ形半導体層とｐ形半導体層との間に設けられ、第１発光層を含む。第１発光層は、第１障壁層と、ｎ形半導体層と第１障壁層との間に設けられた第１井戸層と、第１井戸層と第１障壁層との間に設けられた第１ｎ側中間層と、第１ｎ側中間層と第１障壁層との間に設けられた第１ｐ側中間層と、を含む。第１ｎ側中間層のＩｎ組成比は、ｎ形半導体層からｐ形半導体層に向かう第１方向に沿って低下する。第１ｐ側中間層のＩｎ組成比は、第１方向に沿って低下する。第１ｐ側中間層のＩｎ組成比の第１方向に沿った平均の変化率は、第１ｎ側中間層のＩｎ組成比の第１方向に沿った平均の変化率よりも低い。 （もっと読む）

【課題】低減された酸素濃度のｐ型窒化ガリウム系半導体層を有するIII族窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】III族窒化物半導体素子１１は、基板１３、ｎ型III族窒化物半導体領域１５、発光層１７、及びｐ型III族窒化物半導体領域１９を備える。基板１３の主面１３ａは、該第１の窒化ガリウム系半導体のｃ軸に沿って延びる基準軸Ｃｘに直交する面Ｓｃから５０度以上１３０度未満の範囲の角度で傾斜する。ｐ型III族窒化物半導体領域１９は、第１のｐ型窒化ガリウム系半導体層２１を含み、第１のｐ型窒化ガリウム系半導体層２１の酸素濃度は５×１０^１７ｃｍ^−３以下である。第１のｐ型窒化ガリウム系半導体層２１のｐ型ドーパント濃度Ｎｐｄと酸素濃度Ｎｏｘｇとの濃度比（Ｎｏｘｇ／Ｎｐｄ）が１／１０以下である。 （もっと読む）

【課題】本発明は光電素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による光電素子であって、表面及び表面と垂直する法線方向を有する基板と、基板の表面に位置して表面と接触する第一半導体層と、第一半導体層と基板の表面の間に位置する少なくとも一つの空洞構造とを有し、少なくとも一つの空洞構造は幅と高さを有し、幅は空洞構造における表面に平行する方向の最大寸法であり、高さは空洞構造における法線方向に平行する方向の最大寸法であり、高さは幅より小さい。 （もっと読む）

【課題】信頼性を向上させた発光素子用エピタキシャルウェハ、及び発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子用エピタキシャルウェハは、ｎ型基板１上に、少なくともＰ（燐）系結晶のｎ型クラッド層３、Ａｌ_ｘＧａ_{（１−ｘ）}Ａｓ、又はＧａＡｓなどのＡｓ（砒素）系結晶で形成した量子井戸構造を有する発光層５、及びｐ型クラッド層７が順次積層された化合物半導体と、ｎ型クラッド層３と発光層５との間に、発光層５を構成するＡｌ_ｘＧａ_{（１−ｘ）}Ａｓ層とは異なるＡｌ_ｘＧａ_{（１−ｘ）}Ａｓ層４とを有している。 （もっと読む）

【課題】Ｉｎを含む化合物半導体とＩｎを含まない化合物半導体とのへテロ界面におけるＩｎの拡散／偏析による変成層を少なくする。
【解決手段】この発明に係るＬＤ４０は、ｎ−半導体基板１２と、このｎ−半導体基板１２上に配設され、ｎ−ＡｌＧａＩｎＰまたはｎ−ＧａＩｎＰで形成された第１ｎ−クラッド層４２ａと、この第１ｎ−クラッド層４２ａの上に配設された、ｎ−ＡｌＧａＡｓの第２ｎ−クラッド層４２ｂと、この第２ｎ−クラッド層４２ｂと第１ｎ−クラッド層４２ａとの間に介在し、第１ｎ−クラッド層４２ａに対応してｎ−ＡｌＧａＡｓＰで形成され、ＩＩＩ属元素のＡｌ、Ｇａは第２ｎ−クラッド層４２ｂと同じ組成で、Ｖ属元素のＡｓとＰの組成はＰよりもＡｓを多くした挿入層４２ｃと、を備えたものである。 （もっと読む）

【課題】ｐ型III族窒化物半導体の電気特性を向上できるIII族窒化物半導体光素子を提供する。
【解決手段】窒化ガリウム系半導体領域１５及び窒化ガリウム系半導体領域１９は、基板１３の主面１３ａ上に設けられる。窒化ガリウム系半導体領域１９は、ｐ型ドーパントとしてマグネシウムを含むIII族窒化物半導体膜２１を有しており、III族窒化物半導体膜２１は、III族構成元素としてアルミニウムを含む。III族窒化物半導体膜２１の酸素濃度は、１．０×１０^１７ｃｍ^−３以上の範囲にあり、III族窒化物半導体膜２１の酸素濃度は、１．５×１０^１８ｃｍ^−３以下の範囲にある。また、III族窒化物半導体膜２１の水素濃度は１．０×１０^１７ｃｍ^−３以上の範囲にあり、III族窒化物半導体膜２１の水素濃度は１．５×１０^１８ｃｍ^−３以下の範囲にある。 （もっと読む）

