【課題】電極層を介さず太陽光を空乏層あるいは真性層に導く構成を採用するとともに、これを安価なガラス基板等で実現する。
【解決手段】透明非晶質基板上に真性の半導体層を形成させ、半導体層表面に仕事関数の異なる材料を接合させる。また、異なる材料は、不純物を拡散させたｐ型とｎ型の導電型の拡散層であり、互いに隣接または隔離して形成されている。 （もっと読む）

【課題】高性能な光学変換素子セルを用いた集積化光学変換装置と、少ない工程数と低コストである集積化光学変換装置の製造方法を提供する。
【解決手段】共通の基板８上に所定の幅を有する分離溝１４ａ，１４ｂ，１４ｃにより絶縁分離され電気的に直列に接続された複数の単位セル素子１５ａ，１５ｂ，１５ｃ，１５ｄと、を有し、単位セル素子は、基板８上に形成され裏面電極取り出し部が設けられた裏面電極層と、裏面電極層の裏面電極取り出し部以外の部分の表面上に形成され光照射によりｐｎ結合を生じる結晶質半導体層と、結晶質半導体層上に形成されグリッド電極が設けられた透明表面電極層と、から構成される光学変換素子セル２０。複数の光学変換素子セル２０を電気的に直列に接続することにより集積化光学変換装置が得られる。 （もっと読む）

【課題】薄膜光電変換セルの発生電流値および使用による各薄膜光電変換セルの経年変化の度合いが同一とされ、長期に渡って発電効率に優れた信頼性の高い薄膜光電変換装置を得ること。
【解決手段】絶縁性透光基板上に、透明導電膜からなる第１電極層３と、半導体膜からなり光電変換を行う光電変換層と、光を反射する導電膜からなる第２電極層と、がこの順で積層されてなる複数の光電変換セル１が配設されるとともに、隣接する前記光電変換セル１同士が電気的に直列接続された薄膜光電変換装置１０であって、前記光電変換層が膜厚分布を有するとともに、全ての前記光電変換セル１が前記光電変換層の膜厚分布における全ての膜厚部分を略同一比率で含み、前記光電変換セル１が発生する電流値が全ての前記光電変換セル１において略同一である。 （もっと読む）

【課題】非線形太陽電池モジュールを提供する。
【解決手段】基板上で直列に連結された複数の光電セルを具備し、該光電セルは、基板上の第１電極と、第１電極上の光電変換層と、光電変換層上の第２電極とを具備し、該光電セルは、非線形的に形成されたことを特徴とする非線形太陽電池モジュールである。 （もっと読む）

【課題】 光電変換効率を向上させる色素増感型の光電変換モジュールを提供すること。
【解決手段】 光電変換モジュール１は、増感色素が担持された半導体層５が形成された第１の導電層７と、半導体層５に対向するように配置された第２の導電層３と、電解質を含んでなり、第１および第２の導電層の間に配置された光電変換体６と、を有する第１および第２の光電変換素子を備えてなる光電変換モジュールであって、第１の光電変換素子１ａの第１の導電層７および第２の光電変換素子１ｂの第２の導電層３は、複数の導電体８で接合されてなり、複数の導電体８は、第１および第２の光電変換素子のいずれかの光電変換体６を介して互いに離間するように配置されている。 （もっと読む）

【課題】単純な構造で太陽光の有効利用を図り、且つ、屋内に射し込む太陽光の調光が可能な太陽電池モジュールを提供する。
【解決手段】両面型太陽電池セル３を有する太陽電池モジュール１であって、太陽光９の受光面側に設けた第１の光透過性基板２と、第１の光透過性基板２上に受光面からの入射光を透過させる採光部４を形成するように所定の間隔を隔てて平面状に配置された複数の両面型太陽電池セル３と、受光面側から見て両面型太陽電池セル３の後方に配置され入射光に対し凹部５を有する調光層７と、を備え、調光層７の凹部５は、調光層７からの反射光が両面型太陽電池セル３に集光するように所定の曲面を有する太陽電池モジュール１。 （もっと読む）

