【課題】撥水性の高い基板上に膜厚のバラツキなく成膜される有機半導体膜の製造方法及びそのような有機トランジスタを提供することを目的とする。
【解決手段】基板上に有機半導体材料を含む溶液を供給し、乾燥させることにより薄膜を形成させる有機半導体膜の形成方法において、基板の水接触角が５０°以上であり、溶液に粒径１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下の絶縁性微粒子を０．１ｗｔ％以上１．０ｗｔ％以下含有することを特徴とする有機半導体膜の製造方法及び有機トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】蒸着法よりも一般に容易な溶液法を用いて、縮合多環芳香族化合物からなる有機半導体層の形成を可能にする新規な付加化合物を提供する。
【解決手段】ジナフトチエノチオフェン等の化合物に、ヘキサクロロシクロペンタジエン等の二重結合を有する化合物が脱離可能に付加されてなる構造を有する新規な付加化合物を提供する。また、このような新規な付加化合物を用いて、有機半導体膜、及び有機半導体デバイスを製造する方法を提供する。また更に、このような新規な付加化合物の合成方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】塗布法によって、Ｉｎ−Ｇａ、Ｉｎ−Ｚｎ、Ｚｎ−Ｇａ、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ、Ｚｎ−Ａｌの酸化物薄膜を、組成ずれを起こさず簡便に形成することの出来る塗布溶液を提供する。
【解決手段】
式（Ｉ）に示すβ−ジケトン錯体であって配位子１つの炭素数が１０以上のＩｎ、Ｇａ、Ａｌ、Ｚｎの単一金属のβ−ジケトン錯体から構成される単一金属のβ−ジケトン錯体を、少なくとも２種以上を含む溶液を塗布溶液に用いる。
【化１】


（式中Ｒ^１、Ｒ^２がそれぞれＣ、Ｈ、Ｎ、Ｏの少なくとも１種以上からなる置換基であり、ＭがＩｎ、Ｇａ、Ｚｎ、Ａｌのいずれかであり、ＭがＩｎ、Ｇａ、Ａｌのいずれかである場合はｎ＝３であり、ＭがＺｎである場合はｎ＝２である） （もっと読む）

【課題】有機半導体として実用上十分に高移動度で、且つ安定した半導体特性を発現することができる有機半導体用混合物、並びに、有機電子デバイスの作製方法及び有機電子デバイスを提供する。
【解決手段】有機半導体材料と下記一般式（Ｉ）で表されるカルボン酸又はそのエステルを含む有機半導体用混合物、並びに、基板上に有機半導体用塗布液を塗布し乾燥させて有機半導体層を形成する有機電子デバイスの作製方法において、有機半導体用塗布液が、有機半導体材料と前記カルボン酸又はそのエステルと溶媒とを含む有機半導体用混合物である有機電子デバイスの作製方法、及び、基板上に有機半導体と前記カルボン酸又はそのエステルを含有する有機半導体層を有する有機電子デバイス。


〔式（Ｉ）中、Ｒ^１及びＲ^２はそれぞれ独立して、水素原子又は置換基を有していてもよい炭素数１〜５０の脂肪族炭化水素基を示す。但し、Ｒ^１とＲ^２の各炭素数の和は５以上である。〕 （もっと読む）

【課題】蒸着法よりも一般に容易な溶液法を用いて、縮合多環芳香族化合物からなる有機半導体層の形成を可能にする新規な有機半導体膜形成用溶液を提供する。
【解決手段】有機溶媒、有機溶媒に溶解している第１の付加化合物、及び有機溶媒に溶解しており且つ第１の付加化合物の結晶化を抑制する結晶化抑制剤を含有している有機半導体膜形成用溶液とする。ここで、第１の付加化合物は、ジナフトチエノチオフェン等の化合物にヘキサクロロシクロペンタジエン等の二重結合を有する化合物が脱離可能に付加されてなる構造を有する。また、結晶化抑制剤は例えば、ジナフトチエノチオフェン等の化合物に二重結合を有する他の化合物が脱離可能に付加されてなる構造を有する。 （もっと読む）

【課題】ｐ型半導体の性能を持つ酸化銅（Ｉ）膜の製造方法および該膜作成用の溶液の製造方法を提供する。
【解決手段】アンモニア、アミン化合物から選ばれる１種以上の化合物と銅アミノポリカルボン酸錯体、銅ポリカルボン酸錯体から選ばれる１種以上の銅のキレート錯体が極性溶媒に溶解している酸化銅膜を形成せしめるに適した溶液を基材表面に塗布した後、不活性ガス中にて３００℃〜７００℃で１分から３時間の熱処理することにより、ｐ型半導体の性能を持つ酸化銅（Ｉ）膜を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】所望の厚みの半導体層を容易にかつ良好に作製することが可能な半導体層用溶液を提供すること。
【解決手段】半導体層形成用溶液は、Ｉ-Ｂ族金属と、含カルコゲン元素含有有機化合物と、ルイス塩基性有機溶剤とを含む。好ましくは、前記Ｉ-Ｂ族金属と前記含カルコゲン元素含有有機化合物とが化学結合しており、前記含カルコゲン元素含有有機化合物と前記ルイス塩基性有機溶剤とが化学結合している。 （もっと読む）

