【課題】高い光閉じ込め効果を有する太陽電池を、簡単にかつ安価に製造する。
【解決手段】太陽電池は、基板上（１）に背面電極層（２）を形成するステップと、背面電極層（２）上に光電変換層（３）を形成するステップと、光電変換層（３）の上面に複数の開口（５）を有するパターン膜を形成するステップと、このパターン膜を介して異方性エッチングを行い、開口（５）下の光電変換層（３）に縦長の第１の孔部（５ａ）を形成するステップと、第１の孔部（５ａ）の形成後に、パターン膜を介して等方性エッチングを行って、第１の孔部（５ａ）下方に、最大幅が第１の孔部（５ａ）の開口幅よりも大きい湾曲した側面を有する第２の孔部（５ｂ）を形成するステップと、パターン膜を除去して光電変換層（３）上に透明導電被膜（４）を形成するとともに第１、第２の孔部中に透明導電被膜を埋め込むステップとによって製造される。 （もっと読む）

【課題】中間ナローバンドギャップ層をトンネル接合領域に有し、光電変換効率を大幅に改善するようにした多接合型太陽電池を提供すること。
【解決手段】ｐ型Ｇｅ基板を含む下部セル層１２と、第２のトンネル接合層１４と、ＩｎＧａＡｓからなる中間セル層１５と、第１のトンネル接合層１６と、ＩｎＧａＰからなる上部セル層１７と、表面電極１８とで構成され、第２のトンネル接合層１４は、Ｓｉドープのｎ型ＩｎＧａＰ層１４１とＣドープのｐ型ＡｌＧａＡｓ層1４２とで挟持された中間ナローバンドギャップ層であるＩｎＳｂ層１４ａからなり、第１のトンネル接合層１６は、Ｓｉドープのｎ型ＩｎＧａＰ層１６１とＣドープのｐ型ＡｌＧａＡｓ層１６２とで挟持された中間ナローバンドギャップ層であるＩｎＳｂ１６ａからなっている。 （もっと読む）

【課題】安価で、結晶Ｓｉ型太陽電池の一般的な作製プロセスにおいて十分な焼結性を有するため低抵抗化が実現でき、Ｓｉ基板との間の界面抵抗が少ない結晶Ｓｉ太陽電池用電極を提供する。
【解決手段】本発明に係る太陽電池セルは、ｎ型半導体層とｐ型半導体層が形成されたＳｉ基板と、前記Ｓｉ基板受光面側の上に形成された反射防止層と、ｎ型半導体層に形成された第一の電極と、ｐ型半導体層に形成された第二の電極とを具備し、ｎ型半導体層に形成された第一の電極はアルミニウム，銅、もしくはそれらの合金を含む金属相と酸化物相とを含み、さらにｎ型半導体層の第一の電極と接している部分に、アルミニウムと銅の拡散層が配置されている。 （もっと読む）

