基板処理装置
【課題】ガスをウエハ面内およびウエハ相互間において均一に接触させる。
【解決手段】ウエハ１群を保持したボート２５を収容して処理する処理室３２を形成したプロセスチューブ３１と、処理室３２に処理ガス６１を供給するガス供給管３５と、処理室３２を排気する排気管３６と、処理室３２の内周面に敷設されてプラズマ室４０を形成した隔壁４１と、隔壁４１に開設された吹出口４２とを備えたバッチ式リモートプラズマＣＶＤ装置において、ガス供給管側流通口５３と排気管側流通口５４とを有する一対の仕切板５２、５２を処理室３２にボート２５と同心円に設置し、排気管側流通口５４は縦に細長い逆台形に形成する。吹出口から吹き出したガスはガス供給管側流通口から両仕切板内に流れ込んで排気管側流通口から均等に排気することで、両仕切板内全体に均等に行き渡るので、ガスはウエハ面内およびウエハ相互間に均一に接触する。
【解決手段】ウエハ１群を保持したボート２５を収容して処理する処理室３２を形成したプロセスチューブ３１と、処理室３２に処理ガス６１を供給するガス供給管３５と、処理室３２を排気する排気管３６と、処理室３２の内周面に敷設されてプラズマ室４０を形成した隔壁４１と、隔壁４１に開設された吹出口４２とを備えたバッチ式リモートプラズマＣＶＤ装置において、ガス供給管側流通口５３と排気管側流通口５４とを有する一対の仕切板５２、５２を処理室３２にボート２５と同心円に設置し、排気管側流通口５４は縦に細長い逆台形に形成する。吹出口から吹き出したガスはガス供給管側流通口から両仕切板内に流れ込んで排気管側流通口から均等に排気することで、両仕切板内全体に均等に行き渡るので、ガスはウエハ面内およびウエハ相互間に均一に接触する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理装置、特に、ガスの整流技術に関し、例えば、半導体集積回路装置（以下、ＩＣという。）の製造方法において、半導体素子を含む半導体集積回路を作り込む半導体ウエハ（以下、ウエハという。）に絶縁膜や金属膜を堆積（デポジション）するのに利用して有効なものに関する。
【背景技術】
【０００２】
ＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memorry ）のキャパシタ（Capacitor ）の静電容量部（絶縁膜）を形成するための五酸化タンタル（Ｔａ2 Ｏ5 ）膜の表面近傍に付着したカーボン（Ｃ）を除去する基板処理装置として、バッチ式リモートプラズマ処理装置が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
その一例として、複数枚の被処理基板が搬入される処理室を備えたプロセスチューブの前記処理室には互いに近接した一対の電極が配置されているとともに、両電極間には高周波電力を印加する電源が接続されており、前記処理室には前記両電極間を含み前記処理室と独立した放電室が形成されており、この放電室には処理ガスを前記処理室に供給するガス吹出口が開設されているバッチ式リモートプラズマ処理装置、がある。
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−２８０３７８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
前記したバッチ式リモートプラズマ処理装置においては、次のような問題点がある。
被処理基板の表面に処理ガスを供給したいが、被処理基板の全面に処理ガスが行き渡る前に排気されてしまう。ガス吹出口から吹き出した処理ガスの一部が被処理基板の間を流れずに側方を流れて排気されてしまう。
【０００５】
本発明の目的は、ガスを被処理基板の表面に均等に供給することができる基板処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る基板処理装置は、基板を多段に保持する基板保持具を収容して前記基板を処理する処理室と、前記基板を加熱するヒータユニットと、前記処理室内にガスを供給するガス供給管と、前記処理室内を排気する排気管と、前記処理室内に前記基板を囲むように配置されガス供給管側流通口と排気管側流通口とをそれぞれ有する仕切板とを備えており、前記排気管側流通口は前記基板の積層方向に延在され、前記排気管側流通口における前記基板の主面と平行な断面の開口は前記基板上を流れる前記ガスの流れ方向から見て前記基板の直径よりも小さく設定されており、前記排気管側流通口の前記基板の積層方向の両端の大きさは相異されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
前記手段によれば、ガス供給管から吹き出したガスは仕切板のガス供給管側の流通口から仕切板が囲んだ空間に流れ込み、流れ込んだガスは基板の全面に行き渡った後に、仕切板の排気管側の流通口から排気口によって排気される。この際、仕切板の排気管側の流通口の開口はガスの積層方向の流れが均等になるように設定されているので、ガスは積層方向において基板の全面に接触し、その結果、ガスによる処理は基板の全面にわたって均一に施されることになる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下、本発明の一実施の形態を図面に即して説明する。
【０００９】
本実施の形態において、本発明に係る基板処理装置は、バッチ式縦形ホットウオール形リモートプラズマＣＶＤ装置（以下、ＣＶＤ装置という。）として構成されている。
図１に示されているように、ＣＶＤ装置１０は筐体１１を備えており、筐体１１の前面にはカセット授受ユニット１２が設備されている。カセット授受ユニット１２はウエハ１のキャリアであるカセット２を二台載置することができるカセットステージ１３を備えており、カセットステージ１３の下方にはウエハ姿勢整合装置１４が二組設備されている。外部搬送装置（図示せず）によって搬送されて来たカセット２がカセットステージ１３に垂直姿勢（カセット２に収納されたウエハ１が垂直になる状態）で載置されると、ウエハ姿勢整合装置１４がカセット２に収納されたウエハ１のノッチやオリエンテーションフラットが同一になるようにウエハ１の姿勢を整合する。カセットステージ１３は９０度回転することにより、カセット２を水平姿勢にさせるようになっている。
【００１０】
