【課題】
装置の複雑化や、大型化を招くことなく、多様な成膜条件に適用可能なガス混合器、これを用いた成膜装置、及び面内均一性の高い薄膜を形成できる薄膜製造方法を提供する。
【解決手段】
少なくとも二以上の混合室を備えるガス混合器において、第一混合室に、混合しようとする二種以上のガスがそれぞれ導入される二以上の導入口と、一以上の排出口とを設けるとともに、第二混合室に、第一混合室に設けられた排出口と連通し、第一混合室から排出されたガスが導入される一以上の導入口と、一以上の排出口とを設け、第一混合室及び／又は第二混合室に設けた排出口を、同じ混合室に設けられた導入口に対して、ガスの流れ方向において重ならないように配設する。 （もっと読む）

【課題】薬液ボトルの交換又はメンテナンスの際に破棄される薬液の量を少なくすることができる半導体製造装置における薬液ボトル交換方法を提供する。
【解決手段】半導体製造装置は、一方の端部２４が薬液ボトルに浸漬され、他方の端部が吐出ノズル２６に繋がっている薬液供給配管２０と、薬液供給配管２０の途中に設けられた薬液供給バルブ２２と、端部２４と薬液供給バルブ２２の間に位置する薬液供給配管２０に接続されたガス供給手段３０とを具備する。薬液ボトル４０が空になった場合、薬液供給バルブ２２を閉じた後、薬液ボトル４０を交換し、その後ガス供給手段３０からガス４を供給することにより、気泡２を端部２４から排出し、その後薬液ボトル４０が保持している薬液を一端２４から送り込むことにより、ガス４を吐出ノズル２６から排出する。 （もっと読む）

【課題】予備室と処理室との圧力差を低減し、該圧力差に起因するガスの急激な流動を抑制し、もって基板のパーティクル汚染を防止する基板処理装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、ロードロック室内の圧力が設定された第１の設定圧力値となるよう第２の圧力センサの検出する圧力値に基づいてロードロック室内の圧力を調整する第１の圧力調整部２８８と、処理室内の圧力が第２の設定圧力値となるよう第１の圧力センサ２４５の検出する圧力値に基づいて処理室内の圧力を調整する第２の圧力調整部２９０と、差圧計２８０が検出するロードロック室と処理室との圧力差に基づいて第２の設定圧力値を更新する設定圧力値更新部２９２とを備える。 （もっと読む）

【課題】処理装置で処理ガスを使用しない場合には，処理ガス供給源から処理装置までの配管内を不活性ガス充填状態にしてその間に配管内に堆積物が発生することを防止する。
【解決手段】ガスボンベ２１０からの処理ガスを処理装置へ供給する処理ガス供給配管２２０と，ガス供給配管に不活性ガスを供給する不活性ガス供給源２３０とを備え，システム稼働中はガス供給配管内に不活性ガスを充填して待機し，処理装置から処理ガス使用開始信号（Ｓ）を受信すると，ガス供給配管内の不活性ガスを真空引き排気して処理ガスを充填して処理ガス供給源からの処理ガス供給を開始し，処理装置から処理ガス使用終了信号（Ｆ）を受信すると，処理ガス供給源からの処理ガス供給を停止してガス供給配管内の処理ガスを真空引き排気して不活性ガスを充填する。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル結晶成長時に反応炉の導入配管内に残留したＳｅの影響を受けないIII−Ｖ族化合物半導体の製造方法を提供するものである。
【解決手段】本発明に係るIII−Ｖ族化合物半導体の製造方法は、反応炉５内に配置した基板上にＳｅを含むIII−Ｖ族化合物半導体のエピタキシャル結晶を層成長させた後、次回のエピタキシャル結晶成長を行う前に、反応炉５の導入配管３に有機金属ガス２のみを流し、導入配管３内に残留したＳｅを取り除くものである。 （もっと読む）

【課題】フットスペースを小さくできるパージガスユニット及びパージガス供給集積ユニットを提供することを目的とする。
【解決手段】入力ブロック４と出力ブロック６とを連通ブロック５に取り付け、入力ブロック４から連通ブロック５を介して出力ブロック６へパージガスを流す流路を形成するパージガスユニット１であって、入力ブロック４が、パージガス共通流路を形成するパージ流路１１と、パージ流路１１から分岐する入力路１２，１３とを備えており、パージ流路１１を別のパージガスユニット１のパージ流路１１に接続するように、入力ブロック４を別のパージガスユニット１の入力ブロック４に面接触させた状態で連結する連結部材５１，５２を設ける。 （もっと読む）