【課題】コンタクト層と電極との界面における酸化物の影響を低減可能なIII族窒化物半導体発光素子が提供される。
【解決手段】処理装置１０においてコンタクト層３５を成長すると共に該コンタクト層３５を酸化防止膜８７で覆った第１の基板生産物Ｅ１を処理装置８のエッチャ８ａに配置した後に、処理装置８において第１の基板生産物Ｅ１から酸化防止膜８７を除去して、ｐ型コンタクト層３５の表面を露出させて第２の基板生産物Ｅ２を形成する。通路８ｃのシャッタ８ｄを開けて、処理装置８のエッチャ８ａのチャンバから処理装置８の成膜炉８ｂのチャンバに第２の基板生産物Ｅ２を移動する。処理装置８の成膜炉８ｂのチャンバにおいて、ｐ型コンタクト層３５の露出された表面の上に、電極のための導電膜８９を成長して、第３の基板生産物Ｅ３を形成する。第３の基板生産物Ｅ３を処理装置８の成膜炉８ｂから取り出した後に、導電膜８９のパターン形成を行う。 （もっと読む）

【課題】反応ガス下で基板を回転させる横型ＭＯＣＶＤ炉を用いて結晶性が高く、かつ、面内のＡｌ組成分布が均一な化合物半導体ウェハを得る。
【解決手段】公転速度を高めることにより、膜厚方向における組成（ｘ値）の均一性を高めることができることは明らかであるが、これにより、成長層（ＡｌＧａＮ）の結晶性は充分とはならない。これに対して、本実施の形態のエピタキシャル成長方法では、膜厚方向における組成の均一性が最適とならない条件で公転を行い、成長層の結晶性を向上させる。実状態の速度比（成長温度（基板温度）における反応ガス流束と基板の交播速度との比）が１７２．０より大きく８５９．８以下となる場合、かつ１回転当たりの成長原子層数が１０層以上である場合に特に良好な結果（高い結晶性、高いキャリア濃度）が得られる。 （もっと読む）

【課題】半導体材料を堆積させる新規な方法及び堆積システムを提供する。
【解決手段】ＩＩＩ−Ｖ族半導体材料を基板に堆積させる方法は、複数のガスコラムに対する基板の空間的位置づけを変更することによってＩＩＩ族元素のガス状前駆体及びＶ族元素のガス状前駆体を基板に連続的に導入するステップを含む。例えば、基板は、各々が異なる前駆体を配置する複数の実質的に位置合わせされたガスコラムに対して移動することができる。前駆体を生成するための熱運動化ガス噴射器は、入口と、熱運動化管路と、液体試薬を保持するように構成された液体容器と、出口とを含むことができる。１つ又は複数のＩＩＩ−Ｖ族半導体材料を基板の表面に形成するための堆積システムは、前駆体を複数のガスコラムを介して基板に誘導するように構成された１つ又は複数のそのような熱運動化ガス噴射器を含むことができる。 （もっと読む）

【課題】転位発生の防止と基板の反り低減を、中間層を構成する窒化物半導体層の積層数を少なくして実現できる窒化ガリウム系化合物半導体基板を提供する。
【解決手段】Ｓｉ単結晶からなる基板１と、前記基板上に形成された窒化物半導体からなる中間層２と、前記中間層上に形成された窒化ガリウム系化合物半導体３からなる活性層で構成される窒化ガリウム系化合物半導体基板であって、前記中間層は、前記基板上に第一層２１と第二層２２がこの順で積層された初期バッファ層２００と、前記初期バッファ層上に第三層２３と第四層２４をこの順で複数回繰り返し積層し最後に第五層２５を積層してなる複合層２０２を複数積層した周期堆積層２０３からなる。 （もっと読む）

【課題】III族窒化物の表面欠陥の数を低減可能な、III族窒化物半導体を成長する方法を提供する。
【解決手段】成長工程Ｓ１では、アンモニアおよびIII族有機金属物質を含むガスＧ１を気相成長装置１１の成長炉１５に供給して、ＧａＮ等のIII族窒化物半導体を成長する。工程Ｓ２では、時刻ｔ１においてIII族有機金属物質を気相成長装置１１へ供給することを停止して、III族窒化物半導体の成長を終了する。工程Ｓ３では、時刻ｔ２において気相成長装置１１の反応炉１５の温度が、時刻ｔ１における温度Ｔｅｍｐ１よりも低い温度Ｔｅｍｐ２になるように、アンモニアを含むガスを供給しながら時刻ｔ１以降の期間中に気相成長装置１１の温度を変更する。III族窒化物半導体の成長期間Ｔａおよび気相成長装置の温度の変更期間Ｔｂの少なくともいずれかの期間中に、アンモニアの供給量が増加される。 （もっと読む）