筐体１１の内部にはカセット授受ユニット１２に対向してカセット棚１５が設備されており、カセット授受ユニット１２の上方には予備カセット棚１６が設備されている。カセット授受ユニット１２とカセット棚１５との間には、カセット移載装置１７が設備されている。カセット移載装置１７は前後方向に進退可能なロボットアーム１８を備えており、ロボットアーム１８は横行および昇降可能に構成されている。ロボットアーム１８は進退、昇降および横行の協働により、カセットステージ１３の上の水平姿勢となったカセット２をカセット棚１５または予備カセット棚１６へ搬送して移載するようになっている。
【００１１】
カセット棚１５の後方にはウエハ１を複数枚一括して、または、一枚宛移載することができるウエハ移載装置１９が回転および昇降可能に設備されている。ウエハ移載装置１９は進退可能なウエハ保持部２０を備えており、ウエハ保持部２０には複数枚のウエハ保持プレート２１が水平に取り付けられている。ウエハ移載装置１９の後方にはボートエレベータ２２が設備されており、ボートエレベータ２２のアーム２３には基板保持具としてのシールキャップ２４が水平に設置されている。
【００１２】
図２〜図４に示されているように、ＣＶＤ装置１０は石英ガラス等の耐熱性の高い材料が用いられて形成されたプロセスチューブ３１を備えており、プロセスチューブ３１は一端が開口で他端が閉塞の円筒形状に形成されている。プロセスチューブ３１は中心線が垂直になるように縦に配されて固定的に支持されている。プロセスチューブ３１の筒中空部は複数枚のウエハ１が収容される処理室３２を形成しており、プロセスチューブ３１の下端開口はウエハ１を出し入れするための炉口３３を形成している。プロセスチューブ３１の内径は取り扱うウエハ１の最大外径よりも大きくなるように設定されている。プロセスチューブ３１の外部にはプロセスチューブ３１の周囲を包囲するヒータユニット３４が同心円に設備されており、ヒータユニット３４は処理室３２を全体にわたって均一または所定の温度分布に加熱するように構成されている。ヒータユニット３４はＣＶＤ装置１０の筐体１１に支持されることにより垂直に据え付けられた状態になっている。
【００１３】
プロセスチューブ３１の炉口３３の付近における側壁の一部には、処理ガスを供給するためのガス供給管３５の一端が接続されており、ガス供給管３５の他端は処理ガスを供給するガス供給源（図示せず）に接続されている。プロセスチューブ３１の炉口３３の付近における側壁のガス供給管３５と１８０度反対側の部位には、排気管３６の一端が接続されており、排気管３６は他端が排気装置（図示せず）に接続されて処理室３２を排気し得るように構成されている。
【００１４】
プロセスチューブ３１の下端面には炉口３３を閉塞するシールキャップ２４が、下側からシールリング２４ａを挟んで当接されるようになっている。シールキャップ２４は炉口３３の内径よりも大径の外径を有する円盤形状に形成されており、プロセスチューブ３１の外部に垂直に設備されたボートエレベータ２２のアーム２３によって垂直方向に昇降されるように構成されている。シールキャップ２４の中心線上には回転軸３９が挿通されており、回転軸３９はシールキャップ２４と共に昇降し、かつ、回転駆動装置３８によって回転されるようになっている。回転軸３９の上端には被処理基板としてのウエハ１を保持するためのボート２５が、断熱キャップ部３７を介して垂直に立脚されて支持されるようになっている。
【００１５】
ボート２５は上下で一対の端板２６、２７と、両端板２６、２７間に架設されて垂直に配設された複数本（本実施の形態では三本）の保持部材２８とを備えており、各保持部材２８には多数条の保持溝２９が長手方向に等間隔に配されて互いに対向して開口するように没設されている。そして、ウエハ１の外周縁辺が各保持部材２８の多数条の保持溝２９間にそれぞれ挿入されることにより、複数枚のウエハ１がボート２５に水平にかつ互いに中心を揃えられた状態で整列されて保持されるようになっている。ボート２５の下側端板２７の下側には断熱キャップ部３７が形成されている。
【００１６】
プロセスチューブ３１におけるガス供給管３５と対向する部分には、樋形状の隔壁４１がプロセスチューブ３１の内周面と平行で上下方向に延在するように敷設されており、隔壁４１は気密のプラズマ室４０を形成するように構成されている。隔壁４１には複数個の吹出口４２がボート２５の上下で隣り合う保持溝２９、２９に保持された上下段のウエハ１、１間に対向するように配列されて開設されており、各吹出口４２はプラズマ室４０に供給されたガスを均等に吹き出させるように設定されている。
プラズマ室４０の内部には一対の保護管４３、４３がガス供給管３５の延長線を挟んで互いに反対側に対称形にそれぞれ配置されて、上下方向に延在するように敷設されている。各保護管４３は誘電体が使用されて上端が閉塞した細長い円形のパイプ形状に形成されており、各保護管４３の下端部は適度に屈曲されて、プロセスチューブ３１の側壁を貫通して外部に突き出されている。各保護管４３の中空部内は処理室３２の外部（大気圧）に連通されている。両保護管４３、４３の中空部内には導電材料が使用されて細長い棒状に形成された一対の電極４４、４４がそれぞれ同心的に敷設されており、両電極４４、４４間には高周波電力を印加する高周波電源４５が整合器４６を介して電気的に接続されている。
【００１７】
処理室３２内には左右で一対の仕切板５２、５２が同心円になるように配置されて、複数本のブラケット５１によってプロセスチューブ３１の側壁に据え付けられている。ブラケット５１および仕切板５２はいずれも透明石英（ＳｉＯ2 ）が使用されて形成され、溶接によって連結されている。左右の仕切板５２、５２は内径がボート２５の外径よりも大きめで、長さがボート２５の全高と略等しい円弧形の彎曲板形状にそれぞれ形成されており、隔壁４１の間に互いに対称形になるように配置され、複数本のブラケット５１によってプロセスチューブ３１の側壁に据え付けられている。左右の仕切板５２、５２の前後の端辺同士がそれぞれ形成する前後で一対の隙間は、ウエハ１群の積層方向である垂直方向にそれぞれ延在するガス供給管側流通口５３および排気管側流通口５４をそれぞれ構成している。
【００１８】
