【課題】成膜処理する基板の歩留まりを向上できる技術を提供する。
【解決手段】ガス供給ノズル２３２１ａのクリーニング工程において、ガス供給ノズル２３２１ａからはエッチングガスＥＧが放出されるが、ガス供給ノズル２３２１ａとは別のガス供給ノズル２３２１ｂから希釈ガスを放出している。この結果、インナーチューブ２３０内の処理室２０１内へ放出されたエッチングガスＥＧが処理室２０１内に配置されたウェハ２００へ到達することを抑制できる。 （もっと読む）

【課題】メンテナンス作業の労力を低減するとともに、ダウンタイムを短くすることができる薄膜形成装置の洗浄方法等を提供する。
【解決手段】薄膜形成装置１の洗浄方法は、加熱工程と洗浄工程とを備えている。加熱工程では、反応管２内と排気管１６内との少なくとも一方を所定の温度に加熱する。洗浄工程では、加熱された反応室２内と排気管１６内との少なくとも一方に、酸素ガスと水素ガスとを含むクリーニングガスを供給してクリーニングガスを所定の温度に加熱することにより、クリーニングガスに含まれる酸素ガス及び水素ガスを活性化させる。そして、活性化した酸素ガス及び水素ガスにより、薄膜形成装置１の内部に付着した付着物を除去する。 （もっと読む）

【課題】リッジ電極及び基板の熱変形を抑制し、大型の基板にも安定した製膜処理が行える真空処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマが生成される排気側リッジ電極２１ａ及び基板側リッジ電極２１ｂを有するリッジ導波管からなる放電室２と、高周波電力を方形導波管の基本伝送モードであるＴＥモードに変換して放電室２に伝送し、排気側リッジ電極２１ａ及び基板側リッジ電極２１ｂの間にプラズマを発生させる一対の変換器と、基板側リッジ電極２１ｂの外面側に設置されて温度を均等に加熱する均熱温調器４０と、排気側リッジ電極２１ａの外面側に設置されてプラズマ処理が施される基板Ｓの板厚方向の熱流束を制御する熱吸収温調ユニット５０とを有し、基板Ｓを排気側リッジ電極２１ａ及び基板側リッジ電極２１ｂの間に設置してプラズマ処理を施す。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣエピタキシャル成長過程でサセプタに付着した膜を除去することのできるサセプタ処理方法および半導体製造装置の処理方法を提供する。
【解決手段】サセプタ２０７の上に基板１０６を載置し、基板１０６の上にＳｉ膜３０１をエピタキシャル成長させる。次いで、サセプタ２０７の上に基板１０６に代えて半導体基板２０６を載置し、半導体基板２０６の上にＳｉＣ膜３０２をエピタキシャル成長させる。次に、半導体基板２０６が取り除かれたサセプタ２０７を所定の温度に加熱し回転させながら、サセプタ２０７の上方からＨＣｌガスを流下させて、サセプタ２０７上のＳｉ膜３０１およびＳｉＣ膜３０２を除去する。この後、さらに、サセプタ２０７の上方からＣｌＦ_３ガスを流下させることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、平行平板型のプラズマＣＶＤ装置の反応チャンバー内に備わっている平行平板電極表面の堆積物を、Ｆ_２あるいはＣＦ_３ＯＦを含有するガスをクリーニングガスとして用いて、反応チャンバー内の材質に損傷を与えることなく除去する方法を提供することである。
【解決手段】 平行平板型のプラズマＣＶＤ装置の反応チャンバー内にあるプラズマを発生させる平行平板電極表面に堆積した、Ｓｉ含有物、Ｇｅ含有物、または金属含有物を、Ｆ_２またはＣＦ_３ＯＦを含有するガスをクリーニングガスとして用いてプラズマを発生させることにより除去する方法において、該クリーニングガスの存在下で印加電力密度が０．０５Ｗ／ｃｍ^２以上０．５Ｗ／ｃｍ^２以下の範囲内のプラズマを発生させて該堆積物を除去することを特徴とする、平行平板電極のプラズマクリーニング方法。 （もっと読む）

