【課題】エッチング耐性の高いレジストを用いて、被加工膜を制御性良くエッチングすることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態の半導体装置の製造方法では、半導体基板１上方に被加工膜を形成し、前記被加工膜上にネガ型レジスト３を形成する。前記ネガ型レジスト３上に光硬化性レジスト４が形成され、前記光硬化性レジスト４に、凸部の一部に遮光部が設けられた凹凸パターンを有するテンプレート５の主面側が加圧される。前記テンプレート５の裏面から前記テンプレート５に光が照射され、光が照射されていない前記ネガ型レジスト３及び前記光硬化性レジスト４が現像され、前記テンプレート５の凹凸パターンが前記ネガ型レジスト３及び前記光硬化性レジスト４に転写される。前記ネガ型レジスト３及び前記光硬化性レジスト４に転写された凹凸パターンをマスクとして、前記被加工膜がエッチングされる。 （もっと読む）

【課題】第１レジストパターンの保護性能の向上及び第２レジストの面内塗布性能の向上が図れ、かつ、レジストの省薬液化を図れるようにしたレジストパターン形成方法及びその装置を提供すること。
【解決手段】ウエハにレジスト塗布処理、露光処理及び現像処理等のリソグラフィ処理を施して所定のパターンを形成するリソグラフィ工程を繰り返し行うレジストパターン形成において、ウエハに架橋剤を含有するレジストを塗布（Ｓ−１）し、その後、露光（Ｓ−４）及び現像（Ｓ−６）して第１レジストパターンを形成する。第１レジストパターンに紫外線を所定時間照射（Ｓ−７）すると共に、第１レジストパターンが形成されたウエハを所定温度で加熱（Ｓ−８）した後、第１レジストパターンが形成されたウエハに、第２レジストを塗布（ｓ−９）、露光（Ｓ−１２）及び現像（Ｓ−１４）して第２レジストパターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】 リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜材料であって、ドライエッチング耐性に非常に優れ、基板エッチング中のよれの発生を高度に抑制できると共に、化学増幅型レジストを用いた上層パターン形成におけるポイゾニング問題を回避できるレジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜材料、レジスト下層膜形成方法、パターン形成方法、及びフラーレン誘導体を提供することを目的とする。
【解決手段】 リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜材料であって、少なくとも、（Ａ）フラーレン骨格を有する物質と電子吸引基含有１，３−ジエン化合物誘導体との反応生成物であるフラーレン誘導体、（Ｂ）有機溶剤とを含むものであることを特徴とするレジスト下層膜材料。 （もっと読む）

【課題】歩留まりの高い微細パターを有する半導体デバイスの製造方法等を提供する。
【解決手段】本発明の半導体デバイスの製造方法は、回折格子層７及び絶縁層９を形成する工程と、シリコン非含有樹脂層１１を形成するシリコン含有樹脂層形成工程と、周期構造パターン１１ｐ１を形成する工程と、シリコン含有樹脂層１３を形成する工程と、シリコン含有樹脂層１３をエッチングする工程と、シリコン含有樹脂層１３をマスクとしてシリコン非含有樹脂層１１をエッチングする工程と、シリコン非含有樹脂層１１をマスクとして絶縁層９をエッチングする工程とを備える。シリコン含有樹脂層形成工程は、シリコン含有樹脂溶液を回転塗布する工程と、シリコン含有樹脂層１３を第１の温度まで加熱する工程と、シリコン含有樹脂層１３の外縁部１３ｅ１に揮発性成分を有するリンス液１４を回転塗布する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】工程中のパーティクルなどによってテンプレートが破壊されることを抑制した高生産性のパターン形成方法を提供する。
【解決手段】被加工膜の上にインプリント材料を塗布し、インプリント材料に、第１凹凸が設けられた転写面を有するテンプレートの転写面を接触させて、インプリント材料に第１凹凸の形状を反映した第２凹凸を形成し、インプリント材料にテンプレートを接触させた状態でインプリント材料を硬化させ、硬化したインプリント材料の第２凹凸の凹部にマスク材を充填し、充填されたマスク材をマスクにして、インプリント材料を加工して、被加工膜の一部を露出させ、加工されたインプリント材料をマスクにして被加工膜を加工するパターン形成方法が提供される。第２凹凸の凹部の底面と被加工膜との間のインプリント材料の厚さは、第２凹凸のハーフピッチの２．５倍以上である。 （もっと読む）