左右の仕切板５２、５２の前側端辺同士が構成したガス供給管側流通口５３におけるウエハ１の主面と平行な平面（水平面）の開口である間口の寸法は、隔壁４１の横幅よりも若干だけ大きめに設定されており、全高にわたって等しく設定されている。すなわち、ガス供給管側流通口５３の水平方向から見た形状（正面視の形状）は、縦に細長い長方形になっている。
他方、左右の仕切板５２、５２の後側端辺同士が構成した排気管側流通口５４における水平面の開口である間口の寸法は、ウエハ１の直径よりも小さく設定されており、垂直方向の間口寸法は下方に行くに従って小さくなるように設定されている。すなわち、図４に示されているように、排気管側流通口５４の水平方向から見た形状（背面視の形状）は、縦に細長い逆台形に形成されている。
なお、左右の仕切板５２、５２の中心と排気管側流通口５４の開口縁辺とを結んだ線分がなす角度を排気管側流通口５４の開度とすると、図３に示された実施の形態においては、排気管側流通口５４の最大開度である上端の開度Θａは、約３０度に設定されており、排気管側流通口５４の最小開度である下端の開度Θｂは、約１５度に設定されている。
【００１９】
断熱キャップ部３７の上には排気管３６の空間とボート２５との空間とを水平に仕切る仕切板（以下、水平仕切板という。）５５が、ボート２５と同心円になるように配置されて水平に据え付けられている。水平仕切板５５は透明石英が使用されて、ウエハ１よりも大径でプロセスチューブ３１よりも小径の円板形状に形成されている。水平仕切板５５の隔壁４１に対応する部位には、隔壁４１を逃げる逃げ部５５ａが切り欠かれている。
【００２０】
次に、以上の構成に係るＣＶＤ装置１０を使用して、ＤＲＡＭのキャパシタの静電容量部のためのＴａ2 Ｏ5 膜の表面近傍に存在したカーボンを除去する方法を説明する。すなわち、本実施の形態においては、ＣＶＤ装置１０に供給されるウエハ１にはキャパシタの静電容量部を形成するためのＴａ2 Ｏ5 膜（図示せず）が前のＭＯＣＶＤ工程において被着されており、Ｔａ2 Ｏ5 膜の表面近傍にはカーボン（図示せず）が存在しているものとし、このカーボンをＣＶＤ装置１０によって除去するものとする。
【００２１】
図２に示されているように、ＣＶＤ装置１０の被処理基板としてのウエハ１は複数枚がボート２５にウエハ移載装置１９によって装填（チャージング）される。複数枚のウエハ１が装填されたボート２５はシールキャップ２４および回転軸３９と共にボートエレベータ２２によって上昇されて、プロセスチューブ３１の処理室３２に搬入（ボートローディング）される。
【００２２】
図５に示されているように、ウエハ１群を保持したボート２５が処理室３２に搬入されて、処理室３２がシールキャップ２４によってシールされると、処理室３２は排気管３６に接続された排気装置によって所定の圧力以下に排気され、ヒータユニット３４への供給電力が上昇されることにより、処理室３２の温度が所定の温度に上昇される。ヒータユニット３４がホットウオール形構造であることにより、処理室３２の温度は全体にわたって均一に維持された状態になり、その結果、ボート２５に保持されたウエハ１群の温度分布は全長にわたって均一になるとともに、各ウエハ１の面内の温度分布も均一かつ同一になる。
【００２３】
処理室３２の温度が予め設定された値に達して安定した後に、処理ガス６１が導入される。圧力が予め設定された値に達すると、ボート２５が回転軸３９によって回転されながら、高周波電力が一対の電極４４、４４間に高周波電源４５および整合器４６によって印加される。処理ガス６１がガス供給管３５に供給され、両電極４４、４４間に高周波電力が印加されると、ガス供給管３５の内部にプラズマ６０が形成され、処理ガス６１は反応が活性な状態になる。図５および図６に破線矢印で示されているように、処理ガス６１の活性化した粒子（酸素ラジカル）６２は隔壁４１の各吹出口４２から処理室３２にそれぞれ吹き出す。
【００２４】
活性化した粒子（以下、活性粒子という。）６２は各吹出口４２からそれぞれ吹き出すことにより、それぞれが対向するウエハ１、１間に流れ込んで各ウエハ１に接触する。
この際、左右の仕切板５２、５２がボート２５の外側に同心円に設置されているので、各吹出口４２から吹き出した活性粒子６２は左右の仕切板５２、５２に案内されることにより側方に漏洩することなく、対向するウエハ１、１間に確実に流れ込む。
また、排気管側流通口５４の間口の寸法がウエハ１の直径よりも小さく設定され、排気管側流通口５４の背面視の形状が縦に細長い逆台形に形成されているので、流れ込んだ活性粒子６２は左右の仕切板５２、５２に囲まれた空間において全面かつ全長にわたって均等に拡散して行く。
このため、活性粒子の流れ方向に相当する各ウエハ１のウエハ面内の径方向の接触分布が均一になり、また、活性粒子６２のウエハ１群の全体に対する接触分布もボート２５の全長にわたって均一になる。しかも、ウエハ１はボート２５の回転によって回転されているため、ウエハ１、１間に流れ込んだ活性粒子６２のウエハ面内の接触分布は周方向においても均一になる。
【００２５】
ウエハ１に接触した活性粒子（酸素ラジカル）６２は、ウエハ１のＴａ2 Ｏ5 膜の表面近傍に存在するカーボンと熱反応してＣＯ（一酸化炭素）を生成することにより、カーボンをＴａ2 Ｏ5 膜から除去する。この際、前述した通りに、ウエハ１の温度分布がボート２５の全長かつウエハ面内で均一に維持されており、活性粒子６２のウエハ１との接触分布がボート２５の全位置かつウエハ面内で均一の状態になるため、活性粒子６２の熱反応によるウエハ１におけるカーボンの除去作用はボート２５の全位置かつウエハ面内において均一の状態になる。
ちなみに、ＤＲＡＭのキャパシタの静電容量部を形成するためのＴａ2 Ｏ5 膜のカーボンを除去する場合の処理条件は、次の通りである。処理ガスとして使用される酸素ガスの供給流量は、８．４５×１０-1〜３．３８Ｐａ・ｍ3 ／ｓ、処理室の圧力は１０〜１００Ｐａ、温度は５００〜７００℃である。
【００２６】
予め設定された処理時間が経過すると、処理ガス６１の供給、回転軸３９の回転、高周波電力の印加、ヒータユニット３４の加熱および排気管３６の排気等が停止される。
次いで、シールキャップ２４がボートエレベータ２２によって下降されることにより炉口３３が開口されるとともに、ボート２５に保持された状態でウエハ１群が炉口３３から処理室３２の外部に搬出（ボートアンローディング）される。
