【課題】被撮像物が厚い書籍であっても綴じ部近辺の像が歪まない小型の撮像装置を提供する。特に、薄い撮像装置を提供する。さらには、小型化により撮像装置の可搬性を向上させる。
【解決手段】撮像面が両面に配された撮像装置を提供する。好ましくは、発光素子及び受光素子などの撮像装置を構成する素子は、すべて一の基板上に配する。換言すると、第１の撮像面と、前記第１の撮像面の逆を向いた第２の撮像面と、を有する撮像装置である。 （もっと読む）

【課題】その部品点数の削減、及び小型化を達成できる発光モジュールを提供する。
【解決手段】半導体レーザ１５、半導体レーザの光をモニタする受光素子１４ｂ、半導体レーザを駆動するレーザ駆動回路１４ａ、及び受光素子のモニタ出力によりレーザ駆動回路を制御する制御回路１４ｃを備えた発光モジュール１０であって、受光素子、レーザ駆動回路及び制御回路は、半導体製造プロセスを経て製造された半導体回路基板１４に集積されており、半導体レーザは、半導体回路基板の受光素子にて半導体レーザの光をモニタ可能な位置に搭載されている。 （もっと読む）

【課題】近接センサ及び照度センサを１チップ化する場合、チップ面積を削減することができる光検出装置を提供することを目的としている。
【解決手段】受光部は、第１の受光素子５０と第２の受光素子５１が半導体を用いて一体的形成されている。第１の受光素子５０と第２の受光素子５１に共通なｐ型基板１を備えている。第１の受光素子５０では、第１のフォトダイオードＰＤ１、第２のフォトダイオードＰＤ２、第３のフォトダイオードＰＤ３が受光面から異なる深さに形成されている。第２の受光素子５１は赤外線透過フィルタ２０を備え、第４のフォトダイオードＰＤ１１、第５のフォトダイオードＰＤ１２、第６のフォトダイオードＰＤ１３が受光面から異なる深さに形成される。可視光領域に感度ピークを有する第１の受光素子５０から出力される光電流と赤外線領域に感度ピークを有する第２の受光素子から出力される光電流から周囲光の照度を測定する。 （もっと読む）

【課題】２つの光検出器に対応する２つの色を含む情報のミキシングに対して感受性のない検出装置を提供する。
【解決手段】基板３は、第１のバンドギャップエネルギーを有する第１の半導体層５と、半導体バッファ層６と、第１のバンドギャップエネルギーと異なる第２のバンドギャップエネルギーを有する第２の半導体層７とを連続的に備える。２つの異なる色に反応する２つの光検出器１、２は、第１及び第２の半導体層５、７の上にそれぞれ形成される。第１のバイアスパッド９は、第１の半導体層５を第１のバイアス回路８ｂ、１４に電気的に接続する。第２のバイアスパッド１０は、第２の半導体層７を第２のバイアス回路８ａ、１５に電気的に接続する。第１のバイアスパッドは第２の半導体層７と電気的接続しない。 （もっと読む）

【課題】センサ部での光の利用効率の低下を防止することができる電磁波検出素子を提供する。
【解決手段】互いに交差して配設された複数の走査配線及び複数の信号配線の各交差部と、２次元状に配列された複数のセンサ部であって、各々が、検出対象とする画像を示す電磁波が照射されることにより電荷が発生する半導体層、半導体層の電磁波が照射される照射面側に電磁波に対して透過性を有する導電性部材により形成され、半導体層に対してバイアス電圧を印加する第１電極、及び半導体層の電磁波に対する非照射面側に形成され、半導体層に発生した電荷を収集する第２電極を備えた複数のセンサ部と、センサ部よりも電磁波の下流側に形成され、各々コンタクトホールを介して第１電極に接続されてバイアス電圧を供給する共通電極配線と、走査配線と、信号配線及び共通電極配線との間に形成されている第１の絶縁膜と、を備え、信号配線及び共通電極配線は同層に形成。 （もっと読む）

【課題】トランジスタは作製工程や使用する基板の相違によって生じるゲート絶縁膜のバラツキや、チャネル形成領域の結晶状態のバラツキの要因が重なって、しきい値電圧や移動度にバラツキが生じてしまう影響を排除する。
【解決手段】アナログ信号を入力するトランジスタ、及び定電流源としての機能を有するトランジスタのゲート・ソース間電圧又はしきい値電圧に応じた電圧を取得、保持し、後に入力される信号電位に上乗せすることで、トランジスタ間のしきい値電圧のバラツキやゲート・ソース間電圧のばらつきをキャンセルする半導体装置を提供する。ゲート・ソース間電圧又はしきい値電圧に応じた電圧の取得、保持には、トランジスタのゲート・ソース間及びゲート・ドレイン間に設けたスイッチ、及びゲート・ソース間に設けた容量を用いる。 （もっと読む）

