【解決手段】ナフタレン、フルオレン、フルオレノン、アントラセン、フェナントレン、ピレン、アントラキノン、キサントン、チオキサントン、ベンゾクマリン、フェナレン-1-オン、アセナフテンから選ばれる芳香族基含有繰り返し単位を有し、酸によりアルカリに溶解する高分子化合物を含む第1のポジ型レジスト材料を基板上に塗布して第1のレジスト膜を形成する工程と第1のレジスト膜上にアルキルアルコールを溶剤とする第2のポジ型レジスト材料を塗布して第2のレジスト膜を形成する工程と高エネルギー線で露光、ベーク後現像液を用いて前記第1,2のレジスト膜を同時に現像してレジストパターンを形成する工程とを含むパターン形成方法。
【効果】第2層のレジスト膜を第1層レジスト膜と組み合わせることにより第2層のレジスト膜単独の場合よりも現像後のレジストパターンをマスクにして基板をエッチング加工したりイオンを打ち込んだりするときの耐性を高くできる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、工程数が少なく、高精度かつ高アライメント精度で微細パターンを形成できる方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、（１）基板の上に、感光性樹脂からなる第一の樹脂層を形成する工程と、（２）前記第一の樹脂層の上に、第２級または第３級アルキニルアルコールと光酸発生剤とベース樹脂とを含有する第二の樹脂層を形成する工程と、（３）前記第二の樹脂層をパターン露光する工程と、（４）前記第二の樹脂層において前記パターン露光した部分をマスクとして、第一の樹脂層を露光する工程と、（５）前記第二の樹脂層及び第一の樹脂層を除去する工程と、を有する微細パターンの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】下地の性能を犠牲にすることなく、リフトオフ層が下地から剥離することを防止できるパターン形成方法、及び半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明にかかるパターン形成方法は、基板上にカバー絶縁膜２２を形成し、第１のレジストパターン１０４をマスクとして、金属膜パターン形成領域を取り囲むようカバー絶縁膜２２に凹部１０３を形成する工程と、凹部１０３内に入り込むよう、カバー絶縁膜２２上にリフトオフ層となる第２のレジストパターン２５を形成する工程と、第２のレジストパターン２５をマスクとして、金属膜パターン形成領域のカバー絶縁膜２２に開口部を形成する工程と、第２のレジストパターン２５の上から基板表面に金属膜を成膜し、第２のレジストパターン２５とともに第２のレジストパターン２５上の金属膜を除去して金属膜パターンを形成する工程とを備えるものである。 （もっと読む）

【課題】モールドをプレスすることにより得られたパターンの残膜を除去する際、そのレジストパターンの線幅精度、形状を劣化させることなく、微細なパターンを形成可能にする方法を提供する。
【解決手段】ポジ型感光性樹脂層２と、該ポジ型感光性樹脂を感光させる感光波長の光を吸収することが可能な吸収層３と、がこの順に積層された基板１を用意する工程と、凸部を有するモールド４の前記凸部を前記ポジ型感光性樹脂層２と前記吸収層３との二層にプレスする工程と、前記二層と前記モールド４とを離間させる工程と、前記光を前記二層の上面側から前記二層に照射する工程と、前記吸収層３を除去する工程と、前記ポジ型感光性樹脂層２を現像する工程と、をこの順で有する構造体の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】酸の拡散が被パターン化樹脂膜の全面に均一に十分な精度をもって行うことができ、その結果、被パターン化樹脂膜の全面に均一優れた寸法安定性が得られる酸転写用膜を得ることができる酸転写用組成物、これを用いてなる酸転写用膜、及びこの酸転写用膜を用いて既存のフォトリソプロセスによりパターン形成できるパターン形成方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）感放射線性酸発生剤、（Ｂ）含窒素基を有する重合体、及び、（Ｃ）ケトン系溶剤、を含有する組成物。（Ｂ）重合体は特定の(メタ)アクリルアミド構成単位を有することが好ましい。この組成物を用いてなる酸転写用膜。酸解離性基を有する樹脂を含有し且つ感放射線性酸発生剤を含有しない第１樹脂膜上に、前記酸転写用膜としての第２樹脂膜を形成する第２樹脂膜形成工程を備えるパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】感光速度調節が可能なポジティブタイプのフォトレジスト組成物を利用して、リフトオフなどの特殊な工程に適したアンダーカット形態のプロファイルを安定的に形成するパターンの形成方法を提供する。
