【課題】残留物よりも下にポリマーコーティングを有する基板処理構成部品の表面から、残留物を除去する。
【解決手段】一変形例においては、構成部品表面を有機溶媒と接触させて、ポリマーコーティングに損傷を与えることなく、またはポリマーコーティングを除去することなく残留物を除去する。残留物はプロセス残留物でも可能であり、または接着剤残留物でも可能である。この洗浄プロセスは、改装プロセスの一部として行うことができる。別の変更形態においては、構成部品表面にわたってレーザを走査させることによって、残留物をアブレーションする。さらに別の変形例においては、ことによって、構成部品の表面にわたってプラズマ切断機を走査させることによって、残留物を蒸発させる。 （もっと読む）

【課題】 クリーニング後に実施するプリコートにおいて、処理室内壁に形成される薄膜の膜厚を薄くさせ、これによりクリーニング周期を長くでき、生産性を向上させる。
【解決手段】 処理室内を所定の成膜温度に加熱させつつ、処理室内にシリコン含有ガス及び窒素含有ガスをそれぞれ供給させて基板上に窒化シリコン膜を形成する成膜処理と、処理室内を所定のクリーニング温度に加熱させつつ、処理室内にクリーニングガスを供給させて処理室内壁に堆積した窒化シリコン膜を除去するクリーニング処理と、加熱部により処理室内を成膜温度よりも低い所定のプリコート温度に加熱させつつ、処理室内にシリコン含有ガス及び窒素含有ガスをそれぞれ供給させて処理室内壁に所定の厚さの窒化シリコン膜を形成するプリコート処理と、を実施する。 （もっと読む）

【課題】装置内部に付着した付着物に対するエッチングレートを高くすることができる薄膜形成装置の洗浄方法等を提供する。
【解決手段】制御部１００は、昇温用ヒータ１６を制御して反応管２内を所定の温度に加熱した状態で、処理ガス導入管１７から反応管２内にフッ素ガスとフッ化水素ガスと塩素ガスとを含むクリーニングガスを供給する。供給されたクリーニングガスは反応管２内で活性化され、薄膜形成装置１の内部に付着した付着物を除去して薄膜形成装置１の内部を洗浄する。 （もっと読む）

【課題】ポリイミドの炭化を防止でき、成膜容器内にパーティクルが残ることなくポリイミドを除去することができるクリーニング方法を提供する。
【解決手段】酸二無水物よりなる第１の原料を気化させた第１の原料ガスと、ジアミンよりなる第２の原料を気化させた第２の原料ガスとを成膜容器６０内に供給することによって、成膜容器６０内に搬入している基板にポリイミド膜を成膜する成膜装置１０におけるクリーニング方法であって、成膜容器６０内を酸素雰囲気にした状態で、成膜容器６０を加熱機構６２により３６０〜５４０℃の温度に加熱することによって、成膜容器６０内に残留しているポリイミドを酸化して除去する。 （もっと読む）

【課題】効率的に薄膜形成装置を洗浄することができる薄膜形成装置の洗浄方法等を提供する。
【解決手段】まず、反応管２にフッ化水素を含むクリーニングガスを供給して、装置内部に付着した付着物を除去する。次に、反応管２に酸素ラジカルを供給して装置内部に付着した珪フッ化物を酸化する酸化工程を実行する。続いて、反応管２にフッ化水素を含むクリーニングガスを供給して酸化された珪フッ化物を除去する酸化物除去工程を実行する。そして、この酸化工程と酸化物除去工程とを複数回繰り返す。これにより、効率的に薄膜形成装置１が洗浄される。 （もっと読む）

【課題】装置内部に付着した付着物に対するエッチングレートを高くするとともに選択比を高め、ガス供給装置への負担を低減させた薄膜形成装置の洗浄方法等を提供する。
【解決手段】制御部１００は、昇温用ヒータ１６を制御して反応管２内を所定の温度に加熱した状態で、処理ガス導入管１７から反応室２内にフッ素ガスとシランガスとを含むクリーニングガスを供給する。供給されたクリーニングガスは反応管２内で活性化され、薄膜形成装置１の内部に付着した付着物を除去して薄膜形成装置１の内部を洗浄する。 （もっと読む）

