【課題】 基板を加熱するためのヒータ、及び該ヒータに通電する電流導入端子を備えた気相成長装置であって、電流導入端子から気相成長装置外部への熱拡散を効果的に抑制できる気相成長装置を提供する。
【解決手段】 電流導入端子の内部に冷媒の流路が設けられ、導電性の電流導入端子本体に該冷媒が接触可能となるように構成されてなる気相成長装置とする。好ましくは前記の冷媒の流路のほか、側壁部と電流導入端子の間及び／または電流導入端子と電流導入端子の間に、冷媒が流通する冷却容器を備えた気相成長装置とする。 （もっと読む）

【課題】抵抗加熱ヒータとしてＳｉＣヒータを用いてＧａＮ薄膜を気相成長させる気相成長装置において、ＳｉＣヒータが窒化しないパージ方法、該パージ方法を適用した気相成長装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る気相成長装置１における抵抗加熱ヒータのパージ方法は、基板２５の加熱手段としてＳｉＣヒータ１１を用い、ＳｉＣヒータ１１によって基板２５の温度を１０００℃以上に加熱して基板２５に窒化物系化合物半導体膜を形成する気相成長装置におけるＳｉＣヒータ１１のパージ方法であって、ＳｉＣヒータ１１をパージするパージガスとして、アルゴン、キセノン、またはこれらの混合ガスのいずれかを用いることを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】サセプタからの熱逃げが抑制され、かつサセプタ支持部材の熱による破損を防止できる成膜装置を提供する。
【解決手段】
ヒーター２３によってサセプタ２１を加熱し、原料ガス導入部１３から真空槽１１内に原料ガスを導入し、サセプタ２１の板部２１ａの表面に配置された基板５１に薄膜を形成する成膜装置１０であって、サセプタ２１の筒部２１ｂの端部とサセプタ支持部材３１との間には、サセプタ２１とは別の材質である熱抵抗部材２２が配置されており、サセプタ２１の熱が熱抵抗部材２２で遮られてサセプタ支持部材３１に伝わりづらくなっている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ウェーハの温度分布を制御し、より膜厚均一性を向上させることが可能な気相成長装置及び気相成長方法を提供する。
【解決手段】本発明の気相成長装置は、ウェーハが導入される反応室と、反応室にプロセスガスを供給するガス供給機構と、ウェーハを載置する支持部と、ウェーハを下方より加熱するためのヒータと、ウェーハを回転させるための回転制御部と、反応室よりガスを排出する排気口を含むガス排出機構と、ヒータの下部に設けられ、ヒータからの熱を前記ウェーハの裏面に反射するための反射板と、反射板を上下移動させるための上下駆動部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 常温のみならず高温においても体積抵抗率を高い値に維持することができる窒化アルミニウム焼結体、及び該窒化アルミニウム焼結体を少なくとも部分的に用いた半導体製造装置用又は検査装置用のウエハ保持体を提供する。
【解決手段】 カーボンナノチューブを内部に含んだ窒化アルミニウム粒子からなる窒化アルミニウム焼結体であって、その常温及び５００℃における体積抵抗率がそれぞれ１.０×１０^１３Ω・ｃｍ以上及び１.０×１０^８Ω・ｃｍ以上である。 （もっと読む）

【課題】還元性雰囲気において好適に使用することのできるセラミックスヒーターを提供すること。
【解決手段】絶縁性セラミックス部材からなる基材の上に、順次、両端に端子部を有する導電性部材からなるヒーターパターン及び絶縁性セラミックス部材からなる被覆層を有し、前記端子部には前記絶縁性セラミックス部材からなる被覆層が存在せず、電源に連結するリード線が該端子部に接続されたセラミックスヒーター。前記ヒーターの端子部は導電性保護膜によって覆われており、該ヒーターの端子部と前記リード線が、伸展性を有する導電性材料からなるワッシャーを介して固着接続されてなる点が特徴である。 （もっと読む）

【課題】ヒータアセンブリの内容積が大気に曝され、構成部品の機械的強度が使用中に劣化することを防止する方法を提供する。
【解決手段】ウェハを処理する方法であって、加熱ディスク１１６から基部まで広がり、加熱ディスクに接続された少なくとも一つの加熱エレメント１１２を囲んでいる内容積を有するヒータを含む反応チャンバ１０８内でウェハを処理するステップ、内容積は反応チャンバから内容積を隔離する密封を有し；ヒータで反応チャンバを加熱するステップ；ヒータ内容積の内部に不活性ガスをパージするステップ；内容積から反応チャンバの外側まで不活性ガスを排出するためヒータ内容積に接続されたガス抜きポートで不活性ガスをガス抜きするステップ；を含む、方法。 （もっと読む）

