説明

Fターム[5F051AA03]の内容

光起電力装置 (50,037) | 本体材料 (7,491) | 4族 (3,976) | 多結晶 (957)

Fターム[5F051AA03]に分類される特許

81 - 100 / 957


【課題】太陽電池モジュールにおいて、互いに隣接する電極同士の間で短絡が生じることを防止し、信頼性を高める。
【解決手段】太陽電池モジュール101は、絶縁性基材11の表面にn型用,p型用配線12,13が交互に並ぶように縞状に形成されたものである配線シート10と、半導体基板21の一方の表面に、不純物拡散領域22,23の各々に接続するn型,p型用電極24,25が交互に並ぶように縞状に形成されたものである裏面電極型太陽電池セル20とを備える。電極24,25と、配線12,13とは、導電体29cを介してそれぞれ一対一対応の関係を満たすように接続されている。導電体29cの周囲は絶縁樹脂29iによって覆われている。裏面電極型太陽電池セル20上の、互いに隣り合う電極24,25の間には、絶縁樹脂29iとは異なる組成の絶縁体28が設置されている。 (もっと読む)


【課題】太陽電池パネルの課題である小型化,軽量化,温度上昇による出力低下の軽減,温度上昇による内部配線の剥離或いは断線等のトラブル低減,長期に亘る気密性の確保,簡便な出力配線,簡便な設置作業及び容易な運搬,加えて太陽電池システムの動作を監視する事による保守管理を可能とする。
【解決手段】4放熱板に貼り付けた数枚の28結晶系太陽電池セルで構成される1結晶系太陽電池セル部と,33昇圧回路及び監視回路で構成される6半導体部と,5基板部と,7接続部とを2樹脂ケースの中に入れ,2樹脂ケースの空間全てに流動性のある粘性の低い3封止樹脂を充填する構造とする。 (もっと読む)


【課題】レーザー光線による透明導電膜の熱損傷やガラス基板の割れを抑制し、レーザー光線の焦点合わせが容易となる光電変換素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ガラス基板11上に成膜された透明導電膜12を含む膜13にスクライブ30を形成するスクライブ工程を有する光電変換素子の製造方法において、スクライブ工程は直径が100μm以下の水ジェット16で誘導したレーザー光線15によって行われ、レーザー光線15を膜13側からガラス基板11側に向かって照射する。 (もっと読む)


【課題】 互いに交差する2つの塗布パターンを形成する際に、少なくとも一方の塗布パターンを厚膜(高アスペクト比)に形成することができるとともに、その交差部における表面が凸凹になることを抑制することができるパターン形成方法およびパターン形成装置を提供する。
【解決手段】 ノズルから基板の主面およびバス配線パターン上にペーストを線状に供給して、基板上にバス配線パターンと交差するフィンガー配線パターンを形成する第2塗布工程おいて、基板の主面に供給されたペーストに対して当該塗布液を硬化させる硬化処理を実行し(ステップS54)、バス配線パターン上に供給されたペーストに対しては光照射を停止する(ステップS52)。 (もっと読む)


【課題】 ラミネート時の出力配線の位置ズレを防ぐともに、開口部からの水分の浸透を防ぎ、太陽電池モジュールの信頼性を向上させるとともに、その歩留まりも向上させる。
【解決手段】 表面保護部材12と、裏面保護部材13と、配線部材16によって電気的接続された複数の太陽電池11と、表面保護部材12と裏面保護部材13との間に、複数の太陽電池を封止する封止部材14と、太陽電池11の出力を取り出すための出力配線20と、を備え、裏面保護部材13に開口部13aが設けられ、この開口部13aを覆うように封止フィルム30が配設されるとともに、封止フィルム30に、出力配線20が挿入されるスリットが設けられる。そして出力配線20が封止フィルム30のスリット部から開口部13aを経て裏面部材13の外部に取り出される。 (もっと読む)


【課題】光電変換部に加わる応力を低減した信頼性の高い太陽電池モジュールを提供する。
【解決手段】太陽電池モジュールXは、基板1と、該基板上に配置された透光性の第1樹脂層2と、該第1樹脂層上に配置された複数の太陽電池素子3を接続してなる太陽電池素子列で構成された光電変換部と、該光電変換部上に配置された第2樹脂層4と、裏面シート5とを積層してなる。第1樹脂層は、基板及び第2樹脂層に比し、引張弾性率が小さい。 (もっと読む)


