【課題】異なる処理装置の仕様に対してＥＵＶチャンバの仕様変更を少なくすることができるＥＵＶ光源装置を提供する。
【解決手段】極端紫外光を用いて処理を行う処理装置に極端紫外光を供給する極端紫外光源装置であって、処理装置に供給するための極端紫外光の生成が行われるチャンバと、チャンバ内において生成された極端紫外光を集光して前記処理装置に出射する集光ミラーと、チャンバと処理装置との間において極端紫外光の経路を画定するとともに、極端紫外光の経路を外部から隔離する光路接続モジュールとを具備する。 （もっと読む）

【課題】光発生チャンバーと、光発生チャンバーで生成されたＥＵＶ光を用いて露光などの光学的処理を行う照明光学チャンバーとの間の大きな差圧を低コストで容易に維持でき、且つ十分な光路確保ができる差動排気システムを提供すること。
【解決手段】ＥＵＶ光を生成する光発生チャンバー１０と、光発生チャンバー１０で生成されたＥＵＶ光を用いて光学的処理を行う照明光学チャンバー１００と、光発生チャンバー１０と照明光学チャンバー１００とを連結し光発生チャンバー１０で生成されたＥＵＶ光を照明光学チャンバー１００に導くチャンバー連結通路１５０とを有する。チャンバー連結通路１５０を流路絞り部１５１の両側の内径が拡大していく錐管状に形成する。チャンバー連結通路１５０の流路絞り部１５１よりも両チャンバーの内の圧力の高い光発生チャンバー１０側の位置に径拡大部１６０を設け、径拡大部１６０に真空ポンプ１７０を取り付ける。 （もっと読む）

【課題】光学系の配置構成への制限の少ない、より高性能な光学系を提供する。
【解決手段】光束を規定する開口絞りを有する光学系において、その開口絞りの開口形状の一部である第１部分は、複数の第１棒状部材を含み、その複数の第１棒状部材の長手方向が所定の第１方向と平行であり、且つ、短手方向に近接して配置された第１可変遮光部材により規定されるものである。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも１つの薄膜層と、薄膜層を少なくとも部分的に取り囲み、薄膜層の縁部の少なくとも一部を取り付けるフレームとを有する、リソグラフィ、特にＥＵＶ（極紫外線）リソグラフィにおける光学装置のための光学薄膜素子に関する。薄膜層の締付けを容易にする少なくとも１つの締付け素子が設けられており、光学薄膜素子を投影露光システム、特にＥＵＶリソグラフィで使用することができ、薄膜素子の薄膜層を平坦となるように調節可能に締め付けることができる。対応した光学薄膜素子を作製するための方法が提案される。この方法では、薄膜層と共にリソグラフィによって締付け素子を作製する。
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【課題】入射する粒子からセンサが保護され、同時に放射がセンサへと到達できるデバイス、及びリソグラフィ装置を提供する。
【解決手段】デバイス１は、放射源ＳＯから放出される放射のドーズ量またはパルスエネルギーといった量を測定するセンサ２、極端紫外線を放出する放射源から放出されて入射する粒子からセンサを保護するスクリーン４、および放射源により放出された極端紫外線を、スクリーンを通り越してセンサへ向かうよう向け直すミラー６を備える。粒子はセンサに当たることができないが、放射はセンサに当たることができる。 （もっと読む）

