【課題】本発明の目的は、酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタにおいて、酸化物半導体の、半導体特性（移動度、ｏｎ／ｏｆｆ、Ｖｇ（ＯＮ））を向上させ、ばらつきを低減させて、生産効率が向上した製造方法を提供することであり、また、この酸化物半導体を用いた半導体素子、薄膜トランジスタを提供することにある。
【解決手段】金属塩を含有する半導体前駆体層に加熱処理を行って金属酸化物半導体を形成する金属酸化物半導体の製造方法において、加熱時の昇温速度が１〜１００℃／分であることを特徴とする金属酸化物半導体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】効率よくドープシリコン膜を生成するシリコン製造装置を提供する。
【解決手段】シクロペンタシラン溶液に、ドーパントをラジカル化するための第１の波長の光と、シクロペンタシランをラジカル化するための第２の波長の光を照射しながらドーパントガスを供給することにより、シクロペンタシランの重合体にドーパントが結合したドープシリコン前駆体を生成するシリコン前駆体生成装置１１３と、ドープシリコン前駆体を含む溶液を基板に塗布する塗布装置１０２と、ドープシリコン前駆体が塗布された基板を焼成することにより、基板上にドープシリコン膜を形成する焼成装置１２５と、を備える。 （もっと読む）

【課題】低温で簡便なプロセスにより形成可能で、移動度、ｏｎ／ｏｆｆ比に優れ、立ち上がり電圧のマイナス側へのシフト、Ｓ値劣化、素子間の性能バラツキを改良した、安定性の高い薄膜トランジスタ、および該薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０６上にゲート電極１０４、ゲート絶縁層１０５、ソース電極１０２、ドレイン電極１０３、及び半導体層１０１を有する薄膜トランジスタにおいて、半導体層１０１が塗布によって形成された酸化物半導体からなり、フッ素化合物含有層１０７がゲート電極１０４と半導体層１０１との間に設けられる。 （もっと読む）

【課題】Ｐ型ドープシリコン前駆体を効率よく生成する。
【解決手段】シクロペンタシラン溶液１１に、ドーパントをラジカル化するための第１の波長の光と、シクロペンタシランをラジカル化するための第２の波長の光を含む紫外線１５を高圧水銀ランプ１４から照射し、同時にドーパントガス１６としてのジボランガスをシクロペンタシラン溶液１１に供給することにより、シクロペンタシランの重合体にドーパントが結合したＰ型ドープシリコン前駆体を生成する。 （もっと読む）

有機薄膜トランジスタを形成する方法であって、有機半導体の堆積の前に１つ以上の結晶化部位でチャネル領域の外側の表面に種晶付けし、種晶付けされた表面、およびチャネル領域上に有機半導体の溶液を堆積させることにより、有機半導体が結晶化部位または各結晶化部位において結晶領域を形成し始めるようにして、結晶領域または各結晶領域が、その結晶化部位からチャネル領域を越えて、前進する表面蒸発前線により定まる方向に成長するようにし、エネルギーを印加して表面蒸発前線の移動の方向および速度を制御することにより、チャネル領域の外側の１つ以上の結晶化部位からの、チャネル領域を越えた結晶領域または各結晶領域の成長の方向および速度を制御することを含む方法である。 （もっと読む）

【課題】光電変換半導体装置である太陽電池を構成する半導体層に表面プラズモン共鳴の誘起により光電場増強効果を発生させる導電体部位にウエットプロセスを用いて製作する。
【解決手段】光電変換半導体装置は、ｐ型半導体基板の一方面上にそれぞれが分離する所定のパターンで分布するように導電体部位が形成され、導電体部位を封止するようにシリコン液体系材料を塗布し焼成してｉ型半導体を形成し、その上層にｎ型半導体層及び光照射面となる透明導電膜を形成して構成し、光照射時には導電体部位が表面プラズモン共鳴を誘起して光電変換を行う。 （もっと読む）

