【課題】帯電膜を用いて、カーボンナノチューブを特定位置に集積させ、カーボンナノチューブが架橋し易い薄膜トランジスタの製造方法及びその製造方法により製造された薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ１０は、基板２の上面には、ゲート電極３を覆うようにしてゲート絶縁層４が設けられ、ゲート絶縁層４の上面には、ソース電極５及びドレイン電極６が所定のチャネル長の離間幅をもって各々設けられている。ソース電極５とドレイン電極６との間には、互いに離間して形成された溝を埋めるように、自己組織化単分子膜（ＳＡＭ膜）からなる帯電膜８をマイクロコンタクトプリント（ＭＣＰ）法等で形成している。また、帯電膜８と、ソース電極５及びドレイン電極６の少なくとも一部、又は、全部を覆うように、半導体層７が設けられている。この半導体層７の材質は、シングルウォールのカーボンナノチューブから構成されている。 （もっと読む）

【課題】低コストでシリコン太陽電池を製造するためのシリコン微粒子とその製造方法、およびそれらを用いた太陽電池とその製造方法を提供する。
【解決手段】太陽電池１０において、反応性基を有する膜化合物の形成する被膜３で表面が覆われたｐ型シリコン微粒子１４が積層されてなるｐ型シリコン微粒子層と、膜化合物の形成する被膜で表面が覆われたｎ型シリコン微粒子１５が積層されてなるｎ型シリコン微粒子層とが、透明電極１１と裏面電極１７との間に積層形成されており、ｐ型シリコン微粒子層とｎ型シリコン微粒子層は、反応性基と反応して結合を形成する複数の架橋反応基を有する架橋剤１６の架橋反応基との架橋反応により硬化している。 （もっと読む）

【課題】低コストで製造し、有害環境問題を解決し、性能を向上させることができるうえ、特定類型の電子機器に広く適用できるようにする、酸化チタニウムを活性層として有する薄膜トランジスタの製造方法およびその構造を提供すること。
【解決手段】本発明に係る薄膜トランジスタは、基板と、前記基板上に多結晶ないし非晶質の酸化チタニウムを用いて形成される活性層と、前記活性層上に形成される絶縁膜とを含む。また、本発明に係る薄膜トランジスタの製造方法は、基板を形成する段階と、前記基板上に多結晶ないし非晶質の酸化チタニウムを用いて活性層を形成する段階と、前記活性層上に絶縁膜を形成する段階とを含む。 （もっと読む）

【課題】製造条件を厳しく制御しなくても、均質なπ共役ポリマー配向膜を形成できる方法の提供。
【解決手段】（１）基板上に製膜されたπ共役ポリマー薄膜表面に対し、一方向に剪断力を付与してπ共役ポリマーを一軸配向させるπ共役ポリマーの一軸配向膜の製造方法。
（２）π共役ポリマー薄膜表面に固形物を圧着掃引することにより、剪断力を付与する（１）記載のπ共役ポリマーの一軸配向膜の製造方法。
（３）固形物が粘弾性を有する（２）記載のπ共役ポリマーの一軸配向膜の製造方法。
（４）剪断力を付与する過程で、π共役ポリマーを軟化温度以上にする（１）〜（３）の何れかに記載のπ共役ポリマーの一軸配向膜の製造方法。
（５）剪断力を付与した後、直ちに冷却する（４）記載のπ共役ポリマーの一軸配向膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】簡単な方法でドメイン境界のほとんどない大きなドメインの薄膜結晶を形成する薄膜結晶の製造方法、有機薄膜トランジスタの製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】基板の上の所望の領域に薄膜結晶を形成する薄膜結晶の製造方法において、所望の領域に接する第１の隔壁層を基板の上に形成する工程と、所望の領域に有機半導体材料を含む溶液を滴下する工程と、溶液を乾燥させる工程と、をこの順で行うことを特徴とする薄膜結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】保存安定性が高く、特性に優れた有機半導体層を形成することができる有機半導体用組成物、これを用いて製造された信頼性の高いトランジスタを製造可能なトランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】ソース電極２０ａと、ドレイン電極２０ｂと、ゲート電極５０と、有機半導体層３０と、ゲート電極５０に対してソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂを絶縁するゲート絶縁膜４０とを備えるトランジスタ１の製造方法である。少なくとも１つのチオフェン環を含む構造単位を繰り返し単位とする有機半導体材料と、シスヒドリンダン、トランスヒドリンダン、１，３−ジメチルアダマンタン、エキソテトラヒドロジシクロペンタジエン、或いはシネオールの少なくとも１つを含有する有機溶媒とを含む有機半導体用組成物を塗布して有機半導体層３０を形成する。 （もっと読む）

