【課題】 本発明の目的は、クリーニング時間を短縮し、生産性を向上させることのできる半導体装置の製造方法および基板処理装置を提供することにある。
【解決手段】 処理容器内の下部から上部まで立ち上がった第１ノズル部、第２ノズル部を介して、それ単独で膜を堆積させることのできる第１ガス、それ単独で膜を堆積させることのできない第２ガスをそれぞれ処理容器内に供給してその下方に向けて流し、処理容器の下部に設けられた排気口より排気して、基板上に薄膜を形成する処理を繰り返した後、処理容器内の下部から天井壁付近まで立ち上がりその天井壁に向けてガスを吹き付けるように設けられた第３ノズル部および第１ノズル部を介して、クリーニングガスを処理容器内に供給してその下方に向けて流し、排気口より排気して処理容器内および第１ノズル部内に付着した堆積物を除去するようにした。 （もっと読む）

堆積処理中に、材料が基板上だけでなく他のチャンバ構成要素の上にも堆積することがある。ＭＯＣＶＤチャンバでは、これらの構成要素の１つはガス分配シャワーヘッドである。シャワーヘッドは、不活性ガスおよび塩素を含むプラズマで発生させたラジカルでシャワーヘッドをボンバードすることによって洗浄することができる。プラズマを発生させるために、シャワーヘッドを基板支持体に対して負にバイアスするか、またはフローティングさせることができる。シャワーヘッドはステンレス鋼を含み、セラミックコーティングでコーティングすることができる。
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【課題】液体流量制御装置の初期調整の際に不具合が発覚した場合の作業を軽減すると共に、液体原料が残留したことによる汚染を防止できる基板処理装置及び半導体装置の製造方法及び液体流量制御装置の動作確認方法を提供する。
【解決手段】基板を収容する処理室と、該処理室に常温常圧で液体である液体原料を供給する液体原料供給系５９と、前記処理室に液体原料よりも蒸気圧が高い溶媒を供給する溶媒供給系６１と、前記液体原料及び前記溶媒の流量を制御する液体流量制御装置３５と、前記液体原料供給系、前記溶媒供給系及び前記液体流量制御装置を制御する制御部５７とを具備し、該制御部は前記液体原料供給系が前記液体流量制御装置を介して前記処理室に液体原料を供給する前に、前記溶媒供給系より溶媒を前記液体流量制御装置に供給することで該液体流量制御装置の動作確認を行う様前記液体原料供給系、前記溶媒供給系及び前記液体流量制御装置を制御する。 （もっと読む）

【課題】真空処理装置の真空処理室内部のメンテナンス性を改善する。
【解決手段】真空処理装置１は、被処理物１０７を収容して真空処理を施す第１の処理室１０１と、真空処理される前の被処理物と、真空処理された後の被処理物と、を収容する真空排気可能な第２の処理室１０２と、第１の処理室と第２の処理室との間に、第１の処理室と着脱可能に介装されるゲート部１０３と、ゲート部１０３を通じて、真空処理される前の被処理物を搬入部１０８から真空処理部１０４へと搬入し、真空処理された後の被処理物を真空処理部１０４から搬出部１１９へと搬送する搬出する搬送装置２０２と、第１の処理室と第２の処理室とを離間させる移動機構２００とを備える。 （もっと読む）

【課題】シリコン系薄膜の成膜を行なうための成膜室が大気開放される際に生じるＨＦガスの量を抑制することができる、成膜装置のクリーニング方法およびシリコン系薄膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜室５０内においてフッ素系ガスを用いてプラズマが発生させられる。フッ素系ガスを用いてプラズマが発生させられた後に、成膜室５０内においてシリコン系材料が堆積させられる。シリコン系材料が堆積させられた後に、成膜室が大気開放される。 （もっと読む）

【課題】チャンバ内壁や絶縁体等のチャンバ内部材への堆積物の付着を有効に防止することができるプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】チャンバ１０に互いに対向して配置される上部電極３４およびウエハ支持用の下部電極１６を有し、上部電極３４に相対的に周波数の高い第１の高周波電力を印加する第１の高周波電源４８を接続し、下部電極１６に相対的に周波数の低い第２の高周波電力を印加する第２の高周波電源９０を接続し、上部電極３４に可変直流電源５０を接続し、チャンバ１０内に処理ガスを供給してプラズマ化し、プラズマエッチングを行う。 （もっと読む）

【課題】最適なメンテナンス時期を通知する膜厚検知器を提供する。
【解決手段】減圧雰囲気において被処理体の上に薄膜を形成しまたは前記被処理体をエッチングする真空処理装置内に設けられる膜厚検知器であり、第１の導電性端子と、前記第１の導電性端子に隣接する第２の導電性端子と、を備え、前記被処理体以外の部分に堆積する被膜の厚みを、前記第１の導電性端子と前記第２の導電性端子との間に堆積する被膜の厚みに応じた前記第１及び前記第２の導電性端子の間の電気特性の変化として検知可能としたことを特徴とする膜厚検知器が提供される。 （もっと読む）