【課題】発電量が大きい太陽電池モジュールを提供する。
【解決手段】本発明の太陽電池モジュール１では、透光性を有する基板２と、基板２上に設けられ、第１の方向に相互接続された複数の光電変換素子２０と、複数の光電変換素子２０の第１の面上に配置され、電力を集電するための電極６ａ、６ｂと、光電変換素子２０の第１の面上において、電極６ａ、６ｂに接続され、電極６ａ、６ｂからの電力を外部に取り出すための配線８ａ、８ｂと、を備える。そして、複数の光電変換素子２０は第１の方向と交差する第２の方向に延在したスリットＳ１によって分割されるとともに、電極６ａ、６ｂはスリットＳ１と重畳するように配置される。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、光電変換素子の製造方法および太陽電池の製造方法を提供す
ることに関する。
【解決手段】 基板、前記基板上に形成された、少なくとも一方が透明な一対の電極と、
電極間に形成された半導体層を備えた光電変換素子の製造方法であって、該半導体層の製造工程に、
（１）半導体化合物（Ａ）を蒸着法により成膜する工程
（２）半導体化合物（Ｂ）及び／又は半導体化合物（Ｂ）の前駆体（Ｂ‘）、及び他の半導体化合物（Ｃ）及び／又は半導体化合物（Ｃ）の前駆体（Ｃ‘）を含む層を成膜する工程
（但し、該半導体化合物（Ｂ）と該半導体化合物（Ｃ）は異なる極性を有す化合物である）
（３）（２）で作成した膜中に含有する該半導体化合物前駆体を半導体化合物に変換する工程
を含むことを特徴とする光電変換素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】太陽電池セルの基板の割れおよび電極の剥離を抑制でき、歩留まりの低下を抑制可能な太陽電池セル、太陽電池モジュールを提供することが課題である。
【解決手段】半導体基板の一方の主面上に形成される一方の主面側電極２３と、この半導体基板の他方の主面上に形成される他方の主面側電極２２を備え、一方の主面側電極２３上及び他方の主面側電極２２上に接続用導電性接続部材が設けられる太陽電池セルであって、半導体基板の端部側上に補助膜２３cを備え、この補助膜２３ｃはその輪郭領域が半導体基板の端部側上に設けられる接続用導電性接続部材の幅より幅広であり、且つ補助膜２３ｃは輪郭領域内に補助膜２３ｃが存在しない部分２３４ｃを有する。 （もっと読む）

【課題】安全かつ低コストで耐熱性および絶縁性等の品質が良好な絶縁層を形成することができるクラッド基板およびその製造方法、このクラッド基板を用いた光電変換装置および薄膜太陽電池モジュール、ならびに薄膜太陽電池モジュールの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のクラッド基板は、金属からなる帯状の基体と、この基体の表面に設けられ、前記基板よりも幅が広い第１の金属材と、基体の裏面に設けられ、前記基板よりも幅が広い第２の金属材とを有する。第１の金属材および第２の金属材が基体に圧接されて基体を被覆するとともに、第１の金属材および第２の金属材は、その周縁部が接合されている。 （もっと読む）

【課題】変換効率が高く、廉価な光電変換素子および光電気化学電池を提供する。
【解決手段】導電性支持体上に色素が吸着された多孔質半導体微粒子を有する感光層、電荷移動層、および対極を含む積層構造よりなる光電変換素子の製造方法であって、半導体微粒子以外の固形分の含量が半導体微粒子分散液全体の１０質量％以下の分散液を前記導電性支持体上に塗布し加熱することにより多孔質半導体微粒子を得る工程、及び該多孔質半導体微粒子を一般式１で表される構造を有する色素で増感する工程を含有する光電変換素子の製造方法。
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【課題】導電性高分子膜、及び固体電解コンデンサなどの電子デバイスに用いられる導電性高分子膜の導電性の向上を目的とする。
【解決手段】本発明の導電性高分子膜は、導電性高分子のモノマーと、酸化剤と、添加剤とを含む重合液を用いて形成される導電性高分子膜である。添加剤として、ドーパントと塩基性物質からなる塩を用いる。本発明の電子デバイスとしての固体電解コンデンサは、導電性高分子層３として、前記導電性高分子膜を用いる。 （もっと読む）

【課題】スクライブ処理を削減し、信頼性の高い太陽電池を提供する。
【解決手段】基板と、第１電極層と、半導体層と、第２電極層を備えた太陽電池の製造方法であって、前記基板上に前記第１電極層を形成する第１電極層形成工程と、前記第１電極層の一部を除去して、前記第１電極層を分割する第１電極層分割工程と、を含み、前記第１電極層形成工程の前に、前記第１電極層の一部が除去される部分に対応する前記基板の表面部分に第１犠牲層を形成する第１犠牲層形成工程を有し、前記第１電極層形成工程では、前記基板上及び前記第１犠牲層上に前記第１電極層を形成し、前記第１電極層分割工程では、前記第１犠牲層上とともに、前記第１犠牲層上に形成された前記第１電極層を除去する。 （もっと読む）