処理室３２の外部に搬出されたウエハ１群はボート２５からウエハ移載装置１９によってディスチャージングされる（降ろされる）。
以降、前記した作動が繰り返されることにより、複数枚のウエハ１が一括してバッチ処理される。
【００２７】
前記実施の形態によれば、次の効果が得られる。
【００２８】
1) 左右で一対の仕切板をボートの外側に同心円に設置することにより、各吹出口から吹き出した処理ガスを両仕切板によって案内して対向するウエハ間に確実に流れ込ませ、かつ、両仕切板によって囲んだ空間において全面にわたって拡散させることができるので、処理ガスの流れ方向に相当する各ウエハのウエハ面内の径方向の接触分布や、処理ガスのウエハ群の全体に対する接触分布を均一化させることができる。
【００２９】
2) 左右の仕切板の後側端辺同士が構成した排気管側流通口の間口寸法をウエハの直径よりも小さく設定し、その間口の背面視形状を縦に細長い逆台形に形成することにより、左右の仕切板に囲まれた空間に流れ込んだ処理ガスを左右の仕切板に囲まれた空間において全面かつ全長にわたって均等に拡散させることができるので、処理ガスの流れ方向に相当する各ウエハのウエハ面内の径方向の接触分布を均一化することができるとともに、処理ガスのウエハ群の全体に対する接触分布もボートの全長にわたって均一化することができる。
【００３０】
3) 左右の仕切板の下に水平仕切板を配置することにより、吹出口から吹き出された処理ガスが排気管に左右の仕切板の下方空間を通って直接的に排気されるのを防止することができるので、処理ガスの流れ方向に相当する各ウエハのウエハ面内の径方向の接触分布や、処理ガスのウエハ群の全体に対する接触分布をより一層確実に均一化させることができる。
【００３１】
4) 処理ガスの流れ方向に相当する各ウエハのウエハ面内の径方向の接触分布や、処理ガスのウエハ群の全体に対する接触分布を均一化させることにより、処理ガスによるウエハの処理状況分布をウエハ面内およびウエハ群内（各ウエハ相互間）で均一化させることができる。
【００３２】
なお、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。
【００３３】
例えば、仕切板はプロセスチューブに固定するに限らず、筐体やボートに固定してもよい。
【００３４】
ガス供給管の吹出口の個数は、処理するウエハの枚数に一致させるに限らず、処理するウエハの枚数に対応して増減することができる。例えば、吹出口は上下で隣合うウエハ同士間にそれぞれ対向して配置するに限らず、二枚や三枚置きに配設してもよい。
【００３５】
前記実施の形態では、キャパシタの静電容量部のＴａ2 Ｏ5 膜に介在したカーボンを除去する場合について説明したが、バッチ式リモートプラズマ処理装置は、その他の膜種に介在した異物（その膜種以外の分子や原子等）を除去する場合、ウエハにＣＶＤ膜を形成する場合、拡散する場合、熱処理する場合等に適用することができる。
例えば、ＤＲＡＭのゲート電極用の酸化膜を窒化する処理において、ガス供給管に窒素（Ｎ2 ）ガスまたはアンモニア（ＮＨ3 ）または一酸化窒素（Ｎ2 Ｏ）を供給し、処理室を室温〜７５０℃に加熱することにより、酸化膜の表面を窒化することができた。
また、シリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）膜が形成される前のシリコンウエハの表面を水素（Ｈ2 ）ガスの活性粒子によってプラズマ処理したところ、自然酸化膜を除去することができ、所望のＳｉＧｅ膜を形成することができた。
また、低温での窒素膜の形成において、ＤＣＳ（ジクロロシラン）とＮＨ3 （アンモニア）とを交互に供給してＳｉ（シリコン）とＮ（窒素）とを一層ずつ形成するＡＬＤ（Atomic Layer Deposition 原子層成膜）を行う場合、ＮＨ3 の供給時にＮＨ3 をプラズマで活性化して供給したところ、高品質の窒化膜が得られた。
【００３６】
また、前記実施の形態ではバッチ式リモートプラズマ処理装置について説明したが、本発明はこれに限らず、他のＣＶＤ装置、酸化膜形成装置、拡散装置およびアニール装置等の基板処理装置全般に適用することができる。
【００３７】
前記実施の形態ではウエハに処理が施される場合について説明したが、処理対象はホトマスクやプリント配線基板、液晶パネル、コンパクトディスクおよび磁気ディスク等であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明の実施の形態であるＣＶＤ装置を示す斜視図である。
【図２】その主要部を示す側面断面図である。
【図３】図２のIII-III 線に沿う一部切断平面断面図である。
【図４】図２のIV−IV線に沿う縦断面図である。
【図５】ガスの流れを示す主要部の一部省略平面断面図である。
【図６】同じく側面断面図である。
【符号の説明】
【００３９】
１…ウエハ（被処理基板）、２…カセット、１０…ＣＶＤ装置（バッチ式縦形ホットウオール形リモートプラズマＣＶＤ装置）、１１…筐体、１２…カセット授受ユニット、１３…カセットステージ、１４…ウエハ姿勢整合装置、１５…カセット棚、１６…予備カセット棚、１７…カセット移載装置、１８…ロボットアーム、１９…ウエハ移載装置、２０…ウエハ保持部、２１…ウエハ保持プレート、２２…ボートエレベータ、２３…アーム、２４…シールキャップ、２４ａ…シールリング、２５…ボート、２６、２７…端板、２８…保持部材、２９…保持溝、３１…プロセスチューブ、３２…処理室、３３…炉口、３４…ヒータユニット、３５…ガス供給管、３６…排気管、３７…断熱キャップ部、３８…回転駆動装置、３９…回転軸、４０…プラズマ室、４１…隔壁、４２…吹出口、４３…保護管、４４…電極、４５…高周波電源、４６…整合器、５１…ブラケット、５２…仕切板、５３…ガス供給管側流通口、５４…排気管側流通口、５５…水平仕切板、５５ａ…逃げ部、６０…プラズマ、６１…処理ガス、６２…活性粒子（処理ガス）。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理装置、特に、ガスの整流技術に関し、例えば、半導体集積回路装置（以下、ＩＣという。）の製造方法において、半導体素子を含む半導体集積回路を作り込む半導体ウエハ（以下、ウエハという。）に絶縁膜や金属膜を堆積（デポジション）するのに利用して有効なものに関する。
【背景技術】
【０００２】
ＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memorry ）のキャパシタ（Capacitor ）の静電容量部（絶縁膜）を形成するための五酸化タンタル（Ｔａ2 Ｏ5 ）膜の表面近傍に付着したカーボン（Ｃ）を除去する基板処理装置として、バッチ式リモートプラズマ処理装置が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
その一例として、複数枚の被処理基板が搬入される処理室を備えたプロセスチューブの前記処理室には互いに近接した一対の電極が配置されているとともに、両電極間には高周波電力を印加する電源が接続されており、前記処理室には前記両電極間を含み前記処理室と独立した放電室が形成されており、この放電室には処理ガスを前記処理室に供給するガス吹出口が開設されているバッチ式リモートプラズマ処理装置、がある。
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−２８０３７８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
前記したバッチ式リモートプラズマ処理装置においては、次のような問題点がある。
被処理基板の表面に処理ガスを供給したいが、被処理基板の全面に処理ガスが行き渡る前に排気されてしまう。ガス吹出口から吹き出した処理ガスの一部が被処理基板の間を流れずに側方を流れて排気されてしまう。
【０００５】
本発明の目的は、ガスを被処理基板の表面に均等に供給することができる基板処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る基板処理装置は、基板を多段に保持する基板保持具を収容して前記基板を処理する処理室と、前記基板を加熱するヒータユニットと、前記処理室内にガスを供給するガス供給管と、前記処理室内を排気する排気管と、前記処理室内に前記基板を囲むように配置されガス供給管側流通口と排気管側流通口とをそれぞれ有する仕切板とを備えており、前記排気管側流通口は前記基板の積層方向に延在され、前記排気管側流通口における前記基板の主面と平行な断面の開口は前記基板上を流れる前記ガスの流れ方向から見て前記基板の直径よりも小さく設定されており、前記排気管側流通口の前記基板の積層方向の両端の大きさは相異されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
前記手段によれば、ガス供給管から吹き出したガスは仕切板のガス供給管側の流通口から仕切板が囲んだ空間に流れ込み、流れ込んだガスは基板の全面に行き渡った後に、仕切板の排気管側の流通口から排気口によって排気される。この際、仕切板の排気管側の流通口の開口はガスの積層方向の流れが均等になるように設定されているので、ガスは積層方向において基板の全面に接触し、その結果、ガスによる処理は基板の全面にわたって均一に施されることになる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下、本発明の一実施の形態を図面に即して説明する。
【０００９】
本実施の形態において、本発明に係る基板処理装置は、バッチ式縦形ホットウオール形リモートプラズマＣＶＤ装置（以下、ＣＶＤ装置という。）として構成されている。
図１に示されているように、ＣＶＤ装置１０は筐体１１を備えており、筐体１１の前面にはカセット授受ユニット１２が設備されている。カセット授受ユニット１２はウエハ１のキャリアであるカセット２を二台載置することができるカセットステージ１３を備えており、カセットステージ１３の下方にはウエハ姿勢整合装置１４が二組設備されている。外部搬送装置（図示せず）によって搬送されて来たカセット２がカセットステージ１３に垂直姿勢（カセット２に収納されたウエハ１が垂直になる状態）で載置されると、ウエハ姿勢整合装置１４がカセット２に収納されたウエハ１のノッチやオリエンテーションフラットが同一になるようにウエハ１の姿勢を整合する。カセットステージ１３は９０度回転することにより、カセット２を水平姿勢にさせるようになっている。
【００１０】
筐体１１の内部にはカセット授受ユニット１２に対向してカセット棚１５が設備されており、カセット授受ユニット１２の上方には予備カセット棚１６が設備されている。カセット授受ユニット１２とカセット棚１５との間には、カセット移載装置１７が設備されている。カセット移載装置１７は前後方向に進退可能なロボットアーム１８を備えており、ロボットアーム１８は横行および昇降可能に構成されている。ロボットアーム１８は進退、昇降および横行の協働により、カセットステージ１３の上の水平姿勢となったカセット２をカセット棚１５または予備カセット棚１６へ搬送して移載するようになっている。
【００１１】
カセット棚１５の後方にはウエハ１を複数枚一括して、または、一枚宛移載することができるウエハ移載装置１９が回転および昇降可能に設備されている。ウエハ移載装置１９は進退可能なウエハ保持部２０を備えており、ウエハ保持部２０には複数枚のウエハ保持プレート２１が水平に取り付けられている。ウエハ移載装置１９の後方にはボートエレベータ２２が設備されており、ボートエレベータ２２のアーム２３には基板保持具としてのシールキャップ２４が水平に設置されている。
【００１２】
図２〜図４に示されているように、ＣＶＤ装置１０は石英ガラス等の耐熱性の高い材料が用いられて形成されたプロセスチューブ３１を備えており、プロセスチューブ３１は一端が開口で他端が閉塞の円筒形状に形成されている。プロセスチューブ３１は中心線が垂直になるように縦に配されて固定的に支持されている。プロセスチューブ３１の筒中空部は複数枚のウエハ１が収容される処理室３２を形成しており、プロセスチューブ３１の下端開口はウエハ１を出し入れするための炉口３３を形成している。プロセスチューブ３１の内径は取り扱うウエハ１の最大外径よりも大きくなるように設定されている。プロセスチューブ３１の外部にはプロセスチューブ３１の周囲を包囲するヒータユニット３４が同心円に設備されており、ヒータユニット３４は処理室３２を全体にわたって均一または所定の温度分布に加熱するように構成されている。ヒータユニット３４はＣＶＤ装置１０の筐体１１に支持されることにより垂直に据え付けられた状態になっている。
