廃棄流出物から熱を回収する方法及び装置を本明細書に開示する。一部の実施形態では、装置は、気体又は液体処理のために構成された第１の処理チャンバと、液体処理のために構成された第２の処理チャンバと、コンプレッサ及び第１の熱交換器を有するヒートポンプとを含むことができ、コンプレッサは、第１の処理チャンバから排出された第１の廃棄物を使用するように構成され、第１の熱交換器は、熱をその間で伝達するように構成された第１及び第２の側面を有し、第１の側面は、それを通過して液体反応剤を第２の処理チャンバ内に流すように構成され、第２の側面は、それを通過して第１の処理チャンバからの加圧された第１の廃棄物を流すように構成される。一部の実施形態では、液体反応剤を第２の処理チャンバに入る前に更に加熱するために、加熱器をヒートポンプと第２の処理チャンバの間に配置することができる。 （もっと読む）

【課題】クロスパージ性能を有する石英泡立て容器であり、このクロスパージによって、ユーザーは、単に不活性ガスを流すことによって容易に空気および化学製品をバルブ入口およびバルブ出口からパージすることができる。
【解決手段】その設計は、泡立て容器１０の入口１９および出口２１の接続部に取り付けられた少ない設置面積の２つの３方向バルブ７，１１を組み入れる。それぞれのバルブの３番目のポートは、クロスパージ管路をともなった複数のバルブの間に一緒に配管される。バルブは、腐食耐性があり、漏れがなく、保全不要であり、不純物の浸出もなく、そして、（アンプルの入口および出口の）石英ブレークシールを突き通すことになる任意選択的なブレークシールクラッシャーを適用する。 （もっと読む）

【課題】２つの部屋を連通する際に一方の部屋の雰囲気を他方の部屋へ流入させることなく両部屋の差圧をゼロにすることが可能な圧力調整装置を提供する。
【解決手段】開閉可能になされた開閉ドアＧ１〜Ｇ８を介して連通された、圧力差が生ずることのある第１の部屋と第２の部屋の圧力調整装置において、第１の部屋と第２の部屋とを連通する連通路６６と、連通路の途中に介設された第１及び第２の開閉弁６８，７０と、連通路の第１及び第２の開閉弁との間に接続されて、連通路に所定の圧力の清浄ガスを供給するガス供給通路７２と、ガス供給通路の途中に介設されたガス開閉弁７４と、開閉ドアを開く直前に、第１及び第２の開閉弁を閉じた状態で連通路内に清浄ガスを貯め込み、次に、貯め込んだ清浄ガスを第１及び第２の部屋へ供給するために第１及び第２の開閉弁を開くように制御する弁制御部７６とを備えるように構成する。 （もっと読む）

【課題】金属汚染を防止することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】ウエハを処理する処理室１６を形成したインナチューブ１５と、インナチューブ１５の外周側に設けられたアウタチューブ１４との間を下端で区画するアダプタ５０を設ける。インナチューブ１５、アウタチューブ１４およびアダプタ５０は石英によって形成する。アダプタ５０のアウタチューブ１４との接続部分の鉛直方向の厚みより水平方向の厚みを厚くする。ガス供給管２６と接続されるポート部５１をアダプタ５０の外側壁に形成し、ポート部５１からインナチューブ１５内まで貫通孔５２を形成し、貫通孔５２にガス供給ノズル５３を接続する。アダプタによる金属汚染の発生を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】基板処理に伴い生成される副生成物が、ガス供給ラインに逆流することを防止できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、ウエハ２００を処理する処理室２０１と、処理室２０１内にウエハ２００を処理するための処理ガスを供給する処理ガス供給管３１２，３２２と、処理ガス供給管３１２，３２２に合流するように接続され、処理室２０１内をクリーニングするためのクリーニングガスを処理室２０１内に供給するクリーニングガス供給管３３０，３４０と、クリーニングガス供給ラインを制御して、処理室２０１内に前記クリーニングガスを供給させ、処理室２０１内に付着した付着物を除去させ、処理室２０１内をクリーニングさせるコントローラ２４０と、を有する。 （もっと読む）