【解決手段】本発明はリフトオフ工程に適用することができるアンダーカット形態のプロファイルを形成する表示素子用パターン形成方法に関するものである。本発明は特定構造のポリマー化合物を使用して感光速度を急速にすることによって、多層フォトレジスト層を形成する時、容易にアンダーカット形態のプロファイルを形成することができ、その結果、リフトオフ工程の適用が容易で、厚さの厚いパターンを形成することもでき、工程中、エッチング工程を省略することができるため、工程単純化を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】ダブルパターニング法における工程数を低減できる新規なパターン形成方法を提供する。
【解決手段】支持体上に第一のポジ型レジスト組成物を塗布して第一のレジスト膜を形成し、該第一のレジスト膜上に第二のポジ型レジスト組成物を塗布して第二のレジスト膜を形成し、該第一のレジスト膜の最低露光量（Ｅｔｈ_１）よりも小さくかつ該第二のレジスト膜の最低露光量（Ｅｔｈ_２）よりも大きな露光量（Ｄｏｓｅ_２）で、該第二のレジスト膜に対し選択的に露光し、現像して、該第二のレジスト膜からなる粗パターンを形成し、該第一のレジスト膜の最低露光量（Ｅｔｈ_１）よりも大きな露光量（Ｄｏｓｅ_１）で、該第一のレジスト膜に対し、該粗パターンを介して露光し、現像して、該粗パターンを除去すると共に該第一のレジスト膜からなる密パターンを形成することを特徴とするレジストパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＯＳトランジスタを形成する場合、ＮＭＯＳトランジスタのソース／ドレイン領域とＰＭＯＳトランジスタのソース／ドレイン領域とは別々の露光工程を用いて形成されており、ＮＭＯＳトランジスタとＰＭＯＳトランジスタの少なくとも片方のＭＯＳトランジスタの特性が低下する頻度は増える。よってＣＭＯＳトランジスタの特性がばらつくという課題がある。
【解決手段】各々厚みが異なる第１レジスト層４１、第２レジスト層４２、第３レジスト層４３を用い、ＰＭＯＳ領域４４のソース／ドレイン領域４４ｓｄと、ＮＭＯＳ領域４５のソース／ドレイン領域４５ｓｄとを、同一のレジストマスクを用いて形成する。１度のフォトリソグラフ工程で、ソース／ドレイン領域４４ｓｄと４５ｓｄを形成することができる。そのため、位置合わせ工程でのずれに起因する性能の低下が抑えられ、高性能な半導体装置の製造方法を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】リフトオフによる蒸着および／またはスパッタ膜の形成方法に関し、基板表面に、ライン／スペースが１０μｍ／１０μｍ以下のような微細パターンにおいても、アンダーカットがパターン間の下部で繋がらないようにアンダーカット形状を制御することが可能なレジストパターンを、1回の露光および現像で得て、バリのない製膜層を容易に形成
することができる２層レジスト膜およびこれを形成するパターン形成方法を提供する。
【解決手段】特定の樹脂組成物１と特定のポジ型感放射線性樹脂組成物２を基板表面に塗布して２層積層膜を形成し、一回の露光により２層積層膜からなるレジストに断面がアンダーカット形状をした微細パターンを形成し、次にこれをマスク材として有機あるいは無機薄膜等を蒸着および／またはスパッタし、リフトオフすることで所望の形状を有するパターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】第一のレジスト膜上に第一のレジストパターンを形成した後、第一のレジストパターンの上に第二のレジスト膜を形成し第二のレジストパターンを形成するために、第一のレジストパターンに対して化学的な処理を行って第二のレジスト液に溶解しないように性状を変化させるフリージングプロセスにおいて、第一のレジストパターンが第二のレジスト液に溶解せず、第一のレジストパターンの寸法が変化しない、更には、第一のレジストパターンと第