【００１３】
プロセスチューブ３１の炉口３３の付近における側壁の一部には、処理ガスを供給するためのガス供給管３５の一端が接続されており、ガス供給管３５の他端は処理ガスを供給するガス供給源（図示せず）に接続されている。プロセスチューブ３１の炉口３３の付近における側壁のガス供給管３５と１８０度反対側の部位には、排気管３６の一端が接続されており、排気管３６は他端が排気装置（図示せず）に接続されて処理室３２を排気し得るように構成されている。
【００１４】
プロセスチューブ３１の下端面には炉口３３を閉塞するシールキャップ２４が、下側からシールリング２４ａを挟んで当接されるようになっている。シールキャップ２４は炉口３３の内径よりも大径の外径を有する円盤形状に形成されており、プロセスチューブ３１の外部に垂直に設備されたボートエレベータ２２のアーム２３によって垂直方向に昇降されるように構成されている。シールキャップ２４の中心線上には回転軸３９が挿通されており、回転軸３９はシールキャップ２４と共に昇降し、かつ、回転駆動装置３８によって回転されるようになっている。回転軸３９の上端には被処理基板としてのウエハ１を保持するためのボート２５が、断熱キャップ部３７を介して垂直に立脚されて支持されるようになっている。
【００１５】
ボート２５は上下で一対の端板２６、２７と、両端板２６、２７間に架設されて垂直に配設された複数本（本実施の形態では三本）の保持部材２８とを備えており、各保持部材２８には多数条の保持溝２９が長手方向に等間隔に配されて互いに対向して開口するように没設されている。そして、ウエハ１の外周縁辺が各保持部材２８の多数条の保持溝２９間にそれぞれ挿入されることにより、複数枚のウエハ１がボート２５に水平にかつ互いに中心を揃えられた状態で整列されて保持されるようになっている。ボート２５の下側端板２７の下側には断熱キャップ部３７が形成されている。
【００１６】
プロセスチューブ３１におけるガス供給管３５と対向する部分には、樋形状の隔壁４１がプロセスチューブ３１の内周面と平行で上下方向に延在するように敷設されており、隔壁４１は気密のプラズマ室４０を形成するように構成されている。隔壁４１には複数個の吹出口４２がボート２５の上下で隣り合う保持溝２９、２９に保持された上下段のウエハ１、１間に対向するように配列されて開設されており、各吹出口４２はプラズマ室４０に供給されたガスを均等に吹き出させるように設定されている。
プラズマ室４０の内部には一対の保護管４３、４３がガス供給管３５の延長線を挟んで互いに反対側に対称形にそれぞれ配置されて、上下方向に延在するように敷設されている。各保護管４３は誘電体が使用されて上端が閉塞した細長い円形のパイプ形状に形成されており、各保護管４３の下端部は適度に屈曲されて、プロセスチューブ３１の側壁を貫通して外部に突き出されている。各保護管４３の中空部内は処理室３２の外部（大気圧）に連通されている。両保護管４３、４３の中空部内には導電材料が使用されて細長い棒状に形成された一対の電極４４、４４がそれぞれ同心的に敷設されており、両電極４４、４４間には高周波電力を印加する高周波電源４５が整合器４６を介して電気的に接続されている。
【００１７】
処理室３２内には左右で一対の仕切板５２、５２が同心円になるように配置されて、複数本のブラケット５１によってプロセスチューブ３１の側壁に据え付けられている。ブラケット５１および仕切板５２はいずれも透明石英（ＳｉＯ2 ）が使用されて形成され、溶接によって連結されている。左右の仕切板５２、５２は内径がボート２５の外径よりも大きめで、長さがボート２５の全高と略等しい円弧形の彎曲板形状にそれぞれ形成されており、隔壁４１の間に互いに対称形になるように配置され、複数本のブラケット５１によってプロセスチューブ３１の側壁に据え付けられている。左右の仕切板５２、５２の前後の端辺同士がそれぞれ形成する前後で一対の隙間は、ウエハ１群の積層方向である垂直方向にそれぞれ延在するガス供給管側流通口５３および排気管側流通口５４をそれぞれ構成している。
【００１８】
左右の仕切板５２、５２の前側端辺同士が構成したガス供給管側流通口５３におけるウエハ１の主面と平行な平面（水平面）の開口である間口の寸法は、隔壁４１の横幅よりも若干だけ大きめに設定されており、全高にわたって等しく設定されている。すなわち、ガス供給管側流通口５３の水平方向から見た形状（正面視の形状）は、縦に細長い長方形になっている。
他方、左右の仕切板５２、５２の後側端辺同士が構成した排気管側流通口５４における水平面の開口である間口の寸法は、ウエハ１の直径よりも小さく設定されており、垂直方向の間口寸法は下方に行くに従って小さくなるように設定されている。すなわち、図４に示されているように、排気管側流通口５４の水平方向から見た形状（背面視の形状）は、縦に細長い逆台形に形成されている。
なお、左右の仕切板５２、５２の中心と排気管側流通口５４の開口縁辺とを結んだ線分がなす角度を排気管側流通口５４の開度とすると、図３に示された実施の形態においては、排気管側流通口５４の最大開度である上端の開度Θａは、約３０度に設定されており、排気管側流通口５４の最小開度である下端の開度Θｂは、約１５度に設定されている。
【００１９】
断熱キャップ部３７の上には排気管３６の空間とボート２５との空間とを水平に仕切る仕切板（以下、水平仕切板という。）５５が、ボート２５と同心円になるように配置されて水平に据え付けられている。水平仕切板５５は透明石英が使用されて、ウエハ１よりも大径でプロセスチューブ３１よりも小径の円板形状に形成されている。水平仕切板５５の隔壁４１に対応する部位には、隔壁４１を逃げる逃げ部５５ａが切り欠かれている。
【００２０】
次に、以上の構成に係るＣＶＤ装置１０を使用して、ＤＲＡＭのキャパシタの静電容量部のためのＴａ2 Ｏ5 膜の表面近傍に存在したカーボンを除去する方法を説明する。すなわち、本実施の形態においては、ＣＶＤ装置１０に供給されるウエハ１にはキャパシタの静電容量部を形成するためのＴａ2 Ｏ5 膜（図示せず）が前のＭＯＣＶＤ工程において被着されており、Ｔａ2 Ｏ5 膜の表面近傍にはカーボン（図示せず）が存在しているものとし、このカーボンをＣＶＤ装置１０によって除去するものとする。
【００２１】
