【課題】液相プロセスを用いて、均一な膜厚の膜を形成することができる高次シラン組成物、かかる高次シラン組成物を用いる膜付基板の製造方法、膜付基板を備える電気光学装置および電子デバイスを提供すること。
に関するものである。
【解決手段】高次シラン組成物は、高次シラン化合物と、液体状のシラン化合物と、該シラン化合物より沸点（常圧）の高い溶媒とを含有する。溶媒の沸点は、シラン化合物の沸点（常圧）をＡ［℃］とし、溶媒の沸点（常圧）をＢ［℃］としたとき、Ｂ−Ａが１０以上なる関係を満足するのが好ましい。このような高次シラン組成物は、例えば光重合性を有するシラン化合物と、溶媒を混合し、シラン化合物の一部が重合して高次シラン化合物に変化し、他の一部が未反応物として残存するような線量で紫外線を照射することによって調製することができる。 （もっと読む）

２つの電極（１０６、１０８）間に制御可能な導電媒体（１１０）を有する２つの電極（１０６、１０８）で作られる有機メモリセルの製造方法が開示されている。制御かのうな導電媒体（１１０）には有機半導体層（１１２）及び受動層（１１４）が含まれる。有機半導体層（１１２）はある種の溶剤を用いて、スピンオン技術により形成される。
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【課題】 成膜性を有し、フレキシビリティーに富んだ、低消費電力でドレイン電流を発生し得る、電界効果型有機薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】 基板と、ゲート電極と、ゲート絶縁層と、ソース電極と、ドレイン電極と、有機半導体層とからなり、
前記ゲート絶縁層は、前記有機半導体層と接する第１絶縁層と、前記ゲート電極と接する第２絶縁層とからなることを特徴とする有機薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】 工程を簡略化し得る半導体基板および太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】 基板表面及び／または裏面の一部に不純物を含む成長阻止層２を形成し、成長阻止層２以外の基板表面上に半導体層３をエピタキシャル成長させ、このエピタキシャル成長の際に基板へ加えられた熱によって成長阻止層２より基板内部に不純物４を拡散させる。 （もっと読む）

【課題】 塗布法によってキャリア移動度が高い半導体層を形成できる有機半導体膜の形成方法を提供することであり、また、有機半導体膜の繰り返し使用（測定）時の特性変動が抑制され、又ゲート電圧の閾値が低下した、有機薄膜トランジスタを売ることの出来る有機半導体膜の形成方法を提供することであり、更にはこれらの方法により形成された有機半導体層を有する有機薄膜トランジスタを提供することにある。
【解決手段】 有機半導体材料溶液を基板上に供給、塗布して、乾燥させることにより、有機半導体材料薄膜を基板上に形成する有機半導体膜の形成方法において、
有機半導体材料溶液の塗布時に、不溶物を含む有機半導体材料溶液を用い、かつ、塗布後、形成される有機半導体膜に熱処理を施すことを特徴とする有機半導体膜の形成方法。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、塗布法により形成される有機半導体層のキャリア移動度の向上させることであり、また、有機半導体層薄膜の繰り返し測定（使用）時における特性変動抑制、又閾値の低下、更には基板上における有機半導体薄膜の成膜性の向上にある
【解決手段】 基板上に形成された有機半導体材料薄膜の一部に前処理を行った後、熱処理を行うことを特徴とする有機半導体層の形成方法。 （もっと読む）

【課題】パターン基板上で相分離する半導体材料と絶縁材料とのブレンドから形成した複合膜を提供する。相分離により基板上の半導体領域が単離され、カプセル化され、そのような複合膜を調製および使用するためのプロセスもまた、複合膜を含む装置とともに、提供する。
【解決手段】相分離膜を調製する方法であって、基板５を形成する工程と、基板５の表面の表面エネルギーをパターニングする工程と、少なくとも１つの半導体材料３と少なくとも１つの絶縁材料４とを、少なくとも１つの溶媒中に含む溶液を、パターン表面エネルギーを有する表面上に堆積させる工程と、溶媒の蒸発速度を制御し、半導体材料３と絶縁材料４とを相分離させる工程と、を含み、半導体材料領域が絶縁材料４により単離され、カプセル化される。 （もっと読む）

