【課題】 基板を加熱するためのヒータ、及び該ヒータに通電する電流導入端子を備えた気相成長装置であって、電流導入端子から気相成長装置外部への熱拡散を効果的に抑制できる気相成長装置を提供する。
【解決手段】 電流導入端子の内部に冷媒の流路が設けられ、導電性の電流導入端子本体に該冷媒が接触可能となるように構成されてなる気相成長装置とする。好ましくは前記の冷媒の流路のほか、側壁部と電流導入端子の間及び／または電流導入端子と電流導入端子の間に、冷媒が流通する冷却容器を備えた気相成長装置とする。 （もっと読む）

【課題】 基板を加熱するためのヒータに通電する電流導入端子が、冷媒を導入する冷却容器に備えられた構成を有するIII族窒化物半導体の気相成長装置であって、ヒータからの熱が電流導入端子を介して気相成長装置の各部品に拡散することを、効果的に抑制できるIII族窒化物半導体の気相成長装置を提供する。
【解決手段】 電気絶縁された電流導入端子の少なくとも一部を厚さ０．１〜１ｍｍのフッ素樹脂膜で被覆し、該フッ素樹脂膜を介して該電流導入端子を冷媒により冷却できる構成とする。 （もっと読む）

【課題】ある方向に沿って延在する容器を冷却する際に、電力消費量を増加させることなく、延在する方向に沿って容器の冷却速度に差が発生することを抑制できる熱処理装置を提供する。
【解決手段】処理容器６５と、処理容器６５内で、一の方向に沿って基板を所定の間隔で複数保持可能な基板保持部４４と、処理容器６５を加熱する加熱部６３と、気体を供給する供給部９１と、一の方向に沿って各々が互いに異なる位置に設けられた複数の供給口９２ａとを含み、供給部９１が供給口９２ａの各々を介して処理容器６５に気体を供給することによって処理容器６５を冷却する冷却部９０とを有する。冷却部９０は、供給口９２ａの各々を介して気体を供給する供給流量が独立に制御可能に設けられたものである。 （もっと読む）

【課題】縦型の熱処理炉内に混入するパーティクルを低減し、基板（ウエハ）へのパーティクル付着を抑えることができる技術を提供すること。
【解決手段】ウエハボート３を縦型の熱処理炉２内に、当該熱処理炉の下方側に形成された炉口２０から搬入し、熱処理を行う装置において、前記ウエハボート３が前記熱処理炉２の下方側に位置しているときに、前記炉口２０を塞ぐ蓋体６１を設ける。この蓋体６１は前記炉口２０を塞ぐ位置と開く位置との間で移動自在に設けられており、蓋体６１が前記炉口２０を塞ぐ位置から外れているときに、当該蓋体６１の上面のパーティクルをクリーニングノズル７により吸引して除去する。このため、次に蓋体６１が炉口２０を塞いだ時に、熱処理炉２内に持ち込まれるパーティクル量を低減できるので、ウエハへのパーティクル付着を抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】タクトタイムの大幅な短縮化が図り得ると共に、熱効率及び熱経済を大きく向上することができる多段式加熱装置を提供する。
【解決手段】盤状で、表裏両面から熱放射が可能な複数のプレート型ヒーター１と、これら複数のプレート型ヒーター１の外周部を取り囲む包囲部材１１であって、複数のプレート型ヒーター１を上下方向に間隔を置いて平行又は略平行に多段に配置すると共に、各プレート型ヒーター１をその周辺部において支持することにより、上下に隣接するプレート型ヒーター１，１の対向面間に加熱処理室１４を形成する包囲部材１１と、加熱処理室１４へ被加熱物を出し入れする出し入れ用開口１２と、を備える。 （もっと読む）

