【課題】キャリア濃度の増加により、開放電圧、短絡電流及び曲線因子Ｆ．Ｆ．を増加させ、結果的に変換効率を増加させることができる太陽電池の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の太陽電池の製造方法は、Ｉｂ族元素を含むターゲット及びＩＩＩｂ族元素を含むターゲットを、Ｓｅを含む雰囲気中でスパッタして、Ｉｂ族元素、ＩＩＩｂ族元素及びＳｅを含む層を基板上に形成するスパッタリング工程と、層を加熱する熱処理工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ブリスターやＡｌの凝集が生じ難く、且つＡｌ−Ｓｉ合金層およびｐ＋電解層の形成に好適な電極形成用ガラス組成物および電極形成材料を創案することにより、シリコン太陽電池の光電変換効率を高めつつ、シリコン太陽電池の製造コストを低廉化すること。
【解決手段】本発明の電極形成用ガラス組成物は、ガラス組成として、下記酸化物換算のモル％表示で、ＳｉＯ_２ １〜４０％、Ｂ_２Ｏ_３ １５〜６０％、ＺｎＯ １１〜５０％含有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光電変換効率が高く、塗布法により形成された有機光電変換素子、およびその製造方法を提供することである。
【解決手段】陽極と、陰極と、該陽極および陰極間に配置される活性層と、該活性層および陽極間において陽極に接して配置される機能層とを有し、前記機能層が、ｐＨが５〜９の溶液を用いる塗布法により形成されて成り、前記陽極が、塗布法により形成されて成る、有機光電変換素子。 （もっと読む）

【課題】裏面側電極における膨れや突起の発生が防止され、歩留まりに優れた太陽電池セルおよびその製造方法を得ること。
【解決手段】第１の導電型層からなるシリコン基板１３と、前記シリコン基板１３の受光面に形成された第２の導電型層１５と、前記第２の導電型層１５上に設けられた受光面側電極２１と、前記シリコン基板１３の受光面と反対側の裏面に設けられた裏面側電極２７と、を備え、前記裏面側電極２７は、アルミニウムを主構成要素として前記裏面上に設けられた第１裏面側電極２９と、銀、銅、金、ニッケルからなる群より選択されるいずれか１つ以上の金属を含有して前記第１裏面側電極２９上の全面に設けられた第２裏面側電極３１と、を備える。 （もっと読む）

【課題】開放電圧、短絡電流及び曲線因子Ｆ．Ｆ．を増加させ、結果的に変換効率を増加させることができる太陽電池を提供すること。
【解決手段】本発明の太陽電池は、ｐ型半導体層と、下記化学式（１）で表される化合物を含み、ｐ型半導体層上に形成されたｎ型半導体層と、を備える。
ＺｎＯ_{１−ｘ−ｙ}Ｓ_ｘＳｅ_ｙ （１）
［化学式（１）中、ｘ≧０、ｙ＞０、０．２＜ｘ＋ｙ＜０．６５。］ （もっと読む）

【解決手段】シリコン基板１と、前記シリコン基板１の受光面側に形成され、ドーパント高濃度拡散層３とこの高濃度拡散層３よりもドーパント濃度が低い低濃度拡散層４とを有するｐ型セレクティブエミッタ層２と、前記ｐ型セレクティブエミッタ層２の高濃度拡散層３と電気的に接続する受光面電極６と、前記シリコン基板１の裏面側に形成されたｎ型拡散層５と、前記ｎ型拡散層５と電気的に接続する裏面電極７と、を備える太陽電池であって、前記受光面電極直下となる高濃度拡散層３がシリコン窒化膜８と接し、前記低濃度拡散４層がシリコン酸化膜９と接することを特徴とする太陽電池。
【効果】高濃度拡散層と低濃度拡散層とを有するｐ型セレクティブエミッタ層を有する太陽電池を簡便に製造することができ、容易に低オーミックコンタクトが形成でき、製造歩留まりを高レベルで維持しながら高性能の太陽電池及びその製造方法を提供することができる。 （もっと読む）

