【課題】光照射によって被測定物の測定状態を正確に判別することのできる測定状態判定装置を提供する。
【解決手段】ＭＯＣＶＤ装置１は、回転台４の回転によって基板３が描く軌跡上に光を照射する光照射部１１と、照射部から照射された光の反射光２１を測定する反射光測定部１２と、反射光測定部１２の測定値に基づいて、基板３の測定状態を判定する演算処理を行う演算処理部１４とを備える。演算処理部１４は、回転台４の回転中に測定された反射光測定部１２の測定値の最大値と最小値との差を、窓Ａ１８および窓Ｂ１９に存在する遮蔽物の有無を判定する閾値と比較する。 （もっと読む）

【課題】ＡｌＮ層表面のピット状欠陥の発生を抑制する。
【解決手段】シリコン基板１０の表面を、熱処理温度が７００℃以上１０６０℃以下、熱処理時間が５分以上１５分以下、水素が含まれた雰囲気中においてサーマルクリーニングする工程と、前記サーマルクリーニングの後、前記シリコン基板表面に、Ｎ原料を供給せずにＡｌ原料を供給するステップと、前記Ａｌ原料を供給するステップの後に前記Ａｌ原料と前記Ｎ原料とを供給するステップとを行って、前記シリコン基板上に第１ＡｌＮ層１１を第１のV/III原料比を用い成長する工程と、前記第１ＡｌＮ層上に、前記第１のV/III原料比より大きな第２のV/III原料比を用い第２ＡｌＮ層１２を成長する工程と、前記第２ＡｌＮ層上にＧａＮ系半導体層を成長する工程と、を含む半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】半導体装置に用いることのできる窒化物半導体基板を提供する。
【解決手段】窒化物半導体基板１０ａは、主面と、表示部とを備えている。主面１１は、（０００１）面から［１−１００］方向に７１°以上７９°以下傾斜した面、または（０００−１）面から［−１１００］方向に７１°以上７９°以下傾斜した面である。表示部は、（−１０１７）面、（１０−１−７）面、またはこれらの面から［１−１００］方向に−４°以上４°以下傾斜し、かつ［１−１００］方向に直交する方向に−０．５°以上０．５°以下傾斜した面を示す。 （もっと読む）

【課題】表面状態や断面形状が良好なIII族窒化物半導体の厚膜結晶を成長させることができる下地基板を提供する。
【解決手段】第１結晶成長面と前記第１結晶成長面と同じ方向に面している第２結晶成長面を有する下地基板であって、前記第１結晶成長面の周縁の５０％以上に下向きの段差を介して前記第２結晶成長面が連接しており、前記段差の高さが０．１〜５ｍｍである。 （もっと読む）

【課題】 素子容量を抑制しつつリーク電流を抑制することができる光半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 光半導体装置の製造方法は、基板上に順に形成されたｎ型クラッド層、活性層、およびｐ型クラッド層に対して選択的にエッチング処理を施すことによってメサ構造を形成する工程と、前記メサ構造の側面から前記基板の前記メサ構造以外の平面部にかけて、前記平面部における厚さが５ｎｍ〜４５ｎｍのｐ型半導体層を形成する工程と、前記ｐ型半導体層上に、前記メサ構造を埋め込む高抵抗半導体層を形成する工程と、を含み、前記平面部において、前記ｐ型半導体層の厚みと前記ｐ型半導体層のｐ型ドーパントの濃度との積は、２．５×１０^１９ｎｍ／ｃｍ^３以下である。 （もっと読む）

【課題】高い絶縁性を有する窒化物系半導体層を有する窒化物系半導体ウエハを安定的に提供する。
【解決手段】絶縁性基板上に、抵抗率が１０ＭΩｃｍ以上１００ＭΩｃｍ以下、膜厚が０．１μｍ以上１．５μｍ以下である半絶縁性窒化物系半導体層を有する。 （もっと読む）

【課題】比較的小さい膜厚で結晶性の良いIII族窒化物半導体の結晶を成長させることができるIII族窒化物半導体の成長方法を提供する。
【解決手段】本発明のIII族窒化物半導体の成長方法は、基板(10)上に、III族窒化物半導体の結晶核(40)を島状に形成する第１の工程と、窒素源ガスを供給しながら珪素源ガスとIII族源ガスを交互に供給することにより、前記結晶核(40)を島状に成長させる第２の工程と、該第２の工程後、窒素源ガスとIII族源ガスを供給し、前記島状の結晶核(40)からIII族窒化物半導体を各々成長させ、層状のIII族窒化物半導体(45)を形成する第３の工程と、を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ウェーハ面内全域にて凹凸加工された構造を埋め込み成長可能であり、かつ、凹凸形状によらない安定した埋め込み平坦化が可能なIII−Ｖ族化合物半導体の気相成長方法を提供する。
【解決手段】III−Ｖ族化合物半導体基板の表面に形成された規則的な凹凸を有する四元系III−Ｖ族化合物半導体層の上に、有機金属気相成長法を用いて、上記凹凸の熱変形を抑制する保護膜となるIII−Ｖ族化合物半導体層を、第一の成長温度で所定の膜厚となるまでエピタキシャル成長させた後、上記第一の成長温度よりも高い第二の成長温度で連続して同一組成の半導体層を、トータルの厚さが上記凹凸の高さよりも大きくなるまで成長させるようにした。 （もっと読む）