【課題】所望の厚みの半導体層を容易にかつ良好に作製することが可能な半導体層の製造方法および光電変換装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体層の製造方法は、金属元素と、カルコゲン元素含有有機化合物と、第１のルイス塩基性有機化合物と、前記第１のルイス塩基性有機化合物とは異なる構造の第２のルイス塩基性有機化合物と、を具備する半導体層形成用溶液を基板の表面に塗布して前駆体層を作製する工程と、前記前駆体層を熱処理して半導体層３を作製する工程と、を具備する。 （もっと読む）

本発明は、一般式Ｓｉ_aＨ_2a+2（式中、ａ＝３〜１０）の少なくとも１種のヒドリドシランから製造可能な少なくとも１種の高級シランを基板上に塗布し、引き続き熱的に、主にシリコンからなる層に変換し、その際、この高級シランの熱的変換は５００〜９００℃の温度でかつ≦５分の変換時間で行う、基板上にシリコン層を熱的に製造する液相法、前記方法により製造可能なシリコン層及びその使用に関する。 （もっと読む）

【課題】高スループット低資本コストで、半導体材料の薄膜製作を可能にする方法を提供する。
【解決手段】化学式Ｃｕ_２−ｘＺｎ_１＋ｙＳｎ（Ｓ_１−ｚＳｅ_ｚ）_４＋ｑの化合物を含むケステライト膜を堆積する方法を提供する。ここで、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、−１≦ｑ≦１である。本方法は、ヒドラジン、Ｃｕの供給源、並びにＳおよびＳｅの少なくとも一つの供給源を接触させて溶液Ａを形成するステップと、ヒドラジン、Ｓｎの供給源、ＳおよびＳｅの少なくとも一つの供給源、並びにＺｎの供給源を接触させて分散液Ｂを形成するステップと、Ｚｎ含有固体粒子を含む分散液を形成するのに十分な条件の下で、溶液Ａおよび分散液Ｂを混合するステップと、この分散混合液を基板上に塗付し、基板上に分散混合液の薄膜を形成するステップと、ケステライト膜を形成するのに十分な温度、圧力、および時間長でアニールするステップと、を含む。また、上記の方法で形成されたケステライト膜を含むアニール組成物および光起電デバイスを提供する。 （もっと読む）

【課題】その表面だけが配向制御された有機半導体薄膜、プラズマ処理に比べて有機半導体に対する損傷を抑えることが可能な有機半導体の配向制御方法を提供する。
【解決手段】少なくとも一方の表面に配向層を有する有機半導体薄膜、及び有機半導体からなる薄膜に中性粒子ビームを照射することにより有機半導体の配向制御を行う有機半導体薄膜の配向制御方法である。 （もっと読む）

【課題】塗布形成により薄く、かつ深さ方向に焼結が進行した半導体膜を製造することができる半導体膜の製造方法、その方法により得られた半導体膜を有する半導体基板、及び該半導体基板を備えた電子部材を提供する。
【解決手段】基材上に、半導体微粒子分散体を含む塗布液を塗布又はパターン状に印刷して塗布液層を形成した後、この塗布液層を焼成処理して半導体膜を形成する半導体膜の製造方法であって、該半導体微粒子分散体が半導体微粒子とカルボン酸無水物類とを含み、マイクロ波エネルギーの印加により発生する表面波プラズマに該塗布液層を晒すことにより、該塗布液層の焼成処理を行うことを特徴とする半導体膜の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】半導体材料が高分子量であっても、テンプレートを用いた塗り分けを可能とする半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 基板１にゲート絶縁膜２およびソース電極３ｃ，ドレイン電極３ｄを製膜した状態で、基板１表面にパーフルオロアルキル基を有する第１の自己組織化単分子膜（第１ＳＡＭ膜５）を形成した。続いて、第１ＳＡＭ膜５における高分子有機半導体膜を塗布すべき領域５ａをオゾン処理を施すことで削除し、その領域５ａに、フェネチル基を有する第２の自己組織化単分子膜（第２ＳＡＭ膜６）を形成した。続いて、基板１を予め40℃に加熱しておき、40℃に温度制御されたポリ（３−ヘキシルチオフェン）（P3HT）0.5重量パーセントジクロロベンゼン溶液８に基板１を浸漬し、垂直に引き上げることで、薄膜トランジスタを作製した。 （もっと読む）