【課題】金属汚染の危険を伴わず、かつ容易な手段で、均一な膜厚の薄膜を気相成長させることのできる気相成長装置および薄膜の気相成長方法を提供する。
【解決手段】サセプタ上にウエーハを載置し、該ウエーハ上に薄膜を気相成長させる装置であって、少なくとも、気相成長を行う反応室と、該反応室に原料ガスを導入する複数の流路と、前記反応室からガスを排気する排出口と、ウエーハを載置するサセプタと、前記ウエーハを加熱する加熱手段とを備え、前記複数の流路は、原料ガスを各流路毎に個別に前記反応室に供給するものであり、かつ各流路毎に個別に流量をコントロールする調整機構を備えたものであって、さらに、前記複数の流路の原料ガスの流量比を変更・制御するための制御機構とを備えたものであることを特徴とする気相成長装置。 （もっと読む）

【課題】不所望の不純物の混入を抑制することができる薄膜製造装置を提供する。
【解決手段】本発明の薄膜製造装置は、真空容器１１と、真空容器１１内に設けられた高周波アンテナ１３と、真空容器１１内に高周波アンテナ１３から離間して設けられた基板保持部１９と、高周波アンテナ１３の近傍に設けられたプラズマ生成ガス供給口１４と、プラズマ生成ガス供給口１４と基板Ｓの間に設けられた主原料ガス供給口１５と、プラズマ生成ガス供給口１４と基板Ｓの間であって主原料ガス供給口１５と基板Ｓの間に設けられたドーピングガス供給口１６、１７とを備える。ドーピングガス供給口１６、１７が最も基板Ｓに近い位置にあることにより、ドーピングガスがアンテナ側に逆流することを防ぐことができるため、ドーピング原子がアンテナ等に付着することを防ぐことができる。そのため、不所望のドーピング材料が不純物として薄膜に混入することが抑えられる。 （もっと読む）

【課題】成膜のシーケンスを中断することなく継続できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を処理する処理室と、第１原料ガス供給管と、第１原料ガスと反応する第２原料ガスを供給する第２原料ガス供給管と、処理室を排気する排気ポンプと、排気ポンプの後段に接続された複数系統の排気管と、複数系統の排気管を切り換えて少なくとも一系統の排気管から排気させる切換弁２４３ｆ，２４３ｇと、排気ポンプの背圧を検出する圧力検出器と、切り換え作動するコントローラとを備え、コントローラは、圧力検出器２６８の圧力検出値が所定の基準値以下のときは、予め、選択された一つの排気系統の排気管を排気ポンプに接続させ、圧力検出器の検知圧力が所定基準値を超えたときは、他の排気系統のうち、少なくとも一つの排気系統の排気管を排気ポンプに接続させるように、切換弁２４３ｆ，２４３ｇを切り換え作動する。 （もっと読む）

【課題】
保守時のガスノズルの取外しを容易に、且つ安全に行える様にした基板処理装置を提供する。
【解決手段】
基板を処理する処理室２４と、該処理室にガスを供給するガスノズル３と、該ガスノズルを覆い支持するノズル支持部２３と、該ノズル支持部に固定され、前記ガスノズルを保持するノズル保持具２と、該ノズル保持具に保持された前記ガスノズルを前記ノズル支持部からずらす為の位置ずらし治具とを有する。
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【課題】従来の気相成長装置は、安全性の観点から改良すべき点がある。本発明は、安全性を大幅に改善した新規な気相成長装置、及びこの装置におけるガス混合回避方法を提供するものである。
【解決手段】本発明の気相成長装置は、チャンバー１０３に収容されたウェハ１０２上に、気相成長法により成膜するために、成膜に必要なガスを供給する第１の流路１０５ａ，１０５ｂと、この第１のガス流路のガスを制御するバルブ１０７Ａ、１０７ａ、１０７Ｂ、１０７ｂと、前記チャンバー１０３内をクリーニングするために、クリーニング用ガスを前記チャンバー１０３内に供給する第２の流路１０８と、前記チャンバー内のガスを排気する第３の流路１１０とを備えてなる気相成長装置であって、前記バルブを直列の２段構成（１０７Ａと１０７ａ、１０７Ｂと１０７ｂ）とし、その２段構成のバルブの間に圧力スイッチ１１４Ａ，１１４Ｂを設けたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】改良されたバルク化学物質供給システムを提供する。
【解決手段】少なくとも１つのマニホールド・ボックスに接続されたバルク化学物質キャニスターを含み、各マニホールド・ボックスが少なくとも２つの流出ラインを有し、各流出ラインが二次キャニスターと接続している、バルク化学物質供給システム。代表的な実施例においては、バルク化学物質キャニスターは２００リットルの容量を有するが、これに限定されるものではない。また、キャニスターおよび輸送／格納カートから化学物質を供給するのに使用するための新規なマニホールドが開示される。 （もっと読む）