【課題】 有機半導体薄膜の基板上における成膜性の向上にあり、また、成膜性がよくキャリア移動度が高い有機半導体膜の形成にあり、これを用いた高性能の有機薄膜トランジスタの製造方法を得ることにある。
【解決手段】 有機半導体材料を、融点以上の温度において溶融状態で基板上に供給することを特徴とする半導体層の形成方法。 （もっと読む）

【課題】有機半導体分野への応用展開が可能な有機薄膜及びその製造方法を提供する。
【解決手段】一般式（１）で表されるジベンゾビフェニレン類及び／又は２，３，７，８−テトラキス（トリメチルシリル）ターフェニレンなどのターフェニレン類の縮合環化合物を構成成分とする有機薄膜を用いる。これらの化合物は好適な薄膜結晶性を有し、耐酸化性に優れ、塗布法で容易に薄膜作製できる。


（ここで、置換基Ｒ^１〜Ｒ^１２は水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基若しくはハロゲン化アルキル基、又は炭素数６〜２０のアリール基を示す。） （もっと読む）

【課題】フィルム状に成形しやすく、ｎ型もしくはバイポーラな半導体特性を有するπ電子系共役高分子化合物を提供する。
【解決手段】 本発明の有機ホウ素高分子化合物は、下記一般構造式（１）で表される。（式中、Ｒ^１は、炭素と水素から構成される置換基を表し、式中の２つのＲ¹はそれぞれ同じ置換基であってもよいし、異なる置換基であってもよい。Ｒ^２は、水素、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基からなる群から選ばれる１種類を表し、式中の３つのＲ^２はそれぞれ同じであってもよいし、異なってもよい。ｎは１以上の整数を表す。）
【化１】
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【課題】半導体膜を形成するのに際して、光重合性を有する組成物の蒸発を抑制して、均一な膜厚の半導体膜を安定して形成することができ、また、蒸発した前記組成物によるフォトマスクやチャンバー内の汚染を防止し得る半導体膜の形成方法、半導体素子基板の製造方法、かかる方法により得られた半導体素子基板を備える電気光学装置、電子デバイスおよび半導体膜形成装置を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体膜の形成方法は、光透過性を有する基板１０の一方の面側に半導体膜を形成する方法であり、基板１０の一方の面側に、光重合性を有する組成物を含有する液状材料を供給して液状被膜２０ａを形成する工程と、液状被膜２０ａが形成された一方の面側を密閉容器４３で蓋った状態で基板１０の他方の面側から液状被膜２０ａに光４０を照射し、前記組成物を重合させて重合体膜を得る工程と、重合体膜を加熱することにより半導体膜を得る工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 平坦性の高い有機膜及びそれを用いた電界効果型トランジスタを提供する。
【解決手段】 本発明の好適な形態に係る電解効果型トランジスタは、絶縁性の表面エネルギー密度の異なる複数の領域４ａを有する絶縁層４ｂ上に設けられ、かつ配向している有機膜５及びそれを用いたものである。前記絶縁性の表面エネルギー密度の異なるそれぞれの領域の表面エネルギー密度差が１０ｄｙｎｅ／ｃｍ以上で、段差が０．５ｎｍ以上１００ｎｍ以下であることが好ましい。また、前記有機膜を構成する化合物が導電性を有し、高分子で、液晶性を有していてもよい。 （もっと読む）

【課題】有機半導体組成物を利用した薄膜トランジスタを得るにあたって、成膜性がよく、より移動度が向上し、半導体特性に優れた有機半導体組成物を提供する。
【解決手段】ガス中蒸発法により得られた金属微粒子４と、金属微粒子に結合可能な結合性基３が結合するという非常に簡単な方法により、配向膜などの配向処理が不要な半導体組成物を形成する。 （もっと読む）

【課題】 溶媒に対する溶解性が高い酸化亜鉛薄膜形成用組成物であって、透明性が高く、均一かつ平滑な酸化亜鉛薄膜を簡便に得ることができる組成物を提供すること。
【解決手段】 炭素数４〜１０のα，β−不飽和分岐モノカルボン酸と亜鉛とからなるモノカルボン酸亜鉛塩を含む酸化亜鉛薄膜形成用組成物。 （もっと読む）

【課題】 耐剥離性に優れ、かつ、高い秩序性、結晶性、電気伝導特性を有する有機薄膜、該薄膜を作製するための化合物及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 式（Ｉ）の分子にシリル基が置換された有機シラン化合物。分子（Ｉ）をハロゲン化し、シラン誘導体を反応させる上記有機シラン化合物の製法。該有機シラン化合物分子が、基板側にシリル基が、膜表面側に分子（Ｉ）部分が位置するように、配列された有機薄膜。
【化１】


