フッ素化シリルエチニルペンタセン化合物及び組成物、並びにその製造及び使用方法
フッ素化シリルエチニルペンタセン、及びフッ素化シリルエチニルペンタセンを含有する組成物を開示する。フッ素化シリルエチニルペンタセン、及びフッ素化シリルエチニルペンタセンを含有する組成物の製造並びに使用方法も開示する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本願は、２００９年５月２９日出願の発明の名称が「ＦＬＵＯＲＩＮＡＴＥＤ ＳＩＬＹＬＥＴＨＹＮＹＬ ＰＥＮＴＡＣＥＮＥ ＣＯＭＰＯＵＮＤＳ ＡＮＤ ＣＯＭＰＯＳＩＴＩＯＮＳ ＡＮＤ ＭＥＴＨＯＤＳ ＯＦ ＭＡＫＩＮＧ ＡＮＤ ＵＳＩＮＧ ＴＨＥ ＳＡＭＥ」である米国仮特許出願第６１／１８２，５６１号に基づく優先権を主張する国際特許出願として出願されるものである。
【０００２】
本発明は、一般的に、フッ素化シリルエチニルペンタセン及びフッ素化シリルエチニルペンタセンを含有する組成物に関する。本発明は更に、一般的に、フッ素化シリルエチニルペンタセンの製造方法及び使用方法、並びにフッ素化シリルエチニルペンタセンを含有する組成物に関する。
【背景技術】
【０００３】
有機ベースのトランジスタで構成される電子デバイスは、無機ベースのトランジスタで構成される電子デバイスと比較した場合に、典型的にはより低コストで製造可能であり、より大きな面積のフォーマットに適用することができる。しかしながら、有機ベーストランジスタは典型的には、性能面で見劣りがするものであった。一般に有機ベーストランジスタでは、小分子又はポリマーを半導体材料として利用している。典型的には、小分子半導体材料は有機溶媒に対する溶解度が低いため、典型的には薄膜を形成するには真空蒸着法を必要とする。有用なデバイスを製造するために多層パターニングを行うには、シャドーマスク又はフォトリソグラフィー法が通常必要とされる。真空蒸着法及びリソグラフィーでは、通常は真空蒸着法及びリソグラフィーを必要としないプロセス（例えば溶液コーティング法）と比較して大幅にコストが嵩むプロセスがしばしば必要とされる。
【０００４】
安価な電子デバイスを製造するためのコスト効率の高い手法の１つとして、以下の例示的なコーティング法、すなわちスピンコーティング、ナイフコーティング、ロール・ツー・ロール・ウェブコーティング、及びディップコーティング、並びにインクジェット印刷、スクリーン印刷、及びオフセットリソグラフィーなどの印刷法のいずれかによって有機半導体材料を塗布することがある。しかしながら、上記したように、多くの有機半導体材料は溶媒に溶けにくいことで有名であり、溶解するものも一般に溶液中で不安定である。不溶性及び不安定性の問題のため、安価な電子デバイスを作製するために上記したような安価なコーティング工程を使用して多くの有機半導体材料を塗布する可能性は限定されている。
【０００５】
６，１３−シリルエチニル置換されたペンタセンに基づいた特定の有機半導体は、（ｉ）有機溶媒に溶解し、（ｉｉ）溶液中で安定であり、（ｉｉｉ）有機電界トランジスタ（ＯＦＥＴ）で高い性能を与えることが示されている。例えば、６，１３−ビス［（トリイソプロピルシラニル）エチニル］ペンタセン（６，１３−ビス［（トリイソプロピルシリル）−エチニル］ペンタセンとも呼ばれ、本明細書では「ＴＩＰＳペンタセン」と呼ぶ）は、（ｉ）有機溶媒に対して一定の溶解度を有し、（ｉｉ）溶液中で一定の安定性を有し、（ｉｉｉ）有機電界トランジスタ（ＯＦＥＴ）で高い性能を与えることが示されている。しかしながら、ＴＩＰＳペンタセンであっても、特定の有機溶媒に対しては溶解度が限定されており、例えば電荷キャリア移動度の値によって測定されるような電子デバイスにおける性能も限定されている。
【０００６】
更に多くの既知のペンタセン化合物は、以下の難点、すなわち、（ｉ）表面を濡らす性質が限定されている、（ｉｉ）疎水性及び／又は疎油性が限定されている、（ｉｉｉ）耐酸化性が限定されている、（ｉｖ）光化学的安定性が限定されている、の１つ以上を有する。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は有機化合物、すなわち以下の性質の１つ以上を有する６，１３−シリルエチニル置換されたペンタセン化合物の発見によって、当該技術分野における幾つかの問題を解決するものである。すなわち、（ｉ）１つ以上の有機溶媒（例えばフッ素化溶媒）に対する高い溶解度、（ｉｉ）所定の有機溶媒（例えばフッ素化溶媒）に取り入れられる際の高い安定性、（ｉｉｉ）表面を濡らす高い性質、（ｉｖ）高い疎水性及び／又は疎油性、（ｖ）高い耐酸化性、（ｖｉ）電子デバイスの電荷キャリア移動度の値によって測定されるような、電子デバイスに組み込まれる際の高い性能、（ｖｉｉ）電子デバイスのエネルギー変換効率によって測定されるような、半導体層として電子デバイスに組み込まれる際の高い性能、及び（ｖｉｉｉ）環境中における装置の電子的特性の経時的な安定性によって測定されるような、半導体層として電子デバイスに組み込まれる際の高い性能。本発明のペンタセン化合物は、電子デバイス及び他のコーティングされた基材の製造においてコーティング可能な組成物中で利用することができる。
【０００８】
本発明は、特定の６，１３−シリルエチニル置換を有するペンタセン化合物に関するものである。例示的な一実施形態では、本発明は下記化学構造を有するペンタセン化合物に関する。
【０００９】
【化１】
【００１０】
（以後、「構造Ａ」とも呼ぶ）
［式中、
Ｒ、Ｒ’及びＲ”はそれぞれ独立して、（ｉ）水素、（ｉｉ）分枝若しくは非分枝、置換若しくは非置換のアルキル基、（ｉｉｉ）分枝若しくは非分枝、置換若しくは非置換のアルケニル基、（ｉｖ）置換若しくは非置換のシクロアルキル基、（ｖ）置換若しくは非置換のシクロアルキルアルキレン基、（ｖｉ）分枝若しくは非分枝、置換若しくは非置換のアルキニル基、（ｖｉｉ）置換若しくは非置換のアリール基、（ｖｉｉｉ）置換若しくは非置換のアリールアルキレン基、（ｉｘ）アセチル基、（ｘ）環内にＯ、Ｎ、Ｓ及びＳｅの少なくとも１つを有する置換若しくは非置換の複素環、（ｘｉ）置換若しくは非置換のエーテル基又はポリエーテル基、又は（ｘｉｉ）置換若しくは非置換のスルホンアミド基を含み；Ｒ、Ｒ’及びＲ”の少なくとも１つが存在し、かつそれが、分枝若しくは非分枝の置換アルキル基、分枝若しくは非分枝の置換アルケニル基、置換シクロアルキル基、置換シクロアルキルアルキレン基、分枝若しくは非分枝の置換アルキニル基、置換アリール基、置換アリールアルキレン基、環内にＯ、Ｎ、Ｓ及びＳｅの少なくとも１つを有する置換複素環、置換エーテル基若しくはポリエーテル基、又は置換スルホンアミド基を含むフッ素化一価ラジカルを含み、該フッ素化一価ラジカルは１以上のフッ素原子を含み、該１以上のフッ素原子は両方のケイ素原子から少なくとも原子３個分又は少なくとも共有結合４つ分だけ離れており、
ｘ、ｙ及びｚはそれぞれ独立して０、１、２又は３に等しく、
（ｘ＋ｙ＋ｚ）＝３であり、かつ、
Ｘはそれぞれ独立して、（ｉ）水素、（ｉｉ）ハロゲン、（ｉｉｉ）分枝若しくは非分枝、置換若しくは非置換のアルキル基、（ｉｖ）置換若しくは非置換のアリール基、（ｖ）分枝若しくは非分枝、置換若しくは非置換のアルケニル基、（ｖｉ）分枝若しくは非分枝、置換若しくは非置換のアルキニル基、（ｖｉｉ）シアノ基、（ｖｉｉｉ）ニトロ基、（ｉｘ）分枝若しくは非分枝、置換若しくは非置換のアルコキシ基を含むか、又は（ｘ）任意の２個の隣り合うＸ基が互いに結合して（ａ）置換若しくは非置換の炭素環、又は（ｂ）置換若しくは非置換の複素環を形成する。］
本発明は更に、（ｉ）Ｒ、Ｒ’、Ｒ”、ｘ、ｙ、ｚ及びＸが上記したものであるような構造Ａを有する少なくとも１種類のペンタセン化合物、及び（ＩＩ）溶媒を含む組成物に関する。本発明の組成物は、少なくとも１種類のペンタセン化合物及び溶媒をそれらのみで、又はポリマー添加剤、レオロジー調整剤、界面活性剤、若しくはこれらの任意の組み合わせなどの１つ以上の更なる組成物成分と組み合わせて含んでもよい。
【００１１】
本発明は更に、少なくとも１つのコーティング可能な表面と、少なくとも１つのコーティング可能な表面上にコーティングされた層とを有する基材であって、コーティング層が、Ｒ、Ｒ’、Ｒ”、ｘ、ｙ、ｚ及びＸが上記したものであるような構造Ａを有するペンタセン化合物を含む基材に関する。例示的な一実施形態では、基材は電子デバイス又は電子デバイス要素を含む。
【００１２】
本発明はまた、Ｒ、Ｒ’、Ｒ”、ｘ、ｙ、ｚ及びＸが上記したものであるような構造Ａを有するペンタセン化合物の製造方法にも関する。
【００１３】
本発明は更に、組成物（例えばインクジェット印刷用組成物）、コーティング、その上にコーティング層を有する基材、電子デバイス要素、及び電子デバイスを形成するために、Ｒ、Ｒ’、Ｒ”、ｘ、ｙ、ｚ及びＸが上記したものであるような構造Ａを有する少なくとも１つのペンタセン化合物を使用する方法に関する。
【００１４】
本発明のこれらの特徴及び利点、並びに他の特徴及び利点は、以下の開示される実施形態の詳細な説明及び付属の「特許請求の範囲」を参照することで明らかとなるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
添付の図面を参照しながら本発明を更に説明する。
【図１】本発明の少なくとも１つのフッ素化ペンタセン化合物を含有する組成物の溶液を成膜することによって形成された半導体層を含む例示的な薄膜トランジスタの断面図。
【図２】本発明の少なくとも１つのフッ素化ペンタセン化合物を含有する組成物の溶液を成膜することによって形成された半導体層を含む別の例示的な薄膜トランジスタの断面図。
【図３】本発明の少なくとも１つのフッ素化ペンタセン化合物を含有する組成物の溶液を成膜することによって形成された半導体層を含む更に別の例示的な薄膜トランジスタの断面図。
【図４】掃引ゲートバイアスの関数としてトランジスタ出力（ＩＤＳ及び（ＩＤＳ）１／２）をプロットした代表的なプロット。
【図５】本発明の異なるフッ素化ペンタセン化合物について約６４３〜６４５ナノメートルに吸収極大を有する標準化吸光度（Ａｔ／Ａｏ）を、各溶液を紫外線（ＵＶ）で照射した時間の関数としてＴＩＰＳ−ペンタセン溶液と比較してプロットした代表的なプロット。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
本発明は、所定の化学構造（本明細書においては「化合物Ａ」とも呼ぶ）を有するフッ素化ペンタセン化合物に関するものである。
【００１７】
【化２】
【００１８】
［式中、
Ｒ、Ｒ’及びＲ”はそれぞれ独立して、（ｉ）水素、（ｉｉ）分枝若しくは非分枝、置換若しくは非置換のアルキル基、（ｉｉｉ）分枝若しくは非分枝、置換若しくは非置換のアルケニル基、（ｉｖ）置換若しくは非置換のシクロアルキル基、（ｖ）置換若しくは非置換のシクロアルキルアルキレン基、（ｖｉ）分枝若しくは非分枝、置換若しくは非置換のアルキニル基、（ｖｉｉ）置換若しくは非置換のアリール基、（ｖｉｉｉ）置換若しくは非置換のアリールアルキレン基、（ｉｘ）アセチル基、（ｘ）環内にＯ、Ｎ、Ｓ及びＳｅの少なくとも１つを有する置換若しくは非置換の複素環、（ｘｉ）置換若しくは非置換のエーテル基又はポリエーテル基、又は（ｘｉｉ）置換若しくは非置換のスルホンアミド基を含み；Ｒ、Ｒ’及びＲ”の少なくとも１つが存在し、かつそれが、分枝若しくは非分枝の置換アルキル基、分枝若しくは非分枝の置換アルケニル基、置換シクロアルキル基、置換シクロアルキルアルキレン基、分枝若しくは非分枝の置換アルキニル基、置換アリール基、置換アリールアルキレン基、環内にＯ、Ｎ、Ｓ及びＳｅの少なくとも１つを有する置換複素環、置換エーテル基若しくはポリエーテル基、又は置換スルホンアミド基を含むフッ素化一価ラジカルを含み、該フッ素化一価ラジカルは１以上のフッ素原子を含み、該１以上のフッ素原子は両方のケイ素原子から少なくとも原子３個分又は少なくとも共有結合４つ分だけ離れており、
ｘ、ｙ及びｚは、それぞれ独立して０、１、２又は３に等しく、
（ｘ＋ｙ＋ｚ）＝３であり、かつ、
Ｘはそれぞれ独立して、（ｉ）水素、（ｉｉ）ハロゲン、（ｉｉｉ）分枝若しくは非分枝、置換若しくは非置換のアルキル基、（ｉｖ）置換若しくは非置換のアリール基、（ｖ）分枝若しくは非分枝、置換若しくは非置換のアルケニル基、（ｖｉ）分枝若しくは非分枝、置換若しくは非置換のアルキニル基、（ｖｉｉ）シアノ基、（ｖｉｉｉ）ニトロ基、（ｉｘ）分枝若しくは非分枝、置換若しくは非置換のアルコキシ基を含むか、又は（ｘ）任意の２個の隣り合うＸ基が互いに結合して（ａ）置換若しくは非置換の炭素環、又は（ｂ）置換若しくは非置換の複素環を形成する。］
本発明のペンタセン化合物を述べるうえで多くの用語が使用される。本明細書中で使用する様々な用語を以下に定義する。
【００１９】
「アルキル基」とは、飽和炭化水素であるアルカンのラジカルである一価の基のことを指す。アルキルは、直鎖状、分枝状、環状、又はこれらの組み合わせであってよく、典型的には１〜３０個の炭素原子を含有する。特定の実施形態では、アルキル基は、４〜３０個、１〜２０個、４〜２０個、１〜１４個、１〜１０個、４〜１０個、４〜８個、１〜８個、１〜６個、又は１〜４個の炭素原子を含有する。アルキル基の例としては、これらに限定されるものではないが、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、第３ブチル、イソブチル、ｎ−ペンチル、ｎ−ヘキシル、シクロヘキシル、ｎ−オクチル、ｎ−ヘプチル、及びエチルヘキシルが挙げられる。
【００２０】
「置換アルキル基」とは、１つ以上の置換基を有するアルキル基のことを指し、１つ以上の置換基はそれぞれ、炭素及び水素以外の１以上の原子を単独で（例えばＦなどのハロゲン）、又は炭素（例えばシアノ基）及び／若しくは水素原子（例えば水酸基又はカルボン酸基）と組み合わせて含有する一価の部分を含む。
【００２１】
「アルケニル基」とは、少なくとも１個の炭素−炭素二重結合を有する炭化水素であるアルケンのラジカルである一価の基のことを指す。アルケニルは、直鎖状、分枝状、環状、又はこれらの組み合わせであってよく、典型的には２〜３０個の炭素原子を含有する。特定の実施形態では、アルケニルは、２〜２０個、２〜１４個、２〜１０個、４〜１０個、４〜８個、２〜８個、２〜６個、又は２〜４個の炭素原子を含有する。例示的なアルケニル基としては、これらに限定されるものではないが、エテニル、プロペニル、及びブテニルが挙げられる。
【００２２】
「置換アルケニル基」とは、（ｉ）１つ以上のＣ−Ｃ二重結合、及び（ｉｉ）１つ以上の置換基を有するアルケニル基のことを指し、１つ以上の置換基はそれぞれ、炭素及び水素以外の１以上の原子を単独で（例えばＦなどのハロゲン）、又は炭素（例えばシアノ基）及び／若しくは水素原子（例えば水酸基又はカルボン酸基）と組み合わせて含有する一価の部分を含む。
【００２３】
「アルキニル基」とは、少なくとも１個の炭素−炭素三重結合を有する炭化水素であるアルキンのラジカルである一価の基のことを指す。アルキニルは、直鎖状、分枝状、環状、又はそれらの組み合わせであってよく、典型的には２〜３０個の炭素原子を含有する。特定の実施形態では、アルキニルは、２〜２０個、２〜１４個、２〜１０個、４〜１０個、４〜８個、２〜８個、２〜６個、又は２〜４個の炭素原子を含有する。例示的なアルキニル基としては、これらに限定されるものではないが、エチニル、プロピニル、及びブチニルが挙げられる。
【００２４】
「置換アルキニル基」とは、（ｉ）１つ以上のＣ−Ｃ三重結合、及び（ｉｉ）１つ以上の置換基を有するアルキニル基のことを指し、１つ以上の置換基はそれぞれ、炭素及び水素以外の１以上の原子を単独で（例えばＦなどのハロゲン）、又は炭素（例えばシアノ基）及び／若しくは水素原子（例えば水酸基又はカルボン酸基）と組み合わせて含有する一価の部分を含む。
【００２５】
「シクロアルキル基」とは、環構造内の３個以上の炭素原子から構成される環構造である一価の基のことを指す（環構造は炭素原子のみからなり、環構造の炭素原子の１個がラジカルである）。
【００２６】
「置換シクロアルキル基」とは、１つ以上の置換基を有するシクロアルキル基のことを指し、１つ以上の置換基はそれぞれ、１以上の原子を含有する一価の部分（例えばＦなどのハロゲン、アルキル基、シアノ基、水酸基、又はカルボン酸基）を含む。
【００２７】
「シクロアルキルアルキレン基」とは、環構造内の３個以上の炭素原子から構成される環構造である一価の基（環構造は炭素原子のみからなる）のことを指し、環構造は非環状アルキル基（典型的には１〜３個の炭素原子、より典型的には１個の炭素原子）に結合し、非環状アルキル基の炭素原子の１個がラジカルである。
【００２８】
「置換シクロアルキルアルキレン基」とは、１つ以上の置換基を有するシクロアルキルアルキレン基のことを指し、１つ以上の置換基はそれぞれ、１以上の原子を含有する一価の部分（例えばフッ素などのハロゲン、アルキル基、シアノ基、水酸基、又はカルボン酸基）を含む。
【００２９】