【課題】シリコン系薄膜の成膜を行なうための成膜室が大気開放される際に生じるHFガスの量を抑制することができる、成膜装置のクリーニング方法およびシリコン系薄膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜室50内においてフッ素系ガスを用いてプラズマが発生させられる。フッ素系ガスを用いてプラズマが発生させられた後に、成膜室50内においてシリコン系材料が堆積させられる。シリコン系材料が堆積させられた後に、成膜室が大気開放される。 (もっと読む)


【課題】本発明は、従来廃材となっていた坩堝残を有効に活用することができ、純度の高い原料を使用した場合と同等の特性が得られる多結晶シリコンインゴットを製造できる方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明のシリコンインゴットの製造方法は、坩堝内に保持された、第1の導電型を規定する第1のドーパントを含有するシリコン融液から、チョクラルスキー法により太陽電池用の単結晶インゴットを引き上げる工程と、単結晶シリコンインゴットを引き上げた後の坩堝内の残留分(坩堝残)を、多結晶シリコンインゴットの原料として用いてインゴットを形成する工程とを含むことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】透明導電膜のスクライブの絶縁特性を確保し、且つ光電変換素子としての品質を確保できる光電変換素子の製造方法及び光電変換素子の洗浄装置を提供することである。
【解決手段】ガラス基板11上に酸化亜鉛系の透明導電膜12を成膜する成膜工程と、透明導電膜12にスクライブ40を形成するスクライブ工程とを有する光電変換素子10の製造方法において、スクライブ工程の後に、透明導電膜12上を溶解性を有する洗浄液8で覆い、一定時間の間、透明導電膜12上に洗浄液8を滞留させた後に、洗浄液8を排出する。 (もっと読む)


【課題】太陽電池素子の電極の位置や電極形状のばらつきの影響を受けにくい太陽電池素子の製造方法および製造装置を提供すること。
【解決手段】第1導電型を有する半導体基板1と、前記第1導電型と異なる第2導電型を有し、半導体基板1上の一部に形成された半導体層2と、該半導体層2上に配置された第1電極3と、半導体基板1上の半導体層2の非形成領域に配置された第2電極4と、を備えた太陽電池素子の製造方法であって、第1電極3及び第2電極4の少なくとも一方の形状を認識し、該形状の情報を取得する認識工程と、前記情報に基づき半導体層2を除去する部分を決定し、半導体層2の一部を除去する除去工程とを備えたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】大面積基板上に結晶質シリコン光電変換層を製膜する場合でも、製膜中の基板温度の上昇を抑制し、発電効率の高い光電変換装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】p層、n層、及び結晶質シリコンi層を含む光電変換層をプラズマを用いて製膜する真空処理装置によって、基板1上に予め製膜されたp層またはn層上に結晶質シリコンi層を製膜するi層製膜工程を有する光電変換装置の製造方法であって、真空処理装置が、基板を加熱する基板テーブル204と、プラズマを形成するための放電電極203とを備え、i層製膜工程は、基板テーブル又は放電電極の少なくとも一方の設定温度プロファイルが、基板1を真空処理装置内に導入した時の基板導入時設定温度と、真空処理装置内でプラズマを消灯した時の製膜終了時設定温度とを含み、製膜終了時設定温度が基板導入時設定温度よりも低くなるように制御する工程を含む光電変換装置の製造方法。 (もっと読む)


【課題】シリコン多結晶系太陽電池等の光発電素子において、シリコン多結晶層を構成する微結晶の密度を高める。
【解決手段】基板50と基板50上に設けた金属電極層51を有する光発電素子の製造方法であって、ハロゲン化ケイ素化合物の超臨界流体状態を形成する超臨界流体状態形成工程と、形成されたハロゲン化ケイ素化合物の超臨界流体状態においてプラズマ放電を行い、基板50上に設けた金属電極層51上にシリコン多結晶層を形成するシリコン多結晶層形成工程と、を有することを特徴とする光発電素子の製造方法。 (もっと読む)


【課題】
二つのガス系でSiOのデポジション(堆積層)をセルフマスクにしてテクスチャーを形成する、自然酸化膜を利用した太陽電池用テクスチャーの形成方法及び装置を提供する。
【解決手段】
結晶系太陽電池の製造に用いられる基板の表面にテクスチャーの形成において、塩素ガスと酸素ガスとの二つのガス系を用い、基板のエッチング中に生成されるSiOのポジションをセルフマスクとしてテクスチャーを形成する。 (もっと読む)