【課題】処理室でガス化学反応を伴う基板処理装置の、その装置を製造した時の、マニホールドフランジとガス導入ポートの溶接部に起因するパーティクルを抑止する。
【解決手段】溶接部を、ガス化学反応から遮蔽する、その反応に耐性を有する素材からなる、溶接部をガス化学反応から遮蔽するカバー手段を、基板処理装置内に付設することで、運用コストを含め低コストにそのパーティクル発生およびウエハへの付着を防ぐ。カバー手段としては、例えば、石英によって、溶接部をガス化学反応から遮蔽する板状の遮蔽部と、処理室中へのガス導入開口に挿入する筒状の挿入部とを組合せて構成する。 （もっと読む）

【課題】表面処理におけるローディング効果を防止する表面処理装置を提供する。
【解決手段】表面処理装置１の第１ノズル部３０に、反応性ガスを噴出する第１噴出口３１と、ガスを吸引する第１吸引口３２とを左右（第１方向）に離して形成する。移動手段２０によって被処理物Ｗを第１ノズル部３０に対し第１方向に相対移動させる。被処理物Ｗの相対移動される位置を挟んで第１ノズル部３０と上下（第２方向）に対向するように、第２ノズル部４０を配置する。第２ノズル部４０には、第１ノズル部３０と第２ノズル部４０との間のガスを吸引する第２吸引口４２を形成し、この第２吸引口４２を第１噴出口３１と第２方向に対向させる。 （もっと読む）

【課題】反応管が傾斜した場合にも、ガスノズル、温度検出器の貫通部に無用な荷重が作用しない基板処理装置を提供する。
【解決手段】反応管４７と、基板保持具３５と、処理ガスを供給するガスノズル５４と、基板を加熱する加熱手段と、温度検出器１０２と、排気手段とを備え、前記ガスノズル、前記温度検出器は、前記反応管内への挿入部分であり基板の主面に対して平行な第１の部位５４ｂ，１０２ｂと、該第１の部位から前記反応管の内壁面に沿って基板の積層方向に延出する第２の部位５４ａ，１０２ａとを有し、前記ガスノズル、前記温度検出器それぞれは細管支持部材５５，１１２によって支持され、該細管支持部材はそれぞれ第１支持部と第２支持部とを有し、前記第１支持部は前記第１の部位に当接し、前記第２支持部は前記第２の部位と平行であると共に少なくとも三方で前記第２の部位に嵌合して該第２の部位を支持する。 （もっと読む）

【課題】排気手段内の汚染物質が処理室内へ逆拡散（逆流）することを抑制する基板処理装置を提供する。
【解決手段】減圧下で基板を処理する処理室２０１と、処理室２０１内に所望のガスを供給するガス供給手段２３２と、処理室２０１内の雰囲気を排気する排気手段２３１と、ガス供給手段２３２に設けられる第１のバルブ１７７等と、排気手段に設けられる第２のバルブ２４２と、処理室２０１内の圧力を検知する圧力検知手段と、第１のバルブ１７７等、第２のバルブ２４２、及び圧力検知手段をそれぞれ制御する制御手段２４０と、を有し、制御手段２４０は、第１のバルブ１７７等を開けて処理室２０１内に不活性ガスを供給しつつ、第２のバルブ２４２を開けて処理室２０１内の雰囲気を排気し、所定時間の経過後に圧力検知手段にて検知した圧力が所定の基準圧力未満であればリーク無と判定し、検知した圧力が所定の基準圧力以上であればリーク有と判定する。 （もっと読む）