【課題】 大粒で結晶性の良好な窒化アルミニウム単結晶を製造する方法を提供すること。
【解決手段】 本発明に係る窒化アルミニウム単結晶の製造方法は、アルミニウムガスまたはアルミニウム酸化物ガスを発生する原料ガス発生用基板と、
炭素成形体と、
窒化アルミニウム単結晶析出用の種結晶との存在下に窒素ガスを流通して、加熱環境下で窒化アルミニウム単結晶を成長させるに際して、
原料ガス発生用基板上に、炭素成形体を窒素ガス流通方向に対してほぼ平行に間隔を空けて配置し、
窒素ガス流通方向に対して上流側に原料ガス発生用基板を配置し、下流側に窒化アルミニウム単結晶析出用の種結晶を配置して、該種結晶に窒化アルミニウム単結晶を成長させることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】基板のオリフラ部と基板保持凹部の内周面との間に生じる隙間に反応生成物が堆積することを防止し、基板面内の温度分布を最小限に抑えることができ、発光波長分布のばらつきを改善することができる気相成長装置を提供する。
【解決手段】ＧａＮ系半導体発光デバイスを成膜する気相成長装置において、基板保持凹部１４ａに基板１６を保持したときに、基板１６のオリフラ部１６ａと基板保持凹部１４ａの内周面との間に生じる隙間に、該隙間の形状と同一の形状を有し、基板の厚さと同一の厚さを有する嵌合部材２８を配置する。 （もっと読む）

【課題】第二ｎ型半導体層表面に起因する発光層およびｐ型半導体層の不良が生じにくく、かつ、高い出力の得られる半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１上に第一ｎ型半導体層１２ｃを積層する第一工程と、前記第一ｎ型半導体層１２ｃ上に前記第一ｎ型半導体層１２ｃの再成長層１２ｄと第二ｎ型半導体層１２ｂと発光層１３とｐ型半導体層１４とを順次積層する第二工程とを具備し、前記第二ｎ型半導体層１２ｂを積層する工程において、前記再成長層１２ｄ形成時よりも少量の前記Ｓｉをドーパントとして供給することにより第二ｎ型半導体層第一層を形成する工程（１）と、前記Ｓｉを前記工程（１）よりも多く供給することにより第二ｎ型半導体層第二層を形成する工程（２）と、をこの順で行うことを特徴とする半導体発光素子１の製造方法を採用する。 （もっと読む）

【課題】成長途中に生じる凹部を縮小させ、バルク状でかつ結晶性の高い窒化物半導体単結晶体の製造方法を提供する。
【解決手段】気相成長法による窒化物半導体単結晶の製造方法であって、種基板１との界面の裏側に主面および凹部を有する第１の窒化物半導体単結晶部２を前記種基板１上に成長させる工程と、前記凹部内にマスク４を設ける工程と、前記マスク４を覆うように前記第１の窒化物半導体結晶部２上に第２の窒化物半導体結晶部を成長させる工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】活性層におけるＩｎの偏析及びＩｎの組成むらを抑制し、閾値電流密度が低い窒化物半導体発光装置を実現できるようにする。
【解決手段】半導体発光装置は、基板１０１の上に形成されたｎ型クラッド層１０２と、ｎ型クラッド層１０２の上に形成され、井戸層及び障壁層を有する活性層１０５と、活性層１０５の上に形成されたｐ型クラッド層１０９とを備えている。井戸層は、インジウムを含む窒化物半導体からなり、ｎ型クラッド層１０２よりも水素濃度が高く且つｐ型クラッド層１０９よりも水素濃度が低い。 （もっと読む）