【解決手段】ＰＮ接合が形成された半導体基板と、該半導体基板の少なくとも片面上に櫛歯状に形成されたフィンガー電極と、該フィンガー電極に接続するバスバー電極とを具備する太陽電池であって、少なくともフィンガー電極が銅もしくは銅化合物の微粒子を含有する導電性ペーストが印刷され焼成されたもので構成されることを特徴とする太陽電池。
【効果】本発明により、太陽電池の性能を損なうことなく、また、配線とのはんだ付けの信頼性も維持したまま、太陽電池の製造コストを大幅に低減することが可能となる。また、本発明はペーストの変更を行うのみであり、設備の変更が不要であるため、実施が極めて容易である。 （もっと読む）

【課題】ｐｎ接合型の有機薄膜太陽電池の実用化を図るべく、励起子失活防止層の改良により、エネルギー変換効率をより一層向上させた有機薄膜太陽電池を提供する。
【解決手段】一対の電極１，２間にｐ型有機半導体層３１およびｎ型有機半導体層３２が積層されている有機薄膜太陽電池において、前記ｎ型有機半導体層３２と負極２との間に前記ｎ型有機半導体層３２に隣接して、下記一般式（１）で表される化合物からなる励起子失活防止層（ＥＢＬ）４を形成する。
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【解決手段】ｐｎ接合を形成した半導体基板の表面に、導電性粒子とガラスフリットを含有する導電性ペーストを塗布し、該導電性ペーストを塗布した半導体基板を熱処理して該導電性ペーストを焼成してなる電極を形成した後、この電極が形成された半導体基板を水、有機溶媒又はこれらの混合溶媒に浸漬することを特徴とする太陽電池の製造方法。
【効果】導電性ペーストにより電極が形成された半導体基板を水又は特定の有機溶媒あるいはこれらの混合溶媒に浸漬することにより、高い接着強度と歩留まりを維持したまま、低い接触抵抗と電極の配線抵抗を両立し、より高い変換効率を有する太陽電池を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＯ原料粉末に添加される、希土類元素を１種含む希土類元素酸化物粉末の偏析を抑制し、組成均一性に優れたＺｎＯ蒸着材を製造するとともに、膜組成が均一なＺｎＯ膜が得られるＺｎＯ蒸着材を製造する。
【解決手段】平均粒径が０．１〜１０μｍのＺｎＯ原料粉末１５を移動状態にし、このＺｎＯ粉末に平均粒径が０．０５〜５μｍで希土類元素を１種含む希土類元素酸化物粉末１１を含むコーティング液１４を噴霧又は噴射し、その表面に厚さが０．０５〜５μｍの被覆層を形成して粒状体１９とする。粒状体１９又はこの粒状体を仮焼後に解砕して得られた仮焼粉末２４を用いて、第１造粒粉末２０又は第２造粒粉末２９を作製し、成形、焼結を経て、ＺｎＯ焼結体２２又は３２からなるＺｎＯ蒸着材を作製する。 （もっと読む）

【課題】低抵抗で透明性に優れる共に平坦性に優れる透明導電性基板及び該透明導電性基板を安価に製造可能な製造方法を提供する。
【解決手段】金属微粒子分散溶液を基材２上に塗布し乾燥させ、網目状の第一導電性層３を基材２上に形成させた後、第一導電性層３を透明性の高い接着層７で完全に覆い、前記基材２と被転写基板８とを貼り合せた後、基材２を剥離する。これにより第一導電性層３と接着層７とが一体的に被転写基板８に熱転写させる。その後、熱転写された第一導電性層３の表面１５をエッチングし、エッチングで形成された孔部２１にめっきを施す。これにより低抵抗で透明性に優れる共に平坦性に優れる透明導電性基板１が得られる。 （もっと読む）