プラズマからＥＵＶ光を供給する極紫外線（ＥＵＶ）光源を提供する。プラズマチャンバに位置決めされてそこで生成されたＥＵＶ光を反射するための光学器械とレーザ入力窓とを有するＬＰＰ−ＥＵＶ光源を開示する。この態様に対しては、ＥＵＶ光源は、窓コーティング劣化を回避するために窓がより低いガス状エッチング液圧に露出されている間に、光学的洗浄のために光学器械をガス状エッチング液圧に露出するように構成することができる。別の態様では、ＥＵＶ光源は、ビーム経路上で光との第１の相互作用に参加するようにビーム経路に沿って位置決め可能なターゲット材料と、光増幅器と、第１の相互作用から散乱した光子を光増幅器内に誘導し、ＥＵＶ発光プラズマを生成するターゲット材料との次の相互作用ためにビーム経路上にレーザビームを生成する少なくとも１つの光学器械とを含むことができる。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶ光発生チャンバのウインドウの劣化によるＥＵＶ光の発生効率の低下を防止することが可能なＥＵＶ光源装置を提供する。
【解決手段】このＥＵＶ光源装置は、ドライバーレーザ１と、ＥＵＶ光発生チャンバ２と、ウインドウ６と、ＥＵＶ光集光ミラー８と、レーザ光を発散する凹レンズ４１と、発散されたレーザ光をコリメートする凸レンズ４２と、コリメートされたレーザ光を反射してターゲット物質に集光する放物凹面鏡４３と、放物凹面鏡４３の位置及び角度を調整する放物凹面鏡調整機構４４と、ウインドウ６及び放物凹面鏡４３を保護するためのパージガスを供給するパージガス供給部３１、３３と、パージガスをウインドウ６及び放物凹面鏡４３に導くためのパージガス導入路３３、３４と、ウインドウ６及び放物凹面鏡４３を囲むパージガスチャンバ５０とを具備する。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶ光発生チャンバのウインドウの劣化によるＥＵＶ光の発生効率の低下を防止することが可能なＥＵＶ光源装置を提供する。
【解決手段】このＥＵＶ光源装置は、ドライバーレーザ１と、ＥＵＶ光発生チャンバ２と、ウインドウ６と、ＥＵＶ光集光ミラー８と、レーザ光を発散する凹レンズ４１と、発散されたレーザ光をコリメートする凸レンズ４２と、コリメートされたレーザ光を反射してターゲット物質に集光する放物凹面鏡４３と、放物凹面鏡４３の位置及び角度を調整する放物凹面鏡調整機構４４と、ウインドウ６及び放物凹面鏡４３を保護するためのパージガスを供給するパージガス供給部３１、３３と、パージガスをウインドウ６及び放物凹面鏡４３に導くためのパージガス導入路３３、３４と、ウインドウ６及び放物凹面鏡４３を囲むパージガスチャンバ５０とを具備する。 （もっと読む）

【課題】集光光学系の集光位置がずれることによる光量の減少及びコリメータ光学系の光学性能の低下を抑制することができる光源ユニットを提供する。
【解決手段】光源２０からの光を集光する集光光学系２２と、前記集光光学系２２の集光位置またはその近傍に配置される開口部３４とを備えた光源ユニット２であって、前記集光光学系２２の光路の中心を通る基準軸の方向における前記集光光学系２２の集光位置のずれに応じて、前記基準軸の方向における前記開口部３４の位置及び前記開口部３４の大きさの少なくとも一方を変更する変更手段例えば４０を備える。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶＬの露光工程中にビーム路に干渉しないアパーチャー交換装置を提供する。
【解決手段】所望の平面内ではない格納位置から、所望の平面内の「使用時の」位置へアパーチャ２２−２を回転させる装置。該アパーチャ２２−２の格納位置は、光学系の放射ビーム路３４と干渉しない。該装置は、多数のアパーチャ２２−２をコンパクトに格納することができ、また、該所望の平面からより大きなアパーチャ２２−２を取り除くことなく、該所望の平面内により小さなアパーチャ２２−２を配置することができる。 （もっと読む）

【課題】リソグラフィ装置モジュールのための浄化構造をコレクタ内に提供する。
【解決手段】浄化構造は、水素ラジカル含有ガスをモジュールの少なくとも一部に提供するように構成された水素ラジカル源と、モジュールの少なくとも一部を通って提供される水素ラジカル含有ガスの流速が少なくとも１ｍ／ｓになるよう、モジュールからガスをポンプ排気するように構成されたポンプとを備えている。また、浄化構造は、モジュールの少なくとも一部への水素ラジカル含有ガスの流れを調整するように構成されたガスシャッタと、モジュールと連通している少なくとも１ｍ^３のバッファ体積と、バッファ体積に０．００１ｍｂａｒ（０．１Ｐａ）と１ｍｂａｒ（１００Ｐａ）の間のガス圧力を提供するように構成されたポンプとを備えることができる。浄化構造はさらに、ガスリターンシステムを備えることができる。 （もっと読む）