【課題】 半導体膜を曲げても半導体膜の剥がれが生じにくい可撓性を有した半導体膜の製造方法、当該製造方法によって得られる半導体膜および当該製造方法によって得られる半導体膜を具備してなる色素増感太陽電池を提供することを目的とする。
【解決手段】 第１の導電性基材上に、半導体微粒子とバインダーとを含む溶液を塗布し、該塗布液を乾燥させた後、２０〜４０ＭＰａの圧力を加え、該圧力と並行して１３０〜３００℃の範囲内で加温することにより、半導体層を形成することを特徴とする半導体膜の製造方法。 （もっと読む）

（Ａ）半導体金属酸化物の多孔質層を基材に施す工程、（Ｂ）工程（Ａ）で生じた前記多孔質層を前記半導体金属酸化物の前駆体化合物を含む溶液で処理する工程、（Ｃ）工程（Ｂ）で得られた層を熱的に処理する工程、を少なくとも含み、前記工程（Ｂ）における半導体金属酸化物の前駆体化合物は、対応する金属の、少なくとも３個の炭素原子を有するモノ−、ジ−若しくはポリカルボン酸のカルボン酸塩若しくはモノ−、ジ−若しくはポリカルボン酸の誘導体、アルコキシド、水酸化物、セミカルバジド、カルバメート、ヒドロキサメート、イソシアネート、アミジン、アミドラゾン、尿素誘導体、ヒドロキシルアミン、オキシム、オキシメート、ウレタン、アンモニア、アミン、ホスフィン、アンモニウム化合物、硝酸塩、ニトリル又はアジド、及びこれらの混合物からなる群から選択されることを特徴とする方法。 （もっと読む）

【課題】
反応性の単分子膜で被覆したシリコンナノ微粒子を用いたシリコンペーストを選択的に塗布し、レーザー照射することにより、単分子膜を分解除去し、微粒子から再結晶化されたポリシリコン薄膜を用いてＴＦＴを形成することを特徴とする。
【課題を解決するための手段】
表面に共有結合した第１の反応性官能基を含む有機膜で被われたシリコン微粒子と、表面に共有結合した第２の反応性官能基を含む有機膜で被われたシリコン微粒子を有機溶媒中で混合して第１のシリコン微粒子ペーストを作成する工程と、
前記シリコン微粒子ペーストを基板表面に塗布する工程と、
硬化する工程と、
真空中または不活性ガス雰囲気中でレーザー照射してポリシリコン化する工程により、ｎ（またはｐ）型のポリシリコン薄膜を製造する。
（もっと読む）

【課題】有機半導体の特性低下を招くことなく、ポリシルセスキオキサン薄膜に有機半導体膜を均一に製膜する方法を提供する。
【解決手段】フェニル基修飾コロイダルシリカを含有する有機半導体溶液をポリシルセスキオキサン薄膜上に塗布し、塗膜を乾燥させることを特徴とする、ポリシルセスキオキサン薄膜への有機半導体膜の製膜方法。 （もっと読む）

フッ素化シリルエチニルペンタセン、及びフッ素化シリルエチニルペンタセンを含有する組成物を開示する。フッ素化シリルエチニルペンタセン、及びフッ素化シリルエチニルペンタセンを含有する組成物の製造並びに使用方法も開示する。
（もっと読む）

【課題】本発明は、基板とパターン状モールドとの間隙に、水素化ケイ素化合物およびハロゲン化ケイ素化合物よりなる群から選択される少なくとも１種のシラン化合物を配置する第一の工程と、配置した前記シラン化合物に熱処理および紫外線照射処理から選択される少なくとも１種の処理を施す第二の工程とを含むパターンの形成方法に関する。
【解決手段】上記第二の工程を不活性雰囲気または還元性雰囲気下で行うことによりシリコンからなるパターンを形成することができ、上記第二の工程の少なくとも一部を酸素含有雰囲気下で行うことによりシリコン酸化物からなるパターンを形成することができる。 （もっと読む）

【課題】効率よくドープシリコン膜を生成するシリコン製造装置を提供する。
【解決手段】シクロペンタシラン溶液に、ドーパントをラジカル化するための第１の波長の光と、シクロペンタシランをラジカル化するための第２の波長の光を照射しながらドーパントガスを供給することにより、シクロペンタシランの重合体にドーパントが結合したドープシリコン前駆体を生成するシリコン前駆体生成装置１１３と、ドープシリコン前駆体を含む溶液を基板に塗布する塗布装置１０２と、ドープシリコン前駆体が塗布された基板を焼成することにより、基板上にドープシリコン膜を形成する焼成装置１２５と、を備える。 （もっと読む）