【課題】処理対象である複数の基板が多段に配置される熱処理装置であって、プロセスガスの温度の差を基板間で低減することにより処理の均一性を改善することができ、基板到達前にプロセスガスが分解するのを抑制することが可能な熱処理装置を提供する。
【解決手段】複数の基板を多段に支持する支持体；前記支持体を内部に収容可能な反応管であって、該反応管の側部に設けられ前記反応管の内部にガスを供給する複数のガス供給管と、該複数のガス供給管の対向位置からずれて設けられ前記ガスを排気する排気部とを有する当該反応管；及び前記反応管の内部に収容された前記基板を加熱する第１の加熱部であって、該第１の加熱部の下端から上端まで延び、前記複数のガス供給管が通り抜けられるスリットを有し、該スリット以外の内面が前記反応管の側部に面する第１の加熱部；を備える熱処理装置が開示される。 （もっと読む）

【課題】誘導加熱を用いて基板を熱処理する熱処理装置において、基板の温度均一性を高くし、かつ効率を高くすること。
【解決手段】複数の基板Ｓに熱処理を施す熱処理装置１は、熱処理が施される複数の基板を収容する誘電体からなる処理容器２２と、複数の基板Ｓを上下に配列した状態で保持し、処理容器２２内へ挿脱される基板保持部材２４と、処理容器２２の外周に巻回される誘導加熱コイル１０４と、誘導加熱コイル１０４に高周波電力を印加する高周波電源１１０と、処理容器内２２で、複数の基板Ｓにそれぞれ重ね合うように設けられ、誘導加熱コイル１０４に高周波電力を印加することにより発生した誘導電流が流れて発熱する、スパイラル状部を有する誘導発熱体Ｎとを具備する。 （もっと読む）

【課題】半導体製造装置の冷却媒体の使用量を増加させずに冷却効果を高める。
【解決手段】基板を処理する処理室と、処理室内を加熱する加熱部と、処理室外に設けられ、処理室と処理室外の機器とを冷却する少なくとも1つ以上設けられた冷却部と、冷却部に供給される冷媒の熱を、冷却部から排出される冷媒へ熱移動させる熱移動部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】ヒータの低背化と昇温及び冷却の短時間化を図ることができる基板ヒータを提供する。
【解決手段】基板ヒータ１は、ウエハＷを載置するヒータプレート２と、ヒータプレート２の下面に設けられたヒータ電極３と、ヒータプレート２と等しい熱伝導率を有する緩衝プレート４と、冷却プレート５と、複数のピストン６とを備える。緩衝プレート４とヒータプレート２とは、その間に間隔ｄ１の第１の空間Ｓ１を画成している。また、冷却プレート５は、緩衝プレート４を支持する複数のシャフト４２に、昇降自在に組み付けられている。ピストンロッド６１は、冷却プレート５を緩衝プレート４の下方に位置させて、間隔ｄ２の第２の空間Ｓ２を緩衝プレート４と冷却プレート５との間に形成する。また、ピストン６は、冷却プレート５を上昇させて、緩衝プレート４に接触させる。 （もっと読む）

【課題】基板に形成する膜の厚さの均一性を制御することができる熱処理装置及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板を処理する処理室と、前記処理室に収容された基板を基板の外周側から加熱する加熱装置と、前記加熱装置と処理室との間に設けられた冷却ガス流路と、前記冷却ガス流路に冷却ガスを流す冷却装置と、前記加熱装置を上方から下方にかけて分割した領域の前記冷却ガス流路とそれぞれ連通し、前記冷却装置により前記冷却ガス流路へ冷却ガスを流す複数の冷却ガス吸気路と、前記複数の冷却ガス吸気路にそれぞれ設けられた圧力検出器と、前記圧力検出器が検出する圧力値に基づいて、前記冷却装置を制御する制御部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 熱伝導が良好であり、しかも、製造の容易な加熱装置及びこれに用いる冷却管の取付具を提供すること。
【解決手段】基板を加熱するヒーターと、このヒーターを内周に支持する筒状のシェル５０と、シェル５０の外周側に取り付けられて冷却媒体を流動させる冷却管５９とを備える。冷却管５９をシェル５０に取り付けるための複数の取付具５２をさらに設ける。これら取付具５２は、冷却管５９の外面に跨ってこの冷却管５９と面接触する保持部５２ａと、保持部５２ａの両端に位置しシェル５０に取り付けられる取付部５２ｂと、保持部５２ａ及び取付部５２ｂの間に位置する中間部５２ｃとを有する。この取付部５２ｂはシェル５０に複数箇所で部分溶接されている。 （もっと読む）

