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Fターム[5F053AA06]の内容

半導体装置を構成する物質の液相成長 (5,002) | 成長方法 (895) | スピン法 (188)

Fターム[5F053AA06]に分類される特許

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【課題】化学的および電気的に安定し、信頼性のある有機半導体薄膜を製造することができる新規な芳香族エンジイン誘導体を提供する。
【解決手段】下記化学式1〜化学式3のいずれかで表わされる芳香族エンジイン誘導体。
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【課題】 欠陥が少なく、高い結晶性、配向性を備えた有機半導体層を安価なプロセスで作製する。
【解決手段】 有機半導体化合物の前駆体と溶媒とを少なくとも含む溶液を基板に付着させる工程、及び該有機半導体化合物の前駆体を有機半導体化合物に変換する工程を少なくとも有する有機半導体層の形成方法であって、前記溶媒の基板に対する接触角が14°以下であり、且つ、前記溶液における有機半導体化合物の前駆体の濃度が0.05wt%以上であることを特徴とする有機半導体層の形成方法。 (もっと読む)


一定量の粒子半導体材料と一定量のバインダーとを混合することを含む印刷可能な組成物を製造する方法。半導体材料は、典型的には、ほぼ5ナノメートルないし10マイクロメートルの粒径を有するナノ粒子ケイ素である。バインダーは、天然油、またはその誘導体もしくは合成類似物を含む自己重合型材料である。好ましくは、バインダーは、天然油、あるいは対応する脂肪酸の純粋な不飽和脂肪酸、モノ−およびジ−グリセリド、またはメチルおよびエチルエステルを含む誘導体からなる前駆体の自己重合型材料である。方法は、単一または複数の層で基体に印刷可能な組成物を適用し、ついで印刷可能な組成物を硬化させて基体上にコンポーネントまたは導体を形成することを含むことができる。
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【課題】比較的低温の熱処理で、低抵抗な不純物ドープシリコン膜を形成する技術を提供する。
【解決手段】高次シラン組成物、触媒およびドーパント元素を含有する溶液である、例えば、シクロペンタシランに紫外線光を照射した後、これをトルエン(溶媒)で希釈した液体(高次シラン組成物の溶液1)に、ドーパント元素含有化合物(例えば、黄燐)および触媒(塩化ニッケル)を混合した、塗布用溶液Aを基板上に塗布し、塗布膜13を形成した後、例えば300℃〜600℃で加熱(焼成)し、不純物ドープシリコン膜13aを形成する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、絶縁特性が良好であると共に、ソース電極及びドレイン電極間を流れる電流のオン/オフ比が大きい有機半導体装置及びその製造方法並びに該有機半導体装置を有する表示素子を提供することを目的とする。
【解決手段】有機半導体装置については、絶縁層3は、高分子粒子を含有する。有機半導体装置の製造方法は、高分子粒子が分散されている分散液又は無機粒子及び高分子粒子が分散されている分散液を用いて、絶縁層3を形成する工程を有する。 (もっと読む)


【課題】非常に高い安定性を有し、且つ、高度に配列制御されたシロキサン系分子膜、該シロキサン系分子膜の製造方法及び該分子膜を用いた有機デバイスを提供すること。
【解決手段】一般式;Si(A)(A)(A)−B−Si(A)(A)(A)(A〜Aは水素原子、ハロゲン原子、アルコキシ基またはアルキル基であり、脱離反応性についてA〜A>A〜Aの関係を満たす;Bは2価の有機基である)の有機化合物を用いて形成されてなり、膜表面にシロキサンネットワークを有することを特徴とするシロキサン系分子膜および該分子膜を有する有機デバイス。上記有機化合物のA〜Aを有するシリル基と基板表面とを反応させ、単一単分子膜を形成する工程、未反応の有機化合物を非水系溶媒を用いて洗浄除去する工程、および単分子膜の膜表面側に存在する未反応のシリル基でシロキサンネットワークを形成させる工程により単分子膜を作製する。 (もっと読む)


【課題】原材料をあらかじめ選択的に基板上に供給することにより、使用する原材料の量を削減し、且つ、フォトリソグラフィ工程及びエッチング工程を省いて製造工程の簡略化を図る。
【解決手段】液状原料を液滴102として所定の方向に複数回吐出、飛翔させて選択的に基板101上に塗布し液体パターン103を形成する工程と、その液体パターン103を固化して薄膜パターン104に形成する工程と、薄膜パターン104にレーザを照射して結晶化膜106に形成する工程とから成る、シリコン系半導体膜及び酸化シリコン系絶縁体膜等を形成する薄膜形成方法。リソグラフィ工程及びエッチング工程の省略による製造工程の簡略化と使用材料の量の削減とを図る。 (もっと読む)