【課題】自己組織化単分子膜を用いて、生産効率が高い溶液プロセスによって製造することのできる移動度が高くトランジスタ特性が良好な有機薄膜トランジスタ、及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】ゲート電極、ゲート絶縁膜、有機半導体材料からなる半導体層、ソース電極、ドレイン電極を有する有機薄膜トランジスタであって、ゲート絶縁膜上に光または酸に分解性を有する第１の官能基を有する化合物からなる第１の自己組織化単分子膜を形成する工程、前記単分子膜上に活性光線を露光し、前記単分子膜を分解し露光された部位に第２の官能基を露出させる工程、前記第２の官能基に下記一般式（１）の化合物を反応させ、前記単分子膜上に第３の官能基を形成する工程により形成された第３の官能基を有する単分子膜をゲート絶縁膜上に有することを特徴とする、有機薄膜トランジスタ。
【化１】
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【課題】高価かつエネルギー多消費型の大掛かりな装置を必要とせず、大面積の基板にも対応可能であり、容易、安価に半導体薄膜を形成する方法を提供すること。
【解決手段】上記課題は、一対の電極の間に、不純物の濃度および／または種類の異なる半導体薄膜を少なくとも二層以上積層した構造を有する太陽電池の製造において、該半導体薄膜のうちの少なくとも一層が、（Ａ）式Ｓｉ_ｎＲ_ｍで表されるポリシラン化合物 並びに（Ｂ）シクロペンタシラン、シクロヘキサシランおよびシリルシクロペンタシランよりなる群から選ばれる少なくとも１種のシラン化合物を含有することを特徴とするシラン組成物を基板上に塗布して塗膜を形成する工程と、該塗膜を熱処理および／または光処理する工程を含む形成方法により形成されていることを特徴とする、太陽電池の製造方法により達成される。 （もっと読む）

共役ポリマー膜の特性を向上させる改善された処理方法、ならびに前記方法によって製造される向上した共役ポリマー膜を開示する。共役ポリマー膜の形成に使用される溶液に低分子量アルキル含有分子を添加すると、光伝導性が向上するほか、他の電子特性も改善される。向上した共役ポリマー膜は、太陽電池およびフォトダイオードなどの種々の電子デバイスで使用することができる。本発明は、光伝導性、電荷輸送、太陽光変換効率および／または光起電力効率である膜の性能特性を向上させるために、共役ポリマー膜などの有機半導体膜を改良する方法に関する。一実施形態において、本発明は、性能特性を向上させるために、有機半導体膜の内部構造および形態を改良することを包含する。
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【課題】電子デバイスの電導性構成又は素子を製造するのに適した低価格の方法及び組成物を得る。
【解決手段】半導体層と、ゲート電極と、半導体層と接触するソース電極と、半導体層と接触するドレイン電極と、半導体層とゲート電極との間に配置されたゲート誘電体とを含む薄膜トランジスタを製造する、ステップを含み、ゲート電極、ソース電極、及びドレイン電極からなる群から選択される少なくとも１つの電極が、（ｉ）結果として堆積組成物をもたらすように、有機アミンと、銀化合物と、随意的に有機酸とを含む開始原料を含む低粘度組成物を液相堆積し、（ｉｉ）堆積組成物を加熱して、銀を含む電導性構成をもたらす、ステップを含む電極製造プロセスにより形成される、
ことを特徴とするプロセス。 （もっと読む）

半導体本体を形成するための方法であって、この方法は、有機半導体材料と結合剤材料との混合物を形成する工程、前記半導体材料を少なくとも部分的に固化させる工程、および前記半導体材料を前記結合剤材料から少なくとも部分的に分離させるように前記結合剤材料を結晶化させる工程を具備する。 （もっと読む）

【課題】複数の細線状構造物を特定の配向方向で会合させる方法、および、その利用方法を提供する。
【解決手段】複数のＳｉナノワイヤ４が会合してなるＳｉナノワイヤ集合体４０の製造方法であって、基板１上に、Ｓｉナノワイヤ４を分散させた分散液パターン３０を形成するパターン形成工程と、分散液３を乾燥させることにより、分散液パターン３０上の一部に、複数のＳｉナノワイヤ４を析出させる乾燥工程とを有し、乾燥工程では、Ｓｉナノワイヤ４を、所定の方向に配向させながら会合させる。 （もっと読む）

光電デバイス及び関連する方法。デバイスは、電子収集電極及びホール収集電極間に配置されたナノ構造物質を有する。電子輸送／ホール遮断材料は、電子収集電極とナノ構造物質との間に配置される。特定の実施例においては、ナノ構造物質における光吸収により生成される負電荷キャリアは、電子輸送／ホール遮断材料に選択的に分離される。特定の実施例においては、ナノ構造物質は、波長が約４００ｎｍ〜７００ｎｍに及ぶ光に対し、少なくとも１０^３ｃｍ^−１の光吸収係数を有する。 （もっと読む）