【課題】表面処理時では被処理物以外の箇所に副生成物が堆積することを抑制し、クリーニング処理時では堆積した副生成物が効率的に除去される表面処理装置を提供する。
【解決手段】筐体部１０内に設けられる円筒状の試料保持台１２上の基板１８に対して表面処理に利用される原料流体が供給される際には、試料保持台１２の側方周囲に設けられる隔壁１４は、試料保持台１２の側面を覆う位置に移動し、基板１８に対して筐体部１０内のクリーニング処理に利用されるクリーニング流体が供給される際には、隔壁１４は、試料保持台１２の側面が露出する位置に移動する表面処理装置を用いる。 （もっと読む）

【課題】稼働率を向上させる基板の製造方法、半導体装置の製造方法、基板処理方法、クリーニング方法及び処理装置を提供する。
【解決手段】基板の製造方法は、反応管に設けられたガス導入ノズルにより、前記反応管内に酸化性ガスを導入して支持具により支持した基板に酸化膜を形成する工程と、酸化膜形成後の基板を前記反応管内から搬出して、前記反応管内をクリーニングする工程とを有し、前記反応管内をクリーニングする工程は、前記反応管内を所定の温度に維持した状態で、前記反応管内にフッ化水素ガス、フッ化水素ガスと水素ガス、または、フッ化水素ガスと水蒸気を少なくとも含むガスを供給することにより、前記反応管、前記支持具及び前記ガス導入ノズルのうちの少なくとも何れかの部材に形成された酸化膜を除去する工程と、前記所定の温度を維持した状態で前記反応管内に不活性ガスを供給する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】堆積プロセスの効率が低下しない、真空コーティング装置の動作方法を提供する。
【解決手段】フェーズＩでは、コーティングチャンバ１１がフッ素を含むガスによって洗浄された後、残留物１３がチャンバ壁に付着している。フェーズＩＩでは、ＰＥＣＶＤ法を用いて基板なしで堆積ステップが行われ、コーティングチャンバ１１の内壁全体に拡散防止層１５が形成される。拡散防止層１５は、フェーズＩで残った残留物１３の全てを覆い、当該の残留物１３がチャンバ内へ拡散することを阻止する。フェーズＩＩＩでは、拡散防止層１５によって完全に覆われたコーティングチャンバ１１に、ソーラーセルを製造するための基板１７が配置され、従来のコーティングステップが開始される。Ｓｉを含む層を１回または複数回析出した後、再び、フッ素を含むガスによる洗浄ステップが行われ、その際に拡散防止層１５が除去され、初期の状態（フェーズＩ）が達成される。 （もっと読む）

【課題】クリーニングガスを用いて縦型反応炉内をクリーニングする際あるいは成膜中に粉末状の粒子が発生することを防止する半導体製造装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、モータ６の回転軸に固定される下部接続部５と、下部接続部５上に固定される上部接続部４と、上部接続部４上に固定されて被処理基板１０を支持するボート２とを有する上下移動可能な回転構造と、回転構造を収容する反応室を形成する反応管１と、を備え、上部接続部４を下部接続部５の熱膨張率とボート２の熱膨張率との中間の熱膨張率を有する材料で構成する半導体製造装置である。上部接続部４は、反応室で使用するクリーニングガスおよび反応ガスに対し耐腐食性を有するコーティング膜によってコーティングされている。 （もっと読む）

