【課題】成膜室内の部材へのダメージを抑制しつつ、クリーニング速度の均一性を向上させることのできるプラズマＣＶＤ装置の提供。
【解決手段】不活性ガスを含む第１のクリーニングガスを成膜室６の外部でプラズマ励起させて第１供給口９から成膜室内に供給する第１供給手段１，２と、フッ素を含むガスが含まれる第２のクリーニングガスをプラズマ励起させずに第２供給口１１から成膜室内に供給する第２供給手段３と、を備え、第１供給口と第２供給口とが成膜室６内の異なる位置に形成されているプラズマＣＶＤ装置とする。 （もっと読む）

【課題】処理チャンバの内壁に堆積する堆積膜を除去するためのクリーニングガスの使用量を削減する半導体製造装置のクリーニング方法、半導体製造装置、及び管理システムを提供する。
【解決手段】半導体製造装置のクリーニング方法は、処理チャンバ１０の内壁１０２に堆積した堆積膜３を除去するクリーニングガス４を、処理チャンバ１０の供給管１２からのクリーニングガス４の単位時間当たりの供給量が、処理チャンバ１０の排気管１６からのクリーニングガス４の単位時間当たりの排気量よりも多くなるよう、供給管１２を介して供給し、不活性ガス６を供給することにより、供給管１２内を不活性ガス６で満たすことを含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、Ge含有ガスを供給してEpi−SiGe等の成膜処理をする場合に、基板界面の酸素濃度上昇を抑え、良好な膜を形成することができる基板処理装置を提供することを課題としている。
【解決手段】基板に成膜処理をする際に、ステップＳ１８においてEpi−SiGe成膜処理を行う前に、ステップＳ１３においてSiコーティング処理を行う。 これにより基板支持体に付着したGeO等の酸化物をコーティングで封じ込めることができ、GeOから脱離した酸素がEpi−SiGe膜のＳｉ基板との界面に取り込まれるのを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】減圧下で処理を行う成膜装置又は結晶成長装置のクリーニング方法に係り、処理室から真空ポンプによりガスを吸気する吸気配管内のクリーニングを良好に行うようにしたクリーニング方法に関する技術である。
【解決手段】処理室１に接続された吸気配管６における真空ポンプ４との接続口６ｂ近傍に開度調節可能な開閉弁９を設け、吸気配管６における処理室１との接続口６ａ近傍に設けられた装置仕切弁７を閉じ、前記開閉弁９の開度を調節し、吸気配管６に三フッ化塩素などからなる特定のクリーニングガスを供給するとともに、前記真空ポンプ４を稼動することにより、前記吸気配管６内を所定圧力に保持してクリーニングするようにして、成膜処理又は結晶成長処理時に吸気配管６内に付着した堆積膜を良好に除去し、装置の修理や分解をする際に、有害、危険な堆積膜による災害を防止するようにした。 （もっと読む）

【課題】プラズマクリーニングにおいて、クリーニングの処理時間を短縮すると共に、プラズマによる真空チャンバ内の部品の劣化を低減する。
【解決手段】プラズマＣＶＤ成膜装置の真空チャンバ内のプラズマによるクリーニングにおいて、高周波電極と対向電極とを平行して対向配置してなる平板電極間の放電で生成したプラズマによってエッチングを行うことでクリーニングを行う。このエッチングによるクリーニングをエッチングレートが異なる二段階のクリーニング工程で行う。二段階のクリーニング工程において、第１段階のクリーニング工程のエッチングレートを第２段階のクリーニング工程のエッチングレートよりも高速とし、真空チャンバ内に堆積する堆積膜が残存する間に第１段階のクリーニング工程から第２段階のクリーニング工程に変更する。 （もっと読む）

【課題】 ＳｉＣ部材の表面近傍に残留している金属元素を、ＳｉＣ部材の破損を抑制しつつ、短時間かつ低コストで除去する。
【解決手段】 炭化珪素からなる部材が内部に露出した反応容器と、反応容器内を加熱する加熱部と、反応容器内に非酸化性ガスを供給するガス供給部と、反応容器内を排気する排気部と、反応容器内に非酸化性ガスを供給しつつ反応容器内を排気すると共に、反応容器内を処理温度に加熱して所定時間保持するように、ガス供給部、排気部、及び加熱部を制御する制御部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】クリーニングによる損傷を防止することができる半導体製造装置のクリーニング方法、半導体製造装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体製造装置のクリーニング方法は、処理チャンバー内に支燃性ガス供給管を介して支燃性ガス並びに前記支燃性ガス及び可燃性ガスと反応しない無反応ガスを供給しつつ、可燃性ガス供給管を介して前記可燃性ガス及び前記無反応ガスを供給する工程を備える。前記工程において、前記支燃性ガス供給管を介して供給する前記支燃性ガス及び前記無反応ガスの第１合計量、並びに前記可燃性ガス供給管を介して供給する前記可燃性ガス及び前記無反応ガスの第２合計量のうち、少なくとも一方を経時的に変化させる。 （もっと読む）

