【課題】結晶シリコン系太陽電池において、光電変換層への光の取り込み量を多くすることで光電変換効率の向上をはかる。
【解決手段】厚みが２５０μｍ以下の一導電型単結晶シリコン基板を用い、前記基板の一面にｐ型シリコン系薄膜層を有し、前記基板とｐ型シリコン系薄膜層の間に実質的に真正なシリコン系薄膜層を備え、前記基板の他面にｎ型シリコン系薄膜層を有し、前記基板とｎ型シリコン系薄膜層の間に実質的に真正なシリコン系薄膜層を備え、前記ｐ型およびｎ型シリコン系薄膜層上に透明電極を備え、さらに前記透明電極上に集電極、その上に保護層を設けた結晶シリコン系太陽電池であって、上記透明電極が、５００ｎｍの波長における屈折率が１．２〜１．６である炭素系薄膜と、その上に導電性酸化物層を含んで形成されており、且つ上記導電性酸化物層が炭素系薄膜に入り込んでいることを特徴とする結晶シリコン系太陽電池。 （もっと読む）

【課題】形成される膜の膜質及び膜厚が均一となる太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の太陽電池の製造方法では、ガス供給口を有する導電性基板からなるシャワープレートと、第２の電極に対向する前記シャワープレートの面上にガス供給口を覆うように設けられた導電性多孔質材料からなる凸部を有する第１の電極を備え、この凸部より原料ガスを供給するプラズマ処理装置を用いる。そして、基板上に基板側電極を形成する工程と、基板側電極上にこのプラズマ処理装置を用いて光電変換ユニットを形成する工程と、光電変換ユニット上に裏面側電極を形成する工程と、を用いて太陽電池を製造する。 （もっと読む）

【課題】均一な膜厚、膜質の膜を形成できるプラズマ処理装置、及び均一な膜厚、膜質を有する光起電力素子を提供する。
【解決手段】基板を保持することが可能な第１電極３と、第１電極と対向するように設置され、第１電極と対向する部分に複数のガス供給口４ａが形成されるとともに高周波電力が印加される第２電極４とを備え、第２電極は、複数のガス供給口が同心円に沿って設けられると共に、隣接する同心円間の距離が内周側と外周側とで異なるプラズマ処理装置１を用いて、透明導電膜上に非晶質シリコン半導体または微結晶シリコン半導体を含む光電変換層を形成する。 （もっと読む）

【課題】高周波電力の入力を上げて光電変換層の成膜速度を増加させ、かつ薄膜太陽電池の光電変換効率を高い値にすることができる薄膜太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】この薄膜太陽電池の製造方法は、反応室１００内に反応ガスを導入し、かつ高周波電極１２０に高周波を印加してプラズマを生成することにより、プラズマＣＶＤ法を用いて基板２００に光電変換層２３０を形成する工程を備える。光電変換層２３０における結晶及び微結晶の割合である結晶分率が３０％以上８０％以下になる原料ガスの組成の範囲である所望範囲を予め調べておく。そして、光電変換層２３０を形成する工程において、原料ガスの組成を所望範囲内に制御しながら、反応室内１００における圧力を、高周波のピークツーピーク電圧が極小値となるように調整する。 （もっと読む）

【課題】微小凹部を形成することにより、光電変換効率および安定性を向上させた、光電変換装置および光電変換装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ガラス基板２と、ガラス基板２の主表面の少なくとも一部を覆い、基板側とは反対側の表面に凹凸形状を有する透明導電膜３とを備えている。また、透明導電膜３の凹凸形状の少なくとも一部を覆い、第１導電型を有するｐ層５と、ｐ層５を覆うｉ層６とを備えている。凹凸形状は、最大高さが５０ｎｍ以上１２００ｎｍ以下である凸部を有している。凸部は、表面に、局部山頂の間隔が２ｎｍ以上２５ｎｍ以下である微小凹部を有している。ｐ層５は、微小凹部の底部上に形成された部分の層厚がこの底部上以外に形成された部分の層厚より大きい。 （もっと読む）

【課題】絶縁分離領域において必要な絶縁耐電圧を安定して確保できる薄膜太陽電池を提供する。
【解決手段】透明電極層、光電変換層および裏面電極層が順次積層された透明絶縁基板にレーザ光を２回以上照射することにより、透明絶縁基板の周縁に位置する、透明電極層の一部、光電変換層の一部および裏面電極層の一部をそれぞれ除去して絶縁分離領域を形成する工程を含む、光電変換装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】例えば量子ドットを含む層の材料の選択範囲を広げた光電変換装置を提供する。
【解決手段】本発明の一態様の光電変換装置は、第１導電型基板（ｐ型単結晶シリコン基板１００）、第１の中間層（ｉ型半導体層１１０または絶縁層１６０）、及び第２導電型半導体層（ｎ型半導体層１２０）を備える。そして、第１の中間層（ｉ型半導体層１１０または絶縁層１６０）は少なくともコアを備えた量子ドット（ナノ粒子）を含んでいる。第１導電型基板は単結晶シリコンなどの結晶半導体によって形成される。 （もっと読む）