「アリール基」とは、芳香族炭素環式化合物のラジカルである一価の基を指す。アリールは１個の芳香環を有するか、あるいは芳香環と結合又は縮合した最大で５個の炭素環式環構造を含み得る。他の環構造は、芳香族、非芳香族、又はこれらの組み合わせであり得る。アリール基の例としては、これらに限定されるものではないが、フェニル、ビフェニル、テルフェニル、アンスリル、ナフチル、アセナフチル、アントラキノニル、フェナンスリル、アントラセニル、ピレニル、ペリレニル、及びフルオレニルが挙げられる。
【００３０】
「置換アリール基」とは、１つ以上の置換基を有するアリール基のことを指し、１つ以上の置換基はそれぞれ、１以上の原子を含有する一価の部分（例えばＦなどのハロゲン、アルキル基、シアノ基、水酸基、又はカルボン酸基）を含む。
【００３１】
「アリールアルキレン基」とは、環構造内の５〜１０個の炭素原子から構成される芳香環構造である一価の基（環構造は炭素原子のみからなる）のことを指し、芳香環構造は１以上の炭素原子（典型的には１〜３個の炭素原子、より典型的には１個の炭素原子）を有する非環状アルキル基に結合し、非環状アルキル基の炭素原子の１個がラジカルである。
【００３２】
「置換アリールアルキレン基」とは、１つ以上の置換基を有するアリールアルキレン基のことを指し、１つ以上の置換基はそれぞれ、１以上の原子を含有する１価の部分（例えばＦなどのハロゲン、アルキル基、シアノ基、水酸基、又はカルボン酸基）を含む。
【００３３】
「アセチル基」とは、式−Ｃ（Ｏ）ＣＨ３を有する一価のラジカルのことを指す。
【００３４】
「複素環」とは、環構造内にＯ、Ｎ、Ｓ及びＳｅの少なくとも１つを有する飽和、部分飽和、又は不飽和環構造のことを指す。
【００３５】
「置換複素環」とは、環構造の１つ以上の環員に１つ以上の置換基が結合した複素環のことを指し、１つ以上の置換基はそれぞれ、１以上の原子を含有する一価の部分（例えばＦなどのハロゲン、アルキル基、シアノ基、水酸基、又はカルボン酸基）を含む。
【００３６】
「炭素環」とは、環構造内に炭素のみを含む飽和、部分飽和、又は不飽和環構造のことを指す。
【００３７】
「置換炭素環」とは、環構造の１つ以上の環員に１つ以上の置換基が結合した炭素環のことを指し、該１つ以上の置換基はそれぞれ、１以上の原子を含有する一価の部分（例えばＦなどのハロゲン、アルキル基、シアノ基、水酸基、又はカルボン酸基）を含む。
【００３８】
「エーテル基」とは、Ｒａが分枝又は非分枝のアルキレン、アリーレン、アルキルアリーレン、又はアリールアルキレン炭化水素であり、Ｒｂが分枝又は非分枝のアルキル、アリール、アルキルアリール、又はアリールアルキル炭化水素であるような−Ｒａ−Ｏ−Ｒｂラジカルを指す。
【００３９】
「置換エーテル基」とは、１つ以上の置換基を有するエーテル基のことを指し、１つ以上の置換基はそれぞれ、炭素及び水素以外の１以上の原子を単独で（例えばＦなどのハロゲン）、又は炭素（例えばシアノ基）及び／若しくは水素原子（例えば水酸基又はカルボン酸基）と組み合わせて含有する一価の部分を含む。
【００４０】
「ポリエーテル基」とは、Ｒａ及びＲｂが上記に定義したものであり、ｍが１よりも大きい整数であるような−（Ｒａ−Ｏ）ｍ−Ｒｂラジカルのことを指す。
【００４１】
「置換ポリエーテル基」とは、１つ以上の置換基を有するポリエーテル基のことを指し、１つ以上の置換基はそれぞれ、炭素及び水素以外の１以上の原子を単独で（例えばＦなどのハロゲン）、又は炭素（例えばシアノ基）及び／若しくは水素原子（例えば水酸基又はカルボン酸基）と組み合わせて含有する一価の部分を含む。
【００４２】
「スルホンアミド基」とは、Ｒａ及びＲｂがそれぞれ上記に定義したものであり、Ｒｃがそれぞれ独立して水素、又は分枝又は非分枝のアルキル、アリール、アルキルアリール若しくはアリールアルキル炭化水素であるような−Ｒａ−Ｎ（Ｒｃ）Ｓ（Ｏ）２−Ｒｂラジカルのことを指す。
【００４３】
「置換スルホンアミド基」とは、１つ以上の置換基を有するスルホンアミド基のことを指し、１つ以上の置換基はそれぞれ、炭素及び水素以外の１以上の原子を単独で（例えばＦなどのハロゲン）、又は炭素（例えばシアノ基）及び／若しくは水素原子（例えば水酸基又はカルボン酸基）と組み合わせて含有する一価の部分を含む。
【００４４】
「アルコキシ基」とは、Ｒがアルキル基であるような式−ＯＲの一価の基のことを指す。例としては、これらに限定されるものではないが、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、及びブトキシが挙げられる。
【００４５】
「置換アルコキシ基」とは、１つ以上の置換基を有するアルコキシ基のことを指し、１つ以上の置換基はそれぞれ、炭素及び水素以外の１以上の原子を単独で（例えばＦなどのハロゲン）、又は炭素（例えばシアノ基）及び／若しくは水素原子（例えば水酸基又はカルボン酸基）と組み合わせて含有する１価の部分を含む。
【００４６】
「電荷キャリア移動度の値」とは、電荷キャリアの移動速度を測定するための任意の試験方法によって測定される、印加された単位電場（Ｖ／ｃｍ）当たりの電荷キャリアの移動速度（ｃｍ／ｓ）のことを指し、その測定単位は「ｃｍ２／Ｖ−ｓ」である。
【００４７】
上記の化学構造を有するフッ素化ペンタセン化合物は、以下の性質の少なくとも１つを有することが示されている。すなわち、（ｉ）１つ以上の有機溶媒（例えばフッ素化溶媒）に対する高い溶解度、（ｉｉ）所定の有機溶媒（例えばフッ素化溶媒）に取り入れられる際の高い安定性、（ｉｉｉ）表面を濡らす高い性質、（ｉｖ）高い疎水性及び／又は疎油性、（ｖ）高い耐酸化性、（ｖｉ）電子デバイスの電荷キャリア移動度の値によって測定されるような、電子デバイスに組み込まれる際の高い性能、（ｖｉｉ）電子デバイスのエネルギー変換効率によって測定されるような、半導体層として電子デバイスに組み込まれる際の高い性能、及び（ｖｉｉｉ）環境中における装置の電子的特性の経時的な安定性によって測定されるような、半導体層として電子デバイスに組み込まれる際の高い性能。上記の化学構造のＲ基（すなわちＲ、Ｒ’及びＲ”）及びＸ基を変えることによって、得られるペンタセン化合物を所定の用途（例えば電池装置の半導体層として）に合わせて調整することができる。
【００４８】
例えば、本発明の所定のフッ素化ペンタセン化合物を電子デバイスの半導体層を形成する目的で使用しようとする場合、得られる半導体層の電荷キャリア移動度の値に大きく影響する、二次元のスタッキング性（すなわち個々の分子の二次元のスタッキング性）を示すフッ素化ペンタセン化合物の能力が考慮すべき重要な点となる。所定のスタッキング形態の次元性は、所定の材料の単結晶Ｘ線構造を調べることによって容易に測定することができる。二次元性、すなわち「レンガ積み」状のスタッキング性を示す所定の材料は、芳香族炭素原子間の接点が概ね炭素のファンデルワールス半径（理想的には３．３〜３．６Å）内に存在する４個の最も近接した隣接分子を有することによって特徴付けられる。単純なペンタセン単位を考えると、ペンタセン環の平面よりも上側に２個の芳香族近接隣接分子を、ペンタセン環の平面よりも下側に２個の芳香族近接隣接分子を有するあらゆる材料は、二次元的相互作用すなわち二次元スタッキング性を有するものとして典型的には分類される。一般的に見られる別の例として、ペンタセン環の平面の上下に近接隣接分子が１個のみ存在する一次元的スタッキング性がある。一般に、二次元的なπスタッキング性を有する分子は、電界効果トランジスタ用途において優れた薄膜形態、及び固体状態における高い電荷移動性を示す。同様に、一次元的なπスタッキング性を有する材料は、光起電力デバイスにおいて、電子供与体要素又は電子受容体要素として使用されるかによらず優れた性能を示す。本発明のフッ素化ペンタセン化合物は、一次元的又は二次元的スタッキング性のいずれかを示すように改変することができる。
【００４９】
特定の例示的な実施形態では、フッ素化ペンタセン化合物は、１つ以上のフッ素化一価ラジカルが存在し、該フッ素化一価ラジカルがそれぞれ独立して、分枝若しくは非分枝の置換アルキル基、分枝若しくは非分枝の置換アルケニル基、置換シクロアルキル基、置換シクロアルキルアルキレン基、分枝若しくは非分枝の置換アルキニル基、置換アリール基、置換アリールアルキレン基、環内にＯ、Ｎ、Ｓ及びＳｅの少なくとも１つを有する置換複素環、置換エーテル基若しくはポリエーテル基、又は置換スルホンアミド基を含み、更に該フッ素化一価ラジカルがそれぞれ１以上のフッ素原子を含み、該１以上のフッ素原子がペンタセン化合物の両方のケイ素原子（構造Ａに示される）から少なくとも原子３個分（あるいは例えば３個よりも多く最大で約１８個の任意の数の原子分）、又は少なくとも共有結合４つ分（あるいは例えば４個よりも多く最大で約１９個の任意の数の共有結合分）だけ離れているような構造Ａを有する。
【００５０】
特定の例示的な実施形態では、フッ素化一価ラジカルはそれぞれ独立して、（ｉ）分枝若しくは非分枝の置換アルキル基（例えばフッ素化されたＣ３〜Ｃ１８アルキル基）、（ｉｉ）分枝若しくは非分枝の置換アルケニル基（例えばフッ素化されたＣ３〜Ｃ１８アルケニル基）、（ｉｉｉ）置換シクロアルキル基、（ｉｖ）置換シクロアルキルアルキレン基、（ｖ）分枝若しくは非分枝の置換アルキニル基（例えばフッ素化されたＣ３〜Ｃ１８アルキニル基）、（ｖｉ）置換アリール基、又は（ｖｉｉ）置換アリールアルキレン基を含み、所定のフッ素化一価ラジカルの１以上のフッ素原子が、ペンタセン化合物の両方のケイ素原子（構造Ａに示される）から少なくとも原子３個分又は少なくとも共有結合４つ分だけ離れている。
【００５１】
特定の例示的な実施形態では、フッ素化ペンタセン化合物は、少なくとも１個のフッ素化一価ラジカルが式：
＊−ＣＨ２ＣＨ２Ｒｆ
［式中、Ｒｆは一部（すなわち１以上の水素原子を含有する）又は完全にフッ素化（すなわち水素原子を含有しない）アルキル基、典型的にはＣ１〜Ｃ１６アルキル基である。］を含むような構造Ａを有する。フッ素化アルキル基Ｒｆは、分枝、非分枝、非環状、環状、又はこれらの組み合わせである。アスタリスクは、構造Ａ内のケイ素原子への結合位置を示す。
【００５２】
特定の例示的な実施形態では、フッ素化ペンタセン化合物は、少なくとも１個のフッ素化一価ラジカルが式：
＊−ＣＨ２ＣＨ２ＯＲｆ
［式中、Ｒｆは上記と同様である。］を含むような構造Ａを有する。アスタリスクは、構造Ａ内のケイ素原子への結合位置を示す。
【００５３】
特定の例示的な実施形態では、フッ素化ペンタセン化合物は、少なくとも１個のフッ素化一価ラジカルが式：
＊−（ＣＨ２）ｏＯＲｆ
［式中、Ｒｆは上記と同様であり、ｏは１以上、典型的には１〜５の範囲の整数である。］を含むような構造Ａを有する。アスタリスクは、構造Ａ内のケイ素原子への結合位置を示す。
【００５４】
特定の例示的な実施形態では、フッ素化ペンタセン化合物は、少なくとも１個のフッ素化一価ラジカルが式：
＊−（ＣＨ２）ｐＮ（Ｚ）Ｓ（Ｏ）２Ｒｆ
［式中、Ｒｆは上記と同様であり、ｐは２以上、典型的には２〜５の整数であり、Ｚは、−Ｈ、−ＣＨ３、又は−ＣＨ２ＣＨ３である。］を含むような構造Ａを有する。アスタリスクは、構造Ａ内のケイ素原子への結合位置を示す。
【００５５】
特定の例示的な実施形態では、フッ素化ペンタセン化合物は、少なくとも１個のフッ素化一価ラジカルが式：
＊−ＣＨ２ＣＨ＝ＣＦＲｆ
［式中、Ｒｆは上記と同様である。］を含むような構造Ａを有する。アスタリスクは、構造Ａ内のケイ素原子への結合位置を示す。
【００５６】
特定の例示的な実施形態では、フッ素化ペンタセン化合物は、少なくとも１個のフッ素化一価ラジカルが式：
【００５７】
【化３】
【００５８】
［式中、各Ｒｆは独立して、最大で約１０個の炭素原子（又は最大で約１４個の炭素原子）を有する一部（すなわち１以上の水素原子を含有する）又は完全にフッ素化（すなわち水素原子を含有しない）アルキル基である。］を含むような構造Ａを有する。アスタリスクは、構造Ａ内のケイ素原子への結合位置を示す。
【００５９】
特定の例示的な実施形態では、フッ素化ペンタセン化合物は、少なくとも１個のフッ素化一価ラジカルが式：
【００６０】
【化４】
【００６１】
［式中、Ｒｆはそれぞれ独立して、最大で約１０個の炭素原子（又は最大で約１４個の炭素原子）を有する一部（すなわち１以上の水素原子を含有する）又は完全にフッ素化（すなわち水素原子を含有しない）アルキル基である。］を含むような構造Ａを有する。アスタリスクは、構造Ａ内のケイ素原子への結合位置を示す。
【００６２】
特定の例示的な実施形態では、フッ素化ペンタセン化合物は、少なくとも１個のフッ素化一価ラジカルが式：
【００６３】
【化５】
【００６４】
［式中、ｎ＝０又は１又は２又は３である。］を含むような構造Ａを有する。アスタリスクは、構造Ａ内のケイ素原子への結合位置を示す。
【００６５】
特定の実施形態では、Ｒ、Ｒ’及びＲ”の１つが存在し、かつそれが本明細書で述べるようなフッ素化一価ラジカルを含み、Ｒ、Ｒ’及びＲ”の残りの基が同じか又は異なる部分を含む。Ｒ、Ｒ’及びＲ”の残りの基の１つ以上は水素を含み得るが、より典型的にはＲ、Ｒ’及びＲ”の残りの基はそれぞれ独立して水素以外の一価のラジカルを含む。例えば、特定の実施形態では、Ｒ、Ｒ’及びＲ”の１つが存在し、かつそれが本明細書で述べるようなフッ素化一価ラジカルを含み、Ｒ、Ｒ’及びＲ”の残りの基がそれぞれ独立して同じか又は異なる分枝若しくは非分枝のアルキル基、より典型的には同じ分枝若しくは非分枝のアルキル基を含む。
【００６６】
上記した構造を有する特定の例示的なフッ素化ペンタセン化合物を以下に示す。
【００６７】
【化６】
【００６８】
【化７】
【００６９】
［式中、
Ｉ＝６，１３−ビス（３，３，４，４，５，５，６，６，６−ノナフルオロヘキシルジメチルシリルエチニル）ペンタセン；
ＩＩ＝６，１３−ビス（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，８−トリデカフルオロオクチルジメチルシリルエチニル）ペンタセン；
ＩＩＩ＝６，１３−ビス（３，３，３−トリフルオロプロピルジイソプロピルシリルエチニル）ペンタセン；
ＩＶ＝６，１３−ビス（３，３，４，４，５，５，６，６，６−ノナフルオロヘキシルジイソプロピルシリルエチニル）ペンタセン；
Ｖ＝６，１３−ビス（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，９，９，１０，１０，１０−ヘプタデカフルオロデシルジイソプロピルシリルエチニル）ペンタセン；
ＸＸＶＩＩ＝６，１３−ビス（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，８−トリデカフルオロオクチルジイソプロピルシリルエチニル）ペンタセン；
ＸＸ＝６，１３−ビス（（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，９，１０，１０，１０−ヘキサデカフルオロ−９−トリフルオロメチルデシル）−ジイソプロピルシリルエチニル）ペンタセン；及び
ＸＸＩ＝６，１３−ビス（３，３，４，４，５，５，５−ヘプタフルオロペンチルジイソプロピルシリルエチニル）ペンタセン］。
【００７０】
特定の実施形態では、Ｒ、Ｒ’及びＲ”の１つが存在し、かつそれが本明細書で述べるようなフッ素化一価ラジカルを含み、Ｒ、Ｒ’及びＲ”の残りの基がそれぞれ独立して同じか又は異なる分枝若しくは非分枝のアルキレン基、より典型的には同じ分枝若しくは非分枝のアルキレン基を含む。例えば、上記した例示的な化合物ＩＩＩ、ＩＶ、Ｖ、ＸＸ、ＸＸＩ及びＸＸＶＩＩのそれぞれにおいて、イソプロピルラジカルをイソプロペニルラジカルに置き換えることができる。
【００７１】
他の例示的な実施形態では、フッ素化ペンタセン化合物は、１つ以上のフッ素化一価ラジカルが存在し、少なくとも１つのフッ素化一価ラジカルが、（ｉ）環内にＯ、Ｎ、Ｓ及びＳｅの少なくとも１つを有する置換複素環、置換エーテル基若しくはポリエーテル基、又は置換スルホンアミド基を含み、（ｉｉ）１以上のフッ素原子を含み、該１以上のフッ素原子がペンタセン化合物の両方のケイ素原子（構造Ａに示される）から少なくとも原子３個分、又は少なくとも共有結合４つ分だけ離れており、（ｉｉｉ）前記少なくとも原子３個分（すなわち構造Ａに示される両方のケイ素原子からすべてのフッ素原子を分離する前記少なくとも原子３個分）の少なくとも１個の原子が炭素以外の原子を含むような構造Ａを有する。例えば、特定の例示的な実施形態では、少なくとも３個の原子の少なくとも１個の原子は、スルホンアミド基におけるような窒素又は硫黄を含む。例えば、特定の例示的な実施形態では、少なくとも３個の原子の少なくとも１個の原子は、酸素を含む。
【００７２】
このような構造を有する例示的なフッ素化ペンタセン化合物を下記に示す。
【００７３】
【化８】
【００７４】
［式中、
ＶＩＩ＝６，１３−ビス（（３−ヘプタフルオロイソプロポキシ）プロピルジイソプロピルシリルエチニル）ペンタセン；及び
ＸＸＶＩ＝６，１３−ビス（（Ｎ−メチル−ノナフルオロブチルスルホンアミドプロピル）ジイソプロピルシリルエチニル）ペンタセン］。
【００７５】