二のレジストパターンのドライエッチング耐性が同じであるという要件を満たすように、第一のレジストパターンに対して化学的な処理を行う為のフリージングプロセス用の表面処理剤及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】多価アルコール化合物を含有するパターン形成用表面処理剤、及び、当該表面処理剤を用いたパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】二重露光によるパターンニングにおいて、第一層目のレジストパターンとミキシングすることなく、第二層目のレジストパターンを形成可能な樹脂組成物及びパターン形成方法を提供する。
【解決手段】本パターン形成方法は、（１）第一レジスト層形成用樹脂組成物を用いて、基板上に第一パターンを形成する工程と、（２）第一パターンを光に対して不活性化させる工程と、（３）第二レジスト層形成用樹脂組成物を用いて、第一パターンが形成された基板上に第二レジスト層を形成し、所用領域を露光する工程と、（４）現像することによって、第一パターンのスペース部分に、第二パターンを形成する工程と、を備えており、第二レジスト層形成用樹脂組成物は、酸の作用によりアルカリ可溶性となる樹脂と溶剤とを含んでおり、且つこの溶剤は、第一レジストパターンを溶解しないことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】リフトオフによる蒸着および／またはスパッタ膜の形成方法に関し、基板表面に、ライン／スペースが１０μｍ／１０μｍ以下のような微細パターンにおいても、アンダーカットがパターン間の下部で繋がらないようにアンダーカット形状を制御することが可能なレジストパターンを、1回の露光および現像で得て、バリのない製膜層を容易に形成することができる２層レジスト膜およびこれを形成するパターン形成方法を提供する。
【解決手段】特定のポジ型感放射線性樹脂組成物１と特定のポジ型感放射線性樹脂組成物２を塗布し２層積層膜を形成し、一回の露光により２層積層膜からなるレジストに断面がアンダーカット形状をした微細パターンを形成し、次にこれをマスク材として有機あるいは無機薄膜等を蒸着および／またはスパッタし、リフトオフすることで所望の形状を有するパターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】 複数回のフォトリソグラフィ工程を実施することなく、半導体基板に不純物濃度が異なる複数の不純物導入領域を形成可能な技術を提供する。
【解決手段】 半導体基板に不純物濃度が異なる複数の不純物導入領域を形成する方法であって、半導体基板の表面に第１光量で感光するポジ型で露光前の第１レジスト層を形成する第１レジスト層形成工程と、第１レジスト層の表面に第１光量よりも少ない第２光量で感光するポジ型で露光前の第２レジスト層を形成する第２レジスト層形成工程と、第１レジスト層と第２レジスト層の第１所定範囲に第１光量以上の光を照射するとともに第１レジスト層と第２レジスト層の第２所定範囲に第１光量未満であって第２光量以上の光を照射する露光工程と、露光後の第１レジスト層と第２レジスト層を現像する現像工程と、現像後の半導体基板の表面に向けてイオン化した不純物を照射するイオン注入工程を備える。 （もっと読む）

【課題】 ＣＳＰと呼ばれる半導体装置において、電解メッキにより配線を形成する際に用いるフォトレジスト膜をポジ型化学増幅型のものによって形成するとき、解像不良が発生しないようにする。
【解決手段】 最上層に銅層を有するメッキ電流路としての下地金属層７の上面にアルミニウムからなるバリア層２２を成膜する。次に、バリア層２２の上面にポジ型化学増幅型のフォトレジスト膜２３を形成する。次に、配線形成領域に対応する部分に開口部２５を有する露光マスク２４を用いて紫外線を照射すると、配線形成領域に対応する部分におけるフォトレジスト膜２３中の光酸発生剤からパターン形成に必要な触媒としての酸が発生する。この場合、フォトレジスト膜２３で発生した酸はバリア層２２によって阻止されて下地金属層７の最上層の銅層中に侵入することがなく、したがってこの銅層とフォトレジスト膜２３との界面において酸が中和されることがなく、この酸中和に起因する解像不良が発生しないようにすることができる。 （もっと読む）

【課題】デュアル・ダマシン構造を製作する方法を提供すること。
