【課題】クリーニングガス導入によりプラズマの処理チャンバ内の堆積物との反応性を高めて、また処理チャンバ内からガス排気を速めてクリーニングガスの消費量を削減する。
【解決手段】成膜処理終了後に、処理チャンバ１とは別のリモートプラズマユニット６にてクリーニングガスからプラズマを生成して、処理チャンバ１に導入する。クリーニングガスのプラズマ（Ｆ＊：フッ素ラジカル）と処理チャンバ１内の堆積物（被クリーニング物）とが反応して除去処理が進行する。このプラズマ導入と同時に、別のガス導入口よりキャリアガス（Ｈｅ）を処理チャンバ１内に導入する。このキャリアガスを導入し流すことで、処理チャンバ１内の堆積物とプラズマの反応性を高めるとともに、処理チャンバ１内でガスの滞在時間が短くなりガス排出を速くし、プラズマとの反応生成物の排気を速くする。引き続き処理チャンバ１を利用でき、クリーニングガスの消費量を削減できる。 （もっと読む）

【課題】効率的なクリーニングの可能な処理装置およびそのクリーニング方法を提供する。
【解決手段】チャンバ１１と、被処理体を載置するサセプタ１７と、チャンバ１１と排気手段を接続する排気ラインＬ３と、所定のプロセスガスをチャンバ１１内に供給するプロセスガスラインＬ１と、プロセスガスラインＬ１に接続されてプロセスガスラインＬ１から導入されるプロセスガスを拡散させる拡散路２９ａと、拡散路２９ａに接続されて拡散路２９ａにより拡散されたプロセスガスをチャンバ１１内に供給する複数のガス孔２８ａと、を有するシャワーヘッドと、チャンバ１１の内部をクリーニングするためのクリーニングガスをチャンバ１１内に供給するクリーニングガスラインＬ２と、チャンバ１１内からクリーニングガスを排気するために、一端が拡散路２９ａに接続され、他端が排気ラインＬ３に接続されたクリーニングガス排気ラインＬ４と、を有する。 （もっと読む）

【課題】化学剤及び反応性気体の混合を最小にする原子層堆積装置及び方法を提供する。
【解決手段】分配前方ライン２６を設置し且つ監視することにより、所望のとき及び所望の箇所にてのみ第一の前駆体及び第二の前駆体がその他の化学剤及び反応性気体と混合される。また、独立的で且つ、専用のチャンバ出口１７、２９、隔離弁２４、３４、排出前方ライン２２、３２及び排出ポンプ２０、３０が提供され、これらは、必要なとき、特定の気体に対して作動される。 （もっと読む）

基板を処理するための反応チャンバにおいて準安定化学種の形成と使用のための方法及び装置が開示される。基板の処理中にインサイチュ堆積プロセスで基板の表面をエッチングするために準安定化学種を用いることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体処理システムにガスを分配する方法及び装置を提供する。
【解決手段】一実施形態において、ガスを半導体処理システムに分配する装置は、入口及び出口ポートを有する複数のガス入力及び出力ラインを含む。接続ラインは、各対のガス入力及びガス出力ラインを結合している。接続バルブが配置されて、各接続ラインを通してフローを制御する。マスガスフローコントローラが配置されて、各入口ポートへのフローを制御する。他の実施形態において、方法は、複数の出口の少なくとも１つに選択的に結合された少なくとも複数の入口を有するマニホルドを提供し、処理又は較正回路の前に、処理チャンバをバイパスする真空環境に、マニホルドを通して、１種類以上のガスを流し、基板処理中に、処理チャンバへ１種類以上のガスを流すことを含む。 （もっと読む）

