【課題】装置自体を大型化することなく各ブロック体間の熱移動を極力抑制して各ブロック体を個別に温度制御ができると共に、エネルギー効率も向上させることができる処理装置を提供する。
【解決手段】排気が可能になされた金属製の筒体状の処理容器３４と、被処理体Ｗを載置するために前記処理容器内に設けられた載置台３６と、前記被処理体を加熱するための加熱手段４０と、前記処理容器内に所定のガスを導入するガス導入手段４２とを有し、前記被処理体に対して所定の処理を施すようにした処理装置において、前記処理容器を複数のブロック体８０、８２、８４に分割し、前記ブロック体間に真空断熱層８６、８８を設ける。これにより、装置自体を大型化することなく各ブロック体間の熱移動を極力抑制して各ブロック体を個別に温度制御ができ、エネルギー効率を向上させる。 （もっと読む）

【課題】ガス供給管の処理室への配管本数を増加することが容易な基板処理装置を提供する。
【解決手段】プロセスチューブ３０に形成された処理室３１と、ボート６１が待機する待機室２３とを備えたロードロック方式のバッチ式熱処理装置において、複数本のガス供給管３５Ｂ、３５Ｃを待機室２３内から待機室２３の天井壁を貫通して処理室３１内に挿入する。これらガス供給管３５Ｂ、３５Ｃは待機室２３に開設されたボート搬入搬出口２６の周囲であって処理室３１の炉口３３の直径以下の領域に配管する。プロセスチューブ３０周りの構造に影響を受けずに複数本のガス供給管を処理室内に配管できる。複数本のガス供給管の配管作業を作業領域が比較的に限定されない待機室内において実施することにより、配管作業を適正かつ効率的に実施できるので、不充分な接続によるリークの発生を防止できる。 （もっと読む）

【課題】 処理空間を不活性ガスで高速に浄化する場合、排ガス圧力制御手段で加圧状態が発生してしまうことを防止する。
【解決手段】 基板処理装置は、基板に対して所定の処理を施すための処理空間を提供する処理容器と、この処理容器により提供される前記処理空間にガスを供給するガス供給ラインと、前記処理容器により提供される前記処理空間のガスを排出するガス排出ラインと、このガス排出ラインに挿入され、このガス排出ラインの排ガス圧力を制御する排ガス圧力制御手段と、前記ガス排出ラインに前記排ガス圧力制御手段と並列に接続され、装置の非常停止状態が発生したときに導通状態に設定されるバイパスラインとを備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】処理室の内圧の変化を抑制する基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板１８が収納された処理室１０２に原料ガスを供給する工程と、処理室１０２をパージする工程と、処理室１０２に酸素を供給する工程と、処理室１０２を再びパージする工程とを１サイクルとして、複数回、このサイクルを繰り返して基板１８に薄膜を形成する基板処理装置１０に、処理室１０２に供給されるトータルのガス量を各工程を通じて略一定とするための調整用ガス供給管１４２を設ける。 （もっと読む）

【課題】
発熱部での非加熱域をなくして、発熱部下部での温度低下を抑制し、発熱部の均熱領域を長くして製品ウェーハの品質の均一性の向上、歩留りの向上を図る。
【解決手段】
筒状の断熱体及び該断熱体の内周面に配設された発熱線から構成される発熱部７と、該発熱部に対して円筒空間１５を形成する様に第１の断熱体４２が設けられたヒータケース１１と、該ヒータケースと前記発熱部の上端に設けられた天井部１２とから構成された加熱装置２を有する基板処理装置に於いて、前記第１の断熱体の下方側に設けられ、円周方向に空間を有する冷却ガス導入部３６の内周面が、前記円筒空間の内周面より外側に設けられる。
（もっと読む）