【課題】 放射線特にＸ線を照射しても、光量減少が少なく、耐放射線に対しての劣化が少ない長期信頼性の高い光学ガラスの製造方法を提供する。
【解決手段】 酸化珪素を主成分として、フッ素ドープ量を１〜９ｐｐｍ、ＯＨ基濃度８００〜１２００ｐｐｍ、遷移金属類、アルカリ土金属類、アルカリ金属をそれぞれ２０ｐｐｍ未満、塩素含有量１ｐｐｍ未満とすることで、放射線照射に対して安定な光学ガラスの製造方法。 （もっと読む）

【課題】 強度が大きなパルス光を透過させると共に、大きな圧力差を有するチャンバ間を接続することを可能にするフィルター、露光装置及びデバイス製造方法を提供する。
【解決手段】 光源からの光を用いて被露光体を露光する露光装置に使用されるフィルターであって、前記光源からの光を透過する光透過膜と、第１の梁を含む複数の梁で構成されており、前記光透過膜と熱的に接触している第１の部材と、第１の柱を含む複数の柱で構成されており、前記光透過膜及び／又は前記第１の部材と熱的に接触している第２の部材とを有しており、前記第１の梁の長手方向に関して、単位時間当たりの前記第１の梁が伝導可能な熱量と、前記第１の柱の長手方向に関して、単位時間当たりの前記第１の柱が伝導可能な熱量とが互いに異なることを特徴とするフィルターを提供する。 （もっと読む）

【課題】 ＥＵＶ光源装置内部の電極等に堆積した不純物（例えば、Ｓｎおよび／またはＳｎ化合物等の堆積物）を効率よく除去することにより、安定したＥＵＶを得ること。
【解決手段】 チャンバ１内にＳｎＨ₄ ガス等の原料ガスを導入し、高電圧パルス発生部１２から電極３ａ，３ｂ間に高電圧パルスを印加し、高密度高温プラズマ発生部９に高密度高温プラズマを発生させ波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光を放射させる。放射されたＥＵＶ光はＥＵＶ集光鏡５により反射されＥＵＶ光取出部６から放射される。またＥＵＶ放射停止時等に、チャンバ１内にＸｅガスなどの希ガスを導入し、高電圧パルス発生部１２から電極３ａ，３ｂ間に高電圧パルスを印加し、希ガスプラズマ放電を発生させる。希ガスの高密度高温プラズマが断熱膨張して生じる希ガスの高速のイオンまたは中性原子が、チャンバ内の電極等に堆積した不純物に衝突して不純物を離脱させ除去する。 （もっと読む）

【課題】短波長放射線発生のための放射線源において、放射線透過を実質的に減少させることなくバッファガスによりコリメータ光学系の保護を効果的に増加させる。
【解決手段】放射線を真空室の放射線出口開口に指向させる少なくとも１つの光学要素をデブリから保護することを保証するために、放射線放出プラズマを包囲し、バッファガスのための少なくとも１つの供給ライン及び１つの排出ラインを備えた真空室が、バッファガスによる様々な大きさの粒子減速を有するチャンバ領域を有する。粒子減速は、少なくとも光学要素が配置された第１チャンバ領域において他のチャンバ領域におけるよりも大きい。 （もっと読む）

【課題】多層スペクトル純度フィルタ、このようなスペクトル純度フィルタを備えたリソグラフィ装置、デバイス製造方法及びそれによって製造されたデバイスを提供すること。
【解決手段】多層スペクトル純度フィルタにより、極紫外（ＥＵＶ）放射ビームのスペクトル純度が改善され、且つ、放射源から放出されるデブリスが収集される。 （もっと読む）