特定の例示的な実施形態では、フッ素化ペンタセン化合物は、Ｒ、Ｒ’及びＲ”が共に、（ｉ）１つ以上の本明細書で述べるようなフッ素化一価ラジカルなどの少なくとも１個のフッ素化一価ラジカルを、（ｉｉ）少なくとも１個のＣ１〜Ｃ８アルキル基、（ｉｉｉ）少なくとも１個のＣ３〜Ｃ８シクロアルキル基、（ｉｖ）少なくとも１個のＣ２〜Ｃ８アルケニル基、又は（ｖ）Ｃ１〜Ｃ８アルキル基とＣ３〜Ｃ８シクロアルキル基若しくはＣ２〜Ｃ８アルケニル基との組み合わせ、と組み合わせて含むような構造Ａを有する。他の例示的な実施形態では、フッ素化ペンタセン化合物は、Ｒ、Ｒ’及びＲ”が共に、（ｉ）１つ以上の本明細書で述べるようなフッ素化一価ラジカルなどの１個のフッ素化一価ラジカルを、（ｉｉ）２個のＣ１〜Ｃ８アルキル基、（ｉｉｉ）２個のＣ３〜Ｃ８シクロアルキル基（例えば２個のシクロプロピル基、２個のシクロブチル基、若しくは２個のシクロペンチル基）、又は（ｉｖ）２個のＣ２〜Ｃ８アルケニル基と組み合わせて含むような構造Ａを有する。
【００７６】
特定の例示的な実施形態では、フッ素化ペンタセン化合物は、Ｒ、Ｒ’及びＲ”が共に、（ｉ）１つ以上の本明細書で述べるようなフッ素化一価ラジカルなどの少なくとも１個のフッ素化一価ラジカルを、（ｉｉ）少なくとも１個のイソプロピル基、（ｉｉｉ）少なくとも１個のイソプロペニル基、又は（ｉｖ）イソプロピル基及びイソプロペニル基と組み合わせて含むような構造Ａを有する。特定の例示的な実施形態では、フッ素化ペンタセン化合物は、Ｒ、Ｒ’及びＲ”が共に、（ｉ）１つ以上の本明細書で述べるようなフッ素化一価ラジカルなどの少なくとも１個のフッ素化一価ラジカルを、（ｉｉ）少なくとも１個のイソプロピル基と組み合わせて含むような構造Ａを有する。特定の例示的な実施形態では、フッ素化ペンタセン化合物は、Ｒ、Ｒ’及びＲ”が共に、（ｉ）１つ以上の本明細書で述べるようなフッ素化一価ラジカルなどの少なくとも１個のフッ素化一価ラジカルを、（ｉｉ）少なくとも１個のイソプロペニル基と組み合わせて含むような構造Ａを有する。
【００７７】
特定の例示的な実施形態では、フッ素化ペンタセン化合物は、ｚ＝０（すなわちケイ素原子に結合した少なくとも２個の基が同じである）であり、かつＲ、Ｒ’及びＲ”が共に、（ｉ）１つ以上の本明細書で述べるようなフッ素化一価ラジカルなどの少なくとも１個のフッ素化一価ラジカルを、（ｉｉ）２個のイソプロピル基又は２個のイソプロペニル基と組み合わせて含むような構造Ａを有する。
【００７８】
上記に示されるように、本明細書のフッ素化ペンタセン化合物の多くは、ｚ＝０（すなわちケイ素原子に結合した少なくとも２個の基が同じである）であるような構造Ａを有するフッ素化ペンタセン化合物を含む。ｚ＝０（すなわちケイ素原子に結合した少なくとも２個の基が同じである）であるような本発明の他の例示的なフッ素化ペンタセン化合物を下記表１に示す。
【００７９】
【表１】
【００８０】
表１には示されていないが、本発明の他のペンタセン化合物は、ケイ素原子に結合した少なくとも１個のＲ基が、置換若しくは非置換のフラニル基、置換若しくは非置換のピロリル基、置換若しくは非置換のチエニル基、又は置換若しくは非置換のセレノフェニル基などの環内にＯ、Ｎ、Ｓ及びＳｅの少なくとも１つを有する置換若しくは非置換の複素環を含むような構造Ａを有し得る点には注意を要する。
【００８１】
上記したフッ素化ペンタセン化合物のすべてにおいて、Ｒ、Ｒ’及び／又はＲ”の１つ以上が１つ以上の置換基で置換されていてよい。上記したＲ、Ｒ’及び／又はＲ”基に好適な置換基としては、これらに限定されるものではないが、ハロゲン、水酸基、アルキル基、シアノ基、アミノ基、カルボニル基、アルコキシ基、チオアルコキシ基、ニトロ基、カルボン酸基、カルボン酸エステル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロアリール基、又はこれらの組み合わせが挙げられる。アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、エーテル基、及びスルホンアミド基の典型的な置換基としては、これらに限定されるものではないが、−Ｆ、−ＯＨ、−ＯＣＨ３、−ＣＮ、及び−ＣＯＯＨが挙げられる。シクロアルキル基、シクロアルキレン基、アリール基、アリールアルキレン基、アセチル基、及び環内にＯ、Ｎ、Ｓ及びＳｅの少なくとも１つを有する複素環（すなわち芳香族又は非芳香族複素環）の典型的な置換基としてはこれらに限定されるものではないが、−Ｆ、−ＯＨ、−ＯＣＨ３、−ＣＮ、及び−ＣＯＯＨが挙げられる。
【００８２】
更に、上記した例示的なフッ素化ペンタセン化合物のすべてにおいて、ペンタセン環は１つ以上の上記した置換基Ｘを更に有し得る。１つ以上の置換基Ｘを利用することによって所定のペンタセン化合物を所定の用途に合わせて更に調整することができる。例えば、１つ以上の置換基Ｘを利用することによって、（１）二次元的スタッキング性を示す所定のペンタセン化合物の性質を更に高め、（２）所定のペンタセンの特定の溶媒（例えばフッ素化溶媒）に対する溶解度を高め、（３）所定のペンタセンの特定の溶媒（例えば非フッ素化溶媒）に対する溶解度を低下させ、（４）所定のペンタセンの耐熱性を高め、（５）溶液中又は固体状態での特定のペンタセンの耐酸化性を高め、（６）所定のペンタセンとポリマー又は他の半導体とのブレンドの形態を変化させる、といった１つ以上の更なる効果を得ることができる。
【００８３】
特定の例示的な実施形態では、上記したペンタセン化合物のすべてを含む本発明のフッ素化ペンタセン化合物は、各Ｘが独立して（ｉ）水素、（ｉｉ）ハロゲン、又は（ｉｉｉ）分枝若しくは非分枝、置換若しくは非置換のアルキル基を含むような１つ以上の置換基Ｘを更に含む。例示的な置換基Ｘとしてはこれらに限定されるものではないが、（ｉ）フッ素、（ｉｉ）アルキル基（例えばメチル基）、又は（ｉｉｉ）ペルフルオロアルキル基（例えばトリフルオロメチル基）が挙げられる。
【００８４】
特定の例示的な実施形態では、上記したペンタセン化合物のすべてを含む本発明のフッ素化ペンタセン化合物は、少なくとも１個のＸがハロゲン、望ましくはフッ素を含むような１つ以上の置換基Ｘを更に含む。特定の例示的な実施形態では、上記したペンタセン化合物のすべてを含む本発明のフッ素化ペンタセン化合物は、少なくとも１個のＸがメチル基又はトリフルオロメチル基などの分枝又は非分枝、置換又は非置換のアルキル基を含むような１つ以上の置換基Ｘを更に含む。
【００８５】
特定の例示的な実施形態では、上記したペンタセン化合物のすべてを含む本発明のフッ素化ペンタセン化合物は、少なくとも２個の隣り合うＸ基が結合して（ａ）置換若しくは非置換の炭素環、又は（ｂ）置換若しくは非置換の複素環を形成するような１つ以上の置換基Ｘを更に含む。特定の実施形態では、２個の隣り合うＸ基が結合してペンタセン核のいずれか一方の末端環と縮合した置換若しくは非置換の非芳香族性の、炭素環であるか又は酸素、窒素、硫黄、又はセレンから選択される１又は２個のヘテロ原子を含む５〜７員環を形成する。
【００８６】
１つ以上の置換基Ｘが−Ｈ（水素）以外のものである特定の例示的なフッ素化ペンタセン化合物としては、これらに限定されるものではないが、以下の化合物が挙げられる。
【００８７】
【化９】
【００８８】
［式中、
ＸＸＩＩ＝６，１３−ビス（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，９，９，１０，１０，１０−ヘプタデカフルオロデシルジイソプロピルシリル−エチニル）−２，３，９，１０−テトラメチルペンタセン；
ＸＸＩＩＩ＝６，１３−ビス（３，３，４，４，５，５，６，６，６−ノナフルオロヘキシルジイソプロピルシリルエチニル）−２，３，９，１０−テトラ−メチルペンタセン；
ＸＸＩＶ＝６，１３−ビス（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，９，９，１０，１０，１０−ヘプタデカフルオロデシルジイソプロピルシリル−エチニル）−２−ペンタフルオロエチルペンタセン；及び
ＸＸＶ＝６，１３−ビス（３，３，４，４，５，５，６，６，６−ノナフルオロヘキシルジイソプロピルシリルエチニル）−１−フルオロペンタセン］。
【００８９】
本発明は更に、（Ｉ）１つ以上の上記したフッ素化ペンタセン化合物、及び（ＩＩ）溶媒を含む組成物に関する。本発明の組成物を形成するのに好適な典型的な溶媒としてはこれらに限定されるものではないが、ケトン、芳香族炭化水素、フッ素化溶媒などの有機溶媒が挙げられる。好適な溶媒としてはこれらに限定されるものではないが、トルエン、エチルベンゼン、ブチルベンゼン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、テトラヒドロフラン、イソホロン、アニソール、テトラヒドロナフタレン、ブチルシクロヘキサン、及びシクロヘキサノンが挙げられる。溶媒のブレンドもまた利用することができる。好適な溶媒のブレンドとしてはこれらに限定されるものではないが、デカンとブレンドされたアニソール、及びデカンとブレンドされたブチルベンゼンが挙げられる。
【００９０】
例示的な一実施形態では、組成物は１つ以上の上記したフッ素化ペンタセン化合物、及びヘキサフルオロベンゼン、オクタフルオロトルエン、（トリフルオロメチル）ベンゼン、１，３−ビス（トリフルオロメチル）−ベンゼン、１，３，５−トリス（トリフルオロメチル）ベンゼン、（トリフルオロメトキシ）ベンゼン、３−（トリフルオロ−メチル）アニソール、２，３，４，５，６−ペンタフルオロアニソール、２，３，５，６−テトラフルオロアニソール、ペンタフルオロ−ベンゾニトリル、２，３，４，５，６−ペンタフルオロトルエン、２，２，２−トリフルオロアセトフェノン、２’，４’，５’−トリフルオロアセトフェノン、２’−（トリフルオロメチル）アセトフェノン、及び３’−（トリフルオロメチル）−アセトフェノンなどのフッ素化溶媒を含む。組成物は、フッ素化溶媒及び非フッ素化有機溶媒を含む溶媒混合物を含んでもよい。
【００９１】
特定の組成物は、上記したフッ素化ペンタセン化合物、フッ素化溶媒、場合に応じて用いられる非フッ素化溶媒、並びに、ペルフルオロアルカン、ペルフルオロシクロアルカン（例えばペルフルオロデカリン）、ペルフルオロヘテロアルカン（例えばペルフルオロトリブチルアミン及びペルフルオロポリエーテル）、ペルフルオロヘテロシクロアルカン（例えばペルフルオロ（ブチルテトラヒドロフラン））、及びフッ素化エーテル又はポリエーテル（例えば３−エトキシ−１，１，１，２，３，４，４，５，５，６，６，６−ドデカフルオロ−２−トリフルオロメチル−ヘキサン及び２Ｈ−ペルフルオロ−５，８，１１−トリメチル−３，６，９，１２−テトラオキサペンタデカン）などの別のフッ素化された液体を含み得る。これらのフッ素化された液体が添加される場合、フッ素化された液体はしばしば組成物の表面張力を低下させ、各種の基材表面の表面における濡れを促進する。これらのフッ素化された液体は、フッ素化ペンタセン化合物の良好な溶媒としては機能しない場合もある。
【００９２】
典型的には、１つ以上の上記したフッ素化ペンタセン化合物は、所定の組成物中に組成物の全重量に対して少なくとも０．１重量％の濃度で存在する。組成物中のフッ素化ペンタセン化合物の濃度の上限値は、電子デバイスの製造時におけるような基材への塗布時の組成物の温度における特定の溶媒に対するその化合物の溶解度の限界値にしばしば近い値である。本発明の典型的な組成物は、上記したフッ素化ペンタセン化合物の１つを、約０．１重量％〜約５．０重量％、より典型的には約０．５重量％〜約３．０重量％の範囲の濃度で含む。
【００９３】
特定の実施形態では、本発明の組成物は上記したフッ素化ペンタセン化合物の少なくとも１つ及び溶媒を含む。他の実施形態では、本発明の組成物は、上記したフッ素化ペンタセン化合物の少なくとも１つ及び溶媒を、１つ以上の更なる組成物成分と組み合わせて含む。好適な更なる組成物成分が添加される場合、更なる組成物成分としてはこれらに限定されるものではないが、ポリマー添加剤、レオロジー調整剤、界面活性剤、フッ素化ペンタセンの相補的な電子移動パートナーである別の半導体、又はこれらの組み合わせが挙げられる。特定の例示的な実施形態では、本組成物には、ポリスチレン、ポリ（α−メチルスチレン）、ポリ（ペンタフルオロスチレン）、ポリ（メチルメタクリレート）、ポリ（４−シアノメチルスチレン）、ポリ（４−ビニルフェノール）、又は米国特許出願公開第２００４／０２２２４１２（Ａ１）号若しくは同第２００７／０１４６４２６（Ａ１）号（これらの発明の主題をその全容にわたって本願に援用する）に開示される他の任意の好適なポリマーからなる群から選択されるポリマー添加剤が含まれる。特定の望ましい実施形態では、ポリマー添加剤には、ポリスチレン、ポリ（α−メチルスチレン）、ポリ（ペンタフルオロスチレン）、又はポリ（メチルメタクリレート）が含まれる。特定の例示的な実施形態では、本組成物には、界面活性剤又はフッ素化界面活性剤から選択される界面活性剤が含まれる。
【００９４】
含まれる場合、更なる組成物成分（すなわちフッ素化ペンタセン化合物以外の成分）はそれぞれ、組成物の全重量に対して０〜約５０重量％の量で独立して含まれる。典型的には、更なる組成物成分（すなわちフッ素化ペンタセン化合物以外の成分）はそれぞれ、組成物の全重量に対して約０．０００１〜約１０．０重量％の範囲の量で独立して含まれる。例えば、ポリマー添加剤（例えばポリスチレン）が組成物に含まれる場合、ポリマー添加剤は、組成物の全重量に対して典型的には０〜約５．０重量％、より典型的には約０．５〜約３．０重量％の量で含まれる。例えば、界面活性剤が組成物に含まれる場合、界面活性剤は、組成物の全重量に対して典型的には０〜約１．０重量％、より典型的には約０．００１〜約０．５重量％の量で含まれる。
【００９５】
特定の実施形態では、得られる組成物が、従来のコーティング法によって基材上に組成物をコーティングすることができるような組成物としての性質（例えば組成物安定性、粘性など）を有することが望ましい。好適な従来のコーティング法としては、これらに限定されるものではないが、スピンコーティング、ナイフコーティング、ロール・ツー・ロール・ウェブコーティング、及びディップコーティング、並びにインクジェット印刷、スクリーン印刷、及びオフセットリソグラフィーなどの印刷法が挙げられる。望ましい一実施形態では、得られる組成物は印刷可能な組成物であり、更により望ましくはインクジェット印刷可能な組成物である。
【００９６】
上記した組成物は基材上にコーティングすることができる。得られる基材は、少なくとも１つのコーティング可能な表面と、該少なくとも１つのコーティング可能な表面上のコーティング層とを有し、コーティング層はＲ、Ｒ’、Ｒ”、ｘ、ｙ、ｚ及びＸが上記したものであるような構造Ａを有するフッ素化ペンタセン化合物を含む。上記したように、コーティング層は更に、少なくとも１つの上記したフッ素化ペンタセン化合物以外の１つ以上の更なる組成物成分を含んでもよい。
【００９７】
本発明の組成物は各種の基材上にコーティングすることができる。好適な基材としてはこれらに限定されるものではないが、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、及びポリイミドなどのポリマーフィルム、並びにシリカ、アルミナ、シリコンウェーハ、及びガラスなどの無機基材が挙げられる。所定の基材の表面は、例えばその表面に固有の化学官能基をシランなどの化学試薬と反応させたり、あるいは表面をプラズマに曝露するといった処理を行うことによって表面特性を改変することができる。例示的な一実施形態では、基材は電子デバイス又は電子デバイス要素を含む。例えば、本発明の組成物を基材上にコーティングすることによって、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、光電池、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）、又はセンサなどの電子デバイスの半導体層を形成することができる。
【００９８】
基材表面にコーティングした時点で、コーティング層中の溶媒を除去して半導体層を形成する。任意の好適な方法を使用して、コーティング層中の溶媒を除去する（すなわち乾燥又は蒸発させる）ことができる。例えば溶媒は蒸発によって除去することができる。典型的には、半導体層を形成するためには溶媒の少なくとも約８０％を除去する。例えば、溶媒の少なくとも８５重量％、少なくとも９０重量％、少なくとも９２重量％、少なくとも９５重量％、少なくとも９７重量％、少なくとも９８重量％、少なくとも９９重量％、又は少なくとも９９．５重量％を除去する。
【００９９】
溶媒はしばしば任意の好適な温度で蒸発させることができる。特定の方法では、溶媒混合物を周囲温度（すなわち、コーティング工程が行われる部屋又は設備の温度で）蒸発させる。他の方法では、溶媒混合物を周囲温度よりも高い又は低い温度で蒸発させる。例えば、基材を支持するプラテンを周囲温度よりも高い又は低い温度に加熱又は冷却することができる。更に他の方法では、溶媒混合物の一部又は大部分を室温で蒸発させ、残りの溶媒を周囲温度よりも高い温度で蒸発させることができる。溶媒混合物を室温より高い温度で蒸発させる方法では、窒素雰囲気などの不活性雰囲気下で蒸発を行うことができる。
【０１００】
また、真空の使用など、低圧（すなわち大気圧より低い圧力）を作用させることによって溶媒を除去することもできる。低圧を作用させる際、溶媒は上記したような任意の適当な温度で除去することができる。