【解決手段】この方法は、第１フォトレジスト層および第２フォトレジスト層を備える多層フォトレジスト・スタックを提供するステップを含む。各フォトレジスト層は、別個のドーズ・クリア値を有する。この方法はさらに、前記フォトレジスト・スタックを１つまたは複数の所定のパターンの光で露光するステップと、前記フォトレジスト層を現像して、フォトレジスト層内に多段構造を形成するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】ここではリソグラフィシステムの像分解能を向上させるための二重露光方法が提示される。
【解決手段】本発明は、基板上に印刷される所望のパターンを、リソグラフィシステムによって光学的に分解することができる少なくとも二つの成分サブパターンに分解する工程、所望の高密度ラインパターンでパターンを形成させる基板のターゲット層の上に、第一のポジ型レジスト層と比較的薄い第二のポジ型レジスト層とを塗布する工程を含む。第二のレジスト材料は、第一のパターン形成露光の間、および現像後の第二のパターン形成露光の間、露光放射を吸収し、第二のレジスト材料層の露光される部分の下の第一のレジスト材料の少なくとも一部を、第一のレジスト層の限界エネルギー露光ドーズの或る割合より多い露光ドーズに露光させない。 （もっと読む）

【課題】フォトレジストの塗布ムラを低減し、密着性を向上し得る薄膜形成方法を提供する。
【解決手段】 フォトレジスト法を用いてパターン化された薄膜を形成するに当たり、パターン化前の薄膜２００の一面を、乳酸エステルを含有する処理液３００で処理し、その後に、フォトレジストマスクを形成する。乳酸エステルとしては、乳酸エチル、乳酸ブチル、乳酸メチルから選択された少なくとも一種を用いることができる。薄膜２００は、一面に水酸基を含むもの、具体的には、Ａｌ₂Ｏ₃を主成分とするものが適している。 （もっと読む）

【課題】デュアルダマシン法において、フォトリソグラフィー工程、エッチング工程を簡略化することができる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、デュアルダマシン法により配線を形成する半導体装置の製造方法において、層間絶縁膜上にポジ型のレジスト層を形成し、ビアホール用開口部とこれより露光用の光の透過率が小さい配線溝用開口部を有するフォトマスクを用いて前記レジスト層をパターニングし、パターニング後のレジスト層を用いて前記層間絶縁膜にビアホールと配線溝を形成し、前記配線溝及びビアホール内に配線材料を埋め込む工程を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 下層に密パターンを形成し、上層にパターンを形成するレジストパターンの形成方法において、ミキシングを抑制できるレジストパターンの形成方法を提供する。
【解決手段】 次の（i）〜（ii）の工程；（i）基板上にポジ型レジスト組成物を用いて第１のレジスト層を形成し、選択的に露光して、該第１のレジスト層に密パターンの潜像部を形成する工程；（ii）該第１のレジスト層の上にネガ型レジスト組成物を用いて第２のレジスト層を形成し、選択的に露光した後、第１のレジスト層と第２のレジスト層を同時に現像して、前記密パターンの潜像部の一部を露出させる工程；を含むレジストパターンの形成方法であって、前記ネガ型レジスト組成物として、第１のレジスト層を溶解しない有機溶剤に溶解したネガ型レジスト組成物を用いることを特徴とするレジストパターンの形成方法。 （もっと読む）

【課題】 加工深さが異なる複数の領域を一回の露光工程によりレジスト膜上に形成することを可能とするフォトリソグラフィー方法を提供すること。
【解決手段】 基板１０１上に下層レジスト１０２ａと上層レジスト１０２ｂを順次積層させて塗布する。これらのレジストがポジ型の場合は、その露光感度は、上層レジスト１０２ｂが高く、下層レジスト１０２ａが低くなるようにする。このように、互いに感度の異なる２つのフォトレジストを、下層レジスト１０２ａとして相対的に低感度のレジストを、上層レジスト１０２ｂとして相対的に高感度のレジストを、順次積層させ、この２層レジストに露光光を照射させた後に現像を行うと、レジスト残膜率１００％の領域（ａ’）、レジスト残膜率０〜１００％の領域（ｂ’）、およびレジスト残膜率０％の領域（ｃ’）の何れの領域も、製造工程上その制御性に問題のない露光量範囲で得ることができる。 （もっと読む）