図２に示されているように、ＣＶＤ装置１０の被処理基板としてのウエハ１は複数枚がボート２５にウエハ移載装置１９によって装填（チャージング）される。複数枚のウエハ１が装填されたボート２５はシールキャップ２４および回転軸３９と共にボートエレベータ２２によって上昇されて、プロセスチューブ３１の処理室３２に搬入（ボートローディング）される。
【００２２】
図５に示されているように、ウエハ１群を保持したボート２５が処理室３２に搬入されて、処理室３２がシールキャップ２４によってシールされると、処理室３２は排気管３６に接続された排気装置によって所定の圧力以下に排気され、ヒータユニット３４への供給電力が上昇されることにより、処理室３２の温度が所定の温度に上昇される。ヒータユニット３４がホットウオール形構造であることにより、処理室３２の温度は全体にわたって均一に維持された状態になり、その結果、ボート２５に保持されたウエハ１群の温度分布は全長にわたって均一になるとともに、各ウエハ１の面内の温度分布も均一かつ同一になる。
【００２３】
処理室３２の温度が予め設定された値に達して安定した後に、処理ガス６１が導入される。圧力が予め設定された値に達すると、ボート２５が回転軸３９によって回転されながら、高周波電力が一対の電極４４、４４間に高周波電源４５および整合器４６によって印加される。処理ガス６１がガス供給管３５に供給され、両電極４４、４４間に高周波電力が印加されると、ガス供給管３５の内部にプラズマ６０が形成され、処理ガス６１は反応が活性な状態になる。図５および図６に破線矢印で示されているように、処理ガス６１の活性化した粒子（酸素ラジカル）６２は隔壁４１の各吹出口４２から処理室３２にそれぞれ吹き出す。
【００２４】
活性化した粒子（以下、活性粒子という。）６２は各吹出口４２からそれぞれ吹き出すことにより、それぞれが対向するウエハ１、１間に流れ込んで各ウエハ１に接触する。
この際、左右の仕切板５２、５２がボート２５の外側に同心円に設置されているので、各吹出口４２から吹き出した活性粒子６２は左右の仕切板５２、５２に案内されることにより側方に漏洩することなく、対向するウエハ１、１間に確実に流れ込む。
また、排気管側流通口５４の間口の寸法がウエハ１の直径よりも小さく設定され、排気管側流通口５４の背面視の形状が縦に細長い逆台形に形成されているので、流れ込んだ活性粒子６２は左右の仕切板５２、５２に囲まれた空間において全面かつ全長にわたって均等に拡散して行く。
このため、活性粒子の流れ方向に相当する各ウエハ１のウエハ面内の径方向の接触分布が均一になり、また、活性粒子６２のウエハ１群の全体に対する接触分布もボート２５の全長にわたって均一になる。しかも、ウエハ１はボート２５の回転によって回転されているため、ウエハ１、１間に流れ込んだ活性粒子６２のウエハ面内の接触分布は周方向においても均一になる。
【００２５】
ウエハ１に接触した活性粒子（酸素ラジカル）６２は、ウエハ１のＴａ2 Ｏ5 膜の表面近傍に存在するカーボンと熱反応してＣＯ（一酸化炭素）を生成することにより、カーボンをＴａ2 Ｏ5 膜から除去する。この際、前述した通りに、ウエハ１の温度分布がボート２５の全長かつウエハ面内で均一に維持されており、活性粒子６２のウエハ１との接触分布がボート２５の全位置かつウエハ面内で均一の状態になるため、活性粒子６２の熱反応によるウエハ１におけるカーボンの除去作用はボート２５の全位置かつウエハ面内において均一の状態になる。
ちなみに、ＤＲＡＭのキャパシタの静電容量部を形成するためのＴａ2 Ｏ5 膜のカーボンを除去する場合の処理条件は、次の通りである。処理ガスとして使用される酸素ガスの供給流量は、８．４５×１０-1〜３．３８Ｐａ・ｍ3 ／ｓ、処理室の圧力は１０〜１００Ｐａ、温度は５００〜７００℃である。
【００２６】
予め設定された処理時間が経過すると、処理ガス６１の供給、回転軸３９の回転、高周波電力の印加、ヒータユニット３４の加熱および排気管３６の排気等が停止される。
次いで、シールキャップ２４がボートエレベータ２２によって下降されることにより炉口３３が開口されるとともに、ボート２５に保持された状態でウエハ１群が炉口３３から処理室３２の外部に搬出（ボートアンローディング）される。
処理室３２の外部に搬出されたウエハ１群はボート２５からウエハ移載装置１９によってディスチャージングされる（降ろされる）。
以降、前記した作動が繰り返されることにより、複数枚のウエハ１が一括してバッチ処理される。
【００２７】
前記実施の形態によれば、次の効果が得られる。
【００２８】
1) 左右で一対の仕切板をボートの外側に同心円に設置することにより、各吹出口から吹き出した処理ガスを両仕切板によって案内して対向するウエハ間に確実に流れ込ませ、かつ、両仕切板によって囲んだ空間において全面にわたって拡散させることができるので、処理ガスの流れ方向に相当する各ウエハのウエハ面内の径方向の接触分布や、処理ガスのウエハ群の全体に対する接触分布を均一化させることができる。
【００２９】
2) 左右の仕切板の後側端辺同士が構成した排気管側流通口の間口寸法をウエハの直径よりも小さく設定し、その間口の背面視形状を縦に細長い逆台形に形成することにより、左右の仕切板に囲まれた空間に流れ込んだ処理ガスを左右の仕切板に囲まれた空間において全面かつ全長にわたって均等に拡散させることができるので、処理ガスの流れ方向に相当する各ウエハのウエハ面内の径方向の接触分布を均一化することができるとともに、処理ガスのウエハ群の全体に対する接触分布もボートの全長にわたって均一化することができる。
【００３０】
3) 左右の仕切板の下に水平仕切板を配置することにより、吹出口から吹き出された処理ガスが排気管に左右の仕切板の下方空間を通って直接的に排気されるのを防止することができるので、処理ガスの流れ方向に相当する各ウエハのウエハ面内の径方向の接触分布や、処理ガスのウエハ群の全体に対する接触分布をより一層確実に均一化させることができる。
【００３１】
4) 処理ガスの流れ方向に相当する各ウエハのウエハ面内の径方向の接触分布や、処理ガスのウエハ群の全体に対する接触分布を均一化させることにより、処理ガスによるウエハの処理状況分布をウエハ面内およびウエハ群内（各ウエハ相互間）で均一化させることができる。
【００３２】
なお、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。
【００３３】