【課題】モジュール化に伴い大きな応力が発生した場合であっても発電部の破損を防止することが可能な、太陽電池及びその製造方法を提供する。
【解決手段】発電部と、金属製の第１電極と、発電部の他面側に配設された第２電極とを有し、発電部の一面側の表面の一部と第１電極とが接触し、第１電極と接触していない発電部の一面側の表面の少なくとも一部に第１電極と同じ厚さの光を吸収しない炭素層が配設され、該炭素層の硬さは第１電極の硬さ以上である太陽電池とし、凸部を有する金属基板の凸部側に凸部の高さと同じ厚さの炭素層を作製する工程と、作製された炭素層の金属基板が設けられていない側の表面へ発電部を作製する工程と、作製された発電部の炭素層が設けられていない表面へ第２電極を作製する工程と、金属基板の凸部以外の部位を溶解させて除去することにより第１電極を作製する工程と、を有する太陽電池の製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】実質的にＰｂＯおよびＳｉＯ_２を含有しないガラス組成物であって、焼成温度で素早く流動するガラス組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】実質的にＰｂＯとＳｉＯ_２を含まず、質量％表示の酸化物換算で７９％≦Ｂｉ_２Ｏ_３＜９９．９％、０．１％≦Ｂ_２Ｏ_３≦５．２％、０％＜ＺｎＯ≦１１％、ＢａＯ、ＭｇＯ、ＣａＯおよびＳｒＯの少なくとも一種を０〜１０％、Ａｌ_２Ｏ_３が０〜１０％、ＣｅＯ_２、ＣｕＯおよびＦｅ_２Ｏ_３の少なくとも一種を０〜５％、Ｌｉ_２Ｏ、Ｎａ_２ＯおよびＫ_２Ｏの少なくとも一種を０〜２％を含有し、かつモル％換算比で０．００７＜Ｂ_２Ｏ_３／Ｂｉ_２Ｏ_３＜０．３７５を満たすガラス組成物。 （もっと読む）

【課題】レーザーを使用することによるＰＮ分離方法では、残渣が分離溝に入り込み、分離溝内部の周辺部に付着し、周辺部に付着した残渣を通じて太陽電池素子の発電時にリーク電流が発生し、太陽電池素子の光電変換効率が低下するという問題があった。
【解決手段】第１の面と、第１の面の裏側の第２の面とを有し、第一の導電型の部分１０と、第二の導電型の拡散層９と、を備えるシリコンウェハ２と、拡散層９上に形成された第一の電極と、シリコンウェハの第一導電型の部分１０と拡散層９とに跨って形成された第一の溝と、シリコンウェハの第一導電型の部分１０と拡散層９とに跨って形成されており、第一の溝７ｂよりシリコンウェハの端部側に配置された第二の溝７ａと、を有する。 （もっと読む）

【課題】レーザを利用して単位セル別に反射物質層をパターニングする工程による短絡不良問題を改善し、薄膜太陽電池の光変換効率を向上させる。
【解決手段】基板上に複数の単位セルを区分する段階と；複数の単位セルで区分される基板上に複数の第１分離ラインにより単位セル別に対応する複数の透明導電層を形成する段階と；複数の透明導電層の上部に複数の第２分離ラインにより単位セル別に分離された光吸収層を形成する段階と；複数の第２分離ラインと離隔された一側に単位セル別に光吸収層を切断する第３分離ラインを形成する段階と；第３分離ラインと対応する位置にシルクスクリーンを装着して、導電性ペーストを塗布して反射物質層を形成する段階と；反射物質層を焼結して単位セル別に複数の反射電極を形成する段階を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】信頼性および出力特性に優れた薄膜太陽電池を得ること。
【解決手段】透光性絶縁基板上に、透明導電材料からなる第１電極層と、半導体薄膜からなり光電変換を行う光電変換層と、光を反射する導電層を含む第２電極層と、が順次積層されてなる複数の薄膜太陽電池セルが配設されるとともに、隣接する前記薄膜太陽電池セル同士が電気的に直列接続された薄膜太陽電池であって、前記第２電極層は、前記光電変換層上に順次積層された銀膜からなる導電性反射膜と、窒化チタン膜からなり前記導電性反射膜の保護膜である表面保護膜と、を含み、前記直列接続された複数の薄膜太陽電池セルのうち、両端の前記薄膜太陽電池セルは、前記表面保護膜上に、導電性接着剤または導電性粒子含有樹脂からなる導電性接着層を介して、前記薄膜太陽電池セルからの電力の取り出し用の取り出し配線が配設されている。 （もっと読む）

