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Fターム[5F051CB28]の内容

光起電力装置 (50,037) | アモルファス以外の製造法 (5,187) | 素子分割法 (58)

Fターム[5F051CB28]に分類される特許

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【課題】改良された交差指型背面接触太陽電池及びその製造方法の提供。
【解決手段】裏面とこれに対向する前面を有する基板と、基板の裏面に形成され、第1のドーピング濃度を有し裏面から基板へと第1の深さだけ延出する第1の拡散領域および第2の拡散領域と、第2のドーピング濃度を有し裏面から基板へと第2の深さだけ延出し第1の拡散領域と第2の拡散領域との間に配置される第3の拡散領域とを有する複数の互いに入り込んだ拡散領域と、複数の互いに入り込んだ拡散領域の隣接する対間の基板の裏面に画定される複数の溝であって、第1の拡散領域は第1の溝によって第3の拡散領域から分離され、第2の拡散領域は第2の溝によって第3の拡散領域から分離される溝とを含み、複数の溝それぞれが第1の深さおよび第2の深さよりも深い裏面から基板への第3の深さを有する、交差指型背面接触太陽電池。 (もっと読む)


【課題】簡単な構成で一つのレーザ光から複数の横断面細長状のレーザビームを同時に生成可能とし、装置の製造コストを低減する。
【解決手段】方形状の基板5を往復搬送するステージ1と、ステージ1の上面に対向して設けられ、レーザ光源14より放射されたレーザ光から横断面細長状の複数のレーザビームを生成して基板5に照射する複数のシリンドリカルレンズ18を設けたレーザヘッド2と、複数のシリンドリカルレンズ18によるレーザビーム照射位置の搬送方向手前側の位置を撮像するように配設された第1及び第2の撮像手段3A,3Bと、第1及び第2の撮像手段3A,3Bの撮像画像に基づいてレーザ光源14から放射するレーザ光の照射タイミング及びレーザビームの照射位置を制御する制御手段4と、を備えたものである。 (もっと読む)


【課題】金属基板上に絶縁層が設けられた太陽電池用基板であって、絶縁性に優れ、かつ、該絶縁層とその上に形成される層との密着性に優れ、フレキシブルな太陽電池用基板、並びにこれを用いた好適な耐電圧特性を有する太陽電池を提供する。
【解決手段】金属基板上に、陽極酸化により複数の細孔を有する第一の絶縁性酸化膜を形成し、前記細孔の部分に第二の絶縁性の膜を形成し封孔率5〜80%で封孔することにより得られる太陽電池用基板。 (もっと読む)


【課題】簡易な方法にて必要な絶縁耐電圧性を確保した信頼性の高い薄膜太陽電池およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】透光性絶縁基板1の表面に第1電極層2、光電変換層3および第2電極層4が順次積層されてなる薄膜光電変換素子5が複数個互いに電気的に直列接続されたストリングS1を形成するストリング形成工程と、透光性絶縁基板1の表面の外周部に形成されている薄膜光電変換素子部分を光ビームによって除去して非導電性表面領域8を全周に形成する膜除去工程と、膜除去工程で発生して非導電性表面領域8に付着した導電性付着物を除去する清浄化工程とを含むことを特徴とする薄膜太陽電池の製造方法。 (もっと読む)


【課題】高い電圧を得ることができ、また、有効面積を減少させることがない太陽電池セルパネルを提供すること。
【課題手段】受光面11Aに受けた光を光電変換する太陽電池セルパネル14において、矩形に形成された半導体セル基板11と、この半導体セル基板の前記受光面となる一側面に形成された反射防止膜13とを備え、前記半導体セル基板は、一端面に第1導電型の第2半導体層3を有し他端面に第2導電型の第3半導体層5を有する第1半導体柱2と、この第1半導体柱の第2半導体層または第3半導体層のいずれか一方に設けた拡散防止層4とを、前記矩形の対向する一辺から他辺に向う前記受光面に沿う方向に順に繰り返して複数接続して設けた構成とした。 (もっと読む)


【課題】表面および裏面の両電極間に高品質の相互接続経路を形成した太陽電池PVモジュールと太陽電池PVモジュールの製造方法を提供する。
【解決手段】太陽電池PVモジュールは、共通の基板32上に直列接続されて相互に間隔をおいて配置されたPV太陽電池セルのアレイを含む。各電池セルは、前記基板32上の第1電極30、該第1電極30上の活性なPV膜38、第2電極42を含み、前記両電極の少なくとも一方は光透過性を有する。前記アレイの(n)番目の太陽電池セルの第2電極42は、前記PV膜38の残部よりも実質的に高い導電率を有する一部分40を経て、引き続く(n+1)番目の太陽電池セルの第1電極に接続されている。本発明の新規な構成は、所望の領域で前記PV膜38にドーパントを添加することにより、所望の電気接触領域で連続する光吸収収PV膜38の導電率を実質的に増大させることによって達成される。 (もっと読む)