【課題】試料の処理中の温度を高速に変更し、また変動を抑制できるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空容器内の処理室に配置された試料台上に保持された試料をこの処理室内に形成したプラズマを用いて処理するプラズマ処理装置であって、前記試料台内に配置され内部に供給された冷媒が蒸発しつつ通流する流路と、この試料台と圧縮機，凝縮機及び膨張弁がこの順に連結されて構成され前記冷媒が循環する冷凍サイクルと、前記膨張弁を通った冷媒が分岐して前記試料台内部の前記流路から前記圧縮機に戻る冷媒と合流する冷媒経路と、前記試料台内部の流路を通り冷凍サイクルを循環する冷媒の量及び前記分岐して前記冷媒経路を流れる冷媒の量を調節する調節器とを備えた。 （もっと読む）

原子層堆積（ALD）のための改良された装置及び方法について記載する。特に溶液ALD前駆体を気化及び供給するための改良された方法及び装置を提供する。本発明は、特に、低揮発性金属、金属酸化物、金属窒化物及び他の薄層前駆体の処理に有用である。本発明は、溶液前駆体の利用効率を高めつつ、真のALD蒸気パルスを発生させるために完全気化チャンバと室温弁システムを使用する。 （もっと読む）

【課題】Ｏリングによるシールやマニホールド内のチャンネルに供給する不活性ガスによるガスシールを不要にし、装置の大型化を防止する。
【解決手段】マニホールド２に、フランジ２５、衝立部２７、チャンネル２６、隔壁２８及び排気管２２を設けた。フランジ２５は、プロセスチューブ１のフランジ１１に接合する。衝立部２７は、プロセスチューブ１内でフランジ２５の上面よりも所定長さＸだけ上方に延出してプロセスチューブ１の内側面に対向し、プロセスチューブ１の内側面との間に上端が開放した間隙１２を形成する。チャンネル２６は、間隙１２の下方に配置される。隔壁２８は、間隙１２内におけるフランジ２５の上面の位置より下方に配置されて間隙１２とチャンネル２６とを連通する小孔２９を備えている。排気管２２は、チャンネル２６内に連通している。 （もっと読む）

【課題】未利用の活性化学種が各種の真空装置の本体に付着したり、あるいはその排気管の内壁に堆積したりすることを防止することができ、よって排気管を従来よりも細くすることができるとともに、当該排気管のメンテナンスも容易となる加熱装置を提供する。
【解決手段】排気管１の外壁に沿って配設される電気ヒータ３の外周に耐熱性真空断熱材４が巻回されてなり、かつ電気ヒータ３は、抵抗発熱体とこの抵抗発熱体を覆う耐熱性電気絶縁体とを有するとともに、耐熱性真空断熱材４は、耐熱温度が１００℃以上である金属製シート５によって内部が気密に封じられた中空板状の被覆材と、この被覆材の中空部に充填された耐熱温度が１００℃以上である繊維状または粒状の充填材６とを備え、上記被覆材の内部が真空に保持されてなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】気相成長装置のポートにおいて、ポートに装着される部材の固着を防止可能とする。
【解決手段】反応炉１と連通されたポート２３内に挿入された部材２６の周囲にスペーサ３１を装着し、ポート２３と部材２６との間に反応炉内のガスの侵入を阻止する。これにより、副生成物により部材２６がポート２３に固着されることを防止する。 （もっと読む）

【課題】長期に渡って繰り返し成膜を実施する場合のクリーニングの回数を極端に少なくするとともに、１回のクリーニングに要する時間自体も比較的短くすることができるプラズマ成膜装置およびプラズマ成膜装置のクリーニング方法を提供する。
【解決手段】アンテナアレイ３０または原料ガス供給配管３４の少なくともいずれか一方を移動させて、アンテナ素子３２と原料ガス供給配管３４との距離を、成膜処理を実施する場合に比べて小さく設定し、この設定状態で、反応容器１４内をクリーニング処理する。 （もっと読む）