【課題】複数の光電変換層の間に導電性を有する中間層を備える場合にも、背面電極と中間層との電気的短絡を抑制することが可能な光起電力装置の製造方法を提供する。
【解決手段】この光起電力装置１の製造方法は、基板側電極３を分離する第１開溝部１０ａを第１のレーザを用いて形成し、基板側電極３上に積層した、光電変換層４、中間層５、および光電変換層６のうち、中間層５を切断するように第２開溝部１０ｂを形成する工程と、光電変換層４、中間層５、および光電変換層６を貫通するとともに、基板側電極３ａの表面を露出するように第３開溝部１０ｃを形成する工程と、少なくとも光電変換層６上に形成された背面電極８を電気的に分離する工程と、においては第１のレーザとは波長の異なる第２のレーザを用いて形成するとともに、第２開溝部１０ｂ内で、中間層の切断部を覆うように形成する。 （もっと読む）

【課題】発電効率を上げ、かつスペクトルミスマッチによる太陽光損失を低減し、光利用効率を高めて発電効率を向上させることのできる太陽電池モジュール用波長変換型ライトトラッピングフィルム及びこれを用いた太陽電池モジュールを提供する。
【解決手段】光の入射側から順に、第１の層、第２の層、・・・第ｍの層とし、各層の屈折率をそれぞれ第１の屈折率ｎ_１、第２の屈折率ｎ_２、・・・第ｍの屈折率ｎ_ｍとしたとき、ｎ_１≦ｎ_２≦・・・≦ｎ_ｍが成り立つ複数の光透過性層を含む太陽電池モジュールの少なくとも１層の光透過性層として用いられる波長変換型ライトトラッピングフィルムであって、一方の面に微細な凸又は凹形状の多角錐又は円錐が隙間なく多数敷き詰めるように形成してなり、屈折率が１．６〜２．４であり、かつ有機蛍光物質を含むことを特徴とする波長変換型ライトトラッピングフィルムである。 （もっと読む）

【課題】大面積の機能膜を安価に形成することが可能な成膜方法を得ること。
【解決手段】第１の機能膜層を形成する第１の工程と、前記第１の機能膜層上に犠牲層を形成する第２の工程と、前記第１の機能膜層上に前記第１の機能膜層と接続する接続層を形成する第３の工程と、前記犠牲層上に接続層と接続する第２の機能膜層を形成する第４の工程と、前記犠牲膜を除去する第５の工程と、を含み、前記第１の機能膜層と前記第２の機能膜層とが接続された機能膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 光反射部材を成形して作製する際に光反射性金属層に傷が付くこと、及び成形して延伸する時に光反射性金属層に破損等が生じることを大幅に軽減することによって、十分な光電変換効率を維持することが可能な光電変換装置を得ること。
【解決手段】導電性基板１と、該導電性基板の上面に互いに間隔をあけて複数個接合された結晶半導体粒子２と、該結晶半導体粒子２間に配置された凹面鏡形状の光反射部材７と、を備え、光反射部材７は、凹面鏡形状の基体１４と、基体１４の光反射面に順次形成された樹脂から成る第１の透明保護層１３、光反射性金属層１２、樹脂から成る第２の透明保護層１１及び樹脂から成る表面透明保護層１０と、を有しており、第１及び前記第２の透明保護層は、軟化点が表面透明保護層１０の軟化点よりも低く、かつ変形可能温度での伸び率が表面透明保護層１０の変形可能温度での伸び率よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】簡易な方法にて必要な絶縁耐電圧性を確保した信頼性の高い薄膜太陽電池およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】透光性絶縁基板１の表面に第１電極層２、光電変換層３および第２電極層４が順次積層されてなる薄膜光電変換素子５が複数個互いに電気的に直列接続されたストリングＳ１を形成するストリング形成工程と、透光性絶縁基板１の表面の外周部に形成されている薄膜光電変換素子部分を光ビームによって除去して非導電性表面領域８を全周に形成する膜除去工程と、膜除去工程で発生して非導電性表面領域８に付着した導電性付着物を除去する清浄化工程とを含むことを特徴とする薄膜太陽電池の製造方法。 （もっと読む）