ＥＵＶ光源におけるＥＵＶコレクタの反射表面からデブリを除去するための方法および装置が開示され、これは第一の材料からなる反射表面および第二の材料および／または第二の材料の化合物からなるデブリを含んでなり、前記システムおよび方法は、制御されたスパッタリングイオン源と（該イオン源は前記スパッタリングイオン材料の原子を含有するガスを含んでよく）；前記スパッタリング材料の原子をイオン化された状態に励起する誘導機構とを含んでよく、前記イオン化された状態は、前記第二の材料をスパッタリングする高い可能性、および前記第一の材料をスパッタリングする非常に低い可能性を有する選択されたエネルギーピークの周囲の分布を有するように選択される。前記誘導機構は、ＲＦまたはマイクロ波誘導機構を含んでよい。前記ガスは、前記選択されたエネルギーピークを部分的に決定する圧力に維持され、また前記誘導機構は、前記第二の材料のプラズマデブリ原子の流入速度以上の前記反射表面からの前記第二の材料のスパッタ密度を形成する、前記スパッタリングイオン材料のイオンの流入を形成してよい。スパッタ速度は、前記反射表面の所定の望ましい寿命について選択されてよい。前記反射表面はキャップされてもよい。前記コレクタは、楕円形ミラー、および半径方向に伸びるチャンネルを含み得るデブリシールドを具備してよい。前記第一の材料はモリブデンであってよく、前記第二の材料はリチウムであってよく、また前記イオン材料はヘリウムであってよい。前記システムは、前記反射表面から前記第二の材料を蒸発させるためのヒータを有してよい。前記誘導機構は、着火時と着火時との間は前記反射表面に接続されてよい。前記反射表面はバリア層を有してよい。前記コレクタは、入射反射シェルの視射角と組合された球形ミラーであってよく、これは反射体シェル上の多層スタックのための層材料の選択によって分光学的フィルタとして作用してもよい。前記スパッタリングは加熱と組合されることができ、後者はリチウムを除去し、前者はリチウムの化合物を除去し、また前記スパッタリングは励起されたガス原子ではなくプラズマ中で生成したイオンによるものであってよい。
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【課題】リソグラフィ投影装置で光学素子、特にコレクタミラーを放射線源が出す粒子による損傷から保護するためにガス障壁が提案されているが、それが２次粒子を出して光学素子に堆積するおそれがある。それでも光学素子を保護し、粒子が堆積しても容易に除去できる方法を提供すること。
【解決手段】この方法は、堆積を避ける代りに、除去できる光学素子５０、５１、５３、５４等に故意に堆積させ、それによって保護する。Ｂ、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅおよび／またはＳｎから選択した一つ以上の元素を含む材料を用意し、この放射線源ＳＯに、使用中、この材料の少なくとも一部を飛ばさせ、それによって堆積可能材料を作り、その少なくとも一部がこの光学素子上に堆積するように、この材料を配置する。この材料は、原子水素、ハロゲン化物ガス、または両方で比較的容易に除去できる。 （もっと読む）

【課題】極紫外（ＥＵＶ）放射線を反射する光学システムに使用される多層ミラーの保護およびフォトリソグラフィチャンバ内に伝達されるＥＵＶが通る表面の保護を行う方法および装置を提供することにある。
【解決手段】ＥＵＶ放射線は、ＥＵＶ放射線および荷電粒子の両方を放出するプラズマから発生される。チャンバには有機分子が供給され、該有機分子はＥＵＶ放射線と相互作用して、ミラー表面上に炭質デポジットのコーティングを形成する。プラズマから放出された荷電粒子はデポジットと衝突して、ミラー表面からデポジットをスパッタリングする。ミラー表面上へのデポジットのデポジション速度およびミラー表面からのデポジットの除去速度の少なくとも一方を制御することにより、コーティングの厚さが能動的に制御され、ミラー表面上への荷電粒子の直接衝突が防止されかつコーティングの形成によるミラー表面の反射率の低下を最小限にすることができる。 （もっと読む）

本発明は、感光性レジストに覆われた物体を検査する照射装置に関し、その照射装置は、物体への放射線の経路を横切るシステムのみならず、ＥＵＶ放射線源と、ＥＵＶ放射線源をフィルタリングする光学系と、物体を収容するチャンバとを備える。本発明は、上記の装置を操作する方法にも関する。本発明は、複雑な光学系を用いることなく安価な実験用放射線源を用いて、複数の照射領域への、少なくとも一部同時の、異なった線量の照射ができる限り速く得られることを目的とする。従って、本発明は、シンプルでコンパクトな光学系を備える装置を提供し、照射される物体の前面に閉口可能なダイアフラム開口部を配置し、放射線の経路に少なくとも１つの制御センサーを配置し、放射線量の測定を可能にする。
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