【課題】下地の性能を犠牲にすることなく、リフトオフ層が下地から剥離することを防止できるパターン形成方法、及び半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明にかかるパターン形成方法は、基板上にカバー絶縁膜２２を形成し、第１のレジストパターン１０４をマスクとして、金属膜パターン形成領域を取り囲むようカバー絶縁膜２２に凹部１０３を形成する工程と、凹部１０３内に入り込むよう、カバー絶縁膜２２上にリフトオフ層となる第２のレジストパターン２５を形成する工程と、第２のレジストパターン２５をマスクとして、金属膜パターン形成領域のカバー絶縁膜２２に開口部を形成する工程と、第２のレジストパターン２５の上から基板表面に金属膜を成膜し、第２のレジストパターン２５とともに第２のレジストパターン２５上の金属膜を除去して金属膜パターンを形成する工程とを備えるものである。 （もっと読む）

【課題】微細な種々のパターンを容易に形成できる露光方法を提供すること。
【解決手段】基板への露光方法において、基板上で、所望パターンを形成するパターン形成層の上層側にレジスト層を積層するレジスト層積層ステップと、基板への露光光を回折させる回折パターンを、レジスト層よりも上層側に形成する回折パターン形成ステップと、変形照明を用いて回折パターン上から全面露光し、これにより回折パターンで回折された回折光をレジスト層へ照射する全面露光ステップと、を含み、変形照明は、所望パターンに応じて決定された照明光源形状を有している。 （もっと読む）

【課題】遠紫外線などの短波長領域で強い吸収度を有する高分子を提供する。
【解決手段】下記化学式１で表わされる繰り返し単位および下記化学式１におけるピレン環に特定の有機基で結合する特定のアリーレン基が複数結合している繰り返し単位の少なくとも一方を有するレジスト下層膜用高分子、これを含むレジスト下層膜用組成物、ならびに素子のパターン形成方法である。
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【課題】反射防止効果が高く、耐酸素アッシング性に優れるシリコン含有膜を形成することができ、且つボトムに裾引きがないレジストパターンを安定して形成できるシリコン含有膜形成用組成物等を提供する。
【解決手段】本発明のシリコン含有膜形成用組成物は、下式（１）で表される化合物由来の構造単位（ａ１）を含有するポリシロキサンと、有機溶媒と、を含有する。


〔式中、Ｒ^１は、ｂ価の置換されてもよい芳香族炭化水素基又は置換されてもよい複素環基を表し、Ｒ^２及びＲ^３は各々独立して１価の有機基を表す。ａは０〜１の数であり、ｂは２又は３である。Ｘ^１は、単結合、置換されてもよいメチレン基、炭素数２〜５の直鎖状若しくは分岐状のアルキレン基又はフェニレン基を表す。〕 （もっと読む）