【課題】高い発電効率を有する光電変換装置を低コストで製造する方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、基板1上に、透明電極層2と、光電変換層3とを備える光電変換装置100の製造方法であって、前記透明電極層2を形成する工程が、前記基板1上又は光電変換層3上の少なくとも一方に透明電極層材料を塗布する塗布工程と、前記塗布工程で塗布された透明電極層材料を半乾燥する半乾燥工程と、所定の凹凸形状を外周面に有する1つ以上のロールを用いて、前記半乾燥工程で半乾燥した透明電極層2を加圧加工し、表面に所定の凹凸形状を付与する凹凸形成工程と、前記凹凸形成工程にて凹凸形状を形成した透明電極層2を乾燥する乾燥工程とを備える光電変換装置100の製造方法を提供する。 (もっと読む)


【課題】容易に太陽電池モジュールの電気回路を分割し、安全に廃棄作業等が可能な太陽電池モジュールを提供すること。
【解決手段】互いに隣接するように配列された第1及び第2の太陽電池素子と、第1の太陽電池素子3aと第2の太陽電池素子3bとを電気的に接続した接続導体7と、を備え、接続導体7は、第1の太陽電池素子3aと第2の太陽電池素子3bとを必要に応じて絶縁可能な絶縁手段8を有することを特徴とする (もっと読む)


【課題】薄膜太陽電池の直列抵抗成分を評価することが可能な評価方法および評価装置を実現すること。
【解決手段】薄膜太陽電池7の性能評価を行う薄膜太陽電池7の評価方法であって、薄膜太陽電池7を構成する薄膜太陽電池素子に対して、順方向に直流電流を導入する電流導入工程と、薄膜太陽電池素子から生じる光の発光強度を測定する発光強度測定工程と、発光強度について、薄膜太陽電池素子の横方向の距離に対する変化量を算出する変化量算出工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】光電変換層のキャリア生成効率を上昇させることを目的とする。
【解決手段】光電変換層を複数種類の半導体を積層した構造とすることによって、広い波長範囲に渡って光を吸収することができるので、キャリア生成効率を上昇させることができる。さらに、複数種類の半導体を積層した光電変換層は膜厚比を最適化することによってキャリア生成効率を向上させることができる。具体的には、吸収係数を求め、透過光の強度式に代入し、透過光の積分強度が最小となる膜厚比を決定し、その膜厚比を膜厚となるように上記複数種類の半導体を成膜すればよい。 (もっと読む)


【課題】焼成後の電極の体積抵抗率、電極とシリコン基板との密着性、およびアスペクト比(電極断面の高さ/幅)のいずれかについて満足できる性能を有する導電性電極付き太陽電池セル基材およびその製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】銀粉(A)と、酸化銀(B)と、所望によりカルボン酸銀(C)と、有機溶媒(D)とを含有し、該銀粉(A)が組成物に含有される銀単体および銀化合物中50質量%以上である導電性組成物をシリコン基板上に塗布して塗膜を形成する塗装工程と、該塗膜を500〜850℃で焼成して導電性電極をシリコン基板上に形成する焼成工程とを具備する導電性電極付き太陽電池セル基材の製造方法および該製造方法によって製造される導電性電極付き太陽電池セル基材。 (もっと読む)


【課題】ウォーキングビーム方式の熱処理炉では、被処理体が急激な温度変化をすることになるため、特に被処理体が熱処理炉から出るときには、応力を受け反りが発生し、被処理体の周辺端部からクラックが発生することがあるため、クラックの発生しない熱処理炉の搬送装置を提供する。
【解決手段】被処理体6が載置される複数の載置部8を有し、前記被処理体6が他の載置部8にピッチ搬送される熱処理炉の搬送装置4bであって、該搬送装置の前記載置部8が少なくとも前記熱処理炉の出口側外部において加熱手段7を備えている。 (もっと読む)


【課題】製造工程を簡略化することによって効率的に半導体装置を製造することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板にボロンを拡散させることによってシリコン基板にp型不純物拡散領域を形成する工程と、p型不純物拡散領域の形成の際に生じたp型不純物拡散領域上のボロンシリサイド層上に酸化シリコンおよび酸化シリコン前駆体の少なくとも一方からなる拡散抑制マスクを設置する工程と、拡散抑制マスクが設置されたシリコン基板にn型不純物を拡散させることによってシリコン基板にn型不純物拡散領域を形成する工程と、n型不純物拡散領域の形成の際に生じたボロンシリケートガラス層を除去する工程とを含む半導体装置の製造方法である。 (もっと読む)


81 - 100 / 957