【課題】強い光や熱に長期間曝されても黄変したり劣化したりせず耐光性や耐熱性に優れ、丈夫で耐擦傷性に優れ、寿命が長くて信頼性が高くて光電変換効率が良く、太陽電池素子に入射光を効率良く到達させ得る簡易な構造で、生産性が高く安価な太陽電池アセンブリを提供する。
【解決手段】太陽電池アセンブリ１は、凸面を有する透明な樹脂体４と、前記凸面側に前記凸面に沿って設けられた金属層２とを有し、一方の半導体層の表面３ａが他方の半導体層３ｂで覆われ他方の半導体層３ｂの欠落部分から一方の半導体層３ａが露出している太陽電池素子３が、前記一方の半導体層３ａが前記露出部分を通じて一方の電極に接続され他方の半導体層が他方の電極に接続されつつ、樹脂体４内に封止されている （もっと読む）

【課題】屋内外での設置場所や向きに依存することなく、垂直に又は斜めから入射する光を効果的に利用して高出力の電気を長時間安定して発生でき、光電変換できない波長の光を波長を変えて光電変換できるようにして光電変換効率を良くし、また、強い光や熱に長期間曝されても黄変したり劣化したりせず耐光性や耐熱性に優れ、寿命が長くて信頼性が高く、簡易な構造であって、簡便に製造でき生産性が良く、環境保全に資する安価な太陽電池アセンブリを提供する。
【解決手段】太陽電池アセンブリ１は、半導体層３ａ・３ｂを積層した光電変換素子３へ入射光１０を反射して集束させる反射凹面２の底部又はその上部に、前記光電変換素子３が配置され、前記光電変換素子３に前記入射光１０が到達する途中に、その光１０の一部を波長変換する蛍光材１１及び／又はりん光材が配置されている （もっと読む）

【課題】半導体層及び半導体基板が受けるダメージを抑制しつつ、収集電極層を微細な線幅で形成できる裏面接合型の太陽電池を提供する。
【解決手段】太陽電池１０は、第１半導体層１２の両隣に配設される一対の第２半導体層１４と、一方の第２半導体層１４上から第１半導体層１２上まで跨って形成される絶縁層１６と、他方の第２半導体層１４上から第１半導体層１２上まで跨って形成される絶縁層１６とを備える。透明電極層１８及び収集電極層２０は、絶縁層１６上で第１方向に沿って形成される一対の分離溝３０によって分離される。 （もっと読む）

【課題】少ない工程で導電性を有する高分子材料中にフラーレンを分散させた導電性複合膜を製造することのできる、新規の導電性複合膜の製造方法を提供する。
【解決手段】無極性の芳香族系溶媒にフラーレンと電解重合性モノマーと支持電解質とを溶解した電解液中で電解酸化重合した。好ましくは、フラーレンは修飾されていないものであり、芳香族系溶媒はトルエンであり、支持電解質はイオン液体である。導電性を有する高分子材料中にフラーレンを分散させて導電性複合膜を単一工程にて得ることができる。無極性の芳香族系溶媒を用いることから、成膜後は簡易な条件にて乾燥が可能であり、高純度な導電性複合膜を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、高効率で生産性の高い薄膜シリコン積層型太陽電池を提供することである。
【解決手段】透明基板上に、第１導電層と、第１太陽電池層と、第２太陽電池層とを備える薄膜シリコン積層型太陽電池の製造方法であって、前記第１導電層の前記透明基板と反対側の面に形成される凹凸部のピッチ及び高低差をそれぞれ所定値としたときの、前記第１太陽電池層の膜厚及び前記第２太陽電池層の膜厚と、該膜厚の組合せにおける太陽電池の安定化効率との関係を表すグラフを作成する工程と、該グラフに基づいて、所定の安定化効率が得られる前記第１太陽電池層の膜厚及び前記第２太陽電池層の膜厚を決定する工程と、該決定された膜厚となるように、前記第１太陽電池層及び前記第２太陽電池層を形成する工程とを含むことを特徴とする薄膜シリコン積層型太陽電池の製造方法。 （もっと読む）