【課題】加熱されるウェハ面内の温度分布の均一性を向上させ、結晶膜を均一に生成させることができる気相成長装置及び気相成長方法を提供する。
【解決手段】チャンバ１０１と、チャンバ１０１内に収容されるウェハ１０２が載置されるサセプタ１０３を有するホルダ１０４と、ホルダ１０４内に設けられ、ウェハ１０２を裏面から加熱するインヒータ１０５及びアウトヒータ１０６と、インヒータ１０５に対向して設けられた冷却ガスを噴射する送気管１０７と、チャンバ１０１外に設けられた、ウェハ１０２の表面温度を計測する温度計測部１０８とが備えられることを特徴とする。これにより、ウェハ１０２上に生じる、温度分布の誤差部分である温度の特異点の位置を把握することができる。そして、温度の特異点を局所的に冷却することでウェハ１０２面内の温度分布の均一性を向上させることができる。
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【課題】成膜ガスと酸化性ガスを交互に複数回供給して、基板上に例えば高誘電体材料などの酸化膜例えばＺｒＯ2膜などを成膜するにあたり、処理ガスの浪費を抑えると共に、成膜時間を短縮すること。
【解決手段】基板の上方に中央領域と周縁領域とに区画されたガスシャワーヘッドを設けて、この中央領域から成膜ガスと酸化性ガスとを交互に供給することにより、ガスシャワーヘッド内の処理ガスの滞留空間を小さくすると共に、成膜ガスと酸化性ガスとを切り替えるときに、中央領域と周縁領域とからパージガスを供給して速やかに処理雰囲気を置換する。 （もっと読む）

【課題】天板の機能を有するシャワーヘッドに形成したガス導入路に異常放電が発生することを防止することが可能なプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】減圧可能になされた処理容器３２内へ少なくともプラズマ励起用ガスを含むガスを導入するガス導入路８４と、ガス導入路に連通されて処理容器内へガスを放出する複数のガス放出口８６を有するシャワーヘッド６０とを備え、シャワーヘッドを介して処理容器内へ電磁波を導入して被処理体Ｗに対してプラズマ処理を施すようにしたプラズマ処理方法において、ガス導入路８４内のガスの圧力を、４０００Ｐａ（３０Ｔｏｒｒ）以上となるように設定する。これにより、天板の機能を有するシャワーヘッドに形成したガス導入路８４に異常放電が発生することを防止する。 （もっと読む）

【課題】均一なガス配分の配管システムを具備するＰＥＣＶＤコーティング装置を提供する。
【解決手段】配管１は、夫々、少なくとも１つの供給口２と、複数の排気口４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄ，４ｅ，４ｆの間に配置される。配管１の形状は、配管の流れ抵抗が実質的に同等に大きいようになっている。配管１は少なくとも１つの分岐点２ａ，２ｂを有し、分岐点で第１の配管区画３ａ，３ｂが少なくとも３つの第２の配管区画３ａ，３ａｂ，３ａｃ，３ｂａ，３ｂｂ，３ｂｃへと連通し開口している。第１及び第２の配管区画は異なった階層に配置され、ツリー構造様に分岐する。前記配管区画は陥凹及び／又は凹部としてプレートに、特に、フライス削りによって削り込まれている。階層間の連通のためプレートに穿孔される。排気口は正則なラスタとして表面全体に配置され、その配置は、排気口が同表面の隣接する夫々の正方形の中心に位置するような形である。 （もっと読む）

【課題】
反応管内に処理ガスを導入するガスノズルの反応管貫通部での強度を増大し、外力によるガスノズルの破損、更にガスノズルの破損に起因する反応管の破損の防止しようとする。
【解決手段】
基板を収納し、処理する反応管４と、該反応管の周囲に設けられる加熱手段と、前記反応管内に処理ガスを供給するガスノズル１４と、前記反応管内の雰囲気を排気する排気手段とを具備し、前記ガスノズルの少なくとも前記反応管を貫通する部分を厚肉とした。
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【課題】 高速スイッチングバルブを用いずにかつ高い生産性で、ＡＬＤ法を利用することができる成膜装置および成膜方法を提供すること。
【解決手段】チャンバー１１内に、複数の基板Ｗを支持する基板支持部材１２と、ＴｉＣｌ_４を吐出する第１の処理ガス吐出ノズル２０と、ＮＨ_３を吐出する第２の処理ガス吐出ノズル２１と、ＴｉＣｌ_４とＮＨ_３とを分離するパージガス吐出ノズル２２とを設け、パージガス吐出ノズル２２の吐出口と基板Ｗ表面との距離が、第１の処理ガス吐出ノズル２０および第２の処理ガス吐出ノズル２１の吐出口と基板Ｗ表面との距離よりも大きくなるようにパージガス吐出部２２を配置し、基板Ｗに対し、ＴｉＣｌ_４、ＮＨ_３、パージガスを走査させることにより、基板ＷにＴｉＣｌ_４とＮＨ_３とを交互に吸着させる。 （もっと読む）