【課題】反応ガスの使用量を低減することが可能なＣＶＤ装置のクリーニング方法を提供することである。
【解決手段】ノンプラズマ工程と、プラズマ工程を行うことで、成膜室２２のクリーニングを行う。ノンプラズマ工程では、成膜室２２内にフッ素と窒素の混合ガス等を導入して成膜室２２内を摂氏２５０度未満に保つ。ノンプラズマ工程においては、プラズマ放電を行わない。プラズマ工程では、成膜室２２内を減圧し、フッ素ガスと窒素ガスの混合ガス等を導入してプラズマを発生させる。プラズマ工程においても、成膜室２２内を摂氏２５０度未満に保つ。 （もっと読む）

【課題】窒化化合物半導体構造を製造する装置及び方法を提供する。
【解決手段】III族及び窒素の前駆物質が、第１の処理チャンバに流入されて、熱化学気相堆積プロセスを用いて、基板上に第１の層が堆積される。該基板は、該第１の処理チャンバから第２の処理チャンバへ移送される。II族及び窒素の前駆物質が、該第２の処理チャンバに流入されて、熱化学気相堆積プロセスを用いて該第１の層を覆って第２の層が堆積される。該第１及び第２のIII族前駆物質は、異なるIII族元素を有する。 （もっと読む）

【課題】被加熱物を効率良く均等に加熱することができる新規な構造の発熱体及びこれを用いた結晶成長装置並びに気相成長装置を提供する。
【解決手段】発熱体１は、板状又は円筒状の抵抗体２にスリット３を切って発熱領域４を形成してなり、スリット３を、抵抗体２の表面に対し、斜め方向に穿っているものである。つまり、発熱体１は、板状又は筒状の抵抗体２と、抵抗体２の厚さ方向に貫通するように形成されたスリット３とを有し、スリット３が、厚さ方向に直交する抵抗体表面から、厚さ方向に対し傾斜又は屈曲して形成されている。 （もっと読む）

【課題】 均熱性、信頼性に優れたウェハ加熱用ヒータユニットおよびそれを搭載した半導体製造装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明のウェハ加熱用ヒータユニットは、ウェハ載置面を有する載置台と、該ウェハ載置面の反対側の面に抵抗発熱ユニットを有し、前記載置台と前記抵抗発熱ユニットを支持する支持板とから構成され、前記抵抗発熱ユニットは発熱体と該発熱体と前記載置台の間の絶縁層とからなり、前記発熱体のパターン間に介在物が存在することを特徴とする。前記発熱体と介在物とが同じ材料であることが好ましい。あるいは、前記発熱体と介在物の厚みが略同一であり、前記介在物が絶縁体であることが好ましい。あるいは、前記支持板が導電体であり、前記抵抗発熱ユニットと支持板の間に絶縁層が存在することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 均熱性、信頼性に優れたウェハ加熱用ヒータユニットおよびそれを搭載した半導体製造装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明のウェハ加熱用ヒータユニットは、ウェハ載置面を有する載置台と、該載置台のウェハ載置面とは反対側の面に抵抗発熱ユニットを有し、前記載置台と抵抗発熱ユニットを支持する支持板とから構成され、前記抵抗発熱ユニットが、発熱体と該発熱体を挟み込む複数の絶縁層とからなり、前記絶縁層の少なくとも１層に溝が形成されており、前記発熱体は前記溝に収納されて、他の絶縁層によって挟み込まれており、前記絶縁層同士は互いに接着されていない部分を有することを特徴とする。前記絶縁層同士は、互いに接着されていないことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 熱酸化膜と同等以上の膜質を有するシリコン酸化膜を形成できるプラズマ酸化処理方法を提供する。
【解決手段】 処理容器１内を排気装置２４により減圧排気しながら、ガス供給装置１８の不活性ガス供給源１９ａおよびオゾンガス供給源１９ｂから、不活性ガスおよびＯ_２とＯ_３との合計に対するＯ_３の体積比率が５０％以上であるオゾンガスを所定の流量でガス導入部１５を介して処理容器１内に導入する。マイクロ波発生装置３９で発生させた所定周波数例えば２．４５ＧＨｚのマイクロ波を、平面アンテナ３１から透過板２８を経て処理容器１に放射し、不活性ガスおよびオゾンガスをプラズマ化する。このマイクロ波励起プラズマによりウエハＷ表面にシリコン酸化膜を形成する。プラズマ酸化処理の間、載置台２に高周波電源４４から所定の周波数およびパワーの高周波電力を供給してもよい。 （もっと読む）

【課題】接合界面およびその近傍における焼結体の特性の変化が無く、変形の少ないセラミックス接合体を提供する。
【解決手段】第１のセラミックス焼結体と第２のセラミックス焼結体とが接合材を介さずに接合されたセラミックス接合体であって、第１及び第２のセラミックス焼結体は、互いに共通する成分を主成分とし、第１及び第２のいずれか一方又は両方のセラミックス焼結体が副成分を含んでおり、一方のセラミックス焼結体の前記副成分が、他方のセラミックス焼結体に拡散していないことを特徴とするセラミックス接合体。 （もっと読む）