【課題】微結晶シリコン層を発電層として含む光電変換装置において、フィルファクタを低下させることなく、開放電圧を向上させる。
【解決手段】ｐ型ドーパントを含むｐ型層４０、発電層となる微結晶シリコン層を含むｉ型層４２及びｎ型ドーパントを含むｎ型層４４の積層構造を備え、ｉ型層４２は、ｐ型層４０とｎ型層４４との間に設けられ、５０ｎｍ以上３００ｎｍ以下の膜厚を有する微結晶炭化シリコン層４２ａを備える構造とする。 （もっと読む）

【課題】薄膜光電変換装置において、大面積化に適した技術により歩留まりの低下を引き起こさずに高生産性を維持し、かつ、酸化亜鉛からなる透明電極層と光電変換ユニットとの間に良好な接合界面を形成することにより光電変換装置の変換効率を改善する。
【解決手段】光入射側から順に、少なくとも酸化亜鉛層と、ｐ型半導体層と、光電変換層と、裏面電極層とを備える光電変換装置であって、酸化亜鉛層とｐ型半導体層からなる界面近傍における酸化亜鉛の化学量論組成比をＺｎ：Ｏ＝１＋Ｎ：１（ただし、Ｎ＞０）としたことを特徴とする、光電変換装置。 （もっと読む）

【課題】光電変換層に結晶質シリコンｉ層を備える高効率の光電変換装置を得る。
【解決手段】基板１上に、結晶質シリコンを主とするｉ層４２を備える光電変換層３を形成する工程を含む光電変換装置１００の製造方法であって、前記ｉ層４２のラマン比に応じて、前記ｉ層４２中の不純物の濃度の上限値を決定し、該決定された不純物の濃度の上限値以下の前記ｉ層４２を製膜する。または、前記ｉ層４２のラマン比に応じて、製膜雰囲気中の不純物ガスの濃度の上限値を決定し、該決定された上限値以下となるように、前記不純物ガスの濃度を制御して前記ｉ層４２を製膜する。 （もっと読む）

【課題】高い変換効率を発現できる光電変換装置を提供する。
【解決手段】少なくとも１つ以上の光電変換ユニットを有する光電変換装置であって、前記１つ以上の光電変換ユニットのうち、光入射側に最も近くに配置された光電変換ユニットに対して光入射側に希土類元素を含む第１波長変換ユニットを配置し、あるいは前記１つ以上の光電変換ユニットのうち、光入射側から最も遠くに配置された光電変換ユニットに対して光入射側の反対側に希土類元素を含む第２波長変換ユニットを配置し、波長を光電変換に有効な波長に変換する機能を有することを特徴とする光電変換装置。 （もっと読む）

【課題】結晶粒界によるキャリアの消滅を抑制することで高電流・高電圧を発現できる多結晶シリコン系太陽電池を提供する。
【解決手段】一導電性多結晶シリコン基板を用い、多結晶シリコン基板の一面にｐ型シリコン系薄膜層を有し、多結晶シリコン基板とｐ型シリコン系薄膜層との間に少なくとも１層からなるパッシベーション層を備え、多結晶シリコン基板の他面にｎ型シリコン系薄膜層を有し、多結晶シリコン基板とｎ型シリコン系薄膜層との間に少なくとも１層からなるパッシベーション層を備え、前記ｐ型およびｎ型シリコン系薄膜層上に透明電極層、集電極、さらにその上に保護層が順に形成された多結晶シリコン系太陽電池において、多結晶シリコン基板のキャリア濃度が１×１０¹⁰〜５×１０¹⁷ｃｍ^-3の範囲であり、上記パッシベーション層が実質真正な非晶質シリコン系化合物及び／又は非晶質酸化アルミニウムから構成される層である多結晶シリコン系太陽電池。 （もっと読む）

【課題】損傷した太陽電池を交換する工程を簡略化することが可能な太陽電池の交換方法を提供する。
【解決手段】この太陽電池の交換方法は、裏面側接続配線９を半田ごて１１によって加熱することにより、裏面側接続配線９と太陽電池１３の他方面との間に配置された半田層９ｂを溶融して裏面側接続配線９を太陽電池１３の他方面に接続するとともに、半田ごて１１から裏面側接続配線９を介して太陽電池１３の一方面側に伝達された熱により、表面側接続配線８と太陽電池１３の一方面との間に配置された半田層８ｃを溶融して表面側接続配線８を太陽電池１３の一方面に接続する工程を備える。 （もっと読む）