【課題】ウェハ製造施設において複数の施設管を設置し、次にウェハ処理ツールへ連結するための、施設の集積に用いられる平坦なプレート型テンプレートを提供する。
【解決手段】施設統合に適応された平坦なプレート型のテンプレート１００は、所定のパターンの位置で配列された複数の開口１０２を画定しており、各テンプレート開口１０２は、所定の位置において各テンプレート開口１０２を通る施設管を位置決めすることで、位置決めされた施設管をウェハ処理ツールへ後に連結するのを容易にしている。 （もっと読む）

【課題】微小なパーティクルを検出することができるパーティクルモニタシステムを提供する。
【解決手段】チャンバ１１及びＤＰ１７を連通するバイパスライン１６には、レーザ光を照射するレーザ光発振器２１と、該レーザ光発振器２１から照射されてバイパスライン１６内の空間を通過するレーザ光Ｌの光路上に位置するレーザパワー測定器２２とが配され、さらに、バイパスライン１６の内壁面には、バイパスライン１６内の空間に少なくとも２以上のレーザ光Ｌの光路が位置するようにレーザ光Ｌを反射する複数のレーザ反射ミラー２３が配される。 （もっと読む）

【課題】複数枚の基板を同時に処理する場合において、基板の枚数や表面構造にあわせて酸素含有ガス及び水素含有ガスの導入流量を都度変更することなく、ローディング効果の発生を抑制する。
【解決手段】基板を処理室内に搬入する工程と、処理室内に酸素含有ガスと水素含有ガスとを供給して基板を酸化処理する工程と、酸化処理後の基板を処理室内より搬出する工程と、を有し、基板を酸化処理する工程では、処理室内を真空排気して処理室内の圧力を大気圧より低くした後処理室内を閉封する工程と、閉封した処理室内に一定量の酸素含有ガスと一定量の水素含有ガスとを供給した後処理室内を再度閉封する工程と、その状態を保持して基板を酸化する工程と、を１サイクルとして、このサイクルを複数回繰り返す。 （もっと読む）

【課題】 基板処理の効率を改善する。
【解決手段】 基板処理装置は、内部で基板を処理する反応管と、前記反応管の外周を囲うように設けられる加熱装置とを有し、前記反応管の内部で基板を処理する領域における側面に少なくともガス導入管が設けられ、前記加熱装置は、前記反応管を囲う断熱体と、前記断熱体に前記加熱装置の下端から前記ガス導入管を避けるように溝形状に形成される導入口と、前記断熱体と前記反応管との間に設けられる発熱体とを備えている。 （もっと読む）

【課題】パーツの消耗を防ぎ、かつ材料ガスの消費効率に優れる気相成長装置および気相成長方法、を提供する。
【解決手段】気相成長装置は、基板２０が配置される反応室群１８Ｘおよび反応室群１８Ｙと、ガス供給部材３０と、ガス流れ規制部材４０とを備える。ガス供給部材３０は、反応室群１８Ｘ，１８Ｙに通じ、互いに異なる材料ガスが流通するガス流路３１および３２を形成する。ガス流れ規制部材４０には、ガス供給口４１および４２が周方向に交互に形成されている。ガス供給口４１は、反応室群１８Ｘおよび１８Ｙのいずれか一方とガス流路３１とを連通させる。ガス供給口４２は、反応室群１８Ｘおよび１８Ｙのいずれか他方とガス流路３２とを連通させる。ガス流れ規制部材４０および複数の反応室１８の相対的な移動により、互いに連通するガス流路３１，３２と反応室群１８Ｘ，１８Ｙとの組み合わせが入れ替わる。 （もっと読む）