電気活性材料の層を形成する方法が提供されている。この方法は：電気活性材料および少なくとも１種の溶剤を含有する液体組成物をワークピース上に堆積させて湿潤層を形成するステップ；ワークピース上の湿潤層を固体吸収性材料を含有する減圧チャンバ中に入れるステップ；および湿潤層を、−２５℃〜８０℃の範囲内の制御温度、および、１０^-6Ｔｏｒｒ〜１，０００Ｔｏｒｒの範囲内の適用された減圧下で１〜１００分間の間処理するステップを含む。
（もっと読む）

減圧乾燥方法が提供されている。この方法は：フィルム形成性材料および少なくとも１種の溶剤を含有する液体組成物をワークピース上に堆積させて湿潤層を形成するステップ；ワークピース上の湿潤層を、凝縮器を備える減圧チャンバに入れるステップ；および、湿潤層を、−２５〜８０℃の範囲内の制御温度、および、１０^-6〜１，０００Ｔｏｒｒの範囲内の適用された減圧下で、１〜１００分間の間処理するステップ；を含み、ここで、凝縮器は、溶剤が適用された減圧で液体として凝縮されることとなる温度で維持される。
（もっと読む）

共有結合性有機骨格として配列した、複数のセグメントと複数の連結基とを含む、追加機能性を備えた構造化有機薄膜を含む電子デバイスであって、構造化有機薄膜は、複数セグメントの厚さの構造化有機薄膜とすることができる。
（もっと読む）

共有結合性有機骨格として配列した、複数のセグメントと複数の連結基とを含む、追加機能性を備えた構造化有機薄膜であって、構造化有機薄膜は、複数セグメントの厚さの構造化有機薄膜とすることができる。 （もっと読む）

共有結合性有機骨格として配列した、複数のセグメントと複数の連結基とを含む、構造化有機薄膜を製造するための混合溶媒法であって、構造化有機薄膜は、複数セグメントの厚さの構造化有機薄膜とすることができる。
（もっと読む）

【課題】電気伝導性の良好な有機半導体膜の製造方法を提供する。
【解決手段】低分子有機半導体化合物前駆体及び高分子有機半導体化合物を含む塗布液を調整する塗布液調整工程と、前記塗布液を支持体表面に塗布する塗布工程と、前記支持体表面に塗布された前記塗布液を加熱する加熱工程と、を有する、有機半導体膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】金属酸化物半導体の形成におけるプロセス温度の低温化を達成することにより、樹脂基板を用いた薄膜トランジスタの製造を可能とする。
【解決手段】金属酸化物半導体前駆体の溶液または分散液を、基板上に塗布することにより得られた金属酸化物半導体前駆体膜を変換することにより、金属酸化物半導体を形成する金属酸化物半導体の製造方法において、金属酸化物半導体前駆体塗布時の基板表面の２種の表面エネルギー成分γｈとγｄについて、１０≦γｈ≦８０（ｍＮ／ｍ）、２≦γｄ≦４０（ｍＮ／ｍ）であることを特徴とする金属酸化物半導体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ドープシリコン膜中にドープ材料を多く残留させるドープシリコン膜の製造方法を提供する。
【解決手段】ドープシリコン膜１１０の製造方法は、液体材料１０８を塗布して塗布膜１０９を形成する工程と、塗布膜１０９を熱処理する工程と、を含み、液体材料１０８がシラン化合物１１とドーパント化合物１２とを含む溶液に、第１の光源１１１から射出される第１の光と、第２の光源１１２から射出される第１の光と波長の異なる第２の光とを照射することで得られるシリコン前駆体組成物を含むものであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体薄膜、特に、前駆体から熱変換され形成される酸化物半導体薄膜を有する薄膜トランジスタの製造方法において、半導体特性の向上およびその安定性が向上した生産効率の高い薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】基体３１０上に、ゲート電極３０２、ゲート絶縁膜３０３、酸化物半導体薄膜３０６を有する薄膜トランジスタの製造方法において、ゲート絶縁膜３０３が大気圧プラズマ法により形成されることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。 （もっと読む）