【課題】金属材料および半導体材料のうち少なくともいずれかを一方を含有材料の融液から直接基板の主面上に作製されるシートの厚さの分布を低減する。
【解決手段】本シート製造方法は、一方の主面100mに複数の凸部100pを有する基板の主面100mを金属材料および半導体材料のうち少なくともいずれか一方を含有する材料の融液に接触させ、材料の固相を主面100m上で凸部100pを起点として成長させることにより、材料を主成分とするシートを得るシート製造方法であって、基板100の一部分の凸部101pの熱抵抗値が基板100の他の部分の凸部104pの熱抵抗値に比べて大きいことを特徴とする (もっと読む)


【課題】ハイブリッド薄膜太陽電池の製造工程の融通性を高めて生産効率を改善するとともに光電変換特性をも改善し得る製造方法を提供する。
【解決手段】プラズマCVDによって基板側から順に堆積される第1のp型層、非晶質i型光電変換層、および第1のn型層を含む非晶質光電変換ユニットと、第2のp型層、結晶質i型光電変換層、および第2のn型層を含む結晶質光電変換ユニットとを含むハイブリッド薄膜太陽電池の製造方法において、非晶質i型光電変換層を堆積した後に引続いて付加的なi型中間層を堆積し、このi型中間層の堆積時には非晶質i型光電変換層の堆積時に比べてSi含有ガスに対する水素希釈ガスの割合が大きくされ、i型中間層の堆積の途中または完了後に基板が大気中に取出されてi型中間層が大気に露呈され、その後にi型中間層上に第1のn型層および前記結晶質光電変換ユニットが堆積される。 (もっと読む)


【課題】
導電性を有し、光透過性及び光反射性を有する中間層を介した電流リークが抑制され、且つ、発電に寄与しない無効面積の拡大が抑制された高い光変換効率を有する多接合薄膜シリコン太陽電池のモジュール及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】
導電性を有し、光透過性及び光反射性を有する中間層と、接続溝の間に分離溝を設け、該分離溝は結晶質シリコン膜で埋め込まれるとともに、該分離溝と該接続溝の間には前記中間層の分離部材が存在しないという構造を有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】
簡易かつ安価に薄膜太陽電池を製造する。
【解決手段】
透明絶縁基板10に、少なくとも透明電極層11、半導体層13および裏面電極層15をその順に形成してなる薄膜太陽電池1であって、透明絶縁基板10の周縁にある透明電極層11から裏面電極層15までが除去され、かつその除去された領域18よりも透明絶縁基板10の内側であってセル列を横切って裏面電極層15から半導体層13までをスリット状に除去したスクライブ線17を有する薄膜太陽電池1とする。 (もっと読む)


【課題】 透光性にグラデーションを有する透光性薄膜太陽電池を効率良く製造する。
【解決手段】 「透光性絶縁基板上に順に積層された透明導電膜、非晶質及び/又は結晶質シリコン系半導体からなる1以上の半導体光電変換層、および裏面電極層を含み、前記光電変換層と前記裏面電極層とを貫通する透光性開口溝または穴を含む、該透光性絶縁基板の基板面に対して平行な方向において、透過率が連続的に変化することを特徴とする、透光性にグラデーションのある外観を有する透光性薄膜太陽電池の製造方法であって、該透光性開口溝または穴をレーザースクライブで形成する工程を含み、該工程において、該透光性薄膜太陽電池の前駆体上に照射されるレーザー光のスクライブ位置と該レーザー光の焦点との間の距離を、該透光性薄膜太陽電池の前駆体の所定方向に全体として連続的に変化させることを特徴とする、透光性薄膜太陽電池の製造方法」によって解決する。 (もっと読む)


【課題】 薄膜の光変換層を結晶性の高い単結晶シリコンとした光閉じ込め型単結晶シリコン太陽電池を提供する。
【解決手段】 単結晶シリコン基板に水素イオンまたは希ガスイオンを注入する工程と、金属基板上に透明絶縁性層を形成する工程と、前記イオン注入面と前記透明絶縁性層の表面とのうち少なくとも一方に表面活性化処理を行う工程と、その両者を貼り合わせる工程と、前記単結晶シリコン基板を機械的に剥離して、単結晶シリコン層とする工程と、前記単結晶シリコン層の前記剥離面側に、第二導電型の拡散領域を複数形成し、前記単結晶シリコン層の前記剥離面に複数の第一導電型領域と複数の第二導電型領域とが存在するようにする工程と、前記単結晶シリコン層の前記複数の第一、第二導電型領域上にそれぞれ複数の個別電極を形成する工程と、それぞれの集電電極を形成する工程と、透明保護膜を形成する工程とを含む単結晶シリコン太陽電池の製造方法。 (もっと読む)


【課題】半導体基板を割断する際に、全ての分割溝に均一な力を加える太陽電池及び太陽電池の割断方法並びに半導体基板の割断方法を提供する。
【解決手段】半導体基板1の劈開面と平行にならないように分割溝8を形成し、分割溝8に沿って半導体基板1を折り曲げることにより、分割溝8に沿って半導体基板1を割断する。 (もっと読む)