【０１０１】
コーティング層からの溶媒の除去速度は得られる半導体層に影響し得る。例えば除去プロセスが速すぎると、結晶化の際に半導体分子の充填不良が起こりやすくなる。半導体分子の充填不良は、半導体層の電気的性能を低下させ得る。溶媒は、制御しない条件（すなわち時間的制約がない）下で自然に完全に蒸発させるか、又は蒸発の速度を調節するために条件を制御することができる。充填不良を最小に抑えるため、コーティング層を被覆することによって蒸発速度を遅くしつつ溶媒を蒸発させることができる。このような条件によって比較的結晶度の高い半導体層が形成され得る。
【０１０２】
所望の量の溶媒を除去して半導体層を形成した後、熱又は溶媒蒸気（すなわち熱アニーリング若しくは溶媒アニーリングによる）に半導体層を曝露することによってアニールすることができる。
【０１０３】
本発明の例示的な電子デバイスは、上記したフッ素化ペンタセンを基材上に成膜することによって製造することができる。フッ素化ペンタセンの成膜は、気相蒸着（例えば真空蒸着）、ペンタセンの溶融物の塗布又はコーティング、又は溶液コーティング及び印刷プロセスなどの任意の手段によって行うことができる。
【０１０４】
本発明の例示的な電子デバイスは、図１に示されるようなトップコンタクト／ボトムゲート型のＴＦＴの構造を有し得る。図１に示されるように、例示的な電子デバイス１０は、基材１１、ゲート電極１６、誘電体層１２、半導体層１３、ソース電極１４、及びドレイン電極１５を含む。例示的な電子デバイス１０の基材１１、ゲート電極１６、誘電体層１２、ソース電極１４、及びドレイン電極１５を形成するための材料は、ＴＦＴ電子デバイスを形成するために典型的には使用される任意の材料であってよい。
【０１０５】
基材１１を形成するうえで適当な材料としては、これらに限定されるものではないが、ガラス、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、及びポリイミドが挙げられる。誘電体層１２を形成するうえで適当な材料としては、これらに限定されるものではないが、ポリ（４−ビニルフェノール）、ポリ（メチルメタクリレート）、及びポリ（４−シアノメチルスチレン）などの各種のポリマーの任意のものが含まれ、これらは典型的には溶液から成膜されるが、官能性モノマー及び／又はオリゴマーと硬化剤とを含有する配合物を硬化させることによって定位置に形成することもできる。誘電体層１２は、これらに限定されるものではないが、誘電体層１２の誘電率を高める機能を有するＢａＴｉＯ３、ＳｉＯ２、ＺｒＯ２などの無機充填剤を更に含んでもよい。
【０１０６】
半導体層１３を形成するうえで好適な材料には、上記した本発明の組成物が含まれる。ゲート電極１６、ソース電極１４、及びドレイン電極１５のそれぞれを形成するうえで好適な材料としては、これらに限定されるものではないが、カーボンナノチューブ、スルホン化ポリスチレンをドープしたポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＯＴ）、ポリアニリン（ＰＡＮＩ）、金、銀、アルミニウム、銅、チタン、パラジウム、白金、クロム、及びこれらのブレンド（例えば各種の電極材料のブレンド、合金、多層複合体）が挙げられる。
【０１０７】
特定の場合では、基材１１、ゲート電極１６、及び誘電体層１２は、熱酸化物を有する高濃度ドープしたｎ型シリコンウェーハ（例えばＮｏｅｌ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ，Ｉｎｃ．（カリフォルニア州キャンベル）より市販されるもの）であり、その場合、高濃度ドープしたｎ型シリコンウェーハが基材及びゲート電極の両方として機能し、熱酸化物が誘電体層として機能する。
【０１０８】
特定の例示的実施形態では、以下の層、すなわち、ゲート電極１６、誘電体層１２、半導体層１３、ソース電極１４、及びドレイン電極１５のうちの１つ以上のものが印刷可能（例えばインクジェット印刷可能）な層である。例えば、誘電体層１２、ゲート電極１６、ソース電極１４、及びドレイン電極１５を形成するうえで好適な印刷可能な組成物が、現在米国特許第７，４９８，６６２号となっている米国特許出願公開第２００７０１１４５１６（Ａ１）号に開示されている（その発明の主題をその全容にわたって本願に援用する）。
【０１０９】
本発明の電子デバイスは、上記したフッ素化ペンタセン化合物の少なくとも１つを含むことが望ましい。このような電子デバイスは、例えば図２の例示的なデバイス２０に示されるような以下の特定のトップコンタクト／ボトムゲート型のＴＦＴ構造を有し得る。すなわち、ゲート電極層１６を覆って配置された熱酸化物（ＳｉＯ２）層としての第１の誘電体層１２ａを有する、高濃度にｎ型ドープされたシリコンウェーハを含むゲート電極層１６（例えばＮｏｅｌ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ，Ｉｎｃ．（カリフォルニア州キャンベル）より市販される高濃度にｎ型ドープされたシリコンウェーハ）；ＳＡＲＴＯＭＥＲ（商標）ＳＲ−３６８（Ｓａｒｔｏｍｅｒ Ｃｏｍｐａｎｙ Ｉｎｃ．（ペンシルベニア州エクストン））（約８．５重量％）、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン（ＯＳｉ Ｓｐｅｃｉａｌｔｉｅｓ（ウェストバージニア州サウスチャールストン）より販売されるＳＩＬＱＵＥＳＴ（登録商標）Ａ−１７４シラン）で表面処理され、その発明の主題をその全容にわたって本願に援用する米国特許出願第１１／７７１，７８７号（現在米国特許出願公開第２００９／０００４７７１号として公開）、及び米国特許出願第１１／７７１，８５９号（現在米国特許出願公開第２００９／０００１３５６号として公開）の開示にしたがって形成されたジルコニア粒子（例えばそれぞれの出願の「調製例１−誘電体インク」を参照）（約４０．０重量％）、ＩＲＧＡＣＵＲＥ（商標）１８４光開始剤（Ｃｉｂａ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ（デラウェア州ニューポート））（約１．５重量％）、及びイソホロン（Ｓｉｇｍａ−Ａｌｄｒｉｃｈ（ウィスコンシン州ミルウォーキー））（約５０．０重量％）からなるポリマー誘電体組成物を含む第２の誘電体層１２ｂ；上記したフッ素化ペンタセン化合物の少なくとも１つ（約２．０重量％）、ポリスチレン（Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｓｏｕｒｃｅ Ｉｎｃ．（モントリオール、カナダ））（約１．０重量％）、及びブチルベンゼン（Ｓｉｇｍａ−Ａｌｄｒｉｃｈ（ウィスコンシン州ミルウォーキー））（約９７．０重量％）からなる組成物で形成された半導体層１３；金を含むソース電極１４；並びに、金を含むドレイン電極１５。
【０１１０】
本発明の他の例示的な電子デバイスは、図３に示されるような構造を有し得る。図３に示されるように、例示的な電子デバイス３０は、ゲート電極１６、誘電体層１２、ソース電極１４、ドレイン電極１５、及び少なくとも１つの本発明のフッ素化ペンタセン化合物を含む半導体層１３を有する。
【０１１１】
上記したフッ素化ペンタセン化合物を本発明の組成物又は電子デバイスに添加することによって以下の１つ以上の効果が得られると考えられる。
【０１１２】
（１）本発明のフッ素化ペンタセン化合物のいずれかを添加しない同様の半導体層と比較して、より多くの半導体が、表面から離れる方向すなわち表面のＸＹ平面から外れる方向（すなわちＺ方向）ではなく、表面に沿って横方向（すなわちＸＹ平面内）に堆積及び結晶化する。
【０１１３】
（２）半導体が、（ｉ）表面とポリマーとの間の界面、又は（ｉｉ）空気とポリマーの界面に存在するような形態となる（前者の場合、表面がゲート誘電体である場合にボトムゲート型ＴＦＴに好ましい形態となる。後者の場合、ゲート誘電体を有機半導体上に更に成膜することによってトップゲート型ＴＦＴの構造に有利な形態となる）。
【０１１４】
（３）本発明のフッ素化ペンタセン化合物のいずれかを添加しない同様の半導体によって得られるものと比較して表面を濡らす溶液の性能が向上する。
【０１１５】
（４）単独で、又はフッ素化界面活性剤若しくは他のフッ素化液と組み合わせた場合に極めて低い表面張力を有するために、炭化水素及びフルオロカーボン表面を含む低エネルギー表面のような表面に対する優れた濡れ性を与えるフッ素化溶媒に対する溶解度又は分散性が向上する。
【０１１６】
（５）高い疎水性及び／又は疎油性により、水分及び有機溶媒から電子デバイスが保護される。
【０１１７】
（６）組成物又は電子デバイスが酸化を受けにくくなる。
【０１１８】
（７）組成物又は電子デバイスの光化学的安定性が向上する。
【０１１９】
上記した本発明のフッ素化ペンタセン化合物は、Ｒ、Ｒ’及びＲ”置換基の所望の組み合わせを有する置換シリルアセチレンを形成する工程と、次いでこの置換シリルアセチレンを６，１３−ペンタセンキノンと反応させる工程とを含む方法によって調製することができる。Ｒ、Ｒ’及びＲ”置換基の所望の組み合わせを有する置換シリルアセチレンを形成する工程は、これらに限定されるものではないが、２置換クロロシラン（例えばクロロジイソプロピルシラン）上の不安定基（典型的にはハロゲン）をトリメチルシリルアセチレン基で置換し、次いで多くの既知の変換反応のいずれか（例えばジクロロメタンなどの溶媒中でＮ−ブロモスクシンイミドで処理するなど）によってシラニル水素をハロゲンに変換し、次いでこの新たに生成した不安定基を第３の置換基（例えばフッ素化一価ラジカル）によって置換する第１の置換反応などの多くの反応工程を含み得る。また、フルオロアルキルトリクロロシランの１個の不安定基をアルキン（例えばトリメチルシリル置換アセチレン）で置換し、次いで残りのハロゲンを他の置換基（例えばイソプロピル基）で置換してもよい。次いで弱塩基性条件下でトリメチリルシリル基を選択的に除去することで、所望の末端アセチレンが生成される。第３の代替法では、市販のフルオロアルキルジアルキルシリル塩化物の塩素置換基を末端アセチリドによって置換することで、所望のアセチレンを直接生成する。第４の代替法では、例えば臭化アリル又は臭化アルキルの存在下で遷移金属触媒を使用した水素−臭素交換反応によって市販のフルオロアルキルジアルキルシランのシラニル水素をハロゲンに変換し、次いでこの新たに生成された不安定基（ハロゲン）をアセチレン又はトリメチルシリルアセチレンによって置換する。後者の場合では、弱塩基性条件下でトリメチルシリル基を選択的に除去することによって所望の末端アセチレンを生成する。本発明のフッ素化ペンタセン化合物を形成する方法は、更に以下の反応工程の１つ以上を含んでもよい。すなわち、少なくとも１工程、場合により２又は３工程の再結晶化工程によるアセトンなどの好適な溶媒からの精製であり、その場合、フッ素化ペンタセン化合物を所定量の沸騰したアセトンに溶解して固形分をすべて溶解した後、光分解を防止するために溶液を光から保護しながら約０℃〜４℃に冷却する。この後、固形分を濾過により回収し、真空下で乾燥して残留アセトンを除去する。
【０１２０】
本発明のフッ素化ペンタセン化合物が一旦形成されたなら、溶媒及び１つ以上の更なる成分と合わせて印刷可能な組成物などの組成物とすることができる。上記したように、本発明のフッ素化ペンタセン化合物を上記した有機溶媒（例えば３−（トリフルオロメチル）アニソール）の少なくとも１つに加えて第１の組成物を形成することができる。上記したような更なる組成物成分（例えばポリスチレン）を第１の組成物に加えて最終的な組成物としてもよい。この最終組成物は、インクジェット印刷装置によって印刷可能なものであることが望ましい。
【０１２１】
上記した本発明のフッ素化ペンタセン化合物の少なくとも１つを含有する本発明の組成物を使用することによって、様々なコーティング、コーティング層を有する基材、電子デバイス部品、及び電子デバイスを作ることができる。得られるコーティング、コーティング層を有する基材、電子デバイス部品、又は電子デバイスは、Ｒ、Ｒ’、Ｒ”、ｘ、ｙ、ｚ及びＸが上記したものであるような構造Ａを有するフッ素化ペンタセン化合物を含んでいることが望ましい。得られるコーティング、コーティング層を有する基材、電子デバイス部品、又は電子デバイスは、ｚ＝０であり、Ｒ及びＲ’が共に２個の同じ基（例えば２個のアルキル基、２個のシクロアルキル基、又は２個のアルケニル基）及び１個の異なる基（例えば、１以上のフッ素原子を含み、該１以上のフッ素原子がいずれのケイ素原子からも少なくとも原子３個分又は共有結合４つ分だけ離れているようなフッ素化一価ラジカル）を含むような構造Ａを有するフッ素化ペンタセン化合物を含んでいることがより望ましい。特定の望ましい実施形態では、得られるコーティング、コーティング層を有する基材、電子デバイス部品、又は電子デバイスは、ｚ＝０であり、Ｒがメチル、イソプロピル、イソプロペニル、又はシクロアルキル（例えばシクロプロピル、シクロブチル、又はシクロペンチル）を含み、Ｒ’が上記したフッ素化一価ラジカルのいずれか１つを含むような構造Ａを有するフッ素化ペンタセン化合物を含む。
【０１２２】
本発明を上記に説明し、更に実施例により下記に説明するが、こうした実施例はいかなる意味においても発明の範囲を限定するものとして解釈すべきではない。逆に本明細書の説明を読むことで、本発明の趣旨及び／又は添付の特許請求の範囲から逸脱することなく当業者にそれ自体を示唆し得る様々な他の実施形態、改変及びその均等物が考えられることは明確に理解されるはずである。
【実施例】
【０１２３】
以下の実施例は、あくまで例示を目的としたものであって添付の特許請求の範囲を限定することを目的としたものではない。実施例及び明細書の残りの部分における部、比率、比などは、特に断らないかぎりはすべて重量に基づいたものである。実施例で使用する材料は、個々の実施例において特に断らないかぎりは表３に示す供給元より入手した。
【０１２４】
【表２−１】
【０１２５】
【表２−２】
【０１２６】
１ 本発明で使用するシランＡ−１７４で表面処理されたジルコニアナノ粒子を形成する方法については、いずれも３Ｍ Ｃｏｍｐａｎｙ（ミネソタ州セントポール）の出願人名で出願され、同社に譲渡された米国特許出願第１１／７７１，７８７号及び同第１１／７７１，８５９号（現在、米国特許出願公開第２００９／０００４７７１号及び同第２００９／０００１３５６号としてそれぞれ公開されている）（これらの出願の発明の主題をその全容において本願に援用する）に開示されている（例えば各出願の「調製例１−誘電体インク」を参照）。
【０１２７】
試験方法：
移動度値の試験方法Ｉ：
２台のＳｏｕｒｓｅ Ｍｅａｓｕｒｅユニット（Ｋｅｉｔｈｌｅｙ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ，Ｉｎｃ．）（オハイオ州クリーブランド）より販売されるモデル２４００）を使用して空気中で飽和電界効果移動度（μ）を測定した。各装置はＳ−１１６０シリーズプローブステーション上に置き、Ｓ−７２５−ＰＲＭマニピュレータ（いずれもＳｉｇｎａｔｏｎｅ Ｃｏｒｐ．（カリフォルニア州ギルロイ））を使用してプローブを接続した。ドレイン・ソース間バイアス電圧（ＶＤＳ）を−４０Ｖに維持し、ゲート・ソース間バイアス（ＶＧＳ）を＋１０Ｖ〜−４０Ｖの範囲で１Ｖ刻みで増加させた。ドレイン・ソース間電圧バイアス（ＶＤＳ）を−４０Ｖに一定に維持し、ゲート・ソース間電圧バイアス（ＶＧＳ）を＋１０Ｖ〜−４０Ｖで変化させてドレイン・ソース間電流（ＩＤＳ）を測定した。飽和電界効果移動度（μ）を、ＶＧＳに対してＩＤＳの平方根をプロットした直線部分の傾きから次式を使用して計算した。
【０１２８】
ＩＤＳ＝μＷＣ（ＶＧＳ−Ｖｔ）２÷２Ｌ
式中、Ｃはゲート誘電体の固有キャパシタンス、Ｗはチャネル幅、及びＬはチャネル長さである。
【０１２９】
ＶＧＳに対するＩＤＳの平方根の曲線のプロットを使用し、直線フィッティングのＸ軸外挿を閾値電圧（Ｖｔ）とした。更に、ＩＤＳをＶＧＳの関数としてプロット（対数スケールを使用する）して曲線を得て、Ｖｔを含む曲線部分に沿って直線フィッティングを行った。この線の傾きの逆数は、閾値下の傾き（Ｓ）であった。オン／オフ比を、ＩＤＳ−ＶＧＳ曲線のドレイン電流（ＩＤＳ）の最小値と最大値との差とした。
【０１３０】
移動度値の試験方法ＩＩ：
各試料の平均移動度を、２台のＳｏｕｒｃｅ Ｍｅａｓｕｒｅユニット（Ｋｅｉｔｈｌｅｙ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ，Ｉｎｃ．（オハイオ州クリーブランド）より販売されるモデル２４００）を使用して、空気中、周辺光下で測定した。各装置はＳ−１１６０シリーズプローブステーション上に置き、Ｓ−７２５−ＰＲＭマニピュレータ（いずれもＳｉｇｎａｔｏｎｅ Ｃｏｒｐ．（カリフォルニア州ギルロイ））を使用してプローブを接続した。ドレイン・ソース間バイアス電圧（ＶＤＳ）を−４０Ｖに維持し、ゲート・ソース間バイアス（ＶＧＳ）を＋１０Ｖ〜−４０Ｖの範囲で１Ｖ刻みで増加させた。平均移動度を、各基材について１０個のトランジスタの測定値から計算した。
【０１３１】