【課題】ピットの拡大を防ぎかつクラスターの発生を抑制して高品質の窒化物半導体を得ることを可能にする。
【解決手段】不活性ガスからなる第１キャリアガスを用いて基板上にＩｎ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０＜ｘ≦１）を含む第１半導体層を第１成長温度で成長させる工程と、前記不活性ガスと、この不活性ガスよりも少量の水素とを含む第２キャリアガスを用いて、前記第１半導体層上に、前記第１成長温度よりも高い第２成長温度でＩｎ_ｙＧａ_１−ｙＮ（０≦ｙ＜１、ｙ＜ｘ）を含む第２半導体層を成長させる工程と、
前記第２キャリアガスよりも水素の含有量の少ない第３キャリアガスを用いて、前記第２半導体層上に、前記第２成長温度で、Ｉｎ_ｚＧａ_１−ｚＮ（０≦ｚ＜１、ｚ＜ｘ）を含む第３半導体層を成長させる工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】異種材料の基板上で平坦かつ剥離が容易なＧａＮ基板を低コストで製造することを可能にする製造方法を提供するとともに、そのＧａＮ基板を用いて製造するＬＥＤやレーザダイオード等の半導体デバイスの低コスト化、性能向上や長寿命化を実現することである。
【解決手段】本発明の半導体基板は、基板と、前記基板上に形成された第１の半導体層と、前記第１の半導体層上の一部領域に形成されたマスクと、前記第１の半導体層及び前記マスク上に当該マスクと交差する方向に所定のパターン形状で形成された金属性材料層と、前記第１の半導体層上及び前記金属性材料層上に形成された第２の半導体層と、前記金属性材料層より下層部分の前記第１の半導体層に形成された空洞と、を有する。 （もっと読む）

【課題】高品質の窒化物半導体単結晶及び窒化物半導体基板を効率よく得ることのできる製造方法を提供する。
【解決手段】表面１１と、傾斜面１２を有する側面１４とを備える窒化物半導体からなる種結晶１０の前記表面１１及び側面１４上に第２の窒化物半導体２０を成長させる成長工程を有し、前記成長させた第２の窒化物半導体２０の上面の面積が、前記種結晶１０の表面１１の面積よりも大きくなるように窒化物半導体を成長させる。 （もっと読む）

本発明は、電子デバイス用の、好ましくは、光電子デバイス用の、電流遮断構造を提供する。電流遮断構造が、ｎ−型ルテニウムドープリン化インジウム（Ｒｕ−ＩｎＰ）層を備えた半導体材料配列と、第１ｐ−型半導体材料層と、を備え、ｎ−型Ｒｕ−ＩｎＰ層が、０．６μｍ未満の厚さである。半導体材料配列と、ｐ−型半導体材料層と、が、電流遮断ｐ−ｎ接合を形成する。電流遮断構造が、他のｎ−型層および／または多数のｎ−型Ｒｕ−ＩｎＰ層および／または真性／ドープされていない層をさらに備えてよく、ｎ−型Ｒｕ−ＩｎＰ層が、０．６μｍよりも厚くてよい。
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【課題】原料ガスをあらゆる角度に対して均等な流量で噴出でき、サセプタの対面においては原料ガスの分解、結晶化を抑制できる気相成長装置を提供する。
【解決手段】サセプタ２の対面が内部に冷媒を流通する手段を有し、原料ガス導入部が円板状の仕切り１２，１２”により上下方向に仕切られた構成からなる複数のガス噴出口１３を備え、該ガス噴出口１３の少なくとも１つが複数の柱状の仕切り１４により円周方向に仕切られた構成を備えてなる気相成長装置とする。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体層の表面平坦性を向上させることができる半導体装置の製造方法を得る。
【解決手段】まず、低転位領域１０と、低転位領域１０よりも転位密度が高い高転位領域１２とを有するＧａＮ基板１４を準備する。次に、高転位領域１２を覆わずに高転位領域１２を囲むように低転位領域１０上に絶縁膜１６を形成する。次に、ＧａＮ基板１４上に窒化物半導体層１８を形成する。これにより、高転位領域１２上で発生した異常成長が低転位領域１０に伝播するのを防ぎつつ、原料拡散により絶縁膜１６の近傍で窒化物半導体層１８の厚みが増大するのを防ぐことができる。この結果、窒化物半導体層１８の表面平坦性を向上させることができ、半導体装置の歩留まりを向上できる。 （もっと読む）

【課題】半導体薄膜等の成膜装置において、成膜室を機械的強度に優れかつ高純度な部材で作製する。
【解決手段】石英板材と金属部材を一体化したハイブリッド部材を使用して成膜室が作製される。ハイブリッド部材は、石英板材を金属部材に真空吸着することによって作製され、ハイブリッド部材の石英板材側が成膜室の内面となるように成膜室が組み立てられる。原料ガスに接する成膜室の内面が石英面になっていて、石英板材でカバーされた金属面は成膜室の内部から隔離されるので、金属部材からの放出ガスの影響を抑制できる。成膜室の外殻が金属部材で構成されるので機械的強度に優れている。石英板材を金属部材と一体化した状態で成膜室の組み立て等を行えるので、石英板材の破損の危険性を低減できる。 （もっと読む）