【課題】半導体材料の塗布膜に気体を吹き付けて乾燥時間を短縮し、乾燥むらを低減することにより、大きな面積の半導体層を、均一に、低コストで成膜する半導体の成膜方法、および半導体層を成膜する製造装置を提供する。
【解決手段】基板上に半導体層を成膜する成膜方法において、溶媒を含む半導体材料を基板上に塗布する工程の後に、基板の前記溶媒を含む半導体材料の塗布面に対して、溶媒を蒸発させるために気体を吹き付ける工程を有する、ことを特徴とする半導体層の成膜方法。 (もっと読む)


【課題】電子装置の製造のための速やかで廉価な高解像度パターニング方法を提供する。
【解決手段】電子装置の製造方法は、表面エネルギーパターンを基板上に作成し、第1の液体を基板上にブラシ塗布し、基板上の表面エネルギーパターンに応じて液体のパターンを形成する工程を有する。また、薄膜トランジスタは、導電層と、導電層上に形成された絶縁体の層と、絶縁体の層の上に形成された導電物質及び第1の自己組織化単層膜(SAM)のパターンと、導電物質上に形成された第2のSAMと、第1のSAM及び第2のSAMとの上に形成された半導体層とを有する。更に、塗布装置はインク吸収性のブラシヘッドと、インク流路によってブラシヘッドに接続されたインク容器と、搬送ベルトとを有し、搬送ベルトの表面がブラシヘッドと対向している。 (もっと読む)


【課題】カルシウムがドープされた強いp型のSrCu薄膜を製造する。
【解決手段】Ca(OAc)・HO、Sr(OAc)、Cu(OAc)・HO、および酢酸を調製し(12)、これらを、混合した後に還流する(14)。そして、溶液を濾過する(18)。以上により得られた溶液をウェーハ上に塗布し(22)、次いで、該ウェーハをベーキングして溶剤成分を蒸発させる(28)。続いて、フォーミングガス中においてアニール処理を行う(30)。最後に窒素雰囲気中において瞬間的に酸素を供給する(32)。 (もっと読む)


【課題】有機半導体材料の塗布液と基板との濡れ性を改善し、性能の優れた有機半導体を形成すると共に、ウェットプロセスによって有機半導体膜を容易に形成しうる方法を提供する。
【解決手段】有機半導体材料を含有する塗布液を基板へ供給して半導体薄膜を形成する方法であって、有機半導体材料を含む塗布液を基板に供給する際に、その前工程として有機溶媒を基板上へ供給する工程を含むことを特徴とする有機半導体薄膜の形成方法。 (もっと読む)


【課題】電荷担体の移動度の高い半導体膜を安価に製造する方法を提供する。
【解決手段】半導体膜を製造する方法を提供するものであり、第1の有機半導体及び第2の有機半導体を含む溶液を基板の表面に付与する第1の工程を有する。溶液は乾燥され、半導体膜が形成される。半導体膜は第1の有機半導体の離散的領域を含んでおり、その離散的領域は第2の有機半導体のマトリクスの中に存在する。このマトリクスは互いに隣接する離散的領域同士を電気的に接続する。第1及び第2の有機半導体は同一の導電型を有しており、第1の有機半導体の離散的領域における電荷担体の移動度は第2の有機半導体のマトリクスにおける電荷担体移動度より高い。 他の形態においては、本発明は類似の半導体膜製品を製造する方法を提供する。第1の有機半導体の溶液は第2の有機半導体の溶液と別に塗布される。そして乾燥後は離散的領域が形成される。 (もっと読む)