【課題】Ａｌ元素を含むIII族窒化物を作製する場合であっても、破損が生じることのない作製装置を提供する。
【解決手段】第１反応管１は、ＡｌＣｌとの反応性が十分に小さい物質、例えばサファイアによって形成する。第１反応ゾーンを１０００℃に、第２反応ゾーンを１２００℃に加熱する。第１反応管１にはＨＣｌを供給し、第２反応管２にはＮＨ₃を供給する。第１反応管１内部では、ＨＣｌと固体源８である固体Ａｌとが反応して、ＡｌＣｌガスが生成する。第１反応管１の内面はサファイアで形成されているので、ＡｌＣｌとは反応しない。ＡｌＣｌは、第２反応ゾーンへと送られる。第２反応管２内部では、ＮＨ₃ガス流が第１反応管１を取り囲むように存在するので、ＡｌＣｌは領域ＲＥ付近でＮＨ₃と直ちに反応し、気体ＡｌＮが生成される。ＡｌＣｌは全て消費されるので、第２反応管２が石英だとしてもこれと反応することはほとんどない。 （もっと読む）

【課題】液体混合原料を気化して処理ガスとして用いる処理装置において、複数種類の液体混合原料を順次供給する際に、液体混合原料の切り替えに要する時間を短縮することを課題とする。
【解決手段】金属元素を含む第１の液体材料を第１の送液配管２０，２２，２４を介して第３の送液配管３０へ供給し、第１の液体材料の各溶液原料を混合した第１の混合液体材料を気化器３２に供給する。第１の液体材料を第１の送液配管を介して第３の送液配管３０へ供給し、残留している第１の液体材料を、第１の液体材料の各溶液原料を混合した第２の混合液体材料により、第３の送液配管３０の気化器３２手前の位置に接続されたドレイン配管３８に押し出す。第１の液体材料を第１の送液配管を介して第３の送液配管３０へ供給し、混合した第２の混合液体材料を気化器３２に供給する。 （もっと読む）

【課題】 複数の原料ガスをガス流の乱れを生じさせることなく基板の表面へ供給し、基板上に良質な化合物半導体の薄膜を形成することができるガス導入装置を提供する。
【解決手段】 基板２２の表面に薄膜を形成するための原料ガスを供給するガス導入装置２１は、対向するように設けられる天板２３と底板２４とを有して形成され、複数の原料ガスを流過させる流路を形成するガス導入管２７と、ガス導入管２７の内部に原料ガス流過方向に延びかつ天板２３に対して平行に設けられ、ガス導入管２７の内部空間を原料ガス流過方向の長さの途中まで第１流路３１と第２流路３２とに仕切る仕切板２８とを含む。ガス導入装置２１では、仕切板２８の原料ガス流過方向の先端部を過ぎて第１および第２流路３１，３２が１つの流路に合流する合流流路３４の高さが、第１および第２流路３１，３２の高さを加算した和以下になるように構成される。 （もっと読む）

蒸着システムおよびそれに関連する方法が、提供される。これらのシステムは、他の利点の中でもとりわけ、質の高い堆積を促進し得；製造、改変および使用を簡単にし得；そして、システムの設置面積を減少させ得る特徴を備えるように設計され得る。１つの局面において、本発明は、原子層堆積システムを提供する。このシステムは、基材を囲むように設計された反応チャンバを備える。この反応チャンバは、上面、底面およびこの上面と底面との間の側壁を有する。
（もっと読む）

