【課題】所望の領域に寸法精度良く薄膜を形成することが可能な薄膜形成方法を得る。
【解決手段】基板上に半導体粒子または導電性粒子からなる薄膜を形成する薄膜形成方法であって、粒子径が１００ｎｍ以下の前記半導体粒子または導電性粒子が分散された分散液を、前記基板の所定の領域に配置する配置工程と、前記分散液を配置した基板を２０ＫＨｚ以上、５０ＭＨｚ以下の周波数で振動させて前記所定の領域以外の領域に存在する前記分散液を除去する振動工程と、前記基板上の分散液の溶媒を除去して前記基板上に前記半導体粒子または導電性粒子からなる薄膜を形成する溶媒除去工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】簡便な手段を用いて、有機薄膜トランジスタの半導体層に立体規則性の高いポリジアセチレン薄膜を形成し、高移動度を有する有機薄膜トランジスタの製造方法を提供すること。
【解決手段】有機薄膜トランジスタにおいて、ポリジアセチレンを半導体層とするトランジスタの作製プロセスであって、少なくとも、液状でジアセチレン化合物を基板上に展開する工程と、該ジアセチレン化合物の結晶状態を形成する工程と、外部からエネルギーを付与することにより該ジアセチレン化合物をトポケミカル重合させてポリジアセチレンを形成する工程を経ること特徴とする有機薄膜トランジスタの製造方法。 （もっと読む）

置換２，２’−ジチオフェンを製造するための方法であって、工程（ａ）、（ｃ）ならびに任意の工程（ｂ）および（ｄ）、すなわちａ）式：（ＩＶ）［Ｈａｌは、水素またはハロゲン、特にＢｒを表し、Ｒ１およびＲ１’は、独立して水素または置換基であり、ｎは０から６、好ましくは０であり；Ｙは、存在すれば、置換または非置換フェニレン、チエン、１，２−エチレンであるか、または１，２−エチニレンであり；Ｒ２およびＲ２’は、独立して水素であるか、あるいはそれぞれが非置換であるか、または置換されたＣ₁−Ｃ₂₅アルキル、Ｃ₃−Ｃ₁₂シクロアルキル、Ｃ₄−Ｃ₂₅アリール、Ｃ₅−Ｃ₂₅アルキルアリールまたはＣ₅−Ｃ₂₅アラルキルから選択される］の化合物と、好適なリチウム有機化合物、好ましくはＬｉ−アルキルまたはＬｉ−アルキルアミドとを反応させる工程と、ｂ）リチウムをＭｇ、ＺｎおよびＣｕから選択される別の金属と場合によって交換する工程と、ｃ）工程（ａ）または（ｂ）で得られた金属中間体と、ＣＯ₂もしくはアルデヒド（付加反応）、または化合物Ｙ’−Ｒ１７もしくはＹ’−Ｒ１８−Ｚ（置換反応）［Ｒ１７およびＲ１８は請求項１に定義されている通りである］である好適な求電子体とを反応させる工程と、場合によってｄ）例えば以上に定義されている１つまたは複数の共役部分Ｙの導入、好適な一価の残基Ｒ１７の間の閉環、Ｒ１７またはＲ１８におけるカルボニルへの付加またはカルボニルの置換などの官能基または置換基の交換または延長によって、工程（ｃ）で得られた生成物を改質する工程とを含む方法。ポリマーを含む、またはポリマーに対応する生成物は、例えば、有機電界効果トランジスタ、集積回路、薄膜トランジスタ、ディスプレイ、ＲＦＩＤタグ、エレクトロまたはフォトルミネセンス素子、ディスプレイ、光起電力またはセンサ素子、電荷注入層、ショットキーダイオード、記憶装置、平坦化層、帯電防止材、導電性基板またはパターン、光導体、あるいは電子写真用途または記録材料における用途の優れた導電性材料である。
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【課題】成膜雰囲気を良好にすることができる成膜装置および成膜方法を提供する。また、当該装置および方法により、特性の良好な膜を形成する。
【解決手段】本発明の成膜装置は、処理室(11)内の基板(S1)上に配置された液体材料(3)に熱処理を施すことにより液体材料を固化する成膜装置であって、処理室内に、基板が搭載されるステージ(15)と、基板を加熱する加熱手段(15a)と、基板を覆うカバー(17)と、を有し、カバーの内部に不活性ガス（Ｎ₂）を供給する第１供給手段(19)と、カバーの内部に不活性ガス以外の他のガスを供給する第２供給手段(40)と、を有する。かかる装置によれば、カバーにより基板上の液体材料が接触し得る雰囲気ガスを制限しつつ加熱処理を行うことができるため、膜中に取り込まれる不純物（例えば、酸素など）を低減することができる。また、他のガスを供給することで他の処理（例えば、酸化処理やドーパントの混入処理）などを同一の装置内で行うことができる。 （もっと読む）