【課題】活性層の劣化を抑制した半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、窒化物半導体を含む結晶層を含む半導体発光素子の製造方法が提供される。窒化物半導体は、Ｉｎ原子及びＧａ原子を含み、Ｉｎ原子の数とＧａ原子の数との合計に対するＩｎ原子の数の比であるｘｓが０．２以上０．４以下である。製造方法は、基体の主面に、Ｇａ原子を含む第１分子とＩｎ原子を含む第２分子とを含む原料ガスを供給して結晶層を形成する工程を備える。第１分子及び第１分子の分解種の原料ガスに対する第１分圧と、第２分子及び第２原料分子の分解種の原料ガスに対する第２分圧と、の合計に対する第２分圧の比をＩｎの気相供給量比ｘｖとする。（１−１／ｘｖ）／（１−１／ｘｓ）を０．１よりも小さくする。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い高出力レーザを実現する窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】実施の形態によれば、基板と、基板上のｎ型窒化物半導体層と、ｎ型窒化物半導体層上の窒化物半導体の活性層と、活性層上のｐ型窒化物半導体層と、ｐ型窒化物半導体層に形成されるリッジストライプと、リッジストライプの伸長方向に垂直な、ｎ型窒化物半導体層、活性層およびｐ型窒化物半導体層の端面に形成され、活性層よりもバンドギャップの広い端面窒化物半導体層とを有し、端面窒化物半導体層の、少なくともｐ型窒化物半導体層の端面に形成される領域のＭｇの濃度が、５Ｅ１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上５Ｅ１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下である半導体発光素子である。 （もっと読む）

【課題】品質の良いアルミニウム系ＩＩＩ族窒化物の結晶を得るため反応温度を得るとともに、反応器内のガス対流をできるだけ抑止することができる結晶成長装置を提供すること。
【解決手段】アルミニウム系ＩＩＩ族窒化物を基板上に気相成長させる結晶成長装置１は、縦管８と横管７とから構成されるＴ字状の反応器を備えている。結晶成長装置１は、縦管８と横管７に臨んだ領域には、基板を保持するタングステン製の加熱支持台２２と、加熱支持台２２を誘導加熱する高周波コイル２４と、横管７に導入されＩＩＩ族ハロゲン化物を基板上に供給するハロゲン化物ガス管１５と、横管７に導入され窒素源ガスを基板上に供給する窒素源ガス管１７とを備えている。 （もっと読む）

【課題】パージガスの量を従来と比較して減らすことが可能となり、原料ガスの流れへの影響を減らしたり、絞り穴を大きくして観察部の視野を広くしたりすることができるガス処理装置を提供する。
【解決手段】被処理体３を処理用ガスで処理するガス処理装置１であって、ガス処理室２と、処理中の前記被処理体３を観察可能な観察窓が形成されたパージガス室３０と、前記観察窓からの観察方向上で、前記観察窓と前記被処理体３の載置位置との間に絞り穴が形成された絞り部材と、前記パージガス室３０内にパージガスを導入するパージガス導入口と、を備え、前記パージガスの導入方向が、前記観察方向からみて前記絞り穴の重心線からずれるように前記パージガス導入口が配置される。 （もっと読む）

【課題】光照射によって被測定物の測定状態を正確に判別することのできる測定状態判定装置を提供する。
【解決手段】ＭＯＣＶＤ装置１は、回転台４の回転によって基板３が描く軌跡上に光を照射する光照射部１１と、照射部から照射された光の反射光２１を測定する反射光測定部１２と、反射光測定部１２の測定値に基づいて、基板３の測定状態を判定する演算処理を行う演算処理部１４とを備える。演算処理部１４は、回転台４の回転中に測定された反射光測定部１２の測定値の最大値と最小値との差を、窓Ａ１８および窓Ｂ１９に存在する遮蔽物の有無を判定する閾値と比較する。 （もっと読む）

【課題】ＡｌＮ層表面のピット状欠陥の発生を抑制する。
【解決手段】シリコン基板１０の表面を、熱処理温度が７００℃以上１０６０℃以下、熱処理時間が５分以上１５分以下、水素が含まれた雰囲気中においてサーマルクリーニングする工程と、前記サーマルクリーニングの後、前記シリコン基板表面に、Ｎ原料を供給せずにＡｌ原料を供給するステップと、前記Ａｌ原料を供給するステップの後に前記Ａｌ原料と前記Ｎ原料とを供給するステップとを行って、前記シリコン基板上に第１ＡｌＮ層１１を第１のV/III原料比を用い成長する工程と、前記第１ＡｌＮ層上に、前記第１のV/III原料比より大きな第２のV/III原料比を用い第２ＡｌＮ層１２を成長する工程と、前記第２ＡｌＮ層上にＧａＮ系半導体層を成長する工程と、を含む半導体装置の製造方法。 （もっと読む）