ディップコーティングは必ずしも基材を完全に覆うものではないことから、各デバイスの「有効チャネル幅」を測定した。乾燥した半導体組成物で被覆された基材表面の比率（％）を、（ｉ）基材のデジタル写真を高倍率（１００倍）で３枚撮影し、次いで（ｉｉ）写真編集用ソフトウェア（Ａｄｏｂｅ Ｓｙｓｔｅｍｓ Ｉｎｃ．（カリフォルニア州サンホセ）から商品名ＰＨＯＴＯＳＨＯＰ ＣＳ３として市販されるもの）を使用して、露光した基材の領域をＬ，ａ，ｂ色空間における均一な黒色（０，０，０）として識別及びレンダリングし、次いで（ｉｉｉ）写真編集ソフトウェアのヒストグラム機能を使用して明度（Ｌ）＜１５である写真の比率（％）を識別し、次いで（ｉｖ）３枚の写真の結果を平均して、基材の表面被覆率の値を得ることによって測定した。次いで表面被覆率の値を使用してＴＦＴの有効チャネル幅を計算し、この有効チャネル幅を使用して電荷キャリア移動度の値を計算した。次式を使用して有効チャネル幅を計算した。
【０１３２】
【数１】
【０１３３】
式中、Ｗｅｆｆは有効チャネル幅であり、Ｗｄｅｐはソース及びドレイン端子の長さ（成膜時）であり、Ｃｏｖは表面被覆率（％）である。例えば、ソース及びドレイン電極が長さ１０００マイクロメートル、表面被覆率が８０％である場合、有効チャネル幅は８００マイクロメートルとなる。
【０１３４】
図４は、例示的な測定パラメータをグラフで示したものである。図４で、「Ａ」として示されるトレースは、測定されたドレイン電流（ＩＤＳ）をＶＧＳの関数として示したものである。「Ｂ」として示されるトレースは、測定されたドレイン電流（ＩＤＳ）の平方根をＶＧＳに対して示したものであり、「Ｃ」として示されるトレースは測定されたゲート電流（ＩＧＳ）をＶＧＳに対して示したものである。ＶＧＳに対するドレイン電流の平方根のプロット（トレース「Ｂ」）の傾き（ｍ）から次式を使用して飽和電界効果移動度（μ）を計算した。
【０１３５】
【数２】
【０１３６】
式中、Ｃはゲート誘電体の固有キャパシタンス、Ｗは有効チャネル幅、及びＬはチャネル長さである。各試料の移動度を、測定範囲において観察された移動度の最大値とした。
【０１３７】
実施例１−６，１３−ビス（３，３，３−トリフルオロプロピルジイソプロピルシリルエチニル）ペンタセンの合成
（３，３，３−トリフルオロプロピルジイソプロピルシリル）アセチレンの合成
オーブン乾燥した２５０ｍＬ丸底フラスコ中で４．１２ｇ（４２．０ｍｍｏｌ）のトリメチルシリルアセチレンを４５ｍＬの無水ＴＨＦに溶解した。この溶液を０℃に冷却してからｎ−ブチルリチウム（１４．８ｍＬ、３７ｍｍｏｌ、２．５Ｍヘキサン中）を滴下した。攪拌を１時間継続し、無色の溶液を室温にまで昇温させた。第２のオーブン乾燥した５００ｍＬ丸底フラスコ中で３，３，３−トリフルオロプロピル−トリクロロシラン（８．１ｇ、３５ｍｍｏｌ）を無水ＴＨＦ（３５ｍＬ）中に溶解した。第１の反応混合物を第２の溶液に１時間かけて滴下した後、５時間攪拌した。この新たな反応混合物を０℃に冷却し、次いでイソプロピルリチウム（１２３ｍＬ、８６ｍｍｏｌ、０．７Ｍペンタン溶液）を滴下し、溶液を１２時間かけて室温にまで昇温させた。混合物の全体を１５０ｍＬの塩化アンモニウムの希釈溶液に注ぎ、ヘキサン（１００ｍＬ）を加えた。有機層を分離し、水層をヘキサンで再度抽出した（２０ｍＬ）。有機層を合わせ、水で洗い（３×２０ｍＬ）、硫酸マグネシウム上で乾燥し、濾過し、真空下で濃縮した。トリメチルシリルでキャップされた生成物を溶離剤としてヘキサンを使用してシリカゲル上でカラムクロマトグラフィーによって精製し（ヘキサン中、Ｒｆ＝約０．６）、７．７ｇの無色の液体を得た。生成物をＴＨＦ（２０ｍＬ）中に溶解し、メタノール（２０ｍＬ）及び１５％水酸化ナトリウム溶液を３滴加えた後、３０分間攪拌することによってトリメチルシリル基を除去した。粗生成物を単離し、ヘキサンを使用して薄いシリカパッドを通して流し、真空下で濃縮することによって４．９ｇ（２１ｍｍｏｌ、開始物質のシランからの収率６０％）の無色の液体を得た。無色の生成物を分析して以下のデータを得た：１Ｈ−ＮＭＲ（２００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ＝２．４（ｓ，１Ｈ），２．２（ｍ，２Ｈ），１．１（ｍ，１４Ｈ），０．８（ｍ，２Ｈ）。
【０１３８】
６，１３−ビス（３，３，３−トリフルオロプロピルジイソプロピルシリルエチニル）ペンタセンの合成
（３，３，３，−トリフルオロプロピルジイソプロピルシリル）アセチレン（１．３ｇ、５．７ｍｍｏｌ）及び無水ＴＨＦを攪拌子を備えたオーブン乾燥した１００ｍＬ丸底フラスコに加えた。イソプロピルマグネシウムクロリド（２ｍＬ、２Ｍ ＴＨＦ溶液）を滴下し、溶液を６０℃に１時間加熱した。混合物を熱から外してペンタセンキノン（０．４７ｇ、１．５ｍｍｏｌ）を加えた。６０℃での加熱を再開し、１２時間継続した。得られた均質な反応混合物を室温に冷却した後、０．５ｍＬの塩化アンモニウムの飽和溶液を加えて反応を停止させた。塩化第一スズ二水和物（１．２ｇ、５．３ｍｍｏｌ）を３ｍＬの１０％塩酸溶液に溶解し、反応停止させた反応混合物に加え、攪拌を１５分間継続した。ヘキサン（５０ｍＬ）及び水（２０ｍＬ）を加え、有機層を分離した。有機層を１０％塩酸溶液及び水で繰り返し交互に洗い、硫酸マグネシウム上で乾燥させ、厚いシリカゲルパッド上に流し、更なるヘキサン（２００ｍＬ）で流した。生成物をヘキサン：ジクロロメタンの９：１混合物により溶出した。溶媒を除去することにより０．５０ｇ（０．６７ｍｍｏｌ、キノンに対する収率４５％）の青色粉末が得られ、これをアセトンから再結晶化させて０．４４ｇの青色の針状結晶を得た。生成物を分析して以下のデータを得た：１Ｈ−ＮＭＲ（２００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ＝９．２（ｓ，４Ｈ），８．０（ｄｄ，Ｊ＝３．３Ｈｚ，６．６Ｈｚ，４Ｈ），７．４（ｄｄ，Ｊ＝３．３Ｈｚ，６．６Ｈｚ，４Ｈ），２．５（ｍ，４Ｈ），１．４（ｍ，２８Ｈ），１．２（ｍ，４Ｈ）。
【０１３９】
実施例２−６，１３−ビス（３，３，４，４，５，５，６，６，６−ノナフルオロヘキシルジメチルシリル−エチニル）ペンタセンの合成
（３，３，４，４，５，５，６，６，６−ノナフルオロヘキシルジメチルシリル）アセチレンの合成
オーブン乾燥した２５０ｍＬの丸底フラスコ中で３，３，４，４，５，５，６，６，６−ノナフルオロ−ヘキシルジメチルクロロシラン（４．５８ｇ、１３．４ｍｍｏｌ）を無水ＴＨＦ（１０ｍＬ）に溶解し、氷浴中で冷却した。エチニルマグネシウムブロミド（３４ｍＬ、１７ｍｍｏｌ、０．５Ｍ ＴＨＦ溶液）をゆっくりと加えた後、混合物を６０℃に１２時間加熱した。水を加えて反応を停止させ、希硫酸（硫酸（９５〜９８％）の１０重量％水溶液）を加えて塩を溶かした後、ヘキサンを加え、有機層を分離した。有機層を水で洗い（５×２０ｍＬ）、硫酸マグネシウム上で乾燥し、濾過し、真空下で濃縮して粗生成物を得た。溶離剤としてヘキサンを用いてシリカゲル上でクロマトグラフィー使用して精製し無色の液体を得た（３．５２ｇ、１０．６ｍｍｏｌ、８０％）。無色の生成物を分析して以下のデータを得た：１Ｈ−ＮＭＲ（２００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ＝２．４（ｓ，１Ｈ），２．１（ｍ，２Ｈ），０．８（ｍ，２Ｈ），０．２（ｓ，６Ｈ）。
【０１４０】
６，１３−ビス（３，３，４，４，５，５，６，６，６−ノナフルオロヘキシルジメチルシリルエチニル）−ペンタセンの合成
オーブン乾燥した１００ｍＬの丸底フラスコ中で（３，３，４，４，５，５，６，６，６−ノナフルオロヘキシルジメチルシリル）アセチレン（１．２５ｇ、３．７８ｍｍｏｌ）を無水ＴＨＦ（５ｍＬ）に溶解した。イソプロピルマグネシウムクロリド（１．１ｍＬ、２．２ｍｍｏｌ、２Ｍ ＴＨＦ溶液）を加え、溶液を６０℃に２時間加熱した。反応溶液を熱から外し、ペンタセンキノン（０．２５ｇ、０．８０ｍｍｏｌ）を加えてから６０℃に１２時間加熱した。飽和塩化アンモニウム溶液を４滴加えることにより反応を停止させ、１ｍＬの１０％塩酸溶液に溶解した塩化第一スズ二水和物（０．６３ｇ、２．８ｍｍｏｌ）を加え、攪拌を５分間継続した。水（１０ｍＬ）を加えることにより生成物を沈殿させ、濾過により回収し、次いでヘキサンに溶解して硫酸マグネシウム上で乾燥した。このヘキサン溶液を厚いシリカゲルパッド上に流し、更なるヘキサンで流して余分なアセチレンを溶出させた後、ヘキサン：ジクロロメタンの９：１混合物によって生成物を溶出した。溶媒を除去することにより０．４ｇの青色固体が得られ、これをアセトン（約１２ｍＬ）から再結晶化させて０．２３ｇ（０．２５ｍｍｏｌ、３１％）の青色の針状結晶を得た。生成物を分析して以下のデータを得た。１Ｈ−ＮＭＲ（２００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ＝９．１（ｓ，４Ｈ），８．０（ｄｄ，Ｊ＝３．２Ｈｚ，６．６Ｈｚ，４Ｈ），７．６（ｄｄ，Ｊ＝３．０Ｈｚ，６．６Ｈｚ，４Ｈ），２．４（ｍ，４Ｈ），１．２（ｍ，４Ｈ），０．６（ｓ，１２Ｈ）。
【０１４１】
実施例３−６，１３−ビス（３，３，４，４，５，５，６，６，６−ノナフルオロヘキシルジイソプロピルシリル−エチニル）ペンタセンの合成
（３，３，４，４，５，５，６，６，６−ノナフルオロヘキシルジイソプロピルシリル）アセチレンの合成
オーブン乾燥させた２５０ｍＬの丸底フラスコに３，３，４，４，５，５，６，６，６−ノナフルオロヘキシルトリクロロシラン（４．５２ｇ、１１．９ｍｍｏｌ）及び無水ＴＨＦ（２０ｍＬ）を加えた。イソプロピルリチウム（３４ｍＬ、２４ｍｍｏｌ、０．７Ｍペンタン溶液）を１時間かけて滴下した後、攪拌を４時間継続した。エチニルマグネシウムブロミド（３２ｍＬ、１６ｍｍｏｌ、０．５Ｍ ＴＨＦ溶液）をゆっくりと加えてから反応混合物を５０℃に１２時間加熱した。水を加えて反応を停止させ、希硫酸を加えて塩を溶かした後、ヘキサンを加え、有機層を分離した。有機層を水で洗い（５×２０ｍＬ）、硫酸マグネシウム上で乾燥し、濾過し、真空下で濃縮して粗混合生成物を得た。溶離剤としてヘキサンを用いてシリカゲルクロマトグラフィー（ヘキサン中、Ｒｆ＝約０．６）により精製して１．８ｇ（４．６ｍｍｏｌ、３１％）の所望の生成物を無色の液体として得た。無色の生成物を分析して以下のデータを得た：１Ｈ−ＮＭＲ（２００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ＝２．４（ｓ，１Ｈ），２．２（ｍ，２Ｈ），１．１（ｍ，１４Ｈ），０．８（ｍ，２Ｈ）。
【０１４２】
６，１３−ビス（３，３，４，４，５，５，６，６，６−ノナフルオロヘキシルジイソプロピルシリルエチニル）−ペンタセンの合成
オーブン乾燥した１００ｍＬの丸底フラスコ中で（３，３，４，４，５，５，６，６，６−ノナフルオロ−ヘキシルジイソプロピルシリル）アセチレン（１．７ｇ、４．５ｍｍｏｌ）を無水ＴＨＦ（５ｍＬ）に溶解し、氷浴中で冷却した。ｎ−ブチルリチウム（１．４ｍＬ、３．６ｍｍｏｌ、２．５Ｍヘキサン溶液）を滴下してから攪拌を３０分間継続した。ペンタセンキノン（０．４４ｇ、１．４ｍｍｏｌ）を加え、反応混合物を１２時間攪拌した。飽和塩化アンモニウム溶液を４滴加えることにより反応を停止させ、１ｍＬの１０％塩酸溶液に溶解した塩化第一スズ二水和物（１．１ｇ、５．０ｍｍｏｌ）を加え、この溶液を５分間攪拌した。ヘキサンを加え、有機層を分離して硫酸マグネシウム上で乾燥し、真空下で濃縮した。粗生成物をヘキサンに溶かし、厚いシリカパッド上に流した後、ヘキサンで流して余分なアセチレンを溶出させた。生成物をヘキサン：ジクロロメタンの９：１混合物により溶出した。真空下で濃縮することにより粘稠な青色油状物が得られ、これをアセトン（約２ｍＬ）から再結晶化させて（室温で５日間）、３０ｍｇ（０．０３ｍｍｏｌ、２％）の赤紫色の細長い板状物を得た。生成物を分析して以下のデータを得た：１Ｈ−ＮＭＲ（２００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ＝９．２（ｓ，４Ｈ），８．０（ｄｄ，Ｊ＝３．０Ｈｚ，６．６Ｈｚ，４Ｈ），７．４（ｄｄ，Ｊ＝３．２Ｈｚ，７．０Ｈｚ，４Ｈ），２．５（ｍ，４Ｈ），１．３（ｍ，２８Ｈ），０．８（ｍ，４Ｈ）。
【０１４３】
実施例４−６，１３−ビス（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，８−トリデカフルオロオクチルジメチル−シリルエチニル）ペンタセンの合成
（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，８−トリデカフルオロオクチルジメチルシリル）アセチレンの合成
オーブン乾燥した２５０ｍＬの丸底フラスコ中で３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，８−トリデカフルオロオクチルジメチルクロロシラン（９．６７ｇ、２１．９ｍｍｏｌ）を２０ｍＬの無水ＴＨＦに溶解した。エチニルマグネシウムブロミド（５０ｍＬ、２５ｍｍｏｌ、０．５Ｍ ＴＨＦ溶液）を加え、混合物を６０℃に１２時間加熱した。混合物を室温にまで冷却させた後、水を滴下することにより反応を停止させ、希硫酸を加えてマグネシウム塩を溶解した。有機層を分離し、水（３×２０ｍＬ）及び食塩水で洗い、硫酸マグネシウム上で乾燥、濾過し、真空下で濃縮した。粗生成物を溶離剤としてヘキサンを使用してシリカゲル上でクロマトグラフィーによって濾過した。溶媒を除去することにより９．０ｇ（２１ｍｍｏｌ、９６％）の生成物を無色の液体として得た。無色の生成物を分析して以下のデータを得た：１Ｈ−ＮＭＲ（２００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ＝２．４（ｓ，１Ｈ），２．１（ｍ，２Ｈ），０．８（ｍ，２Ｈ），０．２（ｓ，６Ｈ）。
【０１４４】
第１の方法を使用した６，１３−ビス（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，８−トリデカフルオロオクチルジメチルシリル−エチニル）ペンタセンの合成
オーブン乾燥した１００ｍＬの丸底フラスコ中で（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，８−トリデカフルオロオクチルジメチルシリル）アセチレン（２．３ｇ、５．３ｍｍｏｌ）を８ｍＬの無水ＴＨＦに溶解した。イソプロピルマグネシウムクロリド（２．４ｍＬ、２Ｍ ＴＨＦ溶液）を滴下し、この溶液を６０℃に２時間加熱した。混合物を熱から外してペンタセンキノン（０．６３ｇ、２．０ｍｍｏｌ）を加えた。６０℃での加熱を再開し、１２時間継続した。得られた均質な反応混合物を室温に冷却した後、０．５ｍＬの塩化アンモニウムの飽和溶液を加えて反応を停止させた。攪拌子を備えた別の三角フラスコ中で塩化第一スズ二水和物（７．０ｍｍｏｌ、１．６ｇ）をメタノール（１５０ｍＬ）に溶解し、２ｍＬの１０％塩酸を加えた。メタノール溶液を１時間冷却した後、反応混合物をメタノール（５０ｍＬ）で希釈し、更なるメタノール（２０ｍＬ）ですすいで三角フラスコに入れ、室温で１５分間攪拌した。この混合物を１時間冷却した後、固体を濾過により回収し、メタノールですすぎ、周囲雰囲気中で乾燥した。この固体を最小量のジクロロメタンに溶かし、ヘキサンで希釈（ヘキサン：ジクロロメタン＝約９：１）してから中程度の厚さのシリカゲルパッド上に流し、ヘキサン：ジクロロメタンの９：１混合物で溶出した。溶媒を除去することにより０．６１ｇの光沢のある青色固体が得られ、これをアセトン（約１６０ｍＬ）から再結晶化させて０．４８ｇの青色の針状結晶を得た（０．４２ｍｍｏｌ、キノンからの収率２１％）。生成物を分析して以下のデータを得た：１Ｈ−ＮＭＲ（２００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ＝９．１（ｓ，４Ｈ），８．０（ｄｄ，Ｊ＝３．３Ｈｚ，６．６Ｈｚ，４Ｈ），７．４（ｄｄ，Ｊ＝３．３Ｈｚ，６．６Ｈｚ，４Ｈ），２．４（ｍ，４Ｈ），１．２（ｍ，４Ｈ），０．６（ｓ，１２Ｈ）。
【０１４５】
実施例５−６，１３−ビス（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，９，９，１０，１０，１０−ヘプタデカフルオロ−デシルジイソプロピルシリルエチニル）ペンタセンの合成
（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，９，９，１０，１０，１０−ヘプタデカフルオロデシルジイソプロピル−シリル）アセチレンの合成
