【課題】反応管内の異物汚染を抑制可能な半導体装置の製造方法、クリーニング方法、基板処理装置及びプログラムを提供する。
【解決手段】処理室内で基板に対し膜を形成する工程と、該膜形成後の処理室内の少なくとも一部に堆積した堆積物を除去する工程とを有し、前記除去工程では、前記堆積物をエッチングする第一ガスを前記処理室内に供給する第１工程と、少なくとも前記第一ガスよりも前記処理室を構成する部材に対するエッチング力が弱いか、若しくは前記部材に対するエッチング力のない第二ガスを前記処理室内に供給し、前記処理室内の圧力を上昇させる第２工程と、を含むサイクルを所定回数行う。 （もっと読む）

【課題】低温領域において、フッ化水素に対する耐性の高い窒化膜を形成する。
【解決手段】基板に対して原料ガスを供給する工程と、基板に対してプラズマ励起させた水素含有ガスを供給する工程と、基板に対してプラズマ励起または熱励起させた窒化ガスを供給する工程と、基板に対してプラズマ励起させた窒素ガスおよびプラズマ励起させた希ガスのうち少なくともいずれかを供給する工程と、を含むサイクルを所定回数行うことで、基板上に窒化膜を形成する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】精密かつ高速に圧力制御を行なうことができる圧力制御装置を提供すること。
【解決手段】実施形態の圧力制御装置は、ゲート開度を調整することによってガス配管のガス圧力を調整するバルブと、前記バルブに接続された軸部と、ガイド部と、前記軸部を軸回転させる回転駆動部と、ガス配管内のガス圧力が所望のガス圧力となるよう前記回転駆動部を制御する制御部と、を備えている。前記ガイド部は、前記軸部を支持するとともに、前記軸部をねじ機構によって軸方向に移動させる。また、前記ガイド部は、前記軸部を囲う筐体と、一方の端部が前記筐体に固定配置されるとともに他方の端部が前記ねじ溝に接触する固定ピン部と、を有している。前記軸部は、１本のねじ溝に複数種類のピッチが設けられ、且つ前記ねじ溝が前記固定ピン部と接触した状態で回転しながら軸方向に移動する。 （もっと読む）

【課題】精密かつ高速に圧力制御を行なうことができる圧力制御装置を提供すること。
【解決手段】実施形態の圧力制御装置は、バルブと、前記バルブに接続されている軸部と、ソレノイド部と、マイクロメータ部と、制御部と、を備えている。前記ソレノイド部は、前記軸部をソレノイド駆動によって軸方向に移動させることにより、前記軸部を介して前記バルブのゲート開度を調整し、前記マイクロメータ部は、前記軸部に着脱自在に取り付けられるとともに、前記軸部に取り付けられた場合には前記軸部をねじ機構によって軸方向に移動させることにより、前記軸部を介して前記バルブのゲート開度を調整する。前記制御部は、前記マイクロメータ部を用いて前記ガス圧力を制御する際には、前記マイクロメータ部を前記軸部に取り付け、前記ガス圧力を制御する際には、前記マイクロメータ部を前記軸部から取り外す。 （もっと読む）

【課題】気化器の液体原料流路内からの有機金属液体原料の除去を促進させ、液体原料流路内の閉塞を抑制する。
【解決手段】基板を収容した処理室内に反応物質を供給することにより基板を処理する工程を有し、反応物質は液体原料を気化部で気化させた原料ガスを含み、基板を処理する工程では、気化部に液体原料を溶解することのできる溶媒と液体原料を供給して気化させる気化動作を間欠的に行い、液体原料の気化動作時以外の時であって、液体原料の気化動作を所定回数行う毎に、気化部に溶媒を、液体原料の気化動作時に供給する溶媒の流量よりも大流量で流す。 （もっと読む）

【課題】真空ポンプの電力消費を抑えるとともに、安定した圧力調整が可能な気相成長装置及び気相成長方法を提供する。
【解決手段】気相成長装置において、ウェーハが導入される反応室と、反応室にプロセスガスを供給するためのガス供給部と、ウェーハを載置する支持部と、ウェーハを回転させるための回転駆動部と、ウェーハを所定の温度に加熱するためのヒータと、反応室と接続され、排気ガスの流量を制御するバルブと、バルブの下流側に設けられ、排気ガスを排出するポンプと、反応室の圧力である第１の圧力を検出する第１の圧力計と、バルブとポンプ間の圧力である第２の圧力を検出する第２の圧力計と、第１の圧力に基づき、バルブを制御する第１の圧力制御部と、第１の圧力と前記第２の圧力に基づき、ポンプの稼働量を制御する第２の圧力制御部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】高温処理においても、サセプタ変形を抑制することができる基板処理技術を提供する。
【解決手段】基板が載置された載置体と、前記載置体が複数支持された載置体支持具と、前記載置体支持具が収容される反応管と、前記反応管の外側に設けられ、前記反応管内に収容された基板を加熱する加熱部とを備え、前記載置体の、前記基板と接触する面と前記載置体支持具と接触する面が、同じ粗さに表面加工されるように基板処理装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】反跳したパーティクルの処理室内への侵入を防止することができる反射装置を提供する。
【解決手段】反射装置３６は、排気マニホールド１６の内部に配置され、ＴＭＰ１８に対向するように配置された円板状の第１の反射面部材４１と、該第１の反射面部材４１の周縁に配置され且つＴＭＰ１８の回転軸４３を指向するように面角度が設定された円環状の第２の反射面部材４２とから成る反射板３８を備える。 （もっと読む）