【課題】曲線因子及び変換効率が良好で、しかもコスト性にも優れた光電変換素子を提供する。
【解決手段】半導体電極と、当該半導体電極と電解質層を介して対峙する対向電極とを有する光電変換素子において、前記対向電極が、少なくともカーボン粉末を担持した炭素質層で構成されていることを特徴とする。前記対向電極は、樹脂を溶解させた溶液にカーボン粉末を分散させ、この分散液を支持体の塗布し、前記樹脂を加熱分解することによって得ることができる。 （もっと読む）

【課題】製造コストの低減を図るとともに、軽量化を図ることにより製造時や施工時の取扱を容易にすることができる太陽電池パネルを提供する。
【解決手段】入射光が入射する側から順に透光性基板１１Ａ、透光性基板１１Ａ上に配置される光電変換層、および、透光性基板１１Ａとの間で光電変換層を密封する裏面基板１１Ｂが積層された太陽電池モジュール２と、裏面基板１１Ｂに固定されて、太陽電池モジュール２を支持するリブ部３Ｌ，３Ｓと、が設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】太陽電池モジュールにおいて、互いに隣接する電極同士の間で短絡が生じることを防止し、信頼性を高める。
【解決手段】太陽電池モジュール１０１は、絶縁性基材１１の表面にｎ型用，ｐ型用配線１２，１３が交互に並ぶように縞状に形成されたものである配線シート１０と、半導体基板２１の一方の表面に、不純物拡散領域２２，２３の各々に接続するｎ型，ｐ型用電極２４，２５が交互に並ぶように縞状に形成されたものである裏面電極型太陽電池セル２０とを備える。電極２４，２５と、配線１２，１３とは、導電体２９ｃを介してそれぞれ一対一対応の関係を満たすように接続されている。導電体２９ｃの周囲は絶縁樹脂２９ｉによって覆われている。裏面電極型太陽電池セル２０上の、互いに隣り合う電極２４，２５の間には、絶縁樹脂２９ｉとは異なる組成の絶縁体２８が設置されている。 （もっと読む）

【課題】透過性が高く、ヘイズに優れ、密着性及び可撓性を有しつつ、高い導電性を有する導電性材料及びそれを製造するための導電膜形成用感光材料並びにこれを用いた表示素子及び太陽電池の提供。
【解決手段】導電膜形成用感光材料は、銀塩含有乳剤層と、導電性繊維を含有する導電層とを有してなり、前記導電性繊維の塗設量が、０．００５ｇ／ｍ^２〜０．２ｇ／ｍ^２であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 電気的特性・膜強度・膜外観を保ちながら裏面電極の反りを抑制できる太陽電池用アルミニウムペーストを提供する。
【解決手段】 アルミニウムペーストに少量のSn粉末が含まれていることから、このペーストを用いて印刷・乾燥・焼成によりシリコン基板１２の裏面に全面電極２６を形成すると、そのシリコン基板１２の反りが低減される。しかも、Snを添加するとアルミニウムから成る全面電極２６の耐水性が向上し、更に、添加量がAl 100(質量部)に対して0.3〜5.0(質量部)すなわちペースト100(質量部)中に0.21〜3.5(質量部)と極めて少量であるため、全面電極２６の導電性、膜強度や外観には全く影響を与えない。また、膜厚を薄くすることなく反りを抑制できるので、BSF効果を十分に享受できる。 （もっと読む）

【課題】透明電極層から微結晶シリコンｐ層への酸素の拡散を抑制することで、高い発電効率を有する光電変換装置を提供することを目的とする。
【解決手段】基板１上に、透明電極層２と、少なくとも１つの光電変換層３とを備え、前記光電変換層３が、ｐ型結晶質シリコン層４１と、ｉ型結晶質シリコン層４２と、ｎ型シリコン層４３とを含み、前記透明電極層２と前記ｐ型結晶質シリコン層４１との間に、非晶質シリコン層７が隣接して配置される光電変換装置１００。 （もっと読む）