【課題】
保守時等の蓋部の開閉時に配管の切離し、接続作業なしに、又切離し、接続時にパーティクルの混入を防止し得る基板処理装置を提供する。
【解決手段】
開口部を有し、内部に基板を収納して処理する処理容器３と、該処理容器の前記開口部を閉塞する蓋体４と、該蓋体に設けられ前記処理容器内にガスを供給する供給口と、前記蓋体側に固定され、第１ガス流路を有する第１ブロック５１と、該第１ブロックと対向する様に前記処理容器側に固定され前記第１ガス流路に連通可能な第２ガス流路を有する第２ブロック５２と、前記第１ガス流路と前記供給口とを接続する配管２５とを有し、前記蓋体の閉塞状態で、前記第１ブロックと前記第２ブロックとが当接し、前記第１ガス流路と前記第２ガス流路とが連通する様構成された。
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【課題】半導体製造装置の成膜室に液体と気体とが混ざり合った状態の成膜ガスやガスの混合比が偏った状態の成膜ガスが導入されるのを防ぐことができる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】成膜ガスを成膜ガス導入配管１５から成膜ガス排気配管２０に導くようにバルブ１４、１８、１９を設定して、成膜ガスを排気するガス排気ステップと、ガス排気ステップの期間に成膜室１１内部の圧力が所定値以下であることを確認する第１の確認ステップと、第１の確認ステップの後に、成膜ガスを成膜ガス導入配管１５から成膜室１１に導くようにバルブ１４、１８、１９を設定して、成膜ガスを成膜室１１に導入して、半導体基板２上に膜を形成する膜形成ステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】天板自体の強度を高くでき、温度上昇に対する耐久性を向上させ、ガスの供給圧力を高めて多量のガスを供給することが可能な天板構造を提供する。
【解決手段】内部が真空引き可能になされたプラズマ処理装置の処理容器３４の天井における開口部に設けられた天板本体７４を有する天板構造において、前記天板本体は、前記天板本体の平面方向に沿って形成された複数のガス通路１０２と、前記ガス通路に連通されて前記処理容器内を臨む前記天板本体の平面側に向けて開口されたガス噴出孔１０４とを備えて一体化されている。これにより、温度上昇に対する耐久性を向上させ、ガスの供給圧力を高めて多量のガスを供給することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】反応容器内の部材に含まれるＮａが、基板上に形成する膜中に取り込まれるのを十分に抑制しうる成膜装置及びそのコーティング方法を提供する。
【解決手段】ウェハ１８を収容する反応室１０と、反応室１０内に設けられたバッファ室２４と、プラズマによる活性化を必要とするＮＨ_３ガスと、ＤＣＳガスとをバッファ室２４内に供給するシャワーノズル２６と、バッファ室２４内においてＮＨ_３ガスを活性化するためのプラズマを生成する一対の高周波電極３８とを有する成膜装置において、ウェハ１８上にシリコン窒化膜を形成する前に、ＮＨ_３ガスとＤＣＳガスとをバッファ室２４内に供給することにより、バッファ室２４内部の表面をコーティングする。 （もっと読む）

【課題】クリーニングガス導入によりプラズマの処理チャンバ内の堆積物との反応性を高めて、また処理チャンバ内からガス排気を速めてクリーニングガスの消費量を削減する。
【解決手段】成膜処理終了後に、処理チャンバ１とは別のリモートプラズマユニット６にてクリーニングガスからプラズマを生成して、処理チャンバ１に導入する。クリーニングガスのプラズマ（Ｆ＊：フッ素ラジカル）と処理チャンバ１内の堆積物（被クリーニング物）とが反応して除去処理が進行する。このプラズマ導入と同時に、別のガス導入口よりキャリアガス（Ｈｅ）を処理チャンバ１内に導入する。このキャリアガスを導入し流すことで、処理チャンバ１内の堆積物とプラズマの反応性を高めるとともに、処理チャンバ１内でガスの滞在時間が短くなりガス排出を速くし、プラズマとの反応生成物の排気を速くする。引き続き処理チャンバ１を利用でき、クリーニングガスの消費量を削減できる。 （もっと読む）