【課題】特殊な高価な高温用の熱交換器を不要にして、耐熱性の低い汎用の安価な熱交換器を用いることができるようにした熱処理装置を提供する。
【解決手段】複数枚の被処理体Ｗに対して同時に熱処理を施す熱処理装置において、筒体状に形成された処理容器４と、処理容器内へ挿脱可能に収容される支持手段１８と、被処理体を加熱するために処理容器の外周側に、冷却空間２８を介して囲むようにして設けられた加熱炉３０と、押込用送風機が接続された気体導入通路４２を有し、冷却空間に熱処理後の降温時に冷却気体を導入する冷却気体導入手段３６と、熱交換器５４と吸出用送風機５６とが順次設けられた気体排出通路５２を有し、冷却空間から昇温した冷却気体を排出する冷却気体排出手段３８と、熱交換器の上流側にて気体排出通路に設けられて、昇温した冷却気体に降温用気体を導入して降温させる降温用気体導入手段４０とを備える。 （もっと読む）

複数のウェハ上に薄膜を同時に堆積できるようにするエピタキシャルリアクタを開示する。堆積中、狭い間隔で配置された複数のウェハキャリアプレートを含むウェハスリーブ内に複数のウェハを収容してプロセス容積を最小限に抑える。プロセスガスをウェハスリーブの内部容積に優先的に流入させ、これを１又はそれ以上のランプモジュールによって加熱する。パージガスをリアクタチャンバ内のウェハスリーブの外側に流してチャンバの壁への堆積を最小限に抑える。また、ランプモジュール内の個々のランプの照射のシーケンシングにより、ウェハスリーブ内の堆積速度の変化の直線性をさらに改善することができる。均一性を改善するために、プロセスガス流の方向をクロスフロー構成に変更することができる。複数のリアクタシステム内でランプシーケンシングをクロスフロー処理と組み合わせることにより、膜が良好に均一化した高スループットの堆積及びプロセスガスの効率的使用が可能となる。 （もっと読む）

【課題】真空チャンバ内のステージ温度を調節する際の調整時間を低減できる方法を提供する。
【解決手段】ステージ内部の空間４に高沸点オイルを充填し、昇温や降温の際にこのオイルを適正な温度の同質のオイルと入れ替えることによりレスポンスを改善した。ステージ１を冷却する際には、加熱された内部のシクロパラフィンをＡより排出し、Ｂより常温管理されたオイルを注入する。これにより、加熱された電熱ヒーター２を急速に冷やすことができる。またこのオイルの交換を数度行うことにより、より迅速に温度調節をすることが可能となる。また、連続的に交換する事で、更に高い冷却効果を得る事ができる。 （もっと読む）

【課題】縦型熱処理炉内で半導体シリコン基板を高温で熱処理する熱処理方法に関し、熱処理の処理効率をより向上させることができるようにする。
【解決手段】半導体シリコン基板を縦型熱処理炉内に投入する投入工程と、炉内温度を上昇させて前記縦型熱処理炉内で熱処理する熱処理工程と、その後、炉内温度を低下させて前記縦型熱処理炉内から取り出す取出工程とをそなえた、前記取出し程の炉内温度を、前記投入工程の炉内温度よりも高く設定する。 （もっと読む）