【課題】２以上の物質の組成比率を高精度に調整して、ＣＩＧＳ膜などの薄膜を形成する。
【解決手段】多源蒸着薄膜の組成制御方法では、チャンバ１１内に第１物質（Ｓｅ）を供給して加熱した状態において、同じ成膜工程においてチャンバ１１内へ供給される２以上の物質（Ｇａ，Ｉｎ）の組成比率を、チャンバ１１内に配設された振動子２５の付着物による発振周波数の変化に基づいて検出することにより制御し、異なる成膜工程において多段的にチャンバ１１内へ供給される２以上の物質（Ｇａ，ＩｎとＣｕと）の組成比率を、チャンバ１１内に配設された計測板３３の付着物の膜厚を光の薄膜干渉により検出することにより制御する。 （もっと読む）

【課題】１つの素子の構造内で、薄膜太陽電池を通して光エネルギーを変色に必要な電気エネルギーに変換するとともに、当該電池間の電位差によって多色の変色効果を達成する多色光電変換エレクトロクロミック装置を提供する。
【解決手段】装置は、向き合う第１および第２透明基板と、第１透明基板上に配置されたフォトエレクトロクロミック（以後、ＰＥＣ）素子と、第１と第２透明基板の間に配置された発色素子とを含む。上記のＰＥＣ素子は、薄膜太陽電池と、その上に配置されたエレクトロクロミック材料とを含み、前記薄膜太陽電池の間に電位差があり、且つ各薄膜太陽電池は、正極と光電変換層と負極とを含み、その正極・負極は、同時に前記ＰＥＣ素子の正極・負極の役割を持つ。発色素子は、２つの電極と、その上に配置された発色材料とを含み、異なる電位差を有するこれらの薄膜太陽電池の負極は、発色素子の第１電極および第２電極にそれぞれ連接する。 （もっと読む）

【課題】良好な耐プラズマ還元性を有するとともに、透明導電膜／光電変換層界面での反射損失を抑制することができる光電変換装置の製造方法、及び、電池特性が改善された光電変換装置を提供する。
【解決手段】基板１上に、順に透明電極層２と、酸化チタンを主に含む酸化チタン層５１と、酸化亜鉛を主に含む酸化亜鉛層５２と、光電変換層３とを形成する光電変換装置１００の製造方法であって、入射光のスペクトルと光電変換層３の量子効率との積である重み関数を算出し、所定の膜厚の酸化チタン層５１及び酸化亜鉛層５２を透過する光のスペクトルと、算出された重み関数とから、所定の膜厚の酸化チタン層５１及び酸化亜鉛層５２を透過する光の平均透過率を算出し、算出された平均透過率と、酸化チタン層５１の還元防止効果を考慮した酸化亜鉛層５２の膜厚範囲に基づいて、形成する酸化チタン層５１及び酸化亜鉛層５２の膜厚を決定する。 （もっと読む）

【課題】キャリアの再結合損失を抑制しながら接触抵抗を低減することができる裏面コンタクト方太陽電池素子およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】第１導電型不純物を第１の濃度で含むシリコン基板１０１と、このシリコン基板１０１の受光面１０２ａとは反対側の非受光面１０２ｂ上に形成された第１電極１１０および第２電極１１１とを備え、シリコン基板１０１はその非受光面１０２ｂの表層部の所定領域に、第１の濃度よりも高い第２の濃度で第１導電型不純物を含む第１導電型不純物領域１０４と、第２導電型不純物を含む第２導電型不純物領域１０５とを有し、第１電極１１０が第１導電型不純物領域１０４と接続すると共に、第２電極１１１が第２導電型不純物領域１０５と接続し、第１電極１１０と第１導電型不純物領域１０４との接触部に第１シリサイド層１０８が形成されていると共に、第２電極１１１と第２導電型不純物領域１０５との接触部に第２シリサイド層１０９が形成されていることを特徴とする裏面コンタクト型太陽電池素子。 （もっと読む）