オーブン乾燥した２５０ｍＬの丸底フラスコ中で３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，９，９，１０，１０，１０−ヘプタデカフルオロデシルトリクロロシラン（８．７ｇ、１５ｍｍｏｌ）を無水ＴＨＦ（１０ｍＬ）に溶解した。別のオーブン乾燥した１００ｍＬの丸底フラスコ中で（トリメチルシリル）アセチレン（１．７ｇ、１８ｍｍｏｌ）を無水ＴＨＦ（１５ｍＬ）に溶解し、氷浴中で冷却した後、ｎ−ブチルリチウム（６．０ｍＬ、１５ｍｍｏｌ、２．５Ｍヘキサン溶液）を滴下した。この第２の溶液を１時間攪拌してから第１の溶液に４５分間かけて滴下した。得られた溶液を５時間攪拌し、氷浴中で冷却した。イソプロピルリチウム（４３ｍＬ、３０ｍｍｏｌ、０．７Ｍペンタン溶液）をゆっくりと加えてから攪拌を１２時間継続した。反応混合物を１００ｍＬの希釈塩化アンモニウム溶液に流し込み、次にヘキサン（４０ｍＬ）で洗った。有機層を分離し、水層を再度抽出した（３０ｍＬヘキサン）。有機層を合わせ、水で洗い（３×２０ｍＬ）、硫酸マグネシウム上で乾燥し、濾過し、真空下で濃縮して粗混合生成物を得た。生成物を溶離剤としてヘキサンを用いてシリカゲル上でクロマトグラフィーを使用して単離し（ヘキサン中、Ｒｆ＝約０．６）、濃縮することによって無色の液体を得た（３．９ｇ、６．０ｍｍｏｌ）。トリメチルシリルエンドキャップを除去するため、生成物をＴＨＦ（約１５ｍＬ）及びメタノール（約５ｍＬ）に溶かし、１５分間激しくパージした。１５％水酸化ナトリウム水溶液を４滴加えた後、パージを継続した。パージを（それほど激しくなく）継続しながら反応液を４５分間攪拌した。混合物に水を加えてヘキサンで抽出し、１０％塩酸溶液（＜５ｍＬ）及び水（３×２０ｍＬ）で洗い、硫酸マグネシウム上で乾燥し、濾過し、真空下で濃縮することにより生成物を無色の液体として得た（３．４ｇ、５．９ｍｍｏｌ、３９％）。無色の生成物を分析して以下のデータを得た：１Ｈ−ＮＭＲ（２００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ＝２．４（ｓ，１Ｈ），２．２（ｍ，２Ｈ），１．０（ｍ，１４Ｈ），０．８（ｍ，２Ｈ）。
【０１４６】
６，１３−ビス（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，９，９，１０，１０，１０−ヘプタデカフルオロデシル−ジイソプロピルシリルエチニル）ペンタセンの合成
オーブン乾燥した１００ｍＬの丸底フラスコ中で１．８ｇの（３，３，４，４，５，５，６，６，−７，７，８，８，９，９，１０，１０，１０−ヘプタデカフルオロデシルジイソプロピルシリル）アセチレン（３．１ｍｍｏｌ）を無水ＴＨＦ（５ｍＬ）に溶解した。イソプロピルマグネシウムクロリド（１．３ｍＬ、２．５ｍｍｏｌ、２Ｍ ＴＨＦ溶液）を加え、混合物を６０℃に２時間加熱した。反応混合物を熱から外した後、ペンタセンキノン（０．３４ｇ、１．１ｍｍｏｌ）を加え、フラスコを再び６０℃に加熱し、これを１２時間継続した。飽和塩化アンモニウム溶液を３滴加えることによって反応を停止させた。これとは別に、塩化第一スズ二水和物（０．９０グラム、４．０ｍｍｏｌ）を１．５ｍＬの１０％塩酸水溶液に溶解することにより塩化第一スズ水溶液を調製し、この溶液を反応を停止した反応混合物に加えた。攪拌を１０分間継続した後、５０ｍＬのメタノールを加え、１時間冷蔵して生成物を沈殿させた。固体を濾過により回収し、ヘキサンに溶かして厚いシリガゲルプラグ上に流した。このプラグにヘキサンを流して余分なアセチレンを溶出させてから生成物をヘキサン：ジクロロメタンの８：１混合物によって溶出した。溶媒を除去することにより０．２５グラム（０．１７ｍｍｏｌ）の青色固体が得られ、これを約１５ｍＬのアセトンから再結晶化させることによって０．１３グラム（０．９ｍｍｏｌ、キノンからの収率８％）の結晶質の青色板状物を得た。生成物を分析して以下のデータを得た：１Ｈ−ＮＭＲ（２００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ＝９．２（ｓ，４Ｈ），８．０（ｄｄ，Ｊ＝３．４Ｈｚ，６．６Ｈｚ），７．４（ｄｄ，Ｊ＝３．２Ｈｚ，７．０Ｈｚ），２．５（ｍ，４Ｈ），１．４（ｍ，２８Ｈ）．１．２（ｍ，４Ｈ）。
【０１４７】
実施例６−６，１３−ビス−（（３−ヘプタフルオロイソプロポキシ）プロピルジイソプロピルシリル−エチニル）ペンタセンの合成
（（３−ヘプタフルオロイソプロポキシ）プロピルジイソプロピルシリル）アセチレンの合成
乾燥した２５０ｍＬの丸底フラスコ中で、（３−ヘプタフルオロイソプロポキシ）プロピルトリクロロシラン（４．８７ｇ、１３．５ｍｍｏｌ）を無水ＴＨＦ（１５ｍＬ）に溶解した。溶液を氷浴中で冷却し、イソプロピルリチウム（４１ｍＬ、２８ｍｍｏｌ、０．７Ｍペンタン溶液）を１時間かけて滴下した後、１２時間かけて室温にまで昇温させた。エチニルマグネシウムブロミド（３５ｍＬ、１７ｍｍｏｌ、０．５Ｍ ＴＨＦ溶液）を加えてから溶液を６０℃に１２時間加熱した。水をゆっくりと加えて反応を停止させ、希硫酸を加えてマグネシウム塩を溶解した。混合物をヘキサンで抽出し（２×５０ｍＬ）、水で洗い（５×１０ｍＬ）、硫酸マグネシウム上で乾燥し、濾過してから濃縮した。生成物をヘキサンを溶離剤として用いてシリカゲル上でクロマトグラフィーを使用して精製し（ヘキサン中、Ｒｆ＝約０．６）、２．４ｇ（６．５ｍｍｏｌ、４８％）の無色の液体を得た。無色の生成物を分析して以下のデータを得た：１Ｈ−ＮＭＲ（２００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ＝４．０（ｔ，Ｊ＝６．２Ｈｚ，２Ｈ），２．４（ｓ，１Ｈ），１．８（ｍ，２Ｈ），１．０（ｍ，１４Ｈ），０．６（ｍ，２Ｈ）。
【０１４８】
６，１３−ビス−（（３−ヘプタフルオロイソプロポキシ）プロピルジイソプロピルシリルエチニル）−ペンタセンの合成
オーブン乾燥した１００ｍＬの丸底フラスコ中で（（３−ヘプタフルオロイソプロポキシ）−プロピルジイソプロピルシリル）アセチレン（２．０ｇ、５．４ｍｍｏｌ）を無水ＴＨＦ（５ｍＬ）に溶解し、氷浴中で冷却した。ｎ−ブチルリチウム（１．８ｍＬ、４．５ｍｍｏｌ、２．５Ｍヘキサン溶液）を滴下し、溶液を浴中で３０分間攪拌した。ペンタセンキノン（０．５７ｇ、１．８ｍｍｏｌ）を加え、溶液を１２時間攪拌した。別の三角フラスコ中で塩化第一スズ二水和物（１．４ｇ、６．４ｍｍｏｌ）をメタノール（１００ｍＬ）に溶解し、１ｍＬの１０％塩酸溶液を加えてから、この溶液を１時間冷蔵した。反応混合物に０．５ｍＬの飽和塩化アンモニウム溶液を加えて反応を停止させ、メタノール（２０ｍＬ）で希釈した。反応を停止させた反応混合物を攪拌下、塩化第一スズ混合物にゆっくりと流し込み、更なるメタノールで洗った。攪拌を３０分間継続し、混合物の全体を３時間冷蔵した。固体を濾過により除去し、周囲雰囲気中で乾燥し、次いで溶離剤としてヘキサン：ジクロロメタンの９：１混合物を使用してシリカゲル上でクロマトグラフィーにより精製して０．６８ｇの青色固体を得た。アセトン（約３０ｍＬ）から再結晶化することにより、０．６ｇ（０．６ｍｍｏｌ、３４％）の生成物を赤紫色の板状物として得た。無色の生成物を分析して以下のデータを得た：１Ｈ−ＮＭＲ（２００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ＝９．２（ｓ，４Ｈ），７．９（ｄｄ，Ｊ＝３．４Ｈｚ，７．０Ｈｚ，４Ｈ），７．４（ｄｄ，Ｊ＝３．４Ｈｚ，７．０Ｈｚ，４Ｈ），４．１（ｔ，Ｊ＝６．０Ｈｚ，４Ｈ），２．１（ｍ，４Ｈ），１．３（ｍ，２８Ｈ），１．０（ｍ，４Ｈ）。
【０１４９】
実施例７−１０−６，１３−ビス（３，３，３−トリフルオロプロピルジイソプロピルシリルエチニル）ペンタセンのディップコーティング溶液による薄膜トランジスタの調製
６，１３−ビス（３，３，３−トリフルオロプロピルジイソプロピルシリルエチニル）ペンタセン及び場合によりポリスチレンの４つの溶液を表３に述べられるように以下の方法によって調製した。所定量の６，１３−ビス（３，３，３−トリフルオロプロピルジイソプロピルシリルエチニル）ペンタセンと、場合により加える所定量のポリスチレンを、磁気攪拌子の入ったアンバーガラスバイアル中に秤量し、溶媒（ｎ−ブチルベンゼン（ｎｂｂ）、アニソール、又はデカン）を秤量して加えることによって、組成物中に所望の濃度の有機半導体、６，１３−ビス（３，３，３−トリフルオロプロピル−ジイソプロピルシリルエチニル）ペンタセン、及び場合により加えるポリスチレン、更に複数の溶媒を含む組成物の場合には所望の重量比の溶媒を含有する組成物を調製した。このバイアルにキャップをし、攪拌プレート上に置いて、内容物を攪拌した。バイアルは金属缶で覆い、組成物を光から遮断した。内容物は最低１２時間攪拌した。
【０１５０】
各半導体溶液を、Ｐａｌｌ Ｌｉｆｅ Ｓｃｉｅｎｃｅｓ（ニューヨーク州イーストヒルズ）よりＡＣＲＯＤＩＳＣ（登録商標）ＣＲの商品名で市販される孔径０．２マイクロメートル、直径２５ｍｍのポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）フィルターによって濾過し、ディップコーティング槽（幅約５０ｍｍ、深さ約５ｍｍ、高さ約３０ｍｍ）に入れた。約５ｍＬの各溶液を使用した。各溶液／組成物につき、熱酸化物を有するｎ型シリコンウェーハ（Ｎｏｅｌ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ，Ｉｎｃ．（カリフォルニア州キャンベル）より供給される、前面に１０００オングストロームの熱酸化物（ＳｉＯ２）、裏面に１００オングストロームのＴｉＮ及び５０００オングストロームのアルミニウムがコーティングされた、固有抵抗０．００５Ω−ｃｍ未満の高濃度にｎ＋（砒素）型ドープされたシリコン＜１００＞ウェーハ）の基材１枚をディップコーティングした。各基材は、ディップコーティングに先立って、Ｐｌａｓｍａ Ｃｌｅａｎｉｎｇシステム（Ｙｉｅｌｄ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｓｙｓｔｅｍｓ，Ｉｎｃ．（カリフォルニア州リバモア）より市販されるモデルＹＥＳ−Ｇ１０００）において５００Ｗの出力設定及び約２００ｍＴｏｒｒ（２６．７ｋＰａ）の酸素圧を使用して３分間処理を行った。各基材試料は、Ｎｉｍａ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｌｔｄ．（英国コベントリー）よりＮＩＭＡ Ｄ１Ｌの商品名で市販されるディップコーティング装置を使用して、３ｍｍ／分の引き上げ速度で浸漬した。各試料を室温で乾燥させた。
【０１５１】
コーティング後、基材のＳｉＯ２表面上に長結晶が存在し、典型的には浸漬軸に平行に配向していた。これは、結晶の長手方向が浸漬方向と同じ方向であったということである。金のソース電極及びドレイン電極（厚さ約８００〜１０００オングストローム）を、熱エバポレータを使用してシャドーマスクを通して蒸着し、これによりボトムゲート、トップコンタクト構造のトランジスタを形成した。ソース及びドレイン電極は各電極の長手方向（チャネル幅）が浸漬軸と直交する向きに形成した。チャネル幅は約１００マイクロメートルとした。移動度値の試験方法ＩＩによって各基材上で１０個のトランジスタの移動度を測定し、その平均値を表４に示した。
【０１５２】
【表３】
【０１５３】
実施例１１−６，１３−ビス（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，９，９，１０，１０，１０−ヘプタデカフルオロデシルジイソプロピルシリルエチニル）−ペンタセンのナイフコーティング溶液による薄膜トランジスタの調製
６，１３−ビス（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，９，９，１０，１０，１０−ヘプタデカフルオロデシルジイソプロピルシリル−エチニル）ペンタセン（０．０２３４ｇ）をガラスバイアルに加え、次に３−（トリフルオロメチル）アニソール（１．３０１６ｇ）をバイアルに加えた。バイアルにキャップをし、アルミホイルで覆って組成物を光から遮断した。バイアルを２時間静置した後、ＩＫＡ ＬＡＢＯＲＴＥＣＨＮＩＫ ＨＳ５０１シェーカー（ＩＫＡ Ｗｅｒｋｅ ＧｍｂＨ ＆ Ｃｏ．ＫＧ（ドイツ、シュタウフェン））上に置き、約４８時間振盪した。バイアルの内容物を、Ｐａｌｌ Ｌｉｆｅ Ｓｃｉｅｎｃｅｓ（ニューヨーク州イーストヒルズ）よりＡＣＲＯＤＩＳＣ（登録商標）ＣＲの商品名で市販される孔径０．２マイクロメートル、直径２５ｍｍのポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）フィルターによって濾過した。
【０１５４】
熱酸化物を有するｎ型シリコンウェーハ（Ｎｏｅｌ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ，Ｉｎｃ．（カリフォルニア州キャンベル）より供給される、前面に１０００オングストロームの熱酸化物（ＳｉＯ２）、裏面に１００オングストロームのＴｉＮ及び５０００オングストロームのアルミニウムがコーティングされた、固有抵抗０．００５Ω−ｃｍ未満の高濃度にｎ＋（砒素）型ドープされた直径４インチ（１０．１６ｃｍ）のシリコン＜１００＞ウェーハを大まかに６分割して試験片を得た。）の試験片を、半導体溶液をナイフコーティングするのに先立って、Ｐｌａｓｍａ Ｃｌｅａｎｉｎｇシステム（Ｙｉｅｌｄ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｓｙｓｔｅｍｓ，Ｉｎｃ．（カリフォルニア州リバモア）より市販されるモデルＹＥＳ−Ｇ１０００）において５００Ｗの出力設定及び約２００ｍＴｏｒｒ（２６．７ｋＰａ）の酸素圧を使用して４分間処理を行った。
【０１５５】
ナイフコーターのブレードをシリコンウェーハ試験片の熱酸化物表面の約０．００５インチ（０．０１３ｃｍ）上に配置し、使い捨てガラスピペットを使用して小さなビーズ状の半導体溶液をブレードと熱酸化物表面との間に置いた。次いでナイフコーターを手でウェーハ上で引くことによってウェーハを半導体溶液でコーティングした。半導体溶液をナイフコーティングした直後に、溶液がコーティングされたウェーハをガラスペトリ皿（直径約９０ｍｍ×深さ約１５ｍｍ）で覆って、溶媒である３−（トリフルオロメチル）アニソールの蒸発を遅らせた。室内光を極力落とし、室温で試料を乾燥させた。
【０１５６】
約３時間後に試料は乾燥した。金のソース電極及びドレイン電極（厚さ約１０００オングストローム）を、サーマルエバポレータを使用してシャドーマスクを通して半導体層上に蒸着させ、これによりボトムゲート、トップコンタクト構造のトランジスタを形成した。ソース及びドレイン電極は、各電極の長手方向（チャネル幅）がナイフコーティング方向と直交する向きに形成した。チャネル幅は約１００マイクロメートルとした。移動度値の試験方法Ｉによって９個のトランジスタの移動度を測定したところ、その平均値は１．２０×１０−３ｃｍ２／Ｖ−ｓであった。
【０１５７】
実施例１２−第２の方法を使用した６，１３−ビス（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，８−トリデカフルオロオクチルジメチルシリル−エチニル）ペンタセンの合成
オーブン乾燥した１００ｍＬの丸底フラスコ中で、（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，８−トリデカフルオロオクチルジメチルシリル）アセチレン（２．４ｇ、５．６ｍｍｏｌ）（実施例４において合成したもの）をトルエン（１０ｍＬ）に溶解した。イソプロピルマグネシウムクロリド（２．４ｍＬ、２Ｍ ＴＨＦ溶液）を滴下し、溶液を６０℃に１時間加熱した。無水ＴＨＦ（６ｍＬ）を加えると溶液は均質となった。混合物を熱から外してペンタセンキノン（０．６３ｇ、２．０ｍｍｏｌ）を加えた。６０℃での加熱を再開し、１２時間継続した。得られた均質な反応混合物を室温に冷却した後、０．５ｍＬの塩化アンモニウムの飽和溶液を加えて反応を停止した。攪拌子を備えた別の三角フラスコ中で塩化第一スズ二水和物（７．０ｍｍｏｌ、１．６ｇ）をメタノール（１５０ｍＬ）に溶解し、２ｍＬの１０％塩酸を加えた。メタノール溶液を１時間冷却した後、反応混合物をメタノール（５０ｍＬ）で希釈し、更なるメタノール（２０ｍＬ）ですすいで三角フラスコに入れ、室温で１５分間攪拌した。この混合物を１時間冷却した。固体を濾過により回収し、メタノールですすぎ、周囲雰囲気中で乾燥した。この固体を最小量のジクロロメタンに溶かし、ヘキサンで希釈（ヘキサン：ジクロロメタン＝約９：１）してから中程度の厚さのシリカゲルパッド上に流し、ヘキサン：ジクロロメタンの９：１混合物で溶出した。溶媒を除去することにより０．９５ｇの光沢のある青色固体が得られ、これをアセトンから２回再結晶化させて０．８０ｇの青色の針状結晶を得た（０．７０ｍｍｏｌ、キノンからの収率３５％）。生成物を分析して以下のデータを得た：１Ｈ−ＮＭＲ（２００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ＝９．１（ｓ，４Ｈ），８．０（ｄｄ，Ｊ＝３．３Ｈｚ，６．６Ｈｚ，４Ｈ），７．４（ｄｄ，Ｊ＝３．３Ｈｚ，６．６Ｈｚ，４Ｈ），２．４（ｍ，４Ｈ），１．２（ｍ，４Ｈ），０．６（ｓ，１２Ｈ）。
【０１５８】
実施例１３−６，１３−ビス（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，８−トリデカフルオロオクチルジイソプロピル−シリルエチニル）ペンタセンの合成
第１の方法を使用した（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，８−トリデカフルオロオクチルジイソプロピルシリル）アセチレンの合成