【課題】多結晶半導体基板を用いた場合でも、裏面電極近傍における少数キャリアの再結合を従来に比して抑え、耐熱性を改善した裏面電極構造が得られる光起電力装置の製造方法を得ること。
【解決手段】Ｐ型多結晶シリコン基板１０１の受光面側にＮ型拡散層１０２と反射防止膜１０３を形成する工程と、反射防止膜１０３上に表面電極形状に導電性ペーストを形成し、８００℃以上の温度で焼成する工程と、シリコン基板１０１の裏面側に裏面電極構造を形成する工程と、を含み、焼成前に、シリコン基板１０１の裏面上にプラズマＣＶＤ法によって、水素を含む第１の水素含有プラズマＣＶＤ膜を形成し、焼成後で裏面電極構造形成前に、第１の水素含有プラズマＣＶＤ膜を除去する工程をさらに含み、裏面電極構造を形成する工程では、プラズマＣＶＤ法によって形成された第２の水素含有プラズマＣＶＤ膜がシリコン基板１０１の裏面上に形成される。 （もっと読む）

【課題】対象物を押圧することにより対象物に熱を伝えるダイヤモンド製押圧片と、押圧片を支持する支持体を備え、押圧片の一部が支持体の外側に突出するように押圧片を挿入する挿入部を支持体に形成し、加熱用鏝において、押圧片の支持体への取付けを容易にしてコストを抑えることを課題とする。
【解決手段】本発明は、対象物１６を押圧して対象物１６に熱を伝える押圧片４６と、押圧片４６を支持する支持体４４を備え、押圧片４６の一部が支持体４４の外側に突出するように押圧片４６を挿入する挿入部４８を支持体４４に形成し、押圧片４６がダイヤモンドからなる加熱用鏝において、前記挿入部４８と押圧片４６が嵌合し合う嵌合面の少なくとも一部を押圧片４６の突出方向に向かって収束する傾斜面４８ｂによって形成し、押圧片４６が挿入部４８に嵌合固定されるように押圧片４６を突出方向に押込む押込み片４９を設ける。 （もっと読む）

【課題】プラスチック基板上に高い導電性電極と、高い生産性と高い変換効率を有する有機エレクトロニクス素子の製造方法、有機エレクトロニクス素子、有機光電変換素子及び有機エレクトロルミネッセンス素子を提供する。
【解決手段】透明電極、対電極、およびその間に少なくとも１層の有機層を有する有機エレクトロニクス素子であって、すくなくとも一方の電極が、下記２つのステップによって形成されたことを特徴とする有機エレクトロニクス素子の製造方法、有機エレクトロニクス素子、有機光電変換素子及び有機エレクトロルミネッセンス素子。
１）導電性粒子、分散安定剤、溶剤からなる導電性ペーストを塗布・乾燥させ、導電性粒子と分散安定剤からなる塗布層を製膜するステップ、
２）大気圧又は大気圧近傍の圧力下でガスを放電空間に導入して励起させた励起放電ガスによって、前記塗布層を処理することにより、分散安定剤を除去するステップ。 （もっと読む）

【課題】基板表面に細幅で厚みもあり、かつエッジがシャープな電極線を形成することができる太陽電池の製造方法を得ること。
【解決手段】表面にｎ型拡散層１３が形成されたｐ型シリコン基板１２の裏面上に裏面電極層を形成する裏面電極層形成工程と、表面上に複数平行に延在するグリッド電極形成層、およびグリッド電極形成層間を接続するバス電極形成層を形成する表面電極層形成工程と、シリコン基板１２を焼成する焼成工程と、を含み、表面電極層形成工程は、シリコン基板１２の表面上に、凹版オフセット印刷法で、グリッド電極形成層とバス電極形成層のパターンに導電性ペーストを印刷して第１の電極層形成層２１１Ａを形成する工程と、第１の電極層形成層２１１Ａ上に第２の電極層２１２Ａを重ねて形成する工程と、スクリーン印刷法で、第２の電極層形成層２１２Ａ上に導電性ペーストを重ねて印刷して第３の電極層形成層２１３Ａを形成する工程と、を含む。 （もっと読む）