【課題】既存の製造方法を大きく変更せずに、製造コスト及び発電性能の低下を抑制しつつ、透光性を確保して、窓材等への適用を容易にする。
【解決手段】CIS系薄膜太陽電池モジュール1に透光部Bを形成するため、基板2Aを透光性の部材で形成し、前記裏面電極層2Cを高耐熱性透明導電膜で形成すると共に、前記透光部Bに該当するCIS系薄膜太陽電池セル2のp型CIS系光吸収層2D及びn型高抵抗バッファ層2Eを除去した構造にすることにより透光性を確保する。 (もっと読む)


【課題】 PNの電気的分離ができるとともに、第一導電型の半導体部と第二導電型の半導体部との接合界面の面積を広くすることができ、十分な光電変換を行なうことが可能な光電変換装置を提供すること、ならびに、作製工程が少なく、低コストで光電変換装置を作製できる光電変換装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 光電変換装置は、導電性基板1と、表層に第二導電型の半導体部2bが、第二導電型の半導体部2bより内側に第一導電型の半導体部2aが形成された球状の結晶半導体粒子2と、導電性基板1と結晶半導体粒子2との間に設けられた接合部5と、を具備し、結晶半導体粒子2のなかで導電性基板に最も近接した部位が、第二導電型の半導体部2bであり、かつ、第二導電型の半導体部2bと第一導電型の半導体部2aとが電気的に分離している。 (もっと読む)


【課題】基板の中間取扱い過程で発生しうる基板の汚染や破損などの発生を最小化し、基板に残留する汚染を有効に除去すること。
【解決手段】(S11)スライシング機にぶら下げて装着された太陽電池基板製造用インゴットを、切削油を供給しながら複数枚の薄片化された基板にスライシングし、垂直下方に平行にぶら下げられた状態の前記複数枚の薄片化された基板を洗浄機内に据え置く段階;(S12)上記垂直に据え置かれた薄片化された基板のスライスされた面の上に残存する切削油を除去する段階;(S13)上記薄片化された基板表面の洗浄力向上のためにその表面を活性化する段階;及び(S14)上記表面活性化された基板に対して化学的エッチングを行う段階;を含むことを特徴とする太陽電池用基板の洗浄方法。 (もっと読む)


【課題】太陽電池セルなどの半導体基板を分割溝が形成された所定領域で割断する際、半導体基板の一部に応力が集中してひび割れ等が生じるのを防止する。
【解決手段】半導体基板1を分割溝が形成された所定領域で割断する割断方法及び割断装置であって、半導体基板1の所定領域の内側部分を載せるための載置台20と、載置台20に載せた半導体基板1の上方の位置から下方に移動することによって、半導体基板の所定領域の外側部分を押圧して分割溝の部分で半導体基板を割断するための割断刃10とを備え、半導体基板の所定領域が180°未満の角度で隣接する一対の辺を少なくとも有しており、半導体基板1を割断する際、一方の辺が他方の辺よりも先に押圧されるように一方の辺の外側部分を押圧する割断刃10の部分に凸部11が設けられていることを特徴としている。 (もっと読む)


【課題】膜の剥離が発生することを抑制する薄膜系太陽電池モジュールを提供する。
【解決手段】太陽電池モジュールは、透明基板10上に、透明導電膜11と光電変換層12、13と裏面電極14とが順次積層されてなる光起電力素子が複数個直列接続されてなる光起電力層と、充填材15とが順に配置される。又、太陽電池モジュールは、光起電力層の直列接続方向に平行な、光起電力層の端部において、透明導電膜11上で、光電変換層12、13及び裏面電極14を分離する第1の溝部22を備える。 (もっと読む)


【課題】セル特性に優れ、かつ歩留り良く製造することができる太陽電池セル及びその製造方法を得る。
【解決手段】発電機能を有する半導体接合領域が一方主面側に形成された半導体基板を備える太陽電池セル10であって、少なくとも1つの側面11が、エネルギービーム加工により形成された分割溝の部分で割断して形成した側面であり、該側面が、エネルギービーム加工によるエネルギービーム加工領域8aと、割断による割断領域9aとから形成されており、エネルギービーム加工領域の深さdが、太陽電池セル10の厚みの35〜65%であることを特徴としている。 (もっと読む)


【課題】絶縁基板と被覆層との密着部分からの水分の侵入を阻止することができる耐久性に優れた光電変換装置と、このような光電変換装置の製造方法を提供することである。
【解決手段】絶縁透光性基板1上に少なくとも第一電極層2、光電変換層5及び第二電極層7を有する積層体が積層され、前記絶縁透光性基板1の表面の周部16には積層体が存在しない裸地部30があり、前記裸地部30の一部又は全部と積層体とを被覆する被覆フィルム17が設けられた光電変換装置10において、前記裸地部30は鏡面状の平滑面である。 (もっと読む)


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