【課題】優れた特性を有するとともに、簡便かつ安価に製造することができる光電変換装置およびその光電変換装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１導電型半導体の第１主面には凹部が形成されており、第１導電型半導体の第１主面、貫通孔の内壁面および第１導電型半導体の第２主面に形成された第２導電型半導体と、第１導電型半導体の第１主面の凹部を埋めるようにして形成された受光面電極と、第１導電型半導体の第２主面上に形成された第１電極と、貫通孔の内壁面の第２導電型半導体に接して貫通孔の内部に形成された貫通孔電極部と、第１導電型半導体の第２主面の第２導電型半導体上に貫通孔電極部と接して形成された第２電極とを備え、受光面電極と第２電極とが貫通孔電極部によって電気的に接続されている光電変換装置とその光電変換装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】球状の第１半導体とその一部を残して被覆する第２半導体層を具備する複数の光電変換素子、前記素子を支持する一方極性側の第1導電体層、他方極性側の第２導電体層、並びに双方の導電体層間の電気絶縁層を具備する光電変換装置を低コストで構成するために有効な発電ユニットを得る。
【解決手段】第1導電体層に多数の光電変換素子を支持する素子支持部を間隔を隔てて複数設けるとともに、各素子支持部毎に独立した第２導電体層を接続した発電アレイを構成する。この発電アレイを１以上の任意の数に分割することにより、多様な仕様の光電変換装置に対応できる任意の仕様の発電ユニットを作製する。この発電ユニット単独もしくは複数を直列に接続すれば、発電ユニット同士を並列に接続する工程が簡素化される。 （もっと読む）

【課題】有機溶剤への溶解性が大きく改善され、高い光電変換効率を示す、フラーレン化合物を用いた有機薄膜太陽電池を作成する。
【解決手段】ガラス上にＩＴＯ透明電極を形成し、バッファ層としてＰＥＤＯＴ−ＰＳＳをスピンコートし、次いで光電変換層として、導電性高分子あるいはフタロシアニン誘導体をドナーとし、アクセプターであるメタノフラーレンＣ６１誘導体あるいはメタノフラーレンＣ７１誘導体を混合した溶液をスピンコートした上に、アルミニウムを蒸着する。さらに６０℃〜１５０℃の範囲で１０分〜４８時間加熱して、有機薄膜太陽電池セルを作成する。 （もっと読む）

【課題】小型化が可能で狭いところでも装着できるセンサ、太陽電池等の電気素子と、該電気素子を容易に製造する方法を提供する。
【解決手段】柱状体２に、蒸着、或いは半導体の溶融、溶解又はゲル状態のものを塗布することにより、半導体８をコーティングする。その回りに、４本の絶縁線６を巻き付ける。次に１本の絶縁線６をはがして、その跡に銅を蒸着して銅線９を形成する。最後に銅線９に隣接しない絶縁線をはがして、その跡に蒸着によりアルミニウム線１０を形成する。そして銅線９、アルミニウム線１０の間の抵抗値を測ることにより、半導体８に照射している光の強度を知ることができる。４本の絶縁線の太さを調整することにより、銅線９、アルミニウム線１０のそれぞれの直径、及びその間隔を決めることができ、設計とシミュレーションの作業が容易になる。また絶縁線６として細い糸を用いることにより、小型の光センサを得ることができる。 （もっと読む）