【課題】β相を含むポリフルオレン類等の高分子半導体化合物の薄膜を、効率的に形成できる簡便な製造技術を提供すること。
【解決手段】高分子半導体化合物をその良溶媒に溶解した溶液を作製し、次に、この溶液に弱い極性部位を持つ有機化合物を添加物として添加混合して添加物溶解溶液とし、その後、この添加物溶解溶液を用いた薄膜形成加工法により、直接、β相を有する薄膜を作製することからなるβ相を有する高分子半導体化合物の薄膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】常温ウェットプロセスによる高いキャリア移動度を発現する有機半導体薄膜の製造方法、及当該方法により製造された有機半導体薄膜を有する半導体素子の提供。
【解決手段】以下のステップ：
有機半導体材料である縮合多環芳香族化合物のシート状結晶を液状媒体に分散して分散体を形成し；
得られた分散体を基板上にトランスファした後、前記液状媒体を、８０℃以下の温度で、前記縮合多環芳香族化合物の溶液の形成を経由せずに、前記分散体から除去して、前記基板上に、前記縮合多環芳香族化合物のシート状結晶を積層する；
を含む、基板上への有機半導体薄膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】膜厚の限界まで薄膜化することのできる有機薄膜の形成方法を提供する。
【解決手段】先ず、導電性高分子材料とこの導電性高分子材料の溶解性を高めるための絶縁性の高分子材料からなるドーパントとを溶媒に溶解した溶液を基板Ｗの表面に供給すると共に、当該基板Ｗを回転させ、その遠心力により溶液を展伸させてコロイド粒子の凝集体を基板Ｗの外に飛散させ、前記基板Ｗの表面に１次コロイド粒子の単層からなる塗布膜６を形成する。続いて前記基板Ｗを加熱して前記塗布膜６中の溶媒を除去し、有機薄膜６１を形成する。また前記溶液を基板Ｗの中心部に供給する前に、当該溶液に対して基板Ｗの表面の濡れ性を高めるためにプリウエット液Ｓを供給すると共に、当該基板Ｗを回転させて前記プリウエット液Ｓを基板Ｗの表面に塗布してもよい。 （もっと読む）

【課題】高い移動度を有し光起電力を利用する有機電子デバイス、該デバイスを容易なプロセスで作製する方法を提供する。
【解決手段】従来とは異なる特定の環状構造のビシクロ化合物を溶媒に溶解した溶液を基板上に塗布することにより膜を製膜し、次いで加熱等の外部作用を加えることで、該ビシクロ化合物からエチレン誘導体を脱離させることにより基板上で変換された化合物を有機半導体として用いてなる光起電力を利用する有機電子デバイス、及びその作製方法。 （もっと読む）

【課題】少ない高純度の融液原料で、低コストで、良質で、低欠陥の半導体結晶薄膜を得る半導体結晶薄膜の作製方法の技術を提供する。
【解決手段】Si、GeまたはSiGeからなる半導体融液を、Si、GeまたはSiGeの融点以上の温度に保持し、Si、GeまたはSiGeの単結晶、多結晶、ポーラス結晶のいずれかからなる基板の主面上に、融液から所定量を滴下させて基板の主面上にエピタキシャル成長を行い、Si、GeまたはSiGe結晶の薄膜を基板上に形成する。 （もっと読む）

