【課題】 大面積の基板に均一厚さ且つ均質な薄膜を成膜できる表面波励起プラズマＣＶＤ装置を提供すること。
【解決手段】 表面波励起プラズマＣＶＤ装置１００は、材料ガス導入システム１０と放電ガス導入システム３０を備え、表面波励起プラズマＰにより材料ガスＧ１を乖離して基板Ｓに成膜する。材料ガスＧ１は、分岐点Ｑ１で複数に分岐されたガス導入管１２，２２，２３を通ってシャワーヘッド１５ａ，２４ａ，２７ａからチャンバー１内に導入される。ガス導入管１２，２２，２３を通る材料ガスＧ１の流量を、それぞれニードルバルブ１２ａ，２２ａ，２３ａで調節することにより、シャワーヘッド１５ａ，２４ａ，２７ａからチャンバー１内へ導入する量を等しくし、チャンバ１内の材料ガスの濃度分布を均一化する。 （もっと読む）

【課題】 真空圧発生装置及びこれを有する薄膜加工装置を提供する。
【解決手段】 真空圧発生装置は、真空圧発生ユニット及び安定化モジュールを含む。真空圧発生ユニットは、工程領域の流体を排気して、工程領域に真空を形成する。安定化モジュールは、工程領域及び真空圧発生ユニットの間に配置され、工程領域の真空均一性を向上させるために、流体の通過経路が屈曲するように構成される少なくとも２つの流体通路を有する。工程領域内の流体を屈曲した流体通路を通じて排気することで、工程領域内の真空圧の均一性を向上することができる。 （もっと読む）

【課題】 被処理体上に薄膜を形成するときのパーティクルの発生を抑制可能な半導体製造装置を提供する。
【解決手段】 被処理体１を収納する反応管１１と、反応管１１の上流側に接続され、被処理体１上にシリコン（Ｓｉ）を含む原料ガス及び窒素（Ｎ）を含む原料ガスを、それぞれ独立に導入する複数の原料ガス導入配管２４，２５と、反応管１１の上流側に接続されたアンモニア（ＮＨ₃）ガスを導入する抑制ガス導入配管２６とを備える。 （もっと読む）

半導体産業において典型的に使用されるタイプの液体前駆体再充填システム。遠隔の前駆体貯槽（２１０）と二次蒸気送給システム（２２０）は、ＣＶＤ前駆体を近所の供給源に供給する。近所の供給源は、熱伝達手段（３１０）近所のＣＶＤ前駆体貯槽（３２０）を含む。送給ライン（４００）は、この遠隔の二次蒸気送給システムと近所の熱伝達手段を接続する。一定のまたは定期的操作の間に、送給ライン中には液体が存在しない。近所のＣＶＤ前駆体貯槽は、バブラーシステム内のアンプルとして作用するか、またはＣＶＤ前駆体をバブラーシステム内のアンプルに供給することができる。
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【課題】熱と重力でガス分配プレートが変形する事を防ぐガス分配プレートを提供する。
【解決手段】少なくとも１つの支持部材１５は、拡散器２０を通る１つ以上ののガスの流れを妨げることのない噛み合い接続によって拡散器２０と係合し、かつ拡散器から外すができ、また、その周辺を支持された拡散器２０を垂直方向に吊り下げるように設計され、あるいは周辺支持体を備えることなく、拡散器を支持することができる。１つの態様においては、少なくとも１つの支持部材１５は、ガス供給導管の一部分であり、拡散器の中央領域を垂直方向に並進させて持ち上げ、あるいは垂直方向に圧縮することができる。 （もっと読む）