オーブン乾燥した２５０ｍＬの丸底フラスコ中で３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，８−トリデカフルオロオクチルトリクロロシラン（９．８ｇ、２１．２ｍｍｏｌ）を無水ＴＨＦ（１４ｍＬ）に溶解した。別のオーブン乾燥した１００ｍＬの丸底フラスコ中でトリメチルシリルアセチレン（２．５ｇ、２５ｍｍｏｌ）を無水ＴＨＦ（１８ｍＬ）に溶解し、氷浴中で冷却した後、ｎ−ブチルリチウム（８．４ｍＬ、２１ｍｍｏｌ、２．５Ｍヘキサン溶液）を滴下した。この第２の溶液を１時間攪拌してから第１の溶液に４５分間かけて滴下した。得られた溶液を５時間攪拌し、氷浴中で冷却した。イソプロピルリチウム（６６ｍＬ、４６ｍｍｏｌ、０．７Ｍペンタン溶液）をゆっくりと加えてから攪拌を１２時間継続した。反応混合物を１００ｍＬの希釈塩化アンモニウム溶液に流し込み、次にヘキサン（４０ｍＬ）で洗った。有機層を分離し、水層を再度抽出した（３０ｍＬヘキサン）。有機層を合わせ、水で洗い（３×２０ｍＬ）、硫酸マグネシウム上で乾燥し、濾過し、真空下で濃縮して粗混合生成物を淡褐色の液体として得た。生成物を溶離剤としてヘキサンを用いてシリカゲル上でクロマトグラフィーを使用して単離し（ヘキサン中、Ｒｆ＝約０．６）、濃縮することによって無色の液体を得た（４．９ｇ、８．８ｍｍｏｌ）。トリメチルシリルエンドキャップを除去するため、生成物をＴＨＦ（約１５ｍＬ）及びメタノール（約５ｍＬ）に溶かして１５％水酸化ナトリウム水溶液（１０滴）で処理した。１時間攪拌した後、混合物に水を加えてヘキサンで抽出し、１０％ ＨＣｌ（５ｍＬ）及び水（３×２０ｍＬ）で洗い、硫酸マグネシウム上で乾燥し、濾過し、真空下で濃縮して生成物（４．２ｇ、８．７ｍｍｏｌ、４１％）を無色の液体として得た。生成物を分析して以下のデータを得た：１Ｈ−ＮＭＲ（２００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ＝２．４（ｓ，１Ｈ），２．２（ｍ，２Ｈ），１．０（ｍ，１４Ｈ），０．８（ｍ，２Ｈ）。
【０１５９】
第２の方法を使用した（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，８−トリデカフルオロオクチルジイソプロピルシリル）アセチレンの合成
窒素下で冷却した、攪拌子を備えたオーブン乾燥した丸底フラスコ中で、３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，８−トリデカフルオロオクチルジイソプロピルシラン（１．９ｇ、４．１ｍｍｏｌ）を１２ｍＬの無水ベンゼン（使用前に１０体積％を煮沸で飛ばして乾燥させたベンゼン）に溶解した。この混合物に臭化アリル（０．７６ｇ、６．３ｍｍｏｌ、１．５当量）及び塩化パラジウム（３０ｍｇ）を加えた。この溶液を６０℃に１５時間加熱してから冷却し、回転蒸発により濃縮した。得られた溶液をペンタンに溶解し、濾過して残留触媒を除去した後、溶媒を除去して（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，８−トリデカフルオロオクチルジイソプロピル−シリル）ブロミド（２．０ｇ）を淡褐色の液体として得た。この臭化物を１．２当量（最初のシランに対して）のエチニルマグネシウムブロミドによって無水条件下で処理し、４０℃に６時間加熱した。水及び希硫酸を加えて反応を停止させ、ペンタンを加えて有機層を分離した。有機層を水で洗い（６×５０ｍＬ）、硫酸マグネシウム上で乾燥し、濾過し、回転蒸発により濃縮した。ヘキサンを使用したフラッシュクロマトグラフィーによって更に精製して純粋な（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，８−トリデカフルオロオクチルジイソプロピルシリル）アセチレン（１．５ｇ、３．１ｍｍｏｌ、７７％）を無色の液体として得た。
【０１６０】
６，１３−ビス（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，８−トリデカフルオロオクチルジイソプロピルシリル−エチニル）ペンタセンの合成
オーブン乾燥した丸底フラスコ中で（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，８−トリデカフルオロオクチル−ジイソプロピルシリル）アセチレン（１．４ｇ、２．９ｍｍｏｌ）（上記の第１及び第２の方法のいずれかによって調製したもの）をヘキサン（２０ｍＬ）に溶解し、０℃でｎ−ブチルリチウム（０．９ｍＬ、２．３ｍｍｏｌ、２．５Ｍヘキサン溶液）の滴下により処理した。この溶液を１時間かけて室温にまで昇温させた後、ペンタセンキノン（０．２２ｇ、０．７０ｍｍｏｌ）を加えた。攪拌を１５時間継続した後、飽和塩化アンモニウム溶液（１０ｍＬ）を加えることにより反応を停止させた。反応グレードのＴＨＦ（２５ｍＬ）、塩化第一スズ二水和物（２ｇ）、及び１０％ ＨＣｌ（６ｍＬ）を加え、混合物を３０分間激しく攪拌した。ヘキサンを加え、有機層を分離してから１０％ ＨＣｌ（２×１０ｍＬ）及び水（２×１０ｍＬ）で洗い、硫酸マグネシウム上で乾燥して薄いシリカパッドに通して濾過した（ヘキサン：ＤＣＭ＝５：１）。回転蒸発により溶媒を除去し、得られた青色油状物をヘキサンに溶かして厚いシリカパッド上に流した。ヘキサン（２００ｍＬ）を使用して余分なアセチレンを溶出させた後、ヘキサン：ＤＣＭの９：１混合物によって生成物を溶出した。溶媒を除去することにより０．５５ｇの青色固体が得られ、これをアセトン（約２０ｍＬ）から再結晶化させて小さな青色の針状結晶を得た（０．３５ｇ、０．２８ｍｍｏｌ、キノンからの収率４０％）。生成物を分析して以下のデータを得た：１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ＝９．２（ｓ，４Ｈ），７．９（ｄｄ，Ｊ＝６．４Ｈｚ，３．２Ｈｚ，４Ｈ），７．４（ｄｄ，Ｊ＝６．８Ｈｚ，２．８Ｈｚ，４Ｈ），２．５（ｍ，４Ｈ），１．４（ｍ，２８Ｈ），１．２（ｍ，４Ｈ）。
【０１６１】
実施例１４−６，１３−ビス（３，３，４，４，５，５，６，６，６−ノナフルオロヘキシルジイソプロピルシリル−エチニル）ペンタセンの合成
（３，３，４，４，５，５，６，６，６−ノナフルオロヘキシルジイソプロピルシリル）アセチレンの合成
窒素下で冷却した、攪拌子を備えたオーブン乾燥した丸底フラスコ中で、３，３，４，４，５，５，６，６，６−ノナフルオロヘキシルジイソプロピルシラン（１０．１ｇ、２７．８ｍｍｏｌ）を臭化アリル（２０ｍＬ）に溶解し、塩化パラジウム（５０ｍｇ）を加えた。この溶液を６０℃に１５時間加熱してから冷却し、回転蒸発により濃縮した。得られた溶液をペンタンに溶解し、濾過して残留触媒を除去した後、溶媒を除去して（３，３，４，４，５，５，６，６，６−ノナフルオロヘキシルジイソプロピルシリル）ブロミド（１２．１ｇ）を淡褐色の液体として得た。この臭化物を１．２当量（最初のシランに対して）のエチニルマグネシウムブロミドによって無水条件下で処理し、４０℃に６時間加熱した。水及び希硫酸を加えて反応を停止させ、ペンタンを加えて有機層を分離した。有機層を水で洗い（６×５０ｍＬ）、硫酸マグネシウム上で乾燥し、濾過し、回転蒸発により濃縮した。ヘキサンを使用したフラッシュクロマトグラフィーによって更に精製して純粋な（３，３，４，４，５，５，６，６，６−ノナフルオロヘキシルジイソプロピルシリル）アセチレン（９．９０ｇ、２５．６ｍｍｏｌ、９２％）を無色の液体として得た。生成物を分析して以下のデータを得た：１Ｈ−ＮＭＲ（２００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ＝２．４（ｓ，１Ｈ），２．２（ｍ，２Ｈ），１．１（ｍ，１４Ｈ），０．８（ｍ，２Ｈ）。
【０１６２】
６，１３−ビス（３，３，４，４，５，５，６，６，６−ノナフルオロヘキシルジイソプロピルシリルエチニル）−ペンタセンの合成
オーブン乾燥した１００ｍＬの丸底フラスコ中で（３，３，４，４，５，５，６，６，６−ノナフルオロヘキシルジイソプロピルシリル）アセチレン（１．１ｇ、２．９ｍｍｏｌ）をヘキサン（１５ｍＬ）に溶解し、氷浴中で冷却した。ｎ−ブチルリチウム（０．８ｍＬ、２．０ｍｍｏｌ、２．５Ｍヘキサン溶液）を滴下してから攪拌を１時間継続した。ペンタセンキノン（０．２２ｇ、０．７ｍｍｏｌ）を加え、反応混合物を１２時間攪拌した。飽和塩化アンモニウム溶液（１０ｍＬ）を加えることによって反応を停止させた後、反応グレードのＴＨＦ（２０ｍＬ）、塩化第一スズ二水和物（１．３ｇ）及び１０％ ＨＣｌ（６ｍＬ）を加えた。３０分間攪拌した後、ヘキサン（２０ｍＬ）を加え、有機層を分離した。有機層を１０％ ＨＣｌ（２×１０ｍＬ）及び水（２×１０ｍＬ）で洗い、硫酸マグネシウム上で乾燥し、溶離剤としてヘキサン：ＤＣＭの５：１混合物を使用して薄いシリカパッドに通した。溶媒を除去し、得られた青色油状物をヘキサンに溶かして厚いシリカパッド上に流した。余分なアセチレンをヘキサンにより溶出し、生成物をヘキサン：ＤＣＭの９：１混合物で溶出した。真空下で濃縮することにより０．５２ｇの青色固体が得られ、これをジクロロメタン（約８ｍＬ）から再結晶化させて０．２４ｇ（０．２３ｍｍｏｌ、キノンからの収率３３％）の赤紫色の板状物を得た。生成物を分析して以下のデータを得た：１Ｈ−ＮＭＲ（２００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ＝９．２（ｓ，４Ｈ），８．０（ｄｄ，Ｊ＝３．０Ｈｚ，６．６Ｈｚ，４Ｈ），７．４（ｄｄ，Ｊ＝３．２Ｈｚ，７．０Ｈｚ，４Ｈ），２．５（ｍ，４Ｈ），１．３（ｍ，２８Ｈ），０．８（ｍ，４Ｈ）。
【０１６３】
実施例１５−６，１３−ビス（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，９，９，１０，１０，１０−ヘプタデカフルオロ−デシルジイソプロピルシリルエチニル）ペンタセンの合成
（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，９，９，１０，１０，１０−ヘプタデカフルオロデシルジイソプロピル−シリル）アセチレンの合成
窒素下で冷却した、攪拌子を備えたオーブン乾燥した丸底フラスコ中で、３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，９，９，１０，１０，１０−ヘプタデカフルオロデシルジイソプロピルシラン（９．９７ｇ、１７．７ｍｍｏｌ）を１５ｍＬの無水ベンゼン（使用前に１０体積％を煮沸で飛ばして乾燥させたベンゼン）に溶解した。これに臭化アリル（３．２２ｇ、２６．６ｍｍｏｌ、１．５当量）及び塩化パラジウム（３５ｍｇ、１ｍｏｌ％）を加えた。この溶液を６０℃に１５時間加熱してから冷却し、回転蒸発により濃縮した。得られた溶液をペンタンに溶解し、濾過して残留触媒を除去した後、溶媒を除去して（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，９，９，１０，１０，１０−ヘプタデカフルオロデシルジイソプロピルシリル）ブロミド（１１．３ｇ）を淡褐色の液体として得た。この臭化物を１．２当量（最初のシランに対して）のエチニルマグネシウムブロミドによって無水条件下で処理し、４０℃に６時間加熱した。水及び希硫酸を加えて反応を停止させ、ペンタンを加えて有機層を分離した。有機層を水で洗い（６×５０ｍＬ）、硫酸マグネシウム上で乾燥し、濾過し、回転蒸発により濃縮した。ヘキサンを使用したフラッシュクロマトグラフィーによる更なる精製によって、純粋な（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，９，９，１０，１０，１０−ヘプタデカフルオロデシルジイソプロピル−シリル）アセチレン（９．０ｇ、１５ｍｍｏｌ、８７％）を無色の液体として得た。生成物を分析して以下のデータを得た：１Ｈ−ＮＭＲ（２００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ＝２．４（ｓ，１Ｈ），２．２（ｍ，２Ｈ），１．０（ｍ，１４Ｈ），０．８（ｍ，２Ｈ）。
【０１６４】
６，１３−ビス（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，９，９，１０，１０，１０−ヘプタデカフルオロデシル−ジイソプロピルシリルエチニル）ペンタセンの合成
本実施例の上記の手順によって合成したアセチレンを用いた以外は、実施例５で述べたのと同様にしてペンタセン合成を行った。生成物を分析して以下のデータを得た：１Ｈ−ＮＭＲ（２００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ＝９．２（ｓ，４Ｈ），８．０（ｄｄ，Ｊ＝３．４Ｈｚ，６．６Ｈｚ），７．４（ｄｄ，Ｊ＝３．２Ｈｚ，７．０Ｈｚ），２．５（ｍ，４Ｈ），１．４（ｍ，２８Ｈ），１．２（ｍ，４Ｈ）。
【０１６５】
実施例１６−６，１３−ビス（（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，９，１０，１０，１０−ヘキサデカフルオロ−９−トリフルオロメチルデシル）ジイソプロピルシリルエチニル）ペンタセンの合成
（（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，９，１０，１０，１０−ヘキサデカフルオロ−９−トリフルオロメチル−デシル）ジイソプロピルシリル）アセチレンの合成
窒素下で冷却した、攪拌子を備えたオーブン乾燥した丸底フラスコ中で、（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，９，１０，１０，１０−ヘキサデカフルオロ−９−トリフルオロメチルデシル）ジイソプロピルシラン（４．８６ｇ、７．９４ｍｍｏｌ）を１０ｍＬの無水ベンゼン（使用前に１０体積％を煮沸で飛ばして乾燥させたベンゼン）に溶解した。この混合物に臭化アリル（１．４４ｇ、１１．９ｍｍｏｌ、１．５当量）及び塩化パラジウム（３０ｍｇ）を加えた。この溶液を６０℃に１５時間加熱してから冷却し、回転蒸発により濃縮した。得られた溶液をペンタンに溶解し、濾過して残留触媒を除去した後、溶媒を除去して（（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，９，１０，１０，１０−ヘキサデカフルオロ−９−トリフルオロメチルデシル）ジイソプロピルシリル）−ブロミド（１１．３ｇ）を淡褐色の液体として得た。この臭化物を１．２当量（最初のシランに対して）のエチニルマグネシウムブロミドによって無水条件下で処理し、４０℃に６時間加熱した。水及び希硫酸を加えて反応を停止させ、ペンタンを加えて有機層を分離した。有機層を水で洗い（６×５０ｍＬ）、硫酸マグネシウム上で乾燥し、濾過し、回転蒸発により濃縮した。ヘキサンを使用したフラッシュクロマトグラフィーによる更なる精製によって純粋な（（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，９，１０，１０，１０−ヘキサデカフルオロ−９−トリフルオロメチルデシル）ジイソプロピルシリル）−アセチレン（４．１ｇ、６．５ｍｍｏｌ、８２％）を無色の液体として得た。生成物を分析して以下のデータを得た：１Ｈ−ＮＭＲ（２００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ＝２．４（ｓ，１Ｈ），２．２（ｍ，２Ｈ），１．０（ｍ，１４Ｈ），０．８（ｍ，２Ｈ）。
【０１６６】
６，１３−ビス（（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，９，１０，１０，１０−ヘキサデカフルオロ−９−トリフルオロメチルデシル）ジイソプロピルシリルエチニル）ペンタセンの合成
オーブン乾燥した丸底フラスコ中で（（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，９，１０，１０，１０−ヘキサデカフルオロ−９−トリフルオロメチルデシル）ジイソプロピルシリル）アセチレン（０．６４ｇ、１．０ｍｍｏｌ）をヘキサン（１０ｍＬ）に溶解し、０℃でｎ−ブチルリチウム（０．２８ｍＬ、０．７ｍｍｏｌ、２．５Ｍヘキサン溶液）により処理した。１時間後、ペンタセンキノン（７７ｍｇ、０．２５ｍｍｏｌ）を加え、攪拌を１５時間継続した。無水ＴＨＦ（１０ｍＬ）を加えたところ溶液は均一となり、攪拌を１時間継続した。飽和塩化アンモニウム溶液（１０ｍＬ）を加えることにより反応を停止させた。反応グレードのＴＨＦ（１０ｍＬ）、塩化第一スズ二水和物（１．０ｇ、４．４ｍｍｏｌ）及び１０％ ＨＣｌ（６ｍＬ）を加え、激しい攪拌を３０分間継続した。ヘキサンを加え、有機層を分離してから１０％ ＨＣｌ（２×１０ｍＬ）及び水（２×１０ｍＬ）で洗い、硫酸マグネシウム上で乾燥し、薄いシリカパッドに通した（ヘキサン：ＤＣＭ＝５：１）。溶媒を除去することにより粗ペンタセンが得られ、これをヘキサン（５０ｍＬ）に溶かして厚いシリカパッド上に流した。シリカをヘキサンで流して余分なアセチレンを溶出させた後、生成物をヘキサン：ＤＣＭの９：１混合物によって溶出した。溶媒を除去することにより０．１６ｇの青色固体として粗生成物が得られ、これをジクロロエタン（１０ｍＬ）から再結晶化させて純粋な生成物を小さな青色針状結晶（０．１０ｇ、０．０６５ｍｍｏｌ、２６％）として得た。生成物を分析して以下のデータを得た：１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ＝９．２（ｓ，４Ｈ），７．９（ｄｄ，Ｊ＝６．４Ｈｚ，３．２Ｈｚ，４Ｈ），７．４（ｄｄ，Ｊ＝６．８Ｈｚ，３．２Ｈｚ，４Ｈ），２．５（ｍ，４Ｈ），１．４（ｍ，２８Ｈ），１．２（ｍ，４Ｈ）。