【課題】成膜時に用いる圧力検知用のセンサの劣化をより高効率に抑制することが可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜を行なう成膜処理室と、成膜処理室の内部を排気する排気装置ＶＤと、排気装置ＶＤの排気状態を制御する制御装置ＣＴＬと、成膜処理室が成膜を行なう第１状態の際に成膜処理室の内部の圧力を検知する第１のピラニゲージＰＧＡと、成膜処理室の内部を洗浄する第２状態の際に成膜処理室の内部の圧力を検知する第２のピラニゲージＰＧＢとを備えている。上記制御装置ＣＴＬは、第１および第２状態の間で排気装置ＶＤの排気状態を切換える際に用いる媒体を利用して第１および第２のピラニゲージＰＧＡ，ＰＧＢを切換える。 （もっと読む）

【課題】装置の大型化を抑制しつつ、開口部の閉口時の密閉性の低下を抑制することができる開閉ダンパー装置を提供する。
【解決手段】開閉ダンパー装置は、開口部２５２が形成された枠体２５０と、開口部２５２を開閉する弁体２６６と、枠体２５０の開口部２５２周辺に設けられ、弁体２６６が閉じられた場合、弁体２６６が密着するシール部材２５６と、枠体２５０に設けられた開閉軸２６２と、開閉軸２６２を中心として回転するように設けられ、弁体２６６を移動自在に支持する支持体と、弁体２６６の開閉軸２６２が設けられた側よりも反対側がシール部材２５６に近づくように弁体２６６を付勢する付勢部材２７２と、を有する。 （もっと読む）

【課題】クリーニングガスとしてフッ素系ガスを使用することにより、処理容器自体や被処理体を保持する保持手段にダメージを与えることなく不要な高分子薄膜のみを選択的に且つ効率的に除去することが可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗの表面に高分子薄膜を形成する成膜装置において、被処理体を収容する処理容器４と、処理容器内で被処理体を保持する保持手段６と、処理容器内を真空引きする真空排気系３０と、処理容器内へ高分子薄膜の複数の原料ガスを供給するガス供給手段２０と、処理容器内へクリーニングガスとしてフッ素ガスを供給するクリーニングガス供給手段２６と、処理容器を加熱する容器加熱手段１４とを備える。これにより、処理容器内をクリーニング処理するに際して、クリーニングガスとしてフッ素系ガスを使用する。 （もっと読む）

【課題】 クリーニング後に実施するプリコートにおいて、処理室内壁に形成される薄膜の膜厚を薄くさせ、これによりクリーニング周期を長くでき、生産性を向上させる。
【解決手段】 処理室内を所定の成膜温度に加熱させつつ、処理室内にシリコン含有ガス及び窒素含有ガスをそれぞれ供給させて基板上に窒化シリコン膜を形成する成膜処理と、処理室内を所定のクリーニング温度に加熱させつつ、処理室内にクリーニングガスを供給させて処理室内壁に堆積した窒化シリコン膜を除去するクリーニング処理と、加熱部により処理室内を成膜温度よりも低い所定のプリコート温度に加熱させつつ、処理室内にシリコン含有ガス及び窒素含有ガスをそれぞれ供給させて処理室内壁に所定の厚さの窒化シリコン膜を形成するプリコート処理と、を実施する。 （もっと読む）

【課題】表面処理における基板の面内均一性を維持しながら、基板に供給する原料流体の使用量を低減する表面処理装置を提供する。
【解決手段】回転する基板１８面に垂直方向を軸方向とした時の基板１８に対する前記原料流体の軸方向速度分布に基づいて算出された流量で、前記原料流体が基板１８に向かって縦型流として供給され、基板１８の径（ｄ）に対する原料流体供給流路部２８の流入口の径（Ｄ）の割合（Ｄ／ｄ）が、１〜１．１２５の範囲である表面処理装置を用いる。 （もっと読む）