【課題】 ＣＶＤ用の原料溶液の流量を長時間にわたって精度よく制御することができるＣＶＤ用気化器、溶液気化式ＣＶＤ装置及びＣＶＤ用気化方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係るＣＶＤ用気化器は、キャリアガス中に１種又は２種以上の原料溶液を微粒子状又は霧状に分散させるオリフィス管と、前記オリフィス管に前記１種又は２種以上の原料溶液を互いに分離して供給する１種又は２種以上の原料溶液用通路２１〜２５と、前記オリフィス管に前記キャリアガスを前記１種又は２種以上の原料溶液それぞれと互いに分離して供給するキャリアガス用通路３３と、前記オリフィス管で分散された前記１種又は２種以上の原料溶液を気化する気化管３１と、前記気化管と前記オリフィス管が繋げられ、前記オリフィス管で分散された前記原料溶液が前記気化管に導入される細孔と、を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】被処理体が大口径化してもその膜厚の面内均一性を向上させることができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】気密な処理容器４内に配置され、サセプタ６上に載置された被処理体Ｗに対してプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、アンテナ部材２２と、アンテナ部材に接続された高周波電源３２と、複数の処理ガス供給通路５６Ａ，５６Ｂを備え、処理ガス供給通路と連通する処理ガス噴出孔から処理容器内に処理ガスを供給するためのガス供給部と、処理容器内を排気するための排気口５８Ａ，５８Ｂとを備え、ガス供給部は、処理ガス供給通路と連通する処理ガス噴出孔の位置が、処理容器の周方向に位置し、略均等に配置されて、処理容器内の中心部に向かって処理ガスを放出する。これにより、成膜の厚みの面内均一性を大幅に向上させることができる。 （もっと読む）

プラズマ処理システムにおいて、ガス供給システムをマルチゾーン噴射器に接続するための一体型ガス流量制御組み立て品を開示する。組み立て品は、第一流速を備えた第一バルブ組み立て品、第二流速を備えた第二バルブ組み立て品、第三流速を備えた第三流量組み立て品、および第四流速を備えた第四流量組み立て品にガス供給システムを接続する第一組のチャネルを有し、前記第一バルブ組み立て品が実質的に開であるとき第三流速は第一流速より小さく、前記第二バルブ組み立て品が実質的に開であるとき第四流速は第二流速より小さい。組み立て品はさらに、第三流量組み立て品と第一バルブ組み立て品をマルチゾーン噴射器の第一ゾーンに接続するための第二組のチャネルを有する。組み立て品はさらに、第四流量組み立て品と第二バルブ組み立て品をマルチゾーン噴射器の第二ゾーンに接続するための第三組のチャネルを有する。前記第一バルブ組み立て品が閉であればマルチゾーン噴射器の第一ゾーンの流速は第三流速と同様であり、第二バルブ組み立て品が閉であればマルチゾーン噴射器の第二ゾーンの流速は第四流速と同様である。
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【課題】基板処理室の開口部を閉塞する閉塞手段に流体を供給または排出する金属配管同士や金属配管とその周囲の金属部品との干渉に起因する金属パーティクルを低減し歩留まりを向上することのできる基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理炉２０２と、処理炉の開口部を閉塞する閉塞手段２４４と閉塞手段２４４に設けられた流体を流通させるための流路２８１と、流路２８１に接続され流路に対して流体を供給または排出する金属配管２８０とを有し、金属配管２８０の少なくとも一部を金属配管２８０よりも硬度の小さい部材で覆っている。 （もっと読む）

【課題】 部品を共通化し、共通化が困難な部品をオプションとすることによって装置を標準化し、標準化した装置で複数の基板処理方法に対応できるようにする。
【解決手段】 開口を有するチャンバ２００の構成は共通化する。このチャンバの開口２５０は、ガス導入部２２４を具備するリッド部によって閉塞する。このリッド部はオプションとして成膜方法に合わせて複数種類用意する。例えば、ＡＬＤ成膜用のガス導入部を具備するＡＬＤ成膜用リッド部２０７と、ＣＶＤ成膜用のガス導入部を具備するＣＶＤ成膜用リッド部とを用意して、これらの間で交換可能にチャンバ２００に取り付けて、基板処理装置を構成する。この場合、ＡＬＤ成膜用リッド部２０７は片側流しタイプのガス導入部を具備し、ＣＶＤ成膜用リッド部はシャワーヘッドタイプのガス導入部を具備する。 （もっと読む）