【課題】半導体製造装置のガス種の切り替え時に発生するパーティクルを抑制する。
【解決手段】気相成長装置４０には処理チャンバ１、分析及び制御ユニット２、ガスパネル３ａ、ガスパネル３ｂ、ヒータ電源４、圧力計測手段５、濃度計測手段６、及びパーティクル計測手段７が設けられる。処理チャンバ１にはウェハ支持ペデスタル１１、ウェハ１２、パージガス導入口１３、排気口１４、温度センサ１５、回転軸部１６、軸受け部１７、モータ部１８、及びカウンタパージガス導入口１９が設けられる。ガスパネル３ｂから供給されるカウンタパージガスは、カウンタパージガス導入口１９を介して、カウンタパージされる領域に導入される。カウンタパージガスはガス種切り替え時に流量が変更され、処理チャンバ１内部に発生するパーティクルの回転機構部やヒータ部などへの侵入、或いはパーティクルによる気相成長装置４０の異常発生を防止する働きをする。 （もっと読む）

【課題】フットスペースを小さくできるガス集積ユニットを提供すること。
【解決手段】ガス集積ユニット１に、第１ガスの供給を制御する第１ガスユニット７２Ａ，７２Ｂ，７２Ｃと、第１ガスユニット７２Ａ，７２Ｂ，７２Ｃに接続し、複数の流体制御機器３１〜３４、３８Ａ〜４３Ａ、３８Ｂ〜４３Ｂ、３８Ｃ〜４３Ｃにより第１ガスユニット７２Ａ，７２Ｂ，７２Ｃに合流させるパージガスを制御する第２ガスユニット７３と、第１ガスユニット７２Ａ，７２Ｂ，７２Ｃに積み重ねられる積層ブロック６１Ａ，６１Ｂ，６１Ｃと、を設け、流体制御機器の一部３８Ａ，３８Ｂ，３８Ｃを積層ブロック６１Ａ，６１Ｂ，６１Ｃに積み重ねる。 （もっと読む）

【課題】オゾン発生装置のオゾン発生量の増大を抑制または防止しながら、所定の濃度のオゾンを処理室に供給できると共に、処理室に所望の処理ガスを供給する処理ガス供給系へのオゾン処理装置からの汚染源の拡散を抑制または防止できる基板処理システムを提供する。
【解決手段】処理室に所望の処理ガスを供給する処理ガス供給系と、処理ガス供給系に接続されるオゾン発生装置１００と、オゾン発生装置にて生成されたオゾンを無害化するためのオゾン処理装置１０２と、処理ガス供給系２３２ｂから分岐してオゾン処理装置に接続されるオゾン排気配管１０４と、オゾン処理装置へパージガスを供給するためオゾン排気配管に接続され、流量が制御されるパージガスを供給するための配管１２１と、制御部２８０とを備え、制御部は、オゾン処理装置へ流入されるガスの総流量が少なくとも１．２５〜２０ＳＬＭにて流入されるよう、少なくとも前記パージガス量を制御する。 （もっと読む）

本発明は、ＩＩＩ族−Ｎ（窒素）化合物半導体ウェハ、特にＧａＮウェハを生産するように最適化された方法および装置に関する。具体的には本発明の方法は、化学蒸着（ＣＶＤ）リアクタ内の分離弁フィクスチャ（ｉｓｏｌａｔｉｏｎ ｖａｌｖｅ ｆｉｘｔｕｒｅ）の表面への不必要な材料の形成を実質的に防ぐことに関する。本発明は、反応室内で、１つの反応物としてのある量の気体ＩＩＩ族前駆体を、他の反応物としてのある量の気体Ｖ族成分と反応させることによって単結晶ＩＩＩ−Ｖ族半導体材料を形成するシステムおよび方法において使用される分離弁の表面へのＧａＣｌ₃および反応副生物の堆積／凝縮を制限する装置および方法を提供する。
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