【課題】光の有効利用が可能な、光電変換効率に優れた薄膜太陽電池およびその製造方法を得ること。
【解決手段】透光性基板１上に、透明導電膜からなる第１電極層２と、光電変換を行う第１光電変換層３と、中間層４と、光電変換を行う第２光電変換層５と、第２電極層７と、をこの順で有する薄膜太陽電池であって、前記第１光電変換層３の光入射側に複数の凹凸からなる第１のテクスチャ構造２ａが形成され、前記第２光電変換層５の光入射側であって前記第１光電変換層３と前記第２光電変換層５との間に複数の凹凸からなる第２のテクスチャ構造４ａが形成され、前記第１のテクスチャ構造２ａにおける前記凹凸の形成間隔Ｐ１が前記第２光電変換層５で光電変換に用いる光の波長よりも短く、前記第２のテクスチャ構造４ａにおける前記凹凸の形成間隔Ｐ２が前記第１のテクスチャ構造２ａにおける前記凹凸の形成間隔Ｐ１よりも長い。 （もっと読む）

【課題】基板上に下地層、透明導電膜がこの順に形成された透明導電膜付き基板および、変換効率の高い光電変換装置を提供すること。
【解決手段】ＣＶＤ法により形成された複数の透明電極層により構成され、その複数の層を形成する場合において、減圧雰囲気下で連続的に形成する場合には各層の製膜後に製膜室内を真空排気し製膜を停止した後に次の層を形成する。或いは大気圧下に基板を取り出して製膜を一旦停止した後、再度製膜室に投入し減圧雰囲気下で次の層を製膜する。これらの手法により、結晶成長が一旦停止し形成されたテクスチャの上に新たな結晶核が発生し、そこから新たなテクスチャが形成することで薄膜光電変換装置に最適な表面凹凸形状が形成されるため、短絡電流密度を保持したまま電圧および曲線因子の低下を抑制することができ、結果として高い発電効率を有する薄膜光電変換装置が得られる。 （もっと読む）

【課題】結晶シリコン太陽電池において、シリコン基板に対する透明電極層による応力の影響を低減し、生産性を高める。
【解決手段】一導電型単結晶シリコン基板を用い、前記基板の一面にｐ型シリコン系薄膜層を有し、前記基板と前記ｐ型シリコン系薄膜層の間に実質的に真正なシリコン系薄膜層を備え、前記基板の他面にｎ型シリコン系薄膜層を有し、前記基板と前記ｎ型シリコン系薄膜層の間に実質的に真正なシリコン系薄膜層を備え、基板両面に１２００ｎｍ以上の透明電極層を備える結晶シリコン太陽電池の製造方法であって、前記の透明電極層が同時に製膜されることを特徴とする結晶シリコン太陽電池の製造方法。 （もっと読む）

【課題】外部から薄膜型太陽電池モジュール内への湿分、水分の浸入を防止して、耐湿性を向上させ薄膜型太陽電池モジュールの性能劣化を防止、かつ電気絶縁性も確保し薄膜型太陽電池モジュールの耐用年数を向上させる。
【解決手段】裏面支持材２０２に設けた貫通孔に、水蒸気透過率が０．２ｇ／（ｍ²・Ｄａｙ）以下、かつ、電気抵抗値が１×１０¹⁰Ω・ｃｍ以上の特性を備え、厚さ１ｍｍ以上の充填材を配置する。 （もっと読む）

【課題】多接合型薄膜太陽電池の特性を改善する。
【解決手段】少なくとも２層以上の光電変換層３，５を含む多接合型太陽電池において、隣り合う光電変換層どうしの間に形成された積層領域４に、該積層領域の平面方向に沿って島状に分布する、表面を酸化させた金属粒からなる中間反射構造体８を形成する。 （もっと読む）

【課題】下層の光電変換素子に光を入射させる透光性を低下させることなく、接合部でのキャリア伝導性を向上させること。
【解決手段】透明電極層２と第１のｐ型半導体層３ａと第１のｉ型半導体層３ｂと第１のｎ型半導体層３ｃとが透光性絶縁基板１上に順次積層され、第１光電変換層３と、第１の中間層４ａと第２の中間層４ｂとが順次積層された中間層４と、第２のｐ型半導体層５ａと第２のｉ型半導体５ｂと第２のｎ型半導体層５ｃとが順次積層された第２光電変換層５と、裏面電極層６とを有し、中間層４は、第１の中間層４ａとしてｎ型半導体層３ｃのエネルギーバンドを負の方向へ傾斜させる透光性材料からなる層と、第２の中間層４ｂとしてｐ型半導体層５ａのエネルギーバンドを正の方向へ傾斜させる透光性材料からなる層を含み、第１光電変換層３と第２光電変換層５とを電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】光閉じ込め効果を得ることができる表面を備え、薄膜太陽電池の基材として用いたときに優れた光電変換効率を示す太陽電池を製造するのに有用な太陽電池用基材を提供する。
【解決手段】熱可塑性結晶性樹脂からなる基材フィルムおよびその少なくとも一方の面に設けられた不活性粒子を含有する塗布層からなる太陽電池用基材であって塗布層の中心面平均表面粗さＲａが１〜１５０ｎｍかつ該表面の局部山頂の平均間隔Ｓが１００〜２５００ｎｍであることを特徴とする太陽電池用基材。 （もっと読む）