【課題】セルフクリーニングを行うタイミングを簡素に、かつ、汎用性を有するように設定でき、しかも、このタイミングを一層延長させることができ、生産効率を向上できる真空処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】基板に製膜処理を行う製膜室１内に、クリーニングガスを導入してセルフクリーニングを行う真空処理装置の運転方法であって、セルフクリーニングの終了後に、製膜室１内に下地膜３２を形成する下地製膜作業を行う工程を備え、該下地製膜作業を行う工程において、下地膜３２を２００ｎｍ以上３０００ｎｍ以下の膜厚とし、製膜圧力が製膜処理時の１．０倍以上１．５倍以下で、かつ、少なくとも製膜初期に放電電極に供給する高周波電力が製膜処理時の０．１倍以上１．０倍以下で実施され、製膜処理の積算膜厚が５００μｍを超えないよう運用することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 反応容器の中の不純物量の変動に影響されずに、休止後の再稼動時であっても、生産性を低下させない堆積膜形成方法を提供することにある。更に、特性バラツキを低減した堆積膜形成方法を提供することにある。
【解決手段】 減圧可能な真空処理容器を用いて堆積膜を形成する堆積膜形成方法において、前記堆積膜の形成を休止し（Ｓ５２１）、前記真空処理容器の中の不純物の量がほぼ飽和するまで前記真空処理容器を大気開放する（Ｓ５２２）。その後、ほぼ飽和した不純物の量に対応して予め定めた堆積膜形成条件（通常とは異なる堆積膜形成条件）を、再稼働時の堆積膜形成条件とする（Ｓ５３２）。 （もっと読む）

【課題】被加熱体の劣化を抑制することができる基板処理装置、半導体装置の製造方法、及び基板の製造方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置４０は、内部を真空状態に維持可能であってウエハ１４を処理する処理容器４２と、処理容器４２内であって少なくともウエハ１４の載置領域を囲むように設けられる被加熱体６０と、処理容器４２内壁と被加熱体６０との間であって、被加熱体６０を囲むように設けられる断熱体６６と、被加熱体６０内にガスを供給する第１のガス供給ノズル７０及び第２のガス供給ノズル８０と、処理容器４２の外側に設けられ、被加熱体６０を誘導加熱する磁気コイル６２と、被加熱体６０内に設けられ、第１のガス供給ノズル７０及び第２のガス供給ノズル８０から供給されたガスと被加熱体６０との接触を抑制する保護壁９４と、を有する。 （もっと読む）