【課題】窓部の損傷を低減させることができるプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置は処理容器２と、前記処理容器の内部を減圧する減圧部９と、被処理物を載置する載置部４と、内部にガスを供給するガス供給部１８と、電磁波を透過させる窓部３と、前記窓部の外方に配置され、電磁場を発生させる複数の導体部２１と複数の容量部とを有した負荷部２０と、前記負荷部２０に電力を印加する電源６ｂと、を備えている。前記導体部２１と前記容量部とは電気的に交互に接続され、被処理物のプラズマ処理を行う場合には、前記容量部同士の間に設けられた前記導体部２１において電位差の虚数成分が０（ゼロ）となる位置が生じるようにされ、前記負荷部２０の第１の端子と、第２の端子と、の間における電位差の虚数成分の値が電位差の実数成分の値以下とされている。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、Ｍｇ_ｘＺｎ_１−ｘＯ（０≦ｘ≦１）を成膜する装置において、該成膜装置の成膜チャンバーの内壁やウェハステージ、排気配管の内壁等に付着した不要な堆積物を低温にて、かつ装置を解放することなく除去するドライクリーニング方法を提供することである。
【解決手段】組成式Ｍｇ_ｘＺｎ_１−ｘＯ（０≦ｘ≦１）で表される組成物を成膜する装置の成膜チャンバー内あるいは排気配管内に堆積する組成式Ｍｇ_ａＺｎ_ｂＯＨ_ｃ（０≦ａ≦１、０≦ｂ≦１、０≦ｃ≦１、且つ、０．５≦ａ＋ｂ≦１）で表される組成物を、クリーニングガスを用いて除去するドライクリーニング方法において、β―ジケトンを含むクリーニングガスを用い、１００℃以上４００℃以下の温度で堆積する該組成物と該クリーニングガスを反応させることにより、該組成物を除去することを特徴とする、ドライクリーニング方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、炭化珪素に含まれる炭素成分及び珪素成分を精度よく除去可能な炭化珪素除去装置、及び炭化珪素の除去方法を提供することを課題とする。
【解決手段】炭化珪素が付着した炭化珪素形成装置の部材を収容する処理チャンバー内に、プラズマ化させたフッ素含有ガスを供給することで、炭化珪素に含まれる珪素成分を除去する第１のステップと、処理チャンバー内に、プラズマ化させた酸素含有ガスを供給することで、炭化珪素に含まれる炭素成分を除去する第２のステップと、を含み、第１のステップと、第２のステップと、を交互に行なう。 （もっと読む）

【課題】基板支持体のために耐久性があり、かつ、寸法的に正確な支持体アームを提供する。
【解決手段】基板支持組立体１００であって、基板のためのポケット１２４を画し、複数のアパーチャ１２２を画すプラットフォーム１２０と、複数の上方延伸アーム１１４を有し、前記アーム１１４のそれぞれは、前記アパーチャ１２２の対応する一つに位置合わせされ、貫通して可動である基板キャリア１１０と、複数のスリーブ１３０が、対応する前記アーム１１４の各々に固定され、前記アーム１１４の各々が、中央に位置するハブ１０４に接続され、前記スリーブ１３０の各々が、前記ハブ１０４に向いている第１の側と、前記ハブ１０４から離れるように向いている第２の側と、前記第１の側に隣接する棚と前記第２の側に隣接する上方延伸部分を有する頂部端とを有し、前記棚は、前記第１の側に向かって傾斜している。 （もっと読む）

【課題】ガスノズルのガス供給口を閉塞させること無く、歩留まりを良くする。
【解決手段】複数積層されたウェーハ１４を処理（熱処理）する反応管４２（マニホールド３６）と、反応管４２内を加熱する加熱体４８と、反応管４２内に設けられ、各ウェーハ１４の積層方向に延びる第１ガス供給ノズル６０と、第１ガス供給ノズル６０の基端部６０ａから先端部６０ｂに向けて複数並んで設けられ、各ウェーハ１４に向けてＳｉ原子含有ガス（成膜ガス）およびＣｌ原子含有ガス（エッチングガス）を供給する第１ガス供給口６８と、第１ガス供給ノズル６０の先端部６０ｂに設けられ、ガス供給方向に向けて延びる整流板６１とを備えている。これにより、最上段の第１ガス供給口６８の周辺におけるエッチングガスの濃度低下を抑えることができ、第１ガス供給口６８を閉塞させることが無いので、歩留まりを良くすることができる。 （もっと読む）