【課題】良好に所望のパターンを形成することが可能なパターン形成方法を提供する。
【解決手段】上層ハードマスク層１０３上に下層レジスト層１０４を形成する工程と、下層レジスト層上に下層レジスト層と露光感度の異なる上層レジスト層１０５を形成する工程と、互いの透過光に１８０度の位相差が生じる第１及び第２の透過領域を有し、第１及び第２の透過領域が照射領域内に互いに隣接して設けられたフォトマスク１０を介して下層レジスト層及び上層レジスト層に露光光を照射する工程と、露光光が照射された下層レジスト層及び上層レジスト層の現像を行うことで、上層ハードマスク層が露出した第１の領域と、下層レジスト層が露出した第２の領域と、下層レジスト層及び上層レジスト層が残った第３の領域とを有する構造を形成する工程とを備えることを特徴とするパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜材料であって、反射率を低減でき、エッチング耐性が高く、高い耐熱性、耐溶媒性を有し、特に基板のエッチング中によれの発生がないレジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜材料及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜材料であって、少なくとも、下記一般式（１）で示される繰り返し単位ａ１を有するポリフルオレンを含有することを特徴とするレジスト下層膜材料。
【化３７】
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【課題】新規多層フォトレジスト系の提供。
【解決手段】多層フォトレジスト系が提供されている。特別の局面においては、本発明は、オーバーコートされたフォトレジスト用の下層組成物、特に短い露光波長で像形成されるオーバーコートされたケイ素含有フォトレジストに関する。好ましい下層組成物は、耐エッチング性と反射防止性を付与する１つ以上の樹脂と他の構成成分、例えばフェニルあるいは他の耐エッチング性の基を含有する１つ以上の樹脂とアントラセンまたはフォトレジストの露光放射線に有効な反射防止性発色団部分である他の部位を含む。 （もっと読む）

【課題】レジストパターンの寸法変化を抑制することができるパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】Ｄｅｎｓｅ部及びＦｌａｔ部を有するギャップが存在する被加工基板上に、平坦化膜形成用組成物を塗布して平坦化膜を形成する工程（１）と、平坦化膜上にレジスト組成物を塗布してレジスト膜を形成する工程（２）と、レジスト膜に放射線を照射して、レジスト膜を選択的に露光する工程（３）と、露光したレジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程（４）と、レジストパターンをマスクとして用いて、平坦化膜及び被加工基板に所定のパターンを形成する工程（５）と、を含み、平坦化膜形成用組成物が、所定の重合体（Ａ）と、架橋剤（Ｂ）と、有機溶媒（Ｃ）と、を含有するものであるパターン形成方法である。 （もっと読む）

【課題】酸の拡散が被パターン化樹脂膜の全面に均一に十分な精度をもって行うことができ、その結果、被パターン化樹脂膜の全面に均一優れた寸法安定性が得られる酸転写用膜を得ることができる酸転写用組成物、これを用いてなる酸転写用膜、及びこの酸転写用膜を用いて既存のフォトリソプロセスによりパターン形成できるパターン形成方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）感放射線性酸発生剤、（Ｂ）含窒素基を有する重合体、及び、（Ｃ）ケトン系溶剤、を含有する組成物。（Ｂ）重合体は特定の(メタ)アクリルアミド構成単位を有することが好ましい。この組成物を用いてなる酸転写用膜。酸解離性基を有する樹脂を含有し且つ感放射線性酸発生剤を含有しない第１樹脂膜上に、前記酸転写用膜としての第２樹脂膜を形成する第２樹脂膜形成工程を備えるパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶ光によるリソグラフィ工程において、アウトガスの発生を抑制し、かつ製造コストの低減を図る。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、基板１０上に減圧又は真空雰囲気下においてアウトガスを発生する膜１１及び１２を形成する工程と、前記膜上に前記膜が露出しないように、減圧又は真空雰囲気下において前記膜よりも単位面積あたりのアウトガスの発生量が少ないレジスト膜１３を形成する工程と、前記レジスト膜に対してＥＵＶ（Extreme Ultra Violet）光によるパターン光を照射し、前記レジスト膜を露光する工程と、前記レジスト膜を現像する工程と、前記レジスト膜及び前記膜、又は前記膜をマスクとして前記基板を加工する工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】リソグラフィーで用いられる少なくとも３層を有する多層レジスト膜のレジスト下層膜の形成方法であって、反射率を低減でき、エッチング耐性が高く、高い耐熱性、耐溶媒性を有し、アウトガスの発生を防ぎ、特に基板のエッチング中によれの発生がないレジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜形成方法及びこれを用いたパターン形成方法の提供。
【解決手段】リソグラフィーで用いられる少なくとも３層を有する多層レジスト膜のレジスト下層膜の形成方法であって、ビスナフトール基を有する化合物を含有するレジスト下層膜材料を基板上にコーティングし、該コーティングしたレジスト下層膜材料を３００℃を超え、６００℃以下の温度で、１０秒〜６００秒間の範囲で熱処理して硬化させることを特徴とするレジスト下層膜形成方法。 （もっと読む）