【課題】アルミニウムで形成されたガス供給電極に堆積した成膜物を除去する際に、ガス供給電極が腐食することなく、また、これにより、ガス供給穴の径が変化し、プラズマ形成が不安定になることを防止でき、薬品での洗浄が可能なガス供給電極およびガス供給電極の洗浄方法を提供する。
【解決手段】アルミニウムで形成された中空の筐体と、前記筐体のガス供給面２０ａに形成された複数のガス供給穴２６ａとを有し、少なくとも前記ガス供給面および前記ガス供給穴の表面に耐薬品性の皮膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉソースガスと酸化種を用いて被処理体へのＳｉＯ_２膜成膜処理を繰り返し行う際に、被処理体に付着するパーティクル数を低減すること。
【解決手段】処理容器内でＳｉソースガスと酸化種とを用いて被処理体の表面にＳｉＯ_２膜を形成する成膜処理２０１を複数回繰り返し行い、これら成膜処理２０１の間に、被処理体を処理容器から搬出した状態で処理容器内を排気しつつその中の酸化を行う酸化パージ処理２０２を実施する。 （もっと読む）

【課題】大面積の良質な半導体膜を安定して簡便に作製することが可能な半導体膜の製造方法を得ること。
【解決手段】前記カソード電極上に堆積した半導体膜を前記カソード電極を加熱することにより加熱する工程と、前記加熱された半導体膜中から離脱した脱離水素原子量を前記カソード電極の温度に応じて複数回測定する工程と、前記脱離水素原子量の測定結果を分析して前記半導体膜の膜質を反映させて製膜条件を調整するための指標となる膜質情報を取得する工程と、前記膜質情報に基づいて前記半導体膜の製膜条件を第２の製膜条件に再設定する工程とを含む。 （もっと読む）

光起電産業または半導体産業における製造設備に有機金属化合物を供給する装置上に析出した金属化合物用の洗浄溶剤および洗浄方法を開示する。開示した洗浄溶剤および洗浄方法は、装置を腐食せずに金属化合物を選択的に除去するだけでなく、通常の洗浄プロセスも改善する。さらに、開示した洗浄溶剤および洗浄方法は、供給システムから取り外さずに装置を洗浄することができるため、供給システムの維持費を改善する。
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【課題】シリコン膜を成膜する際に生じるポリシランを含む副生成物を、非成膜時に迅速かつ簡便に処理することが可能な成膜装置を提供すること。
【解決手段】本発明の成膜装置は、ＣＶＤ法を用いて、真空中で基板Ｗにシリコン膜を成膜する成膜室１１と、前記成膜室内にオゾン含有ガスを導入可能な第一オゾン含有ガス供給手段１８０と、を少なくとも備え、シリコン膜の成膜を終了した状態にある前記成膜室内に前記オゾン含有ガスを導入することにより、前記シリコン膜の成膜中に生成したポリシランを含む副生成物を酸化させること、を特徴とする。 （もっと読む）

【課題】気相成長装置の金属汚染レベル回復時間を低コストで大幅に短縮し、純度の高い高品質のシリコンエピタキシャルウェーハを製造できる気相成長装置及びシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】チャンバーと、前記チャンバー内に連通し、該チャンバー内にガスを導入するガス導入管と、前記チャンバー内に連通し、該チャンバー内からガスを排出するガス排出管と、前記チャンバー内に配置され、ウェーハを載置するサセプタとを具備し、前記サセプタに載置されたウェーハに前記ガス導入管から原料ガスを供給しながら気相成長させる気相成長装置であって、該気相成長装置を構成する部材のうち前記チャンバー内に金属の表面が露出された部材の該露出された金属の表面は、原料ガスから生成された副生成物からなる被覆膜で被覆されたものであることを特徴とする気相成長装置。 （もっと読む）

【課題】基板処理室内に石英部材を用い、高温時よりも低温時の方が石英部材のエッチング速度が大きいクリーニングガスを使用する基板処理装置において、クリーニングガスの加熱を安定して行う加熱機構を用いた基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置を次のように構成する。すなわち、基板を収容し処理を行う基板処理室と、基板処理室内に連通するクリーニングガス供給管を経由して、前記基板処理室内にクリーニングガスを供給するクリーニングガス供給系と、クリーニングガス供給管内に連通する不活性ガス供給管を経由してクリーニングガス供給管内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給系と、基板処理室外に設けられ、不活性ガス供給管からクリーニングガス供給管内に供給される不活性ガスを加熱する不活性ガス加熱部とを備え、基板処理室内をクリーニングする際は、クリーニングガスと不活性ガス加熱部により加熱された不活性ガスとを混合して基板処理室内に供給する。 （もっと読む）