【課題】トラップを起因とするパーティクルの逆拡散を防止する。
【解決手段】処理室２０１内を排気する排気装置２４０のガス排気管２３１に設けられた真空ポンプ２４６とトラップ２５０間に第一バルブ２５１を設け、トラップ２５０の二次側に第二バルブ２５２を設け、第一バルブ２５１の一次側とガス排気管２３１を接続するバイパス管２４２に第三バルブ２５３と第四バルブ２５４を設ける。成膜時には第一バルブ２５１と第二バルブ２５２を開き、第三バルブ２５３と第四バルブ２５４を閉じ、真空ポンプ２４６によって処理室２０１から排気されたガスの反応副生成物をトラップ２５０によってトラップする。クリーニング時には第一バルブ２５１と第二バルブ２５２を閉じ、第三バルブ２５３と第四バルブ２５４を開き、真空ポンプ２４６によって処理室２０１から排気されたクリーニングガスをトラップ２５０を迂回して流す。 （もっと読む）

【課題】洗浄後の反応炉部品上の残留反応生成物（不可視膜）の有無を、簡単な方法で検知できる反応生成物の検知方法を提供する。
【解決手段】基板上に薄膜を気相成長させた後の反応炉部品１１上に付着した反応生成物を洗浄した後、反応炉部品１１に特定の波長の光、例えば、ブラックライト１６を照射して反応炉部品１１上に残留する反応生成物の発光状態を検出することにより、反応炉部品１１上の反応生成物の残留状態を検知する。 （もっと読む）

【課題】コストの増大を招くことなく、反応性ガスとの反応に起因するヒーターの断線を防止した、ヒーターを内蔵してなる支持台を提供する。
【解決手段】反応性ガスが供給されるチャンバー内にて、被処理体を支持するための支持台１７である。一対のプレート１８ａ、１８ｂと、これらの間に設けられたヒーター１９を備える。プレート１８ａ、１８ｂの一方には、その表裏面を貫通する気抜き孔２１と、気抜き孔２１に連通する導入溝２２と、導入溝２２に連通する気抜き溝２３と、導入溝２２と気抜き溝２３との一方に連通し、かつ気抜き溝２３より幅が狭い埋設溝２４とが形成されている。ヒーター１９は、導入溝２２、気抜き溝２３、及び埋設溝２４内に埋設されるとともに、気抜き孔２１を介して電気配線２０に接続されてなり、かつ、導入溝２２内に埋設された部分の少なくとも気抜き孔２１側が、非発熱部１９ｂになっている。 （もっと読む）

【課題】高いアスペクト比で、狭い幅の溝に絶縁膜を埋め込むことの可能な、スループットの高い基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板を処理室内へ搬入する工程と、炭素及び水素を含むシリコン化合物ガスを処理室内へ供給する工程と、処理室内へ供給されたシリコン化合物ガスに紫外光を照射して基板を処理する工程と、処理された基板を処理室から搬出する工程と、処理室内を励起された酸素含有ガスで処理する工程とを備える基板処理方法により、基板を処理する。これにより、シリコン化合物ガスに紫外光を照射して基板を処理する際に処理室内壁等に付着した付着物を、励起された酸素含有ガスで処理することにより改質することができる。 （もっと読む）

本発明は、プラズマプロセスチャンバの内部領域に配置される少なくとも１つの部材をクリーニングガスによりクリーニングする方法であって、クリーニングガスがフッ素ガスを含み、プロセスチャンバが少なくとも１つの電極及び対応電極を、プラズマ処理、特に１ｍ^２より大の表面を有するフラットな基板のＣＶＤ処理又はＰＥＣＶＤ処理のためにプラズマを発生させるために有している、プラズマプロセスチャンバの内部領域に配置される少なくとも１つの部材をクリーニングガスによりクリーニングする方法において、内部領域にガス状のフッ素化合物を５ｍｂａｒより大の分圧で作用させることを特徴とする。プロセスチャンバの内部領域に配置される少なくとも１つの部材をクリーニングガスによりクリーニングする別の方法であって、クリーニングガスがフッ素ガスを含み、プロセスチャンバが少なくとも１つの電極及び対応電極を、特に１ｍ^２より大の表面を有するフラットな基板のＣＶＤ処理又はＰＥＣＶＤ処理のためにプラズマを発生させるために有している、プロセスチャンバの内部領域に配置される少なくとも１つの部材をクリーニングガスによりクリーニングする方法において、温度調整手段により、フッ素ガスを熱活性化し、クリーニングしたい部材が＜３５０℃の温度を有するようにした。
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【課題】金属を含む部材からの汚染が防止され、且つ、メンテナンス時における副生成物の除去が容易なシリコンウェーハの処理装置を提供する。
【解決手段】チャンバー２０と、チャンバー２０に取り付けられ金属を含む材料からなる複数の部材とを備える。前記複数の部材のうち、副生成物の付着が相対的に多い排気配管４１及びイグゾーストキャップ４２にはＤＬＣコーティングが施され、副生成物の付着が相対的に少ない他の部材には石英コーティングが施されている。本発明によれば、副生成物の付着のしやすさに応じてコーティング材料を選択していることから、金属汚染を防止しつつ、メンテナンス時において副生成物を容易に除去することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル成長処理において、裏面デポジションの成長を抑えることにより、得られるエピタキシャルウェーハの平坦度を向上させるエピタキシャル成長方法を提供する。
【解決手段】エピタキシャル成長炉２内に付着したシリコン堆積物を塩化水素含有ガスによりエッチング除去するクリーニング処理工程と、クリーニング処理工程に引き続き、エピタキシャル成長炉内にシリコンソースガスを供給してサセプタ表面にグレーンサイズが０．７μｍ〜０．３μｍのポリシリコン膜を形成するポリシリコン成膜工程とを有することを特徴とするエピタキシャル成長方法である。 （もっと読む）