【課題】原料ガスの利用効率及び置換効率を高めると共に、処理対象物以外に付着した薄膜の処理を容易にする真空成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】複数の原料ガスを交互にパルス的に反応室に供給し、昇降自在の支持ステージ上に載置される処理対象物Ｓ上に成膜する真空成膜装置１であって、開閉自在の天板１１ａを備えた外チャンバー１１と、外チャンバー１１内の下方部分に設置され、開閉自在の天板１２ａを備えた内チャンバー１２との二重構造チャンバーにより構成されており、内チャンバー１２内に原料ガスを供給するガスノズル１５が処理対象物Ｓの表面に対して平行になるように内チャンバー１２内に設けられており、内チャンバー１２内のガスの排出径路に、成膜に寄与しなかった原料ガスを導入するトラップが設けられており、その下流側に真空成膜装置１内の圧力を調整するための圧力調整用バルブ及び排気系が設けられている。 （もっと読む）

【課題】各ガス供給口から供給される反応ガスの流れを略均一化して、各基板をばらつくこと無く成膜する。
【解決手段】各ガス供給ノズル６０，７０に、各ガス供給口６８，７２からの反応ガスの供給方向に延在し、かつ各ガス供給口６８，７２の第１ガス排気口９０側に各整流板６９，７３を設けた。これにより、各ガス供給口６８，７２から噴射（供給）された反応ガスが、第１ガス排気口９０に向けて直接流れてしまうことを抑制でき、ひいては反応ガスの流れを各ウェーハ１４に向けて略均一化して、各ウェーハ１４をばらつくこと無く成膜することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、炉内で基板の面を処理し、薄層の析出を向上させると共にガス相成分と面の反応を向上させる装置及び方法を提供する。
【解決手段】排気システム及びその方法は、排気ガスがガス処理装置に運ばれるようにする。ドアシールと不活性ガス浄化システムは、炉が安全に作動し、ドアシール領域でプロセスガスの反応を最小にする。排気システムは、プロセス管であって、第１の端部と、第２の端部と、第１の端部と第２の端部との間の外面と、第１の端部の外面に配置された第１の係合面と、を有するプロセス管と、プロセス管の第１の端部と係合するドアであって、プロセス管の第１の端部が挿入される凹んだキャビティを形成するリップと、プロセス管の長手方向軸に対して一定の角度でプロセス管の第１の係合面と係合し、リップの内面に配置された第２の係合面と、プロセス管の第２の端部を貫通する排気管と、を有する。 （もっと読む）

【課題】ガス排気ラインに設けられたポンプから副生成物が逆流し、パーティクルが発生した場合のリーク検出を可能とし、基板の処理品質、歩留りの向上を図ることができる基板処理装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板を処理する処理室１９と、前記処理室１９にガスを供給するガス供給系と、前記処理室１９を排気する排気系３０と、を有し、前記排気系３０の減圧ポンプ３６の上流側であってメインバルブ３２の下流側に、リークを検出するための圧力センサ５０と、酸素濃度計５４と、ガス分析器５８と、が設けられた基板処理装置とする。 （もっと読む）

【課題】真空容器内の可変コンダクタンスバルブとしてゲートバルブを用い、ガス排気を調節するとともに、真空容器をガスの流れ易い形状にすると同時に真空容器に圧力調節機構を設けることで、処理室内の圧力調整領域の拡大を実現できるプラズマ処理装置とする。
【解決手段】プラズマ処理装置の処理室２１０の電極部２１１の上部にエッチングガスを流し、放電部２００より導入された電波をあてることでプラズマを生成し、電極部２１１上のウエハをエッチングし、エッチング処理に用いたガスや、エッチング処理によって生成された生成物等の粒子を、排気部２２０にて、ガス、生成物等の粒子をチャンバ２２１、ゲートバルブ２２２、真空ポンプ２２３を通じて排気する。エッチング処理時に所望の圧力を得る手段として、同軸で軸方向に移動可能なチャンバ２２１及び左右に開閉可能なゲートバルブ２２２を用いて制御を行う。 （もっと読む）

【課題】第１ガスの使用効率を向上させる。
【解決手段】処理室に連通する第１ノズルから、処理室内の排気速度を低下させた状態で処理室内に第１ガスを供給する工程と、第１ガスの供給を止めた後、第１ノズル内に不活性ガスを供給する工程と、処理室内に残留する第１ガスを除去する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】比較的低電力においてもクリーニング速度を損なわずに堆積チャンバをクリーニングできる、堆積チャンバのリモートクリーニング方法を提供すること。
【解決手段】ＣＶＤチャンバ１０をリモートプラズマ源３０を用いてクリーニングする方法は、リモートプラズマ源３０のプラズマ発生室３１を、プラズマがＣＶＤチャンバ１０内の構成備品や基板に有害な影響を与えない位置に離して配設されたシステムにおいて、クリーニング用ガスとして９０％以上の濃度のフッ素化合物ガスを１００Ｐａ以下の圧力でプラズマ発生室３１に供給するステップと、リモートプラズマ源３０にて高周波電力を供給しプラズマ発生室３１にプラズマを発生させて１００Ｐａ以下の圧力下でフッ素化合物ガスからフッ素活性種を生成するステップと、リモートプラズマ源３０にて生成したフッ素活性種をＣＶＤチャンバ１０内に導入して内部をクリーニングするステップとを含む。 （もっと読む）