例えば、仕切板はプロセスチューブに固定するに限らず、筐体やボートに固定してもよい。
【００３４】
ガス供給管の吹出口の個数は、処理するウエハの枚数に一致させるに限らず、処理するウエハの枚数に対応して増減することができる。例えば、吹出口は上下で隣合うウエハ同士間にそれぞれ対向して配置するに限らず、二枚や三枚置きに配設してもよい。
【００３５】
前記実施の形態では、キャパシタの静電容量部のＴａ2 Ｏ5 膜に介在したカーボンを除去する場合について説明したが、バッチ式リモートプラズマ処理装置は、その他の膜種に介在した異物（その膜種以外の分子や原子等）を除去する場合、ウエハにＣＶＤ膜を形成する場合、拡散する場合、熱処理する場合等に適用することができる。
例えば、ＤＲＡＭのゲート電極用の酸化膜を窒化する処理において、ガス供給管に窒素（Ｎ2 ）ガスまたはアンモニア（ＮＨ3 ）または一酸化窒素（Ｎ2 Ｏ）を供給し、処理室を室温〜７５０℃に加熱することにより、酸化膜の表面を窒化することができた。
また、シリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）膜が形成される前のシリコンウエハの表面を水素（Ｈ2 ）ガスの活性粒子によってプラズマ処理したところ、自然酸化膜を除去することができ、所望のＳｉＧｅ膜を形成することができた。
また、低温での窒素膜の形成において、ＤＣＳ（ジクロロシラン）とＮＨ3 （アンモニア）とを交互に供給してＳｉ（シリコン）とＮ（窒素）とを一層ずつ形成するＡＬＤ（Atomic Layer Deposition 原子層成膜）を行う場合、ＮＨ3 の供給時にＮＨ3 をプラズマで活性化して供給したところ、高品質の窒化膜が得られた。
【００３６】
また、前記実施の形態ではバッチ式リモートプラズマ処理装置について説明したが、本発明はこれに限らず、他のＣＶＤ装置、酸化膜形成装置、拡散装置およびアニール装置等の基板処理装置全般に適用することができる。
【００３７】
前記実施の形態ではウエハに処理が施される場合について説明したが、処理対象はホトマスクやプリント配線基板、液晶パネル、コンパクトディスクおよび磁気ディスク等であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明の実施の形態であるＣＶＤ装置を示す斜視図である。
【図２】その主要部を示す側面断面図である。
【図３】図２のIII-III 線に沿う一部切断平面断面図である。
【図４】図２のIV−IV線に沿う縦断面図である。
【図５】ガスの流れを示す主要部の一部省略平面断面図である。
【図６】同じく側面断面図である。
【符号の説明】
【００３９】
１…ウエハ（被処理基板）、２…カセット、１０…ＣＶＤ装置（バッチ式縦形ホットウオール形リモートプラズマＣＶＤ装置）、１１…筐体、１２…カセット授受ユニット、１３…カセットステージ、１４…ウエハ姿勢整合装置、１５…カセット棚、１６…予備カセット棚、１７…カセット移載装置、１８…ロボットアーム、１９…ウエハ移載装置、２０…ウエハ保持部、２１…ウエハ保持プレート、２２…ボートエレベータ、２３…アーム、２４…シールキャップ、２４ａ…シールリング、２５…ボート、２６、２７…端板、２８…保持部材、２９…保持溝、３１…プロセスチューブ、３２…処理室、３３…炉口、３４…ヒータユニット、３５…ガス供給管、３６…排気管、３７…断熱キャップ部、３８…回転駆動装置、３９…回転軸、４０…プラズマ室、４１…隔壁、４２…吹出口、４３…保護管、４４…電極、４５…高周波電源、４６…整合器、５１…ブラケット、５２…仕切板、５３…ガス供給管側流通口、５４…排気管側流通口、５５…水平仕切板、５５ａ…逃げ部、６０…プラズマ、６１…処理ガス、６２…活性粒子（処理ガス）。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を多段に保持する基板保持具を収容して前記基板を処理する処理室と、前記基板を加熱するヒータユニットと、前記処理室内にガスを供給するガス供給管と、前記処理室内を排気する排気管と、前記処理室内に前記基板を囲むように配置されガス供給管側流通口と排気管側流通口とをそれぞれ有する仕切板とを備えており、前記排気管側流通口は前記基板の積層方向に延在され、前記排気管側流通口における前記基板の主面と平行な断面の開口は前記基板上を流れる前記ガスの流れ方向から見て前記基板の直径よりも小さく設定されており、前記排気管側流通口の前記基板の積層方向の両端の大きさは相異されていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項１】
基板を多段に保持する基板保持具を収容して前記基板を処理する処理室と、前記基板を加熱するヒータユニットと、前記処理室内にガスを供給するガス供給管と、前記処理室内を排気する排気管と、前記処理室内に前記基板を囲むように配置されガス供給管側流通口と排気管側流通口とをそれぞれ有する仕切板とを備えており、前記排気管側流通口は前記基板の積層方向に延在され、前記排気管側流通口における前記基板の主面と平行な断面の開口は前記基板上を流れる前記ガスの流れ方向から見て前記基板の直径よりも小さく設定されており、前記排気管側流通口の前記基板の積層方向の両端の大きさは相異されていることを特徴とする基板処理装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【公開番号】特開２００６−１２９９４（Ｐ２００６−１２９９４Ａ）
【公開日】平成１８年１月１２日（２００６．１．１２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００４−１８５３６３（Ｐ２００４−１８５３６３）
【出願日】平成１６年６月２３日（２００４．６．２３）
【出願人】（０００００１１２２）株式会社日立国際電気 (5,007)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年１月１２日（２００６．１．１２）
【国際特許分類】
【出願日】平成１６年６月２３日（２００４．６．２３）
【出願人】（０００００１１２２）株式会社日立国際電気 (5,007)
【Ｆターム（参考）】
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