【課題】Ａｌ_２Ｏ_３膜とＨｆＯ_２膜等の２種類の膜を同一処理室内で形成する際に、ガス供給ノズル内でのパーティクルの発生を防止または抑制できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】ＴＭＡ（Ａｌ（ＣＨ_３）_３、トリメチルアルミニウム）ガスとＯ_３（オゾン）とを交互に処理室に供給してウエハ２００上にＡｌ２Ｏ３膜を形成する工程と、ＴＥＭＡＨ（テトラキス（Ｎ−エチル−Ｎ−メチルアミノ）ハフニウム）ガスとＯ_３とを交互に処理室内に供給してウエハ２００基板上にＨｆＯ_２膜を形成する工程と、を同一の処理室にて実行可能な基板処理装置であって、ＴＭＡを処理室内に供給するガス供給ノズル２３３と、ＴＥＭＡＨを処理室内に供給するガス供給ノズル２３４とを備え、Ｏ_３は、ガス供給ノズル２３３から処理室内に供給する。 （もっと読む）

【課題】処理筒の小型化が可能である除害装置を提供すること。
【解決手段】本発明は、配管１６中に存在する特殊材料ガスを含むパージガスを除害処理する除害装置１０において、配管１６中のパージガスを排出するエジェクタ２２と、エジェクタ２２の排出口に接続されたバッファ容器３４と、バッファ容器３４の出口部に設けられ、又はその出口部に直接接続されたオリフィス４０と、オリフィス４０に接続され、特殊材料ガスを除害処理する薬剤が充填された処理筒２６とを備えることを特徴とする。この構成においては、エジェクタからの高圧のガスをバッファ容器で一旦蓄積し、圧力を下げ、更に、オリフィスでガスの流れを絞って、処理筒に送ることができる。これにより処理筒に対する圧力負荷が緩和され、処理筒内の薬剤を流通するガスの流速を抑えることができ、薬剤の少量化、処理筒の小型化が可能となる。 （もっと読む）

【課題】 気密において、ボンベ内のガスを有効に利用することができるようにする。
【解決手段】被試験配管５２とガス供給ボンベ１を接続する供給用配管２２と、供給用配管２２に設けられたバルブ４と、被試験配管５４とガス供給ボンベ１を接続する供給用配管２３と、供給用配管２３に設けられたバルブ５と、被試験配管５２とガス供給ボンベ１ａを接続する供給用配管２２ａと、供給用配管２２ａに設けられたバルブ４ａと、被試験配管５４とガス供給ボンベ１ａを接続する供給用配管２３ａと、供給用配管２３ａに設けられたバルブ５ａと、ガス供給ボンベ１の残圧を検出する残圧検出部３と、ガス供給ボンベ１ａの残圧を検出する残圧検出部３ａと、残圧検出部３，３ａそれぞれが検出した残圧に基づいて、バルブ４，４ａ，５，５ａを制御することにより、ガス供給ボンベ１，１ａの一方を被試験配管５２に接続し、他方を被試験配管５４に接続する制御部３０とを具備する。 （もっと読む）

【課題】ガスをウエハ面内およびウエハ相互間において均一に接触させる。
【解決手段】ウエハ１群を保持したボート２５を収容して処理する処理室３２を形成したプロセスチューブ３１と、処理室３２に処理ガス６１を供給するガス供給管３５と、処理室３２を排気する排気管３６と、処理室３２の内周面に敷設されてプラズマ室４０を形成した隔壁４１と、隔壁４１に開設された吹出口４２とを備えたバッチ式リモートプラズマＣＶＤ装置において、ガス供給管側流通口５３と排気管側流通口５４とを有する一対の仕切板５２、５２を処理室３２にボート２５と同心円に設置し、排気管側流通口５４は縦に細長い逆台形に形成する。吹出口から吹き出したガスはガス供給管側流通口から両仕切板内に流れ込んで排気管側流通口から均等に排気することで、両仕切板内全体に均等に行き渡るので、ガスはウエハ面内およびウエハ相互間に均一に接触する。
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すべてのチャンバーが実質的に垂直の向きにある、１のチャンバーまたは直列に接続された２以上のチャンバーを含んでいるバブラーチャンバーアッセンブリ。化合物の固形または液状源が、該１または２以上のチャンバーに内蔵される。該１または２以上のチャンバーを通るキャリアーガスの流れの方向に関する、該１のチャンバーの長さまたは直列に接続された２以上のチャンバーの合計長さと、該１または２以上のチャンバーを通るキャリアーガスの流れの方向に関する、該１または２以上のチャンバーの断面の平均等価直径との比は、約６：１以上である。 （もっと読む）