【課題】 変換効率に優れた、太陽電池に好適に使用できるＣＩＧＳ薄膜等の化合物半導体薄膜を、非真空プロセスにより、容易に低コストで提供する。
【解決手段】 ΙＢ族元素、ΙΙΙＢ族元素およびＶΙＢ族元素を含む化合物半導体薄膜の製造方法であって、ΙＢ族元素およびＶΙＢ族元素を含む化合物粒子と、ΙΙΙＢ族元素およびＶΙＢ族元素を含む化合物粒子とを含有する塗布剤を調製する工程と、前記塗布剤を基板に塗布する工程と、前記基板に塗布した塗布剤中の化合物粒子を焼結させる加熱工程とを含むことを特徴とする化合物半導体薄膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】液相プロセスを用いて、安全かつ所望な膜厚の良質な膜を形成することができる高次シラン組成物を提供すること。
【解決手段】上記高次シラン組成物は、高次シラン化合物および溶媒を含有する組成物であって、前記溶媒が、二重結合を１つまたは２つ有し、アルキル基を有さず、炭素および水素のみから構成され、屈折率が１．４０〜１．５１であり、比誘電率が３．０以下であり、そして分子量が１８０以下である環状炭化水素を含有してなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】向上したインクジェットドロップ・キャストプリント技術を用いて有機ＯＦＥＴのような、プリントされた、有機的もしくはプラスチック電子素子又はポリマー半導体素子のアクティブ領域又はチャネルが得られる。
【解決手段】チャネルのアクティブチャネル領域に配向性の良好な有機結晶の直接成長を達成するために二液体システムを使用する。結晶化の結果として形成された結晶は、最も高い移動性方向に適した分子配向を有し、粒界がないこと、及び低いトラップ密度により高いキャリア移動性及び低い閾値電圧を有する高性能電気的特性を得ることができる。溶液間の疎水性−親水性相互作用を利用してフレキシブルディスプレイ、電子信号系、光起電性パネル、メンブレンキーボード、ＲＦＩＤ（radio frequency identification tag）、電子センサ、及び集積電子回路に適用可能な安価型量産可能なプリントできる電子装置の製造に使用される。 （もっと読む）

【課題】 光吸収層におけるクラックの発生を抑制できる薄膜太陽電池の製法を提供する。
【解決手段】 ＣｕとＳおよびＳｅのうち少なくとも１種とＩｎおよびＧａのうち少なくとも１種とを含む単一前駆体が有機溶媒に溶解した光吸収層溶液を、第１電極層２上に塗布して光吸収塗布膜を形成する光吸収塗布膜形成工程と、光吸収塗布膜を２００℃から４００℃まで６０℃／分以上の昇温速度で昇温して加熱する急速昇温工程と、該急速昇温工程の最高温度よりも高い温度で熱処理することにより、ＣｕとＳおよびＳｅのうち少なくとも１種とＩｎおよびＧａのうち少なくとも１種とを含む光吸収層３を第１電極層２上に形成する光吸収層形成工程と、光吸収層３上に第２電極層５を形成する第２電極層形成工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】 単一前駆体を用いて光吸収層の組成を制御できる薄膜太陽電池の製法を提供する。
【解決手段】 ＣｕとＳおよびＳｅのうち少なくとも１種とＩｎおよびＧａのうち少なくとも１種とを含む単一前駆体が溶解した有機溶媒に、ＩｎおよびＧａのうち少なくとも１種のセレン化物粉末または硫化物粉末を添加し溶解または混合した光吸収層溶液を、第１電極層２上に塗布した後、熱処理することにより、ＣｕとＳおよびＳｅのうち少なくとも１種とＩｎおよびＧａのうち少なくとも１種とを含有する光吸収層３を形成する光吸収層形成工程と、光吸収層３上に第２電極層５を形成する第２電極層形成工程とを具備する。 （もっと読む）