【課題】石英へのダメージ低減と堆積物の除去速度の向上を両立させるクリーニングを実現する。
【解決手段】基板を収容した処理容器内に処理ガスを供給して基板上に薄膜を形成する工程と、薄膜を形成する工程を所定回数実施した後、処理容器内にクリーニングガスを供給して処理容器内をクリーニングする工程と、を有し、処理容器内をクリーニングする工程では、加熱された大気圧未満の圧力下にある処理容器内にクリーニングガスとして、フッ素含有ガスと、酸素含有ガスと、水素含有ガスとを供給して、処理容器内に付着した薄膜を含む堆積物を熱化学反応により除去するようにした。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、成膜の生成効率を向上できる光ＣＶＤ法を用いた基板処理装置及び基板処理方法を提供することにある。
【解決手段】
本発明は、真空室である処理室に処理用ガスを導入し、前真空室である処理室に処理用ガスを導入し、前記処理用ガスに第１の光を、前記第１の光を透過する第１の透過窓を介して第１の照射をし、前記第１の照射によって発生した第１の成膜ガスを前記処理室内の基板に堆積させて成膜する際に、前記処理室に前記処理用ガスを導入する前に、前記処理用ガスを所定の温度まで加熱し、前記加熱された処理用ガスに第２の光を、前記第２の光を透過する第２の透過窓を介して第２の照射をし、前記第２の照射によって第２の成膜ガスを発生させ、前記第２の成膜ガスと第２の照射によって未反応である前記処理用ガスとを前記処理室に導入し、前記第１の成膜ガスと第２の成膜ガスとを前記基板に堆積させて成膜することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】蒸着重合によるポリイミドの成膜に適した基板処理装置を提供する。
【解決手段】真空ポンプにより排気可能なチャンバーとなる外部管と、前記外部管内に設けられており、内部に基板が設置される内部管と、前記内部管内にガスを導入するためのガス供給部と、前記基板、前記外部管、前記内部管を加熱するためのヒーターと、前記外部管と前記内部管との間に設けられたトラップ部と、を有し、前記基板を前記ヒーターにより第１の温度に加熱することにより、前記ガス供給部から供給されたガスが蒸着重合反応し、前記基板表面において前記蒸着重合反応によりに生成された膜が成膜され、前記内部管に設けられた開口部から流入した前記ガスにより、前記トラップ部においても、前記蒸着重合反応により生成された膜が成膜されることを特徴とする基板処理装置により上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】天井部の温度をクリーニング時に上昇させてクリーニング効率を高めることができるエピタキシャル成長装置およびそのクリーニング方法を提供する。
【解決手段】赤外線を透過する天井部と底部とからなる反応室と、該反応室の内部に設置されたウェーハを載置するサセプタと、該サセプタを加熱するための赤外線を放射する赤外光源とを備えるエピタキシャル成長装置において、少なくとも天井部１９は、赤外光源から放射された赤外線が吸収される赤外活性ガスを導入するための中空構造を有するように構成する。 （もっと読む）

【課題】膜応力の制御が可能なシリコン元素を有する薄膜の作製方法を提供することを目的の一とする。さらに、このシリコン元素を有する薄膜の作製方法を用いて、歩留まりを向上させることができるトランジスタの作製方法を提供することである。
【解決手段】プラズマＣＶＤ装置内の反応室の内壁を加熱して、反応室内壁に吸着している不純物を放出させる。次いで、反応室の内壁を加熱し続けしながらフッ素化合物ガスを用いたプラズマまたは反応室内の排気によって、反応室内壁に吸着している不純物および反応室内に残留している不純物を除去した後、反応室の内壁を加熱し続けしながらシリコン元素を有する薄膜を形成する。また、前記シリコン元素を有する薄膜を用いてトランジスタを作製する。 （もっと読む）

【課題】比較的低電力においてもクリーニング速度を損なわずに堆積チャンバをクリーニングできる、堆積チャンバのリモートクリーニング方法を提供すること。
【解決手段】ＣＶＤチャンバ１０をリモートプラズマ源３０を用いてクリーニングする方法は、リモートプラズマ源３０のプラズマ発生室３１を、プラズマがＣＶＤチャンバ１０内の構成備品や基板に有害な影響を与えない位置に離して配設されたシステムにおいて、クリーニング用ガスとして９０％以上の濃度のフッ素化合物ガスを１００Ｐａ以下の圧力でプラズマ発生室３１に供給するステップと、リモートプラズマ源３０にて高周波電力を供給しプラズマ発生室３１にプラズマを発生させて１００Ｐａ以下の圧力下でフッ素化合物ガスからフッ素活性種を生成するステップと、リモートプラズマ源３０にて生成したフッ素活性種をＣＶＤチャンバ１０内に導入して内部をクリーニングするステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】プラズマＣＶＤ成膜装置において、膜の膜特性や成膜速度の向上と、クリーニングによる損傷の低減との両有用性を選択自在に取得する。
【解決手段】真空チャンバ１０を有するプラズマＣＶＤ成膜装置１において、真空チャンバ１０内において平行して対向配置される高周波電極５および対向電極６を有する平行平板電極と、高周波電極５に高周波電圧を印加する高周波電源２と、高周波電源２と高周波電極５との間に直列接続されるブロッキングコンデンサＣ２を含むマッチングボックス３と、マッチングボックス３と高周波電極５との間に、平行平板電極に並列接続する低周波フィルタ回路７を備える。低周波フィルタ回路７は、高周波電源側からマッチングボックスを介して高周波電極に印加される高周波電力について、高周波電極と接地点との直流的な接続関係を可変として、高周波電極の直流電圧を調整する。 （もっと読む）