【課題】半導体光素子基板の各層に対応する膜の成長速度条件出しに関し、成長速度条件出し項数を削減する方法を提供する。
【解決手段】半導体光素子基板の製造方法において、各材料の組成が異なる多層膜をひとつのチャンバにおいて連続的かつ段階的に結晶成長する前に、各層間の成長速度の関係を表す層間成長速度モデルを定義し、少なくとも１層以上の層に対応する膜の成長速度を、個別の基板を用いて実際に結晶成長して求め、求めた成長速度より、他の層に対応する膜の成長速度を層間成長速度モデルにより推定し、実際に求めた成長速度と推定した成長速度より、半導体光素子基板の各層の膜厚に応じて成膜時間を決定する、各ステップをＭＯＣＶＤ装置に接続されたコンピュータシステムを用いて実行する工程を経て、半導体光素子基板の結晶成長を実施する。 （もっと読む）

【課題】ＰＦＣ系ガス使用処理装置に近い上流側でＰＦＣ系ガスを阻止処理できる排気ガス処理システムを提供する。
【解決手段】排気ガス処理システムは、ＰＦＣ系ガス使用処理装置から排気ライン１５及び外部処理装置１４を介して排気ガスを処理し清浄化して排気する排気ガス処理システムであって、前記排気ライン１５から分かれたガス処理ライン１６を介して供給される排気ガスを吸気して該排気ガスからＰＦＣ系ガスを除去処理するガス処理装置１２と、処理した排気ガスをガス処理装置１２から外部処理装置１４へ排出する中間ライン１８と、を備える。 （もっと読む）

チャンバ表面に残った残留フッ素をプラズマデバイスの使用も昇温もなしに除去する方法が開示される。開示する方法は、堆積プロセスの次の工程がより迅速に行われることを可能にしうる。 （もっと読む）

【課題】蓋付気相成長装置においてチャンバーの開閉に伴うチャンバー蓋の上下動に影響されることがない、被成膜物載置台上の塵埃除去を実現する。
【解決手段】本発明の気相成長装置は、チャンバー本体４とチャンバー蓋６とから構成されたチャンバー１と、チャンバー１内に配置された基板トレイ載置台９と、チャンバー１の中心軸Ｏを回転軸として、基板トレイ載置台９を回転させる回転機構１１と、基板トレイ載置台９上の塵埃を除去する掃除手段２とを備えている。掃除手段２は、基板トレイ載置台９へ延びたアーム２２と、アーム２２の一方の端部に設けられた吸引ノズル２１と、中心軸Ｏと平行な第１の方向に延びた第１の回転軸シャフト部２５をチャンバー１外部に有し、第１の回転軸シャフト部２５を回転軸としてアーム２２を回転させることにより、吸引ノズル２１を上記チャンバーの外部から内部へ、及び外部から内部へ移動させる移動機構２３とを備えている。 （もっと読む）

【課題】膜質の向上や膜質の均一化を可能とし、さらに、基板の大面積化にも対応可能なプラズマ製膜方法を提供する。
【解決手段】プラズマ発生源１０Ａは、水素ガス流路３０が形成された中空箱形の正電極３１と、内部空間にプラズマ生成領域を形成するとともに正電極３１を収納設置して基板３と対向配置された中空箱形の負電極３２と、負電極３２の外部に形成されて原料ガスを基板３上に供給するガス出口３３ａを備えている原料ガス流路３３と、正電極３１の面に設けた水素ガスのガス出口３１ａと、負電極３２の面に設けた水素ラジカルの出口開口３２ａとを具備し、正電極３１内に導入した水素ガスに高周波電界を印加して水素ガスがプラズマ状態に励起された水素ラジカルを生成し、原料ガスと出口開口３２ａから供給される水素ラジカルとを負電極３２外のプラズマのない空間で反応させて基板３上に製膜する。 （もっと読む）

【課題】クリーニングを原因とする腐食を防止することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】処理室内に複数の原料を供給して基板の表面に膜を形成する膜形成工程と、前記処理室内にフッ素を含むクリーニングガスを供給して前記処理室内をクリーニングするクリーニング工程と、を有し、前記クリーニング工程は、前記処理室内を第１の温度で所定時間加熱する第１の加熱工程と、前記第１の温度から第２の温度まで昇温する昇温工程と、前記処理室内を前記第２の温度で所定時間加熱する第２の加熱工程と、を含み、前記第１の温度及び前記第２の温度は５００℃から７００℃のそれぞれ所定温度である。 （もっと読む）