【課題】 ノズルからの輻射光の漏れを防止でき、ヒータ内部の均熱性の悪化及びヒータ外部の温度上昇を抑制することができる熱処理装置、ヒータ及びヒータの製造方法を提供する。
【解決手段】 被処理体ｗを多段に収容して所定の熱処理を行うための処理容器３と、該処理容器３を覆い被処理体ｗを加熱する筒状のヒータ３と、該ヒータ３と処理容器２との間の空間１９内の雰囲気を排出する排熱系２０と、前記空間１９内に冷却流体を吹出して冷却する冷却手段２２とを備えた熱処理装置１であって、前記ヒータ３は筒状の断熱材１３の内周に発熱抵抗体１４を配設してなり、前記冷却手段２２は前記ヒータ３の断熱材１３中に埋設された複数の吹出しノズル２３を有し、各吹出しノズル２３はその入口２３ａと出口２３ｂが直線でつながらない形状に形成されている。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、特に大気圧に近い圧力雰囲気で半導体基板上に薄膜を形成する装置におけるパーティクル発生の問題を回避して生産性を向上するのに好適な成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】
本発明における成膜装置は、少なくとも、半導体基板上に薄膜を形成するための反応室と、ガス供給系と、ガス排気系を有しており、前記ガス排気系は、反応室に接続する第一の排気管と、第一の排気管を分岐した第二および第三の排気管とで構成される。第二の排気管は第一のバルブと第一の圧力制御弁を有し、第三の排気管は第二のバルブと第二の圧力制御弁を備え、第一のバルブと第二のバルブとは、同時に開状態にはならないようにし、また、第一の圧力制御弁と第二の圧力制御弁とは、各々独立して機能する構成とした。 （もっと読む）

単一の質量流量を少なくとも二つの流れライン（１２２ａ、１２２ｂ）に分割するための流量比率制御装置（１０６）を含むガス送出システム用の反対称最適制御アルゴリズムを提供する。各流れラインは、流量計（１２４）及びバルブ（１２６）を含む。流量比率制御装置の両バルブは、単一の入力信号出力ＳＩＳＯ制御装置と、インバーターと、二つの線型飽和器とを含む反対称最適制御装置によって、比率フィードバックループを通して制御される。ＳＩＳＯ制御装置の出力を、二つのバルブに加えられる前に分割し変更する。二つのバルブ制御コマンドは、許容可能な最大バルブコンダクタンス位置に対し、実際上、反対称である。これらの二つのバルブコマンドが、夫々の線型飽和器を、許容可能な最大バルブコンダクタンス位置で二つの飽和限度の一方として通過するため、一方のバルブが、任意の時期に、許容可能な最大バルブコンダクタンス位置に保持されると同時に、他方のバルブが、流量比率を維持するように能動的に制御されるという正味の効果が得られる。
（もっと読む）

【課題】
処理管の湿式洗浄が容易に行える基板処理装置を提供する。
【解決手段】
基板２００を加熱する加熱手段２０７と、断面が略円形で前記基板を収納する処理管２０３と、該処理管に設けられ端部が該処理管の外壁から外側に突出する少なくとも１つの細管２３２ａ，２３２ｂ，２７５と、該細管の少なくとも１つを介して処理ガスを前記処理管内に供給する処理ガス供給系２３０と、前記処理管に設けられた排気口２３１を介して前記処理管内を排気する排気系２４０とを具備し、前記細管、前記排気口が前記処理管の円周方向略１８０°以内の範囲に設けられた。
（もっと読む）

【課題】
基板周辺の膜厚増加を抑制し、成膜の均一性を改善し、処理品質の向上、歩留りの向上を図る。
【解決手段】
複数の基板を収容する処理室１２と、前記基板を加熱する加熱手段１１と、所要の処理ガスを前記処理室内の任意の位置から供給する供給手段５５と、前記処理ガスの供給位置とは異なる位置で前記処理室に開口した排気口５９を介して前記処理室内のガスを排気する排気手段６７とを備え、前記処理ガスの供給位置周辺に臨接する部位の表面積密度が、前記排気口周辺に臨接する前記処理室の部位の表面積密度よりも大きくなる様に、前記処理ガスの供給位置周辺に臨接する部位の表面が加工されている。
（もっと読む）

【課題】
基板処理装置に於いて、ガス供給管とガス導入ノズルとを連結する場合のガス導入ノズルの欠損、破損が生じない安全性の高い基板処理装置を提供する。
【解決手段】
基板を収納する処理管１と、該処理管内に所要の処理ガスを導入し、前記処理管の壁を貫通して管外に延出する外端部１２を有するガス導入ノズル１１と、該ガス導入ノズルに処理ガスを供給するガス供給管１３と、前記外端部と前記ガス供給管とを連結する連結部材１５とを具備し、該連結部材と前記処理管の外面との間にスペーサ６８を設けた。
（もっと読む）