【課題】塗布法によってキャリア移動度の高い有機半導体層を形成できる有機半導体膜の形成方法、及び該有機半導体膜の形成方法によって形成される有機半導体膜を有する有機薄膜トランジスタを提供すること。
【解決手段】有機半導体材料を含む塗布液を基板の上に供給、塗布して、乾燥させることにより有機半導体膜を形成する有機半導体膜の形成方法において、該有機半導体材料を含む塗布液の供給から乾燥の間に、塗布液供給領域内に５℃以上１００℃以下の温度差を有することを特徴とする有機半導体膜の形成方法。 （もっと読む）

【課題】低コストで耐久性に優れた有機半導体素子を提供する。
【解決手段】基体上に結晶化促進層を設ける工程と、該結晶化促進層の上に有機半導体前駆体を付与する工程と、該有機半導体前駆体に光エネルギーと熱エネルギーとを同時に与えて有機半導体からなる層を形成する工程と、を少なくとも有する半導体素子の製造方法。前記基体を外部から加熱することにより前記熱エネルギーを付与することが好ましい。前記結晶化促進層が結晶粒同士の接合を促進する機能を有することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】塗布法によりゲルマニウム膜を形成するための成膜法、そのためのゲルマニウムポリマーとその製造法を提供する。
【解決手段】テトラハロゲン化ゲルマニウムと、式ＲＱＸ_ｎ（ここで、Ｒは１価の有機基であり、Ｑはゲルマニウム原子またはマグネシウム原子を表し、Ｘはハロゲン原子を表し、ｎは１または３である）で表わされる有機金属ハライドと、リチウムおよび／またはマグネシウムを反応させる第１工程および第1工程で得られた反応生成物をＬｉＡｌＨ_４で処理する第２工程により、ゲルマニウムポリマーを製造する。また、このゲルマニウムポリマーの溶液を基体表面上に塗布し、加熱し次いで熱および／または光で処理してゲルマニウム膜を形成する。 （もっと読む）

本発明は、薄膜トランジスタ、特に、パターニング技術が、下地電極に対して正確に整列される必要がある電極パターンの画定に使用される薄膜トランジスタなどの電子デバイスの作製に関する。作製方法は、狭い線幅を有する構造を形成することができない、及び／又は、先に堆積されたパターンに対してあまり正確に位置決めすることができない、レーザアブレーションパターニング技術または溶液ベースの直接書き込み印刷技法などの種々のパターニング技術に適用可能である。こうして、本発明者等は、減算的技法によるゲートパターニング、特に、選択的レーザアブレーションパターニングと、印刷などの加算的技法によるゲートパターニングの両方について適用可能である自己整合ゲート技法を述べる。技法は、低解像度ゲートパターニングの使用を容易にする。
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少なくとも一つの有機半導体化合物を用い、基板表面にパターン形成する方法において、（ａ）規定した凹凸パターンを形成された多数の凹部を含む表面を有するスタンプが提供され、前記凹部は、スタンピング表面と隣接し、スタンピングパターンを規定し、（ｂ）基板表面と結合することができ、且つ少なくとも一つの有機半導体化合物（Ｓ）と結合することができる、少なくとも一つの化合物（Ｃ１）で前記のスタンピング表面を被覆し、（ｃ）基板表面の少なくとも一部分が前記のスタンピング表面と接して基板上に前記の化合物（Ｃ１）の堆積が可能になり、（ｄ）スタンピング表面を離して、基板表面上に結合サイトのパターンを提供し、（ｅ）基板表面に有機半導体化合物（Ｓ）の多数の微結晶を適用し、適用した微結晶の少なくとも一部分が、基板表面上の結合サイトの少なくとも一部分と結合する。
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【課題】保存安定性が高く、特性に優れた有機半導体層を形成することができる有機半導体用組成物、これを用いて製造された信頼性の高いトランジスタを製造可能なトランジスタの製造方法、アクティブマトリクス装置の製造方法、電気光学装置の製造方法、および、電子機器の製造方法を提供すること。
【解決手段】有機半導体用組成物は、チオフェン環とアルキル鎖とを含む有機半導体材料と、シスデカリンを含有する有機溶媒とを含有する。この有機半導体用組成物は、例えば、互いに分離して設けられたソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂと、ソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂを覆うように設けられた有機半導体層３０と、有機半導体層３０上に設けられたゲート絶縁層４０と、ゲート絶縁層４０上に設けられたゲート電極５０とを有するトランジスタの有機半導体層３０を形成するのに使用される。 （もっと読む）

【課題】高性能で均一な薄膜を、効率的に、かつ常温でも形成可能な薄膜形成方法とそれにより得られる薄膜を提供する。
【解決手段】ナノ粒子を基材に付与し、基材上に付与された該ナノ粒子を大気圧プラズマ処理することにより、薄膜を形成する薄膜形成方法であって、該大気圧プラズマ処理が、大気圧または大気圧近傍の圧力下で、対向する電極間にガスを供給し、該電極間に高周波電界を発生させることによって該ガスを励起ガスとし、該励起ガスに基材上に付与された該ナノ粒子を晒す処理であることを特徴とする薄膜形成方法。 （もっと読む）