【課題】低温で結晶半導体を形成可能な結晶半導体の製造方法を提供する。
【解決手段】８０〜２４０ｎｍの膜厚を有するａ−Ｇｅ膜２が基板１上に形成される（工程（ｂ）参照）。そして、約１０ｎｍの膜厚を有するＳｉＯ_２膜３がａ−Ｇｅ膜２上に形成される（工程（ｃ）参照）。その後、約９０ｎｍの膜厚を有するＰｔ薄膜４がスパッタリングまたは蒸着によってＳｉＯ_２膜３上に形成される（工程（ｄ）参照）。そして、Ｐｔ薄膜４は、水素リモートプラズマによって処理される（工程（ｅ）参照）。 （もっと読む）

基板表面に亘って所望の温度プロファイルを維持するための静電チャックシステムが開示されている。静電チャックシステムは、ペデスタル支持部の表面に亘って実質的に均一な温度プロファイルを画定するペデスタル支持部と、ペデスタル支持部によって支持されている静電チャックとを有する。静電チャックは、クランプ電極および独立に制御される複数の加熱電極を含む。独立に制御される加熱電極は、内部加熱領域を画定する内部加熱電極、および、ギャップ距離によって分離されている周辺部加熱領域を画定する周辺部加熱電極を含む。ペデスタル熱領域、内部加熱領域、周辺部加熱領域の熱特性を変化させる、または、内部加熱電極および周辺部加熱電極間のギャップ距離の大きさを変化させることにより、基板表面に亘る温度プロファイルを調整することが可能である。
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【課題】アルミニウム製の支持板を使用したものであっても、高温時の剛性を確保し、高温の下で反りや曲がりが無く、しかもアルミニウム製の支持板としての諸特性（耐食性の優れた絶縁皮膜いわゆるアルマイト処理）を満足することが出来る基板加熱プレートヒータを得る。
【解決手段】基板加熱プレートヒータは、金属製の板体からなる支持板１と、この支持板１の中に埋設されたヒータ線３とを有する。支持板１にヒータ線３に沿って同支持板１より剛性の高い補強部材４が埋め込まれ、この補強部材４が支持板１と同じ材質の蓋体７により覆われている。 （もっと読む）

【課題】
セラミックス基材の中に高融点金属電極層を内蔵した従来のセラミックサセプターでは、内蔵電極層とＮｉ電極棒の接合部で破断、折損等が起こり易い。折損、剥離、破断すると修復不能で、高価なサセプターでも廃棄されるのが常である。本発明は耐酸化性、機密性に優れ、破断、折損し難い新しい構造のセラミックスサセプター（通電部材）を提供する。
【解決方法】
セラミックス基材の中に、該基材と共に同時焼成された高融点金属からなる通電体を内蔵し、該通電体の電極端子との接合部露出面が該セラミックス部材の空所の中に位置してなると共に、該空所に電極端子が埋め込まれて該端子と該通電体露出面および該端子と該セラミックス基材の隙間をＳｉ基合金の層で埋めてなる構造の通電体を内蔵するセラミック部材において、該Ｓｉ合金の層が、該層と接する該通電体露出面および該セラミックス基材面に融着してなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】載置台に大きな熱応力が発生することを防止して、この載置台自体が破損することを防止することができると共に、腐食防止用のパージガスの供給量を抑制することができる載置台構造を提供する。
【解決手段】排気可能になされた処理容器２２内に設けられて処理すべき被処理体Ｗを載置するための載置台構造において、被処理体を載置するために少なくとも加熱手段６４が設けられた誘電体よりなる載置台５８と、処理容器の底部側より起立させて設けられると共に、上端部が載置台の下面に接合されて載置台を支持する誘電体よりなる複数の保護支柱管６０と、保護支柱管内に挿通されて上端が載置台に届くように設けられた機能棒体６２とを備える。 （もっと読む）

【課題】 ゲート絶縁膜等の用途に適した、優れた絶縁特性を有するシリコン酸化膜を形成する。
【解決手段】 複数の孔を有する平面アンテナ３１により処理容器１にマイクロ波を導入するプラズマ酸化処理装置１００において、処理ガス中の酸素の割合を０．１％以上１０％以下の範囲内、処理容器１内の圧力を１．３Ｐａ以上２６６．Ｐａ以下の範囲内に設定し、高周波電源４４から、ウエハＷを載置する載置台２の電極にウエハＷの面積当り０．１４Ｗ／ｃｍ^２以上２．１３Ｗ／ｃｍ^２以下の範囲内の出力で高周波電力を供給し、ウエハＷにＲＦバイアスを印加しながら、ウエハＷのシリコンに対してプラズマ酸化処理を行う。 （もっと読む）