【課題】ウェットエッチングによるクリーニングの頻度を低減させることができる原子層堆積装置を提供する。
【解決手段】基板上に薄膜を形成する原子層堆積装置であって、内部が真空に維持される成膜容器と、成膜容器の内部に配置される加熱部と、成膜容器の開口に取り付け可能な筒状のインジェクタと、インジェクタを介して成膜容器の内部に薄膜の原料である原料ガスを供給する原料ガス供給部と、インジェクタを介して成膜容器の内部に原料ガスと反応して薄膜を形成する反応ガスを供給する反応ガス供給部と、不活性ガスを供給する不活性ガス供給部と、を備え、インジェクタは、原料ガスが流れる原料ガス供給口と、反応ガスが流れる反応ガス供給口と、不活性ガスが流れる不活性ガス供給口と、を備え、不活性ガス供給口は、インジェクタと成膜容器との隙間に不活性ガスが流れるように、インジェクタの外表面に設けられていることを特徴とする原子層堆積装置。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ装置内の堆積物のリモートプラズマクリーニング法に用いられるクリーニングガスにおいて、地球温暖化係数が低く、かつ、高いエッチング速度が得られるクリーニングガス、及びそれを用いるリモートプラズマクリーニング方法を提供する。
【解決手段】ＣＶＤ装置の反応チャンバー１内に堆積した、Ｓｉ含有物、Ｇｅ含有物、又は金属含有物を、リモートプラズマクリーニング法により除去するクリーニングガスにおいて、該ガスはＣＦｘＯｙ［但し、ｘは２又は４であり、ｘ＝２のときｙ＝１〜３の整数、ｘ＝４のときｙ＝１〜４の整数を表す。］とＮ_２が含有されている混合ガスである。 （もっと読む）

【課題】高温条件下で行われるＳｉＣエピタキシャル膜成長において複数枚の基板を均一に成膜することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】複数枚の基板を鉛直方向に夫々が間隔を成すように積層して保持する基板保持体と、前記基板保持体を収容し、該基板保持体に保持された複数枚の基板を処理する処理室と、前記処理室内へ処理ガスを供給する複数のガス供給穴が設けられ、鉛直方向に延在するガス供給ノズルとを備えた基板処理装置において、前記ガス供給ノズルは、複数のノズルユニットで構成され、複数のノズルユニットの夫々は、その表面が保護膜でコーティングされるよう構成する。 （もっと読む）

【課題】 半導体層に意図しない種類のドーパント原子又は意図しない濃度のドーパント原子が半導体層に含まれることを抑制する技術を提供する。
【解決手段】 ドーパント原子を含む第１原料ガスを用いて、成長室３０内に設置された下地基板１６に第１半導体層１８を結晶成長させる第１半導体層成長工程と、成長室３０の内壁３２に付着したドーパント原子を除去するドーパント除去工程と、第２原料ガスを用いて、成長室３０内に設置された下地基板１６に第２半導体層２０を結晶成長させる第２半導体層成長工程を備えている。ドーパント除去工程は、第１半導体層成長工程と第２半導体層成長工程の間に実施される。 （もっと読む）

【課題】メンテナンス作業による装置の稼働停止時間を短縮することにより、装置の稼働率を向上する。
【解決手段】真空チャンバ１には、高周波電源に電気的に接続可能な複数のコネクタと、これらコネクタに接続可能な複数本の電極棒を有するアレイアンテナユニット３０と、が設けられている。この真空チャンバ１には、真空状態を維持したまま接続可能なアンテナ搬送チャンバ２００がゲートバルブ２０１を介して接続可能となっている。アレイアンテナユニット３０は、アンテナ搬送体７０Ａに保持されて真空チャンバ１からアンテナ搬送チャンバ２００に搬出され、また、新たなアレイアンテナユニット３０を保持したアンテナ搬送体７０Ｂが、アンテナ搬送チャンバ２００から真空チャンバ１内に搬入される。 （もっと読む）