（ｘ１およびｘ２は１≦ｘ１、１≦ｘ２および２≦ｘ１＋ｘ２≦８を満たす；ｙ１およびｚ１は２〜８；ｙ２およびｚ２は０〜８；該骨格は疎水基が置換されてよい）。 （もっと読む）

複数の半導体デバイスを有する電子的な基板を得るための方法および装置が、説明される。ナノワイヤ薄膜が、基板上に形成される。ナノワイヤ薄膜は、動作電流レベルを達成するのに十分なナノワイヤの密度を有するように形成される。複数の半導体領域が、ナノワイヤ薄膜に画定される。コンタクトが、半導体デバイス領域において形成され、それによって、電気的な接続を複数の半導体デバイスに提供する。さらに、ナノワイヤを製造するための様々な材料、ｐ型ドーピングナノワイヤおよびｎ型ドーピングナノワイヤを含む薄膜、ナノワイヤヘテロ構造、発光ナノワイヤヘテロ構造、ナノワイヤを基板上に配置するためのフローマスク、ナノワイヤを成膜するためのナノワイヤ噴霧技術、ナノワイヤにおける電子のフォノン散乱を減少または除去するための技術、および、ナノワイヤにおける表面準位を減少させるための技術が、説明される。
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【課題】 オンオフ比が改善され、閾値電圧が低い、長期的に安定な特性を有する電界効果型有機トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】 ソース電極１５、ドレイン電極１４、ゲート電極１２、ゲート絶縁層１３及び有機半導体層１６を有する電界効果型有機トランジスタの製造方法であって、該有機半導体層１６を形成する工程が、３５０℃以下の融点を有する有機半導体を液相プロセスで成膜した後に室温または室温以上の温度から室温より低い温度Ｔ₁ に冷却する第１工程、次いで温度Ｔ₁ から室温まで昇温する第２工程を含む電界効果型有機トランジスタの製造方法。 （もっと読む）

【課題】 溶液処理可能でありよい安定性を示す小分子チオフェン化合物を備える装置の提供。
【解決手段】 多くの電極と接触している半導体層を備える電子装置であって、前記半導体層は：少なくとも1個の二価結合；及び、複数のチオフェン単位から成る小分子チオフェン化合物を含み、各チオフェン単位は構造(A)：


で表され、チオフェン単位の数は少なくとも6である装置。 （もっと読む）

【課題】半導体粒子の分散体から半導体要素を製作する方法を提供することである。この要素は、積層後この要素を焼結しなくても、マイクロプロセッサーやその他の高性能電気装置に使用するのに適した十分なバルク電荷担体移動度を有する。
【解決手段】膜などの半導体要素を形成する方法が提供されている。この方法には、 （ｉ）第２半導体またはその前駆体を含む液相に懸濁された第１半導体粒子を含む混合物が基板上に生じるように、第１半導体の粒子を含む懸濁液および第２半導体またはその前駆体を含む溶液を基板表面に積層する工程と、 （ｉｉ）第１半導体の隣接粒子を電気的に接続する第２半導体のマトリックス中に第１半導体の粒子を含む半導体要素を形成するために混合物を凝固させる工程とが含まれ、 第１および第２半導体が、同じ伝導形式であり、且つ同じかまたは別の材料から形成されている。 （もっと読む）

【課題】 トランジスタ特性、保存性に優れ、溶液製造プロセス適性のある有機半導体材料、これを用いた有機トランジスタ、電界効果トランジスタ及びスイッチング素子を提供することである。
【解決手段】 下記一般式（１）または一般式（２）で表される化合物を含有することを特徴とする有機半導体材料。
【化１】


（式中、Ａ¹及びＡ²はベンゼン環を３個以上含む縮合多環芳香族化合物を表し、Ｂ¹及びＢ²は溶解性ユニットを表し、Ｘ¹及びＸ²は二価の連結基を表し、Ｒ₁及びＲ₂は水素または置換可能な基を表す。ｍ１及びｍ４は１〜２０の整数、ｍ２及びｍ５は０〜２０の整数、ｍ３及びｍ６は０〜１０の整数を表す。ｎ１はポリマー中の繰り返しモノマーセグメントの数または重合度を表し、ｎ２は正の整数を表す。） （もっと読む）