【課題】物性的に安定し、しかも、製造が比較的容易な有機電子デバイスを提供する。
【解決手段】有機電子デバイスは、（Ａ）微粒子、及び、（Ｂ）微粒子と微粒子とを結合した有機半導体分子から成り、ｐ型としての挙動を示す導電路を具備し、有機半導体分子は、下記の構造式（１）で表されることを特徴とする有機電子デバイス。


但し、構造式（１）中、Ｒ₁，Ｒ₂はアルキル基を表し、Ｍは、２Ｈ，Ｚｎ⁺²，Ｍｇ⁺²，Ｆｅ⁺²，Ｃｏ⁺²，Ｎｉ⁺²，Ｃｕ⁺²を表し，ｎは１乃至５の整数である。 （もっと読む）

【課題】チアゾールを用いる有機半導体化合物、及びチアゾールを用いる有機半導体化合物を有機半導体層に使用する有機薄膜トランジスタ、を提供する。
【解決手段】チアゾールを用いる新規な有機半導体化合物は、液晶性を有し、熱的安定性に優れるため、有機薄膜トランジスタで有機半導体層に提供される。これを達成するために、シリコン基板上にシリコン酸化膜を形成し、シリコン酸化物上にチアゾールを含む有機半導体層を形成する。また、有機半導体層の上部の両側領域にはソース電極及びドレイン電極を形成する。有機半導体層を使用した有機薄膜トランジスタは、改善された点滅比を有し、優れた熱的安定性を有する。また、溶液工程が可能であるという利点がある。 （もっと読む）

【課題】優れた光電変換効率を有する半導体膜形成用塗布液および、色素増感型太陽電池を提供する。
【解決手段】金属酸化物粒子と溶媒、及び下記一般式〔Ｉ〕で表される化合物を含有することを特徴とする半導体膜形成用塗布液。


（式中、Ｒ₁、Ｒ₆はアルキル基、アルケニル基、アリール基、ポリオキシアルキレン鎖を有する基、またポリエステル鎖を有する基を、Ｒ₃、Ｒ₄はそれぞれ水素原子またはアルキル基を表す。Ｒ₂、Ｒ₅は２価の連結基を表し、またｎは１以上の整数を表す。） （もっと読む）

【課題】ポルフィリン及び／又はアザポルフィリンを含有する膜の製造方法、及び、それを用いた電界効果トランジスタ又は光電変換素子等の有機電子素子の製造方法、並びに、移動度に優れたナフタロシアニン膜を提供する。
【解決手段】膜の製造の際に、特定の化学式で表される前駆体化合物の逆ディールスアルダー反応によって、ポルフィリン及び／又はアザポルフィリンに変換し、ポルフィリン及び／又はアザポルフィリンを含有する膜を製造する。 （もっと読む）

【課題】溶液プロセスにより製造可能な、縮合多環芳香族化合物分子の配向が所望の方向に制御された膜厚数百ｎｍ程度の縮合多環芳香族化合物薄膜と、その製造方法を提供する。
【解決手段】縮合多環芳香族化合物と、該縮合多環芳香族化合物を溶解可能な有機化合物との混合溶液を用い、それを基板に塗布し、塗布溶液から前記有機化合物を除去する縮合多環芳香族化合物薄膜の製造方法であって、前記縮合多環芳香族化合物を溶解可能な有機化合物が、カルボン酸化合物の１種または２種以上である方法と、その方法を使用して製造された縮合多環芳香族化合物薄膜。 （もっと読む）