【課題】チャンバーエッチに付随する欠点を、付随する利点をなくさないで、且つ、新しい欠点を受け容れないで、緩和する。
【解決手段】エピタキシャル堆積層を有するシリコンから構成される半導体ウェハの製造方法であって、エピタキシー反応器のサセプタ上にダミーウェハを設置すること； 該エピタキシー反応器を通してエッチングガスを導き、エッチングガスの作用によって該エピタキシー反応器内表面上の残留物を除去すること； 該エピタキシー反応器を通して第一の堆積ガスを導き、該エピタキシー反応器内表面上にシリコンを堆積させること； ダミーウェハをシリコンから構成される基板ウェハと交換すること； および該エピタキシー反応器を通して第二の堆積ガスを導き、該基板ウェハ上にエピタキシャル層を堆積させることを含む方法によって解決される。 （もっと読む）

【課題】安全かつ簡単に、効率よく反応生成物を除去することができるＭＯＣＶＤ装置のクリーニング方法を提供する。
【解決手段】ヒ素（Ａｓ）原子又はリン（Ｐ）原子を含む原料ガスを使用してＧａＡｓ、ＧａＩｎＰ、ＡｌＧａＩｎＰ、ＡｌＧａＡｓなどのIII-Ｖ族化合物半導体材料の成膜を行うＭＯＣＶＤ装置の反応炉１２や排気管１５の内面に付着した反応生成物を除去するＭＯＣＶＤ装置のクリーニング方法において、クリーニングガスとしてアミン系ガス又は反応炉内でアミン系ガスに変化するガスと水素ガスとを前記反応炉内に供給して反応生成物を除去する。 （もっと読む）

【課題】反応炉から排出される排ガス中に含まれる各種有害成分の除害処理を確実に行うことができるＭＯＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】III-Ｖ族化合物半導体材料を成膜する反応炉１２と、原料ガス及びキャリアガスを導入するための原料ガス導入管１４と、反応炉から排ガスを導出する排気管１５に設けられて原料ガスの除害処理を行う原料ガス除害装置とを備えたＭＯＣＶＤ装置において、反応炉の内面に付着した反応生成物を除去するためのクリーニングガスとしてアミン系ガス又は反応炉内でアミン系ガスに変化するガスを供給するクリーニングガス供給源２２を設けるとともに、原料ガス除害装置１８の上流側にクリーニングガスの除害処理を行うクリーニングガス除害装置１７を直列に設ける。 （もっと読む）

【課題】プラズマＣＶＤ法において、シャワー板及び不必要な部分でのプラズマ発生を抑制するために設けられる部材であるアースシールドに適用可能であり、かつクリーニング時にサンドブラスト処理を行ってシャワー板及びアースシールドが変形しても、初期の形状に戻して再利用が可能であり、電極用部材の交換コストを低減させることが可能なプラズマＣＶＤ装置及びプラズマＣＶＤ成膜方法を提供することにある。
【解決手段】真空容器２２中に、基板保持電極５０と高周波電極４０とを対向して設け、高周波電極４０の表面側に複数の小孔２を有するシャワー板１を設け、いずれかの電極５０，４０に高周波電圧を印加し、小孔２を通して原料ガスを導入して基板３をプラズマＣＶＤ法で成膜処理するプラズマＣＶＤ装置において、シャワー板１は、形状記憶合金で形成されているとともに、シャワー板１は、成膜による付着物が機械的手段によって除去され、かつ熱処理手段によって初期の形状に戻るものである。 （もっと読む）

【課題】有機シリカ膜を成膜したのちのプラズマ反応室の内壁のクリーニング時間を短縮する。
【解決手段】まずプラズマ反応室内壁をプリコート膜で被覆する（プリコート工程）。次いで基板上に、シリコン炭素組成比（Ｃ／Ｓｉ）が１以上である有機シリカ膜を成長させる（基板処理工程）。次いで、基板を取り出した後、プラズマ反応室内壁に付着した有機シリカ膜とプリコート膜とをプラズマを用いて除去する（クリーニング工程）。プリコート膜としては、基板上に成膜された有機シリカ膜よりも少なくとも炭素含有率が低い有機シリカ膜である高酸素含有プリコート膜を用いる。 （もっと読む）