【課題】真性微結晶シリコン層のための方法を提供すること。
【解決手段】一実施形態では、真性微結晶シリコン層を形成する方法は、加工チャンバ内に配置された基板の表面へガス混合物中で供給されるシランガスを動的に増加させるステップと、加工チャンバへ供給されるガス混合物中で印加されるＲＦ電力を動的に減少させて、ガス混合物中でプラズマを形成するステップと、基板上に真性微結晶シリコン層を形成するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】クリーニングガスに一酸化窒素ガスを添加して処理室内のドライクリーニングを行う際、その取り扱いを容易にし、制御性よくクリーニングの性能を向上させる。
【解決手段】基板を処理する処理容器２０１と、該処理容器内にフッ素原子を含むガスと一酸化窒素ガスとを事前に混合させて供給する第１のクリーニングガス供給系２３２ｈと、第１のクリーニングガス供給系とは別に設けられ、処理容器内にフッ素原子を含むガスを供給する第２のクリーニングガス供給系２３２ｅと、を有する基板処理装置として、前記第１のクリーニングガスと、前記第２のクリーニングガスと、を処理容器２０１内で混合してドライクリーニングを行う。 （もっと読む）

【課題】不純物汚染を十分に抑制しながら、低コストで、生産性良く気相成長を行うことができる気相成長装置及びシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】気相成長装置１０の反応チャンバー１２内に配設されたサセプタ１７のウェーハＷの載置面が、原料ガスから生成された厚さ６〜２０μｍのポリシリコン膜で被覆され、かつ、前記気相成長装置１０を構成する部材のうち前記反応チャンバー１２内に露出した金属部材の表面が、原料ガスから生成された反応副生成物からなる膜で被覆された反応チャンバーを具備する気相成長装置とする。 （もっと読む）

【課題】装置内に堆積した膜が剥離して異物として基板に付着することを防止するスパッタリング装置及びそのメンテナンス方法を得ること。
【解決手段】チャンバ４と、基板１をチャンバ４内で保持する基板保持具２と、チャンバ４内に設置されたシリコン製のターゲット３と、基板保持具２に基板１が設置された状態で、アルゴンガス７と窒素ガス９との混合ガスをチャンバ４内に導入しつつターゲット３と基板保持具２との間に電圧を印加して、基板１上に窒化シリコン膜を成膜する第１の処理と、チャンバ４内に基板１が収容されていない状態で、アルゴンガス７をチャンバ４内に導入しつつ、ターゲット３と基板保持具２との間に電圧を印加して、チャンバ４の内壁面にシリコン膜を成膜する第２の処理とを実行する制御部４０とを有する。 （もっと読む）

【課題】成膜室内の部材へのダメージを抑制しつつ、クリーニング速度の均一性を向上させることのできるプラズマＣＶＤ装置の提供。
【解決手段】不活性ガスを含む第１のクリーニングガスを成膜室６の外部でプラズマ励起させて第１供給口９から成膜室内に供給する第１供給手段１，２と、フッ素を含むガスが含まれる第２のクリーニングガスをプラズマ励起させずに第２供給口１１から成膜室内に供給する第２供給手段３と、を備え、第１供給口と第２供給口とが成膜室６内の異なる位置に形成されているプラズマＣＶＤ装置とする。 （もっと読む）