【課題】高圧環境に耐えるブロワーやファンが不要であり、装置を大型化・複雑化することなく、被処理物の冷却速度を向上させることができる熱処理装置を提供する。
【解決手段】熱処理装置１Ａは、処理容器２と、両端に開口部を有するヒータ３と、壁面冷却機構１０を有する外容器８と、被処理物Ｗの冷却時に、外容器８の内部のガスが、ヒータ３の開口部３ａを経由してヒータ３の周囲を循環するように外容器８の内部に外容器用ガス１２を導入する外容器用ガス導入ノズル１１と、被処理物Ｗの冷却時に、処理容器２の内部のガスが、処理容器２の内面に沿った流れを形成するように処理容器２の内部に処理容器用ガス１５を導入する処理容器用ガス導入ノズル１４と、を備える。 （もっと読む）

【課題】加熱温度の制御性に優れた加熱装置および半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】気相処理装置は、光放射加熱用ヒータとしての加熱ランプ５６と、加熱ランプ５６を冷却する冷却部材（冷却ベース５１、被覆層５５、下地被覆層、配管６１、温度センサ６２、熱交換器６３、ポンプ６４、制御部６５、冷却媒体６６からなる冷却機構部）とを備える。加熱ランプ５６の外周表面の少なくとも一部は冷却部材（冷却機構部）と接触している。 （もっと読む）

【課題】温度変更を迅速に行なうことが可能な気相成長装置および当該気相成長装置を用いた半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】気相処理装置１は、処理室４と、サセプタ２と、ヒータ５と、壁部冷却部材５２と、反応ガス供給部材９とを備える。サセプタ２は、処理室４の内部に表面が露出し、当該表面に基板８を搭載する。ヒータ５は、サセプタ２を加熱する。壁部冷却部材５２は、処理室４の壁面を冷却する。反応ガス供給部材９は、処理室４の内部に反応ガスを供給する。ヒータ５の昇温速度は１００℃／分以上であり、かつ、投入可能最大熱量は１０ｋＷ以上である。壁部冷却部材５２の冷却能力はヒータ５の投入可能最大熱量より大きい。反応ガス供給部材９は、水素ガスおよび窒素ガスの少なくともいずれか一方を含むガスを処理室４の内部に１００ｓｃｃｍ以上の流量で供給可能である。サセプタ２の熱容量は５０Ｊ／Ｋ以上５００Ｊ／Ｋ以下である。ヒータ５の熱容量は１０Ｊ／Ｋ以上１００Ｊ／Ｋ以下である。 （もっと読む）

【課題】基板を加熱する加熱手段以外の部分が高温となることを抑制することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０は、基板処理室１４を形成する基板処理容器１２と、基板処理室１４内に配置されたウエハ２００を加熱するサセプタ９２と、基板処理容器１２の一部をなすチャンバ２２に形成された冷却水流路Ｃ１等に冷却水を供給するポンプＰとを有する。ポンプＰは、サセプタ９２からの熱伝達を抑制し、少なくとも基板処理容器１２の下部を冷却するように冷却水を供給する。 （もっと読む）

【課題】強制冷却を実施しても、ヒータへ過剰の電力量を供給することなく、温度の安定化を図ることができる半導体製造装置の温度制御方法を提供する。
【解決手段】レシピに従って処理シーケンスの実行が開始されると（Ｓ１１）、装置操作部から温度コントローラにレシピの設定温度等の情報に加えて強制冷却実施の有無の情報が送信され（Ｓ１２）、温度コントローラは冷却機構による強制冷却が実施されるか否かを判定する（Ｓ１３）。強制冷却が実施されない場合には、主ヒータと補助ヒータに対してレシピの設定に従った温度制御を行い（Ｓ１４）、強制冷却が実施される場合には、主ヒータと補助ヒータとにそれぞれ分けて処理を行い（Ｓ１５）、主ヒータに対しては、内部熱電対の検出温度のみに基づいたフィードバック制御に切り換えられ（Ｓ１６）、補助ヒータに対しては、予め設定された固定パワーを出力するような制御に切り換えられる（Ｓ１７）。 （もっと読む）