【課題】近赤外〜遠赤外域に受光感度を有するＩＩＩ−Ｖ族半導体において、キャリア濃度を高精度で制御できる受光素子、およびその受光素子の素材となるエピタキシャルウエハ、およびそのエピタキシャルウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】 ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる基板と、光を受光するための受光層と、該受光層のバンドギャップエネルギより大きいバンドギャップエネルギを有する窓層と、少なくとも受光層に位置するｐｎ接合とを備え、窓層の表面において、二乗平均面粗さが１０ｎｍ以上４０ｎｍ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】有機撮像素子において残像を低減する。
【解決手段】有機撮像素子１は、基板１０上に複数の画素部１００を有し、基板１０の光入射側の表面に、層間絶縁層２０を介して形成された複数の画素電極４０と、複数の画素電極４０上に連続膜状に配された光機能層５０と、光機能層５０の上に配された、複数の画素部１００に共有される対向電極６０と、層間絶縁膜２０内に形成された少なくとも１層の金属配線層３２と、画素電極間の間隙Ｇに充填された充填部２１１と、光機能層５０内に突出して形成されてなる突出部２１２とからなる電界調整用絶縁層２１を備えてなり、光機能層５０は、有機材料を含む光電変換層５２を含む。突出部２１２は、充填部２１１に接している２つの画素電極４０の各端部４０ｔと、該２つの端部間の中央部上方の１つの頂点Ａとをそれぞれ結ぶ下に凸の曲線で囲まれてなる。 （もっと読む）

【課題】時間分解能が画素間で異なるのを抑制すると共に、時間分解能をより一層向上することが可能な光検出装置を提供すること。
【解決手段】半導体光検出素子１０は、ガイガーモードで動作すると共に半導体基板１Ｎ内に形成された複数のアバランシェフォトダイオードＡＰＤと、それぞれのアバランシェフォトダイオードＡＰＤに対して直列に接続されると共に半導体基板１Ｎの主面１Ｎａ側に配置されたクエンチング抵抗Ｒ１と、クエンチング抵抗Ｒ１と電気的に接続され且つ主面１Ｎａ側から主面１Ｎｂ側まで半導体基板１Ｎを貫通して形成された複数の貫通電極ＴＥと、を含む。搭載基板２０は、貫通電極ＴＥ毎に対応して主面２０ａ側に配置された複数の電極Ｅ９を含む。貫通電極ＴＥと電極Ｅ９とがバンプ電極ＢＥを介して電気的に接続され、半導体基板１Ｎの側面１Ｎｃとガラス基板３０の側面３０ｃとは面一とされている。 （もっと読む）

【課題】複数位相の同時復調を行うことができ、かつ、素子構造が単純であって、比較的小さな撮像素子を構成する際にも高解像度を得ることができるほどの密度に実装することが可能であり、しかも安価に製造できる汎用の半導体製造プロセスでの製造する。
【解決手段】少なくとも４個以上のＰＮ接合ダイオードのなかで少なくとも２個以上のＰＮ接合ダイオードに電圧を印加して、エピタキシャル層内の静電ポテンシャルを変調する変調電位印加ダイオードとし、少なくとも４個以上のＰＮ接合ダイオードのなかで変調電位印加ダイオードと重複しない少なくとも２個以上のＰＮ接合ダイオードは、エピタキシャル層で生成された光電子を回収する光電子回収ダイオードとし、少なくとも２個以上の変調電位印加ダイオードへそれぞれ印加する電圧の位相を変化させて静電ポテンシャルの勾配を制御し、光電子の少なくとも２個以上の光電子回収ダイオードへの移動を制御する。 （もっと読む）

【課題】大面積化を図りつつ、時間分解能をより一層向上することが可能な光検出装置を提供すること。
【解決手段】半導体光検出素子１０は、ガイガーモードで動作する複数のアバランシェフォトダイオードＡＰＤと、各アバランシェフォトダイオードＡＰＤに対して直列に接続されるクエンチング抵抗Ｒ１と、クエンチング抵抗Ｒ１が並列に接続される信号線ＴＬと、を含むフォトダイオードアレイＰＤＡを一つのチャンネルとして、複数のチャンネルを有する。搭載基板２０は、チャンネル毎に対応した複数の電極Ｅ９が主面２０ａ側に配置されると共に、各チャンネルからの出力信号を処理する信号処理部ＳＰが主面２０ｂ側に配置されている。半導体基板１Ｎには、チャンネル毎に、信号線ＴＬと電気的に接続された貫通電極ＴＥが形成されている。貫通電極ＴＥと電極Ｅ９とがバンプ電極ＢＥを介して電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】光学的な干渉を抑制することが可能な固体撮像素子を提供する。
【解決手段】半導体基体３１と、半導体基体３１の第１主面上に形成された、Ｇｅを含む第１半導体層３２とを備える固体撮像素子３０を構成する。この固体撮像素子３０は、半導体基体３１の第２主面に形成された転送トランジスタＴｒ１と、第１半導体層３２を含む領域に形成されたフォトダイオード３３とを備える。 （もっと読む）