線状及び架橋済みのHMW(高分子量)ポリシラン及びポリゲルマン、ポリペルヒドロシラン及びポリペルヒドロゲルマン、それを含む機能性液体の製造方法、並びに一連の望ましい用途における液体の使用方法を開示する。シラン及びゲルマンポリマーは一般に、R’置換基で置換されたSi及び/またはGeの鎖で構成され、ここで、R’の各場合は、例えば、独立して、水素、ハロゲン、アルケニル、アルキニル、ヒドロカルビル、芳香族ヒドロカルビル、複素環式芳香族ヒドロカルビル、SiR”、GeR”、PR”、OR”、NR”、またはSR”であり;ここで、Rの各場合は独立して、水素またはヒドロカルビルである。架橋済みポリマーを、脱ハロゲン化的カップリングまたはデヒドロカップリングによって合成することができる。線状ポリマーを、開環重合によって合成することができる。ポリマーを、ハロゲン化及び/または水素化物の源との反応によってさらに修正して、ペルヒドロシラン及びペルヒドロゲルマンポリマーを与えることができ、これらは、液体インキ配合物において使用される。合成は、液体特性(例えば、粘度、揮発度、及び表面張力)の適合に対処する。液体を、スピンコーティング、インクジェッティング、ドロップキャスティング等による膜及び物体の堆積のために使用でき、UV照射の使用はあってもなくてもよい。堆積した膜を、400〜600℃でのキュアリング及び(所望により)レーザー−または熱−誘起結晶化(及び/またはドーパントが存在する場合、ドーパント活性化)によって、アモルファス及び多結晶ケイ素またはゲルマニウム、並びにケイ素または酸化ゲルマニウムまたは窒化物に転換することができる。 (もっと読む)


【課題】高品質なSrCu薄膜を形成すること。
【解決手段】Sr(OAc)、Cu(OAc)・HO、および酢酸を調製し(12)、これらを、混合した後に還流する(14)。さらに、エタノールアミンを加え(18)、続いて、溶液を濾過する(20)。以上により得られた溶液をウェーハ上に塗布し(24)、次いで、該ウェーハをベーキングして溶剤成分を蒸発させる(30)。続いて、フォーミングガス中においてアニール処理を行う(32)。酸素と窒素との混合雰囲気下においてポストアニール処理を行ってもよい(34)。 (もっと読む)


【課題】電荷輸送性、発光性に優れる新規な芳香族重合体の提供。
【解決手段】下記式(1)で示される繰り返し単位を1種類以上含む、芳香族グラフト重合体。


(式中、Ar1は下記式(2)で表される側鎖を有する2価のπ共役系環状化合物残基を表し、該側鎖は、Ar1で表される2価のπ共役系環状化合物残基の環構造の環内に含まれる炭素原子であって、sp2混成軌道を有する該炭素原子に結合している。


(式中、Ar2は2価のπ共役系環状化合物残基を有する基を表し、X1は直接結合、又はNQ1−、−PQ2−、−BQ3−からなる2価の基を表す。Zは直接結合、又は2価の連結基を表す。kは3以上の整数を表し、E1は水素原子、ハロゲン原子、又は1価の有機基を表す。)) (もっと読む)


薄膜トランジスタは、亜鉛酸化物含有半導体材料を含んでいる。このトランジスタはさらに、この材料と接触していて互いに離れた第1の接点手段または電極と第2の接点手段または電極を備えている。さらに、製造中に基板の温度が300℃を超えない薄膜トランジスタ・デバイスの製造方法も開示されている。
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【課題】 結晶粒の大きい有機半導体薄膜を製造することの可能な有機半導体薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】 脱離により二重結合を形成する構造を有する有機半導体前駆体の薄膜を、温度勾配を有する系内を移動させることにより、結晶成長させながら有機半導体の薄膜に変換する工程をそなえるとともに、移動速度x(mm/s)と移動方向の温度勾配d(℃/mm)とが式(I)で表わされる条件を満たすようにする。
0.001 < xd < 1000 (I) (もっと読む)


本発明は、チエノチアゾール基を含む新規なモノマー、オリゴマーおよびポリマー化合物、これらの半導体または電荷輸送材料としての、光学、電気光学または電子デバイスにおける使用、並びに、該新規化合物を含む光学、電気光学または電子デバイスに関する。 (もっと読む)


【課題】 電荷移動度と配向性のよい均一な薄膜を塗布形成により容易に作製できる有機半導体層の形成方法を提供する。
【解決手段】 有機半導体材料と溶媒とを混ぜることによりサーモトロピック混合液晶相を発現することになる混合物を用いて、混合液晶状態の塗布膜を形成する工程と、その塗布膜を混合液晶状態を呈しない温度まで冷却させ、もしくは冷却させながら溶媒を除いて、前記有機半導体材料のスメクチック液晶相又は結晶相からなる有機半導体層を形成する工程とを有する。上記塗布膜については、混合物を加温して塗布することにより形成されることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】基体上に、シリコン膜及びシリコン酸化膜からなる積層膜を形成する簡易な方法を提供すること。
【解決手段】上記課題は、基体上に、シラン化合物及び溶媒を含有する膜形成用組成物からシリコン膜及びシリコン酸化膜からなる積層膜を形成することを特徴とする、積層膜の形成方法によって達成される。 (もっと読む)


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