単一のフローを所望の比率の２以上の二次フローに分割するシステムであり、前記単一のフローを受け取る入口と、前記入口に接続された少なくとも２つの二次フロー・ラインと、少なくとも１つの所望のフロー比率を受け取る入力手段と、前記フロー・ラインのそれぞれによって生じた製品の測定値を提供する少なくとも１つのインサイチュ・プロセス・モニタと、前記入力手段と前記インサイチュ・プロセス・モニタとに接続されたコントローラとを含む。このコントローラは、前記入力手段を介して所望のフロー比率を受け取り、前記インサイチュ・プロセス・モニタから前記製品の測定値を受け取り、前記所望のフロー比率と前記製品の測定値とに基づいて訂正されたフロー比率を計算するようにプログラムされている。製品測定値が等しくない場合には、訂正されたフロー比率は所望のフロー比率とは異なるようになる。
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反応炉が基板処理用の反応チャンバを画定する。反応炉には第１反応物質を反応チャンバへ提供するための第１取込口および第２反応物質を反応チャンバへ提供するための第２取込口が含まれる。第１排気口はガスを反応チャンバから取り除く。第２排気口もガスを反応チャンバから取り除く。流れ制御装置が第１および第２排気口を通じて流れを交互に閉塞するように構成される。反応チャンバはこの反応チャンバ内の拡散障壁用に構成される。
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基板上に形成する薄膜の再現性と面内均一性、組成均一性を改善する。 反応室１００に原料ガスを供給する原料ガス供給管５ｂに、バルブ３４、３５を設け、原料ガス供給管５ｂから分岐したバイパス配管１４ａにバルブ３３を設ける。バルブ３４、３５の間に不活性ガス供給配管２３を設ける。制御装置２５０は、バルブ３３〜３５を次のように制御する。成膜時と成膜停止時との間の成膜停止遷移時は、バルブ３４を閉じ、バルブ３３とバルブ３５を共に開き、原料ガスをバイパス配管１４ａからバイパスさせると共に、不活性ガス供給配管２３から不活性ガスを流して原料ガス供給管５ｂ内のバルブ３５よりも下流側デッドスペースの残留ガスを反応室から排気する。成膜停止時は、バルブ３５を閉じ、バルブ３４とバルブ３３をともに開き、不活性ガス供給配管２３から不活性ガスを流して原料ガス供給管５ｂ内の不活性ガス供給箇所よりも上流側デッドスペースの残留ガスを、原料ガスと共にバイパス配管１４ａから排気する。 （もっと読む）

基板の表面を処理するために必要な反応性物質やキャリアガスなどを効率的に利用するとともに、ガスの移送のための設備を簡略化し、省エネルギー化を図ることができる基板処理装置を提供する。反応性物質を含むプロセスガスを供給するガス供給源１２と、ガス供給源１２に接続されプロセスガスを貯留するリザーバタンク１４と、内部に配置された基板をプロセスガスに曝露する反応器１０と、反応器１０の内部のプロセスガスをリザーバタンク１４に導入する第１の循環配管３８と、リザーバタンク１４内のプロセスガスの少なくとも一部を反応器１０に導入する第２の循環配管４２と、第２の循環配管４２に設置され反応器１０に導入されるプロセスガスの量を調整する流量調整バルブ４４とを備えた。
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本発明は、半導体製造に有用なガス分配装置を提供する。本ガス分配装置は、単一部材と、単一部材内に形成され、ガスをプロセス領域内へ均一に供給するためのガス分配網とを含む。ガス分配網は、単一部材の上面を通して上方に伸び、ガス源に接続される入口通路と、１つの接合点に集中し、この接合点において入口通路に接続されている複数の第１の通路と、複数の第１の通路に接続されている複数の第２の通路と、複数の第２の通路に接続され、ガスを処理領域内へ供給する複数の出口通路とによって形成されている。第１の通路は接合点から単一部材の周縁表面まで半径方向外向きに伸び、第２の通路は第１の通路と直角ではなく、第１の通路から周縁表面まで外向きに伸びている。出口通路は単一部材の下面を通って下方に伸び、ガスを前記処理領域内へ供給する。
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