【課題】ソルベント・キャスティングに適する一般的な有機溶媒への溶解度が非常に大きい様々なα−ω置換セクシチオフェンの合成と、その有機薄膜電界効果トランジスタの半導体チャネルとしての使用法を提供する。
【解決手段】末端炭素が様々な極性基で置換されている可溶性セクシチオフェン誘導体が合成され、この様々な極性基は、ホスホン酸エステルやホスホン酸、ホスホネート、カルボン酸、カルボキシレート、アミン、アミド、カルバメート、アルコールなどであり、Ｃ１〜１０のメチレン基によって末端チオフェン環から隔てられている。上記セクシチオフェン誘導体の被膜は半導体構成要素として使用される。これらの有機半導体は一般的な有機溶媒に溶解し、スピン・コーティングやディップ・コーティング、ドロップ・キャスティング、マイクロコンタクト・プリンティング等の、低コストな低温溶液処理で基板表面に塗布される。 （もっと読む）

【課題】有機電界効果トランジスタ単体からなる圧力センサを提供する。
【解決手段】圧力センサ１は、有機半導体からなるチャンネル５と、チャンネル５に接して設けられるゲート絶縁膜３と、ゲート絶縁膜３に接して設けられるゲート電極４と、チャンネル５に接して設けられるソース電極６及びドレイン電極７と、からなるトランジスタ構造を有し、チャンネルが圧力印加部５Ａとなる。有機電界効果トランジスタからなる簡単な構成にでき、有機材料から構成することができるので、大面積の圧力センサを容易に実現することができる。この圧力センサ１は、溶液法により製作することができるので低コストである。 （もっと読む）

本発明は、オキシマートのクラスから少なくとも１個の配位子を含み、アルカリ金属およびアルカリ土類金属を含まない有機金属亜鉛錯体を含む、電子部品のための印刷可能な前駆体、および調整方法に関する。本発明は、さらに、対応するプリント電子部品、好ましくは、電界効果トランジスタに関する。 （もっと読む）

実施形態は、材料の前駆体を含有するインクから形体を印刷することに関する。該材料には、電気的活性な材料、例えば、半導体、金属、又はそれらの組合せのほか、誘電体を含む。該実施形態は印刷されるライン又はその他の形体の形状、輪郭及び寸法をより正確に制御できる改善された印刷工程条件を提供する。該組成物（複数可）及び／又は方法（複数可）は、インク中の成分の粘度及び質量負荷を増大させてピンニング制御を改善する。典型的な方法は、従って、材料の前駆体と溶媒とを含むインクを該基板上にパターンとして印刷するステップと、該前駆体を前記パターンとして沈殿させてピンニングラインを形成するステップと、該ピンニングラインによって画定されている該材料の前駆体の形体を形成するために、該溶媒を十分に蒸発させるステップと、該材料の前駆体を該パターン化材料に転化するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】液体シリコン材料中のＳｉ成分を高効率に利用することができるシリコン膜の形成方法を提供する。
【解決手段】シリコン膜の形成方法は、インクジェット法により、少なくともケイ素化合物および溶媒を含む液体シリコン材料２２の液滴２４を基板１０上に吐出させ、該液滴に光３２を照射する工程を、繰り返し行って膜を形成するものである。 （もっと読む）

本発明は、誘電体層、及び熱分解法酸化亜鉛を含有しかつ誘電体層と結合する層を含む層複合材料に関する。また本発明は、熱分解法酸化亜鉛を誘電体層上に、酸化亜鉛粒子が２００ｎｍ未満の平均凝集体直径で存在する分散液の形で塗布し、かつ酸化亜鉛層を乾燥させ、かつその後に、２００℃未満の温度で処理する、該層複合材料を製造する方法に関する。また本発明は、熱分解法酸化亜鉛を基板層又は基板層複合材料に、酸化亜鉛粒子が２００ｎｍ未満の平均凝集体直径で存在する分散液の形で塗布して、酸化亜鉛層を形成し、かつその後に、酸化亜鉛層及び基板層を２００℃未満の温度で処理し、かつその後に誘電体層を酸化亜鉛層に塗布する、該層複合材料を製造する方法に関する。さらに本発明は、該層複合材料を有する電界効果トランジスタに関する。
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