【課題】各撮像素子で特性が異なることを抑制することができると共に、ノイズが導入されることを抑制することができる撮像素子を提供する。
【解決手段】単結晶基板１０と、当該単結晶基板１０に形成された回路部２０と、回路部２０の一部と直接接触する状態で単結晶基板１０の一面に配置された単結晶第１導電型層３１と、単結晶第１導電型層３１上に配置された単結晶第２導電型層３３とを有するフォトダイオード３０と、単結晶第２導電型層３３と電気的に接続される電極３５と、を備える。これによれば、単結晶基板１０上に単結晶材料を用いて構成されたフォトダイオード３０が形成されているため、撮像素子毎に特性が異なることを抑制することができる。 また、フォトダイオード３０における単結晶第１導電型層３１と回路部２０の一部とを配線を介さずに直接電気的に接続しているため、ノイズが導入されることを抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】
読み出し回路を備えた第一基板と受光素子を備えた第二基板をバンプ接続した量子型赤外線熱感知デバイスにおいて、HgCdTe等で構成された第二基板に影響を与えることなくシリコン基板等で構成された第一基板と、第二基板の熱膨張係数の違いに起因する隣接バンプ間の接触を防止する。
【解決手段】
量子型撮像素子は、読み出し回路を備えた第一基板と、前記第一基板とフリップチップボンディング（FCB）によって電気的に接続された、受光素子を備えた第二基板と、前記第一基板と前記第二基板をFCBによって電気的に接続する導体バンプ群と、各バンプの周囲を囲むように存在し、前記第一基板側にのみ固定され、前記第二基板との間に空隙を設けた絶縁壁とを有する。 （もっと読む）

【課題】基板間の接合性を改善してボイドの発生を抑制することにより、信頼性の向上が図られた３次元構造の半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１を、第１電極３３および第１絶縁膜３５を含むと共に、これらの第１電極３３および第１絶縁膜３５を露出させた貼合せ面４１を有する第１基板２と、第１電極３３に電気的に接続された第２電極６７および第２絶縁膜６９を含むと共に、これらの第２電極６７および第２絶縁膜６９を露出させた貼合せ面７１を有し、第１基板２に貼り合わされて設けられた第２基板７と、各基板の貼合せ面４１，７１の間に狭持された絶縁性薄膜１２とを備えた構成とする。 （もっと読む）

【課題】フォトダイオードとトランジスタとが絶縁膜を介して同一の半導体基板に形成された半導体装置の、フォトダイオードを形成する半導体層と絶縁膜との界面のリーク電流を小さくする。
【解決手段】一導電型の半導体層１１と、半導体層の主面１５１に設けられた反対導電型の半導体領域１８２と、半導体層１１の主面１５１に半導体領域１８２と離間して設けられた一導電型で半導体層１１より高不純物濃度の半導体領域１９１、１９２と、少なくとも半導体領域１８２と半導体領域と１９１、１９２の間の半導体層１１の主面１５１に設けられた一導電型で半導体層１１より高不純物濃度で半導体領域１９１、１９２よりも低不純物濃度の半導体領域９９と、を備えるフォトダイオード３０と、半導体層１１の主面１５１上に設けられた絶縁層１０と、絶縁層１０上に設けられ、トランジスタ素子４０が形成された半導体層９と、を備える。 （もっと読む）

【課題】高性能な光センサーを提供すること。
【解決手段】光センサー１は、計測セル２０と、第一選択線ＧＳＥＬＡと、読み出し線Ｓｅｎｓｅと、を有し、計測セルは、受光素子ＰＤと、第一トランジスターＡＭＰＴＦＴ１と、第二トランジスターＡＭＰＴＦＴ２と、選択トランジスターＳＥＬＴＦＴと、を備える。第一トランジスターＡＭＰＴＦＴ１のゲートとソースとが、其々、受光素子ＰＤの第一極と、第二トランジスターＡＭＰＴＦＴ２のゲートとに接続される。選択トランジスターＳＥＬＴＦＴのドレインとゲートとソースとが、其々、第二トランジスターＡＭＰＴＦＴ２のソースと、第一選択線ＧＳＥＬＡと、読み出し線Ｓｅｎｓｅと、に接続される。斯うする事で、高速計測と高精度計測とが両立する光センサー１が実現する。 （もっと読む）