【課題】基板処理用の反応性ガスの供給ラインの途中にガス溜を設けた基板処理装置のガス溜より下流側の反応性ガスを効率よく置換または処理できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理室２０１に基板処理用ガスを供給する第１のガス供給ライン２３２ｂと、基板処理用ガス供給ライン２３２ｂに設けられた第１のガス溜２４７と、第１のガス溜２４７の上流側で第１のガス供給ライン２３２ｂに接続され、パージガスまたは基板処理用ガスを処理するガスを供給する第２のガス供給ライン２３２ｃと、第２のガス供給ライン２３２ｃに設けられた第２のガス溜２５１とを備える。 （もっと読む）

大気圧より低い圧力でペンタボラン（９）含有流体を収容するための、液体窒素浴（１２８）中の容器（１２６）を含む、流体保管および分配システム（１００）。ペンタボランは液体または合成源（１２４）から供給することができ、窒素は弁（１２０）から供給することができ、これらはガス調整器（Ｒ−１およびＲ−２）によって制御される。流体保管および分配システムは、種々の弁（ＡＶ−１〜ＡＶ−１６およびＭＶ−１〜ＭＶ−４）を介して半導体または液晶製造設備に連通的に接続することができる。ジボランなどの市販の水素化ホウ素化合物の代替物としてペンタボラン（９）が使用される。このシステムは、排出ポンプ（１３０）、洗浄手段（１４０）、および送出されるペンタボラン（９）濃度をサンプリングするための三方弁（１６２）を含むことができる。 （もっと読む）

【課題】ＤＶが発生しないようにガス弁システムを改善してパージ効率を向上させた半導体素子の製造装置とその方法を提供する。
【解決手段】半導体素子を製造するために基板が処理される反応チャンバと、反応チャンバ内に第１工程ガスを供給する第１工程ガス供給管と、第１入口、第２入口、第１出口及び第２出口を備え、前記第１工程ガス供給管とは前記第１入口及び第１出口でそれぞれ連結されるように前記第１工程ガス供給管の中間に設けられる４方弁と、４方弁の第２入口に連結され、反応チャンバ内に第２工程ガスを供給する第２工程ガス供給管と、４方弁の第２出口に連結されたバイパス管と、バイパス管に設けられた断続弁と、を備える４方弁を有する半導体素子の製造装置である。 （もっと読む）

【課題】 内部に残留する液体原料を確実に気化させて液残りの発生を抑制することが可能な気化装置を提供する。
【解決手段】 圧送されてくる液体原料を減圧雰囲気中にて気化させると共に、発生した原料ガスをキャリアガスにより搬送するようにした気化装置において、前記圧送されてくる液体原料を一時的に貯留する液溜め室７０と、前記液溜め室に弁口６６を介して連通された気化室６２と、前記弁口を区画する弁座に前記液溜め室側から着座可能に設けられた弁体７２と、前記弁体を駆動するアクチュエータ手段８１と、前記弁体に前記弁口を臨むようにして設けられたキャリアガス噴射口９２を有するキャリアガス導入手段９０と、前記気化室内の原料ガスを排出する排出口２８とを備える。これにより、内部に残留する液体原料を確実に気化させて液残りの発生を抑制する。 （もっと読む）

【課題】装置コストを大幅に低下させ、かつ設置面積を大幅に小とすることのできる真空装置を提供する。
【解決手段】ロードロックチャンバ１ａ，１ｂ及びバッファチャンバ２を排気する第１の主ターボ分子ポンプ系５と、プロセスチャンバ１０ａ，１０ｂを排気する第２の主ターボ分子ポンプ系６０とを備え、これら第１、第２の主ターボ分子ポンプ系５，６０を構成するターボ分子ポンプ６ａ〜６ｃ及びターボ分子ポンプ１２ａ，１２ｂのそれぞれの背圧を低下させる補助ポンプ５０を共通の１個のポンプで構成する。 （もっと読む）