【課題】側壁加工プロセスを用いて形成されたラインアンドスペースパターンを備える構成について、生産性の向上を可能とする、半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】第１のピッチの第１の層を形成し、第１の層の側壁に第２の層を形成し、第２のピッチのライン部及びスペース部を備える第１のパターン構造体を形成し、第１のパターン構造体のスペース部のうち、第１の層のスペース部に由来する第１のスペース部の幅Ｓｘと、第１の層のライン部に由来する第２のスペース部の幅Ｓｙとから、第１のパターン構造体のライン部の位置ずれ量を計測し、第１のパターン構造体と、第１のパターン構造体に重ね合わせて形成される第２のパターン構造体との合わせ規格を、位置ずれ量に基づいて動的に補正し、第１のパターン構造体及び第２のパターン構造体の合わせずれが、補正後の合わせ規格に適合するか否かを判定することを含む。 （もっと読む）

【課題】感光速度調節が可能なポジティブタイプのフォトレジスト組成物を利用して、リフトオフなどの特殊な工程に適したアンダーカット形態のプロファイルを安定的に形成するパターンの形成方法を提供する。
【解決手段】本発明はリフトオフ工程に適用することができるアンダーカット形態のプロファイルを形成する表示素子用パターン形成方法に関するものである。本発明は特定構造のポリマー化合物を使用して感光速度を急速にすることによって、多層フォトレジスト層を形成する時、容易にアンダーカット形態のプロファイルを形成することができ、その結果、リフトオフ工程の適用が容易で、厚さの厚いパターンを形成することもでき、工程中、エッチング工程を省略することができるため、工程単純化を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、多層レジスト法（特には２層レジスト法及び３層レジスト法）において、レジスト上層膜であるフォトレジスト層より下層を形成するために用いられ、該下層形成後はアルカリ現像液に不溶又は難溶となるレジスト下層膜材料であって、耐ポイゾニング効果が高く、環境への負荷の少ないレジスト下層膜を提供する。
【解決手段】リソグラフィーで用いられる多層レジスト法において、レジスト上層膜であるフォトレジスト層より下層を形成するために用いられ、該下層の形成後はアルカリ現像液に不溶又は難溶となるレジスト下層材料であって、該レジスト下層材料は、少なくとも、熱酸発生剤を含み、該熱酸発生剤は、１００℃以上の加熱により下記一般式（１）で示される酸を発生するものであることを特徴とするレジスト下層材料。
ＲＣＯＯ−ＣＨ_２ＣＦ_２ＳＯ_３⁻Ｈ^＋ （１） （もっと読む）

【課題】保存安定性に優れており、且つ、レジスト膜との密着性及びレジストパターンの再現性に優れると共に、現像等に用いられる現像液に対して十分な耐性を有し、レジスト除去時の酸素アッシングに対して十分なマスク性（エッチング耐性）を有するシリコン含有膜を形成できる多層レジストプロセス用シリコン含有膜形成用組成物等を提供する。
【解決手段】本組成物は、式（１）の化合物（ａ１）３０〜８０質量部、式（２）の化合物（ａ２）５〜６０質量部、並びに、式（３）の化合物（ａ３）及び式（４）の化合物（ａ４）のうちの少なくとも一方５〜５０質量部〔但し、化合物（ａ１）〜（ａ４）の合計を１００質量部とする。〕に由来するポリシロキサンと、溶媒と、を含有する。
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