【課題】
基板処理装置の保守管理作業、特にガス配管系の保守管理作業を簡便とし、保守管理作業の作業性を向上させ、又保守管理作業に要する時間を短縮してスループットの向上を図る。
【解決手段】
基板１０を処理する処理容器３と、該処理容器を閉塞する蓋部４と、前記処理容器内にガスを供給するガス供給配管部とを具備し、該ガス供給配管部は、前記蓋部に固定される第１配管部２５と、前記蓋部以外の部分に固定される第２配管部２７と、前記第１配管部と前記第２配管部との間に設けられ着脱可能な第３配管部２８とを有する。
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【課題】
副生成物を反応室外に排出可能として、副生成物が溜った場合でも、基板上に副生成物が落下することを防止し、又副生成物の付着物の拭取り、分解洗浄作業の時間を短縮し、或は斯かる保守作業の回数を減少させ、基板処理装置の稼働率の向上を図る。
【解決手段】
基板を処理する反応管２２と、該反応管が支持されるアダプタ２５とを有し、該アダプタに、前記反応管に付着した液化副生成物を回収する溝２７を形成し、該溝を介して前記液化副生成物を反応管外部に排出可能とした。
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【課題】成膜コストが安価で、均一性がよく、高品位な結晶膜の成長が可能な有機金属気相成長装置および気相成長方法を提供する。
【解決手段】複数種の有機金属材料ガス発生器と、有機金属材料ガス発生器で発生させた各有機金属材料ガスをそれぞれ分岐させる複数の分岐機構と、複数の成膜室と、前記分岐機構で分岐された各有機金属材料ガスを独立した配管系統にて各成膜室に導入するための複数の分岐機構成膜室間配管とを備え、各分岐機構成膜室間配管には、ガスの流量を調節し得るガス流量調節機構が設けられてなることを特徴とする有機金属気相成長装置、ならびに、当該装置を用いた気相成長方法。 （もっと読む）

【課題】被処理基板の表面を通過する原料ガス流の均一性を悪化させることなく容易にメンテナンスすることが可能な気相成長装置を提供する。
【解決手段】複数の流路が形成され各流路により原料ガスを混合せずに導入する導入領域と、原料ガスを混合および反応させて被処理基板に成膜処理を行なう混合反応領域とを有する反応管を備えている。反応管は、対向する一対の側板２ａおよび側板２ａを連結する底板２ｂを含む反応管本体２と、反応管本体２に当接する蓋体３とを有し、反応管本体２と蓋体３とは分離可能である。 （もっと読む）

【課題】クライオパネルの温度をフィードバック制御することで、精密にガス制御を行う真空装置を提供すること。
【解決手段】プロセスチャンバーの例えば水素ガス分圧信号をモニター装置６００からモニター信号として、信号処理装置６０２に入力し、また、基準値信号もこの信号処理装置に入力する。これらの入力信号を基に、信号処理装置６０２により、冷凍機５７３に冷凍パワー指令値出し、クライオパネル５７０の温度をフィードバック制御する。これにより、真空チャンバー内の水素ガス分圧を制御することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】アモルファスシリコン薄膜の光劣化と関連する拡散長の短い核種をより一層排除することができ、また、大面積製膜も可能なプラズマプロセス装置を提供する。
【解決手段】反応容器１と、その容器内に反応ガスを導入するガス導入管６と、容器外へ排ガスを排出するガス排気管４と、容器内に収容した第一電極２及び第二電極３からなる放電用平行電極と、前記電極に電力を供給する電源９とを有してなるプラズマプロセス装置において、第一電極２には、ガス導入管６に連通するガス導入用穴１１及び前記ガス排気管６に連通する排ガス用穴１２の双方を設ける。好ましくは、第一電極２の第二電極３に対向する表面に、多数の凹部を所定パターンで設ける。 （もっと読む）

【課題】簡単な配管構成で，しかも簡単な制御で圧力変動などの影響を受けることなく処理室内の複数部位からガスを供給し，所望の面内均一性を実現可能とする。
【解決手段】ウエハの処理に先立って，分流量調整手段２３０に対して各処理ガス用分岐流路内の圧力比が目標圧力比になるように分流量を調整する圧力比制御を実行して，処理ガス供給手段２１０からの処理ガスを第１，第２分岐配管２０４，２０６に分流し，各処理ガス用分岐流路内の圧力が安定すると，分流量調整手段に対する制御を圧力安定時の一方の処理ガス用分岐流路内の圧力を保持するように分流量を調整する圧力一定制御に切り換えてから，付加ガス供給手段２２０により付加ガスを他方の処理ガス用分岐配管に供給する。 （もっと読む）

【課題】 積層された基板へ供給されるガスの流量と流速とを均一化することで、前記積載された基板に対してガスを均一に供給する。
【解決手段】 積層配置された基板を収納する反応室を形成する反応管６と、第１のガス導入部及び第２のガス導入部と、反応管の内部に設けられ、ガス供給口を有するバッファ室１７と、バッファ室内部に処理ガスを活性化させるプラズマ発生用の電極とを備えた基板処理装置であって、第１のガス導入部は、処理ガスをバッファ室内に導入し、バッファ室は、該バッファ室の内部に電極により処理ガスを活性化させる空間を形成し、第１のガス導入部から導入される処理ガスをガス供給口から反応室内に供給し、第２のガス導入部は、活性化させる処理ガスと異なる処理ガスを活性化させないで反応室内に供給することを特徴とする。 （もっと読む）