【０１６７】
実施例１７−６，１３−ビス（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，９，９，１０，１０，１０−ヘプタデカフルオロ−デシルジイソプロピルシリルエチニル）−２，３，９，１０−テトラメチルペンタセンの合成
２，３，９，１０−テトラメチルペンタセン−６，１３−ジオンの合成
１．６ｇ（１０ｍｍｏｌ）の４，５−ジメチルフタルアルデヒドを２０ｍＬエタノールに加えた溶液に０．５６ｇ（５ｍｍｏｌ）のシクロヘキサン−１，４−ジエンを加えた。開始物質が完全に溶解した時点で１５％水酸化ナトリウム水溶液を２滴加えるとキノンが直ちに沈殿しはじめた。この懸濁液を更に２時間攪拌した後、１０倍量のメタノールで希釈し、固体を濾過して回収した。固体のキノンを大量のメタノール、次いでエーテルで洗い、一晩風乾した。このキノン（１．５ｇ、８２％）を更に精製することなく使用した。
【０１６８】
６，１３−ビス（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，９，９，１０，１０，１０−ヘプタデカフルオロデシル−ジイソプロピルシリルエチニル）−２，３，９，１０−テトラメチルペンタセンの合成
上記実施例１５で得られた（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，９，９，１０，１０，１０−ヘプタデカフルオロデシルジイソプロピルシリル）アセチレン（１．８ｇ、３．０ｍｍｏｌ）をオーブン乾燥した丸底フラスコに加えてヘキサン（２０ｍＬ）に溶解した。０℃に冷却した後、溶液をｎ−ブチルリチウム（１．０ｍＬ、２．５ｍｍｏｌ、２．５Ｍヘキサン溶液）の滴下により処理し、攪拌を１時間継続した。２，３，９，１０−テトラメチルペンタセン−６，１３−ジオン（０．２８ｇ、０．８０ｍｍｏｌ）を加え、１０分後に無水ＴＨＦ（３ｍＬ）を加えた。反応を１５時間継続させると均質な溶液となった。この溶液に飽和塩化アンモニウム溶液（２０ｍＬ）、反応グレードのＴＨＦ（３０ｍＬ）、塩化第一スズ二水和物（３ｇ）、及び１０％ ＨＣｌ（２５ｍＬ）を加えてから３０分間激しく攪拌した。ヘキサン（２０ｍＬ）を加えた後、有機層を分離し、１０％ ＨＣｌ（２×１０ｍＬ）及び水（２×１０ｍＬ）で洗い、硫酸マグネシウム上で乾燥し、薄いシリカパッドに通した（ヘキサン：ＤＣＭ＝１：１）。溶媒を除去することにより青色油状物が得られ、これをヘキサンに溶かして厚いシリカパッド上に流した。更なるヘキサンをシリカに通して余分なアセチレンを溶出させた後、生成物をヘキサン：ＤＣＭの７：１混合物によって溶出した。溶媒を除去することによって青色固体が得られ、これをヘプタン：トルエンの約１：１の混合物から再結晶化させることにより、微細な青色針状結晶の繊維状の塊として生成物を得た（０．３ｇ、０．２ｍｍｏｌ、キノンからの収率２５％）。生成物を分析して以下のデータを得た：１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ＝９．０（ｓ，４Ｈ），７．７（ｓ，４Ｈ），２．６（ｍ，４Ｈ），２．５（ｓ，１２Ｈ），１．３（ｍ，２８Ｈ），１．２（ｍ，４Ｈ）．１３Ｃ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ＝１３７，１３２，１３１，１２５，１２４，１１８，１０７，１０４，２１〜１８の間に分離不能な多くのピーク，１２．
実施例１８−６，１３−ビス（３，３，４，４，５，５，５−ヘプタフルオロペンチルジイソプロピルシリルエチニル）−ペンタセンの合成
（３，３，４，４，５，５，５−ヘプタフルオロペンチルジイソプロピルシリル）アセチレンの合成
オーブン乾燥した丸底フラスコ中で（３，３，４，４，５，５，５−ヘプタフルオロペンチル）ジイソプロピル−シラン（１０ｇ、３２ｍｍｏｌ）を臭化アリル（２０ｍＬ）に溶解し、フラスコを窒素でフラッシュした。塩化パラジウム（４０ｍｇ）を加え、溶液を６０℃に１２時間加熱した。溶媒をロータリーエバポレータで除去することにより褐色の懸濁液が得られ、これをペンタンに溶かして濾過した。溶媒を除去することによりブロモシランを褐色の液体（１２．１ｇ）として得た。このブロモシラン、すなわち（３，３，４，４，５，５，５−ヘプタフルオロペンチルジイソプロピルシリル）ブロミドを無水ＴＨＦ（２０ｍＬ）中でエチニルマグネシウムブロミド（７０ｍＬ、３５ｍｍｏｌ、０．５Ｍ ＴＨＦ溶液）で処理し、４０℃に４時間加熱した。冷却後、水（２０ｍＬ）及びマグネシウム塩を溶解するうえで充分な希硫酸をゆっくりと加えることによって反応を停止させた。ペンタンを加え、有機層を分離した。水層をペンタンで更なる時間、抽出した後、有機層を合わせ、水（５×１０ｍＬ）及び食塩水で洗い、硫酸マグネシウム上で乾燥し、濾過した。溶媒を除去し、粗生成物をヘキサンに溶かして薄いシリカパッドに通した。溶媒を除去することにより生成物を無色の液体として得た（９．７ｇ、２９ｍｍｏｌ、９０％）。生成物を分析して以下のデータを得た：１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ＝２．４（ｓ，１Ｈ），２．２（ｍ，２Ｈ），１．０（ｍ，１４Ｈ），０．８（ｍ，２Ｈ）。
【０１６９】
６，１３−ビス（３，３，４，４，５，５，５−ヘプタフルオロペンチルジイソプロピルシリルエチニル）−ペンタセンの合成
（３，３，４，４，５，５，５−ヘプタフルオロペンチルジイソプロピルシリル）アセチレン（１．９ｇ、５．７ｍｍｏｌ）をオーブン乾燥した丸底フラスコ中でヘキサンに溶解し、０℃でｎ−ブチルリチウム（１．９ｍＬ、４．２ｍｍｏｌ、２．５Ｍヘキサン溶液）の滴下により処理した。１時間攪拌した後、ペンタセンキノン（０．５２ｇ、１．７ｍｍｏｌ）を加え、攪拌を１５時間継続し、無水ＴＨＦ（１５ｍＬ）を加えて更に２時間攪拌した。飽和塩化アンモニウム溶液（１５ｍＬ）、塩化第一スズ二水和物（４ｇ）、及び１０％ ＨＣｌ（１５ｍＬ）を加え、得られた溶液を３０分間激しく攪拌した。ヘキサン（３０ｍＬ）を加え、有機層を分離した後、１０％ ＨＣｌ（２×１０ｍＬ）及び水で洗い、硫酸マグネシウム上で乾燥し、ヘキサン：ＤＣＭの５：１混合物を使用して薄いシリカパッドを通して流した。溶媒を除去し、得られた青色油状物をヘキサンに溶かして薄いシリカパッド上に流し、これをヘキサン（２００ｍＬ）で流して余分なアセチレンを溶出させた。生成物をヘキサン：ＤＣＭの９：１混合物を使用して溶出し、溶媒を除去して青色固体を得た。粗生成物をアセトン（２５ｍＬ）から再結晶化させて純粋な生成物を赤紫色の板状物（０．９１ｇ、０．９７ｍｍｏｌ、キノンに対する収率５７％）として得た。生成物を分析して以下のデータを得た：１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ＝９．２（ｓ，４Ｈ），７．９（ｄｄ，Ｊ＝６．４Ｈｚ，３．２Ｈｚ，４Ｈ），７．４（ｄｄ，Ｊ＝６．４Ｈｚ，３．２Ｈｚ，４Ｈ），２．５（ｍ，４Ｈ），１．４（ｍ，２８Ｈ），１．２（ｍ，４Ｈ）。
【０１７０】
実施例１９−６，１３−ビス（３，３，４，４，５，５，６，６，６−ノナフルオロヘキシルジイソプロピル−シリルエチニル）−１−フルオロペンタセンの合成
１−フルオロペンタセン−６，１３−ジオンの合成
３−フルオロ−ｏ−キシレン（１．２ｇ、９．７ｍｍｏｌ）を攪拌子を備えた丸底フラスコに加え、３０ｍＬのジクロロメタンに溶解した。Ｎ−ブロモスクシンイミド（７．０ｇ、３９ｍｍｏｌ）及び少量のＡＩＢＮを加え、環流冷却器を取付けて混合物を６時間還流した時点でＧＣ−ＭＳによる点分析を行ったところ、三臭化物が主成分であることが示された。冷却後、水及びジクロロメタンを加え、有機層を分離して水及び希塩酸で洗い、硫酸マグネシウム上で乾燥し、ジクロロメタンを溶離剤として使用して薄いシリカゲルのパッドに通した。溶媒を除去して３．４ｇの混合生成物を得た。冷却器及び攪拌子を備えた１００ｍＬの丸底フラスコに１２ｍＬのジメチルホルムアミドを加え、次いで０．５４ｇ（２．０７ｍｍｏｌ）の上記で得られた三臭化物及び０．４３ｇ（２．１ｍｍｏｌ）の１，４−アントラキノンを加えた。溶液に窒素を２０分間バブリングした後、２．１ｇ（１２ｍｍｏｌ）のヨウ化カリウムを加え、反応液を１１０℃に３日間加熱した。反応液を冷却し、沈殿物を濾過して回収し、水、アセトン及びジエチルエーテルで順次洗った。得られた固体を風乾して０．２９ｇ（０．８８ｍｍｏｌ、４２％）の１−フルオロペンタセン−６，１３−ジオン（又は１−フルオロペンタセンキノン）を淡褐色の固体として得た。
【０１７１】
６，１３−ビス（３，３，４，４，５，５，６，６，６−ノナフルオロヘキシルジイソプロピルシリルエチニル）−１−フルオロペンタセンの合成
オーブン乾燥し、冷却したフラスコ中で、実施例１４で得られた（３，３，４，４，５，５，６，６，６−ノナフルオロヘキシルジイソプロピル−シリル）アセチレン（１．１ｇ、３．０ｍｍｏｌ）をヘキサン（１５ｍＬ）に溶解して氷浴中で冷却した。ｎ−ブチルリチウム（０．９６ｍＬ、２．４ｍｍｏｌ、２．５Ｍヘキサン溶液）を滴下し、溶液を１時間かけて室温にまで昇温させた。１−フルオロペンタセン−６，１３−ジオン（０．２８ｇ、０．８５ｍｍｏｌ）を加え、攪拌を一晩継続した。飽和塩化アンモニウム溶液（１０ｍＬ）を加えて反応を停止させてから、試薬グレードのＴＨＦ（１０ｍＬ）、塩化第一スズ二水和物（１．５ｇ）、及び１０％ ＨＣｌを加え、反応液を１時間激しく攪拌した。ヘキサンを加えて有機層を分離し、１０％ ＨＣｌ（２×１０ｍＬ）及び水（１０ｍＬ）で洗ってから硫酸マグネシウム上で乾燥し、薄いシリカパッド上に流した。粗生成物をヘキサン：ＤＣＭの５：１混合物を使用して溶出させ、溶媒をロータリーエバポレータで除去した。得られた青色油状物をヘキサンに溶かして厚いシリカパッド上に流した。更なるヘキサンをシリカに通して余分なアセチレンを溶出させた後、生成物をヘキサン：ＤＣＭの９：１混合物によって溶出した。溶媒を除去することによって０．２８ｇの青色固体が得られ、これをエタノール：クロロホルム（１５ｍＬ：２ｍＬ）から再結晶化させることによって０．２０ｇ（０．２０ｍｍｏｌ、キノンからの収率２４％）の赤紫色の板状物を得た。青色の針状結晶を分析して以下のデータを得た：１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ＝９．５（ｓ，１Ｈ），９．２（ｓ，１Ｈ），９．２（ｓ，２Ｈ），７，９（ｍ，２Ｈ），７．７（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，１Ｈ），７．４（ｄｄ，Ｊ＝６．８，３．２Ｈｚ，１Ｈ），７．２（ｍ，１Ｈ），７．０（ｍ，１Ｈ），２．５（ｍ，４Ｈ），１．４（ｍ，２８Ｈ），１．２（ｍ，４Ｈ）。
【０１７２】
実施例２０−６，１３−ビス（３，３，４，４，５，５，６，６，６−ノナフルオロヘキシルジイソプロピルシリル−エチニル）−２，３，９，１０−テトラメチルペンタセンの合成
オーブン乾燥し、冷却したフラスコ中で、実施例１４で得られた（３，３，４，４，５，５，６，６，６−ノナフルオロヘキシルジイソプロピルシリル）アセチレン（１．５ｇ、４．２ｍｍｏｌ）をヘキサン（２０ｍＬ）に溶解し、氷浴中で冷却した。ｎ−ブチルリチウム（１．４ｍＬ、３．４ｍｍｏｌ、２．５Ｍヘキサン溶液）を滴下し、溶液を１時間かけて室温にまで昇温させた。実施例１７で得られた２，３，９，１０−テトラメチル−ペンタセン−６，１３−ジオン（０．４４ｇ、１．２ｍｍｏｌ）を加え、攪拌を２０分間継続した後、無水ＴＨＦ（３ｍＬ）を加えた。１２時間後、更なる無水ＴＨＦ（１５ｍＬ）を加えたところ、淡黄色の懸濁液が残った。飽和塩化アンモニウム溶液（１５ｍＬ）を加えて反応を停止させてから、塩化第一スズ二水和物（３ｇ）及び１０％ ＨＣｌ（１０ｍＬ）を加え、反応混合物を１時間激しく攪拌した。ヘキサンを加えて有機層を分離し、１０％ ＨＣｌ（２×１０ｍＬ）及び水（１０ｍＬ）で洗ってから硫酸マグネシウム上で乾燥し、薄いシリカパッド上に流した。粗生成物をヘキサン：ＤＣＭの５：１混合物を使用して溶出させ、溶媒をロータリーエバポレータで除去した。得られた青色油状物をヘキサンに溶かして厚いシリカパッド上に流した。更なるヘキサンをシリカに通して余分なアセチレンを溶出させた後、生成物をヘキサン：ＤＣＭの５：１混合物によって溶出した。溶媒を除去することにより０．１１ｇの青色油状物が得られ、これをアセトン（約８ｍＬ）から再結晶化させて０．０２５ｇ（０．０２４ｍｍｏｌ、キノンに対する収率２％）の青色板状物を得た。生成物を分析して以下のデータを得た：１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ＝９．０（ｓ，４Ｈ），７．７（ｓ，４Ｈ），２．６（ｍ，４Ｈ），２．５（ｓ，１２Ｈ），１．３（ｍ，２８Ｈ），１．２（ｍ，４Ｈ）。
【０１７３】
実施例２１−６，１３−ビス（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，９，９，１０，１０，１０−ヘプタデカフルオロ−デシルジイソプロピルシリルエチニル）−２−ペンタフルオロエチルペンタセンの合成
１，２−ジメチル−４−ペンタフルオロエチルベンゼンの合成
窒素でパージし、火炎乾燥した丸底フラスコに、４−ヨード−ｏ−キシレン（１５．０ｇ、６４．７ｍｍｏｌ）、ペンタフルオロプロピオン酸ナトリウム（１６．８ｇ、９０．５ｍｍｏｌ）、ヨウ化銅（Ｉ）（１２．３ｇ、６４．６ｍｍｏｌ）及び１００ｍＬの無水Ｎ−メチルピロリドンを加えた。反応混合物を１７０℃に１６時間加熱した後、室温に冷却し、ヘキサンにより厚いシリカゲルプラグを通じて流した。次いで回収した黄色の液体をロータリーエバポレータで乾燥状態にまで蒸発させ、油状物を６０℃（１０−１Ｔｏｒｒ（１３．３Ｐａ））で蒸留して所望の生成物（９．１４ｇ、６３％）を無色の液体として回収した。生成物を分析して以下のデータを得た：１Ｈ ＮＭＲ（２００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ＝２．３４７（ｓ，６Ｈ），７．２４７（ｄ，Ｊ＝７．８Ｈｚ，１Ｈ），７．３５７（ｓ，１Ｈ），７．４０１（ｓ，１Ｈ）．１３Ｃ ＮＭＲ（５０ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ＝１９．８１０，１９．８４０，１２４．０１３（ｔ，Ｊ＝６．１Ｈｚ），１２７．４７２（ｔ，Ｊ＝６．１Ｈｚ），１３０．１５８，１３７．５６３，１４１．２０５．ＧＣ−ＭＳ：ｍ／ｚ：２２４（Ｃ１０Ｈ９Ｆ５）。
【０１７４】
１，２−ビス−ブロモメチル−４−ペンタフルオロエチルベンゼン、１−ブロモメチル−２−ジブロモメチル−４−ペンタフルオロエチルベンゼン、及び１，２−ビス−ジブロモメチル−４−ペンタ−フルオロエチルベンゼンの合成
窒素でパージし、火炎乾燥した２つ口丸底フラスコに９．１４ｇ（４０．８ｍｍｏｌ）の１，２−ジメチル−４−ペンタフルオロエチルベンゼン及び３６．３ｇ（２０４ｍｍｏｌ）のＮ−ブロモスクシンイミドを加えた。１，２−ジクロロエタン（２００ｍＬ）及び触媒量のＡＩＢＮを加えた。反応液を１６時間、環流加熱（７５℃）した。この後、反応混合物を冷却し、ジクロロメタン：ヘキサンの１：１混合物で洗いながら薄いシリカゲルパッドにより濾過した。２８．２ｇの液体生成物が回収され、ＧＣ／ＭＳにより臭素化された２−ペンタフルオロエチル−ｏ−キシレンの混合物であることが示された。この臭素化混合生成物を更に精製することなく次の工程で使用した。臭素化混合生成物を分析して以下のデータを得た：ＧＣ−ＭＳ：ｍ／ｚ：３８２（Ｃ１０Ｈ７Ｂｒ２Ｆ５），３７９（Ｃ１０Ｈ６Ｂｒ３Ｆ５＋−Ｂｒ），４２０（Ｃ１０Ｈ５Ｂｒ４Ｆ５＋−Ｂｒ，−２Ｆ）。
【０１７５】
２−ペンタフルオロエチルペンタセン−６，１３−ジオンの合成
窒素でパージした丸底フラスコに１，４−アントラキノン（８．５０ｇ、４０．９ｍｍｏｌ）及び約４０ｍｍｏｌの臭素化２−ペンタフルオロエチル−ｏ−キシレンの混合物を加えた。パージしたジメチルホルムアミド（３０ｍＬ）を窒素下でフラスコに加え、反応物質を９０℃に加熱した。次いでヨウ化カリウム（４５．４ｇ、２７４ｍｍｏｌ）を反応液にゆっくりと加え、温度を１３０℃にまで昇温した。反応混合物を３２時間攪拌した後、室温にまで冷却し、固体を濾過してアセトン、次いで大量のＴＨＦ及びジエチルエーテルで洗った。得られた不溶性の黄色固体を空気中で数時間乾燥させることによって５．９ｇ（３４％）の生成物を得た。生成物を分析して以下のデータを得た：ＭＳ（ＥＩ ７０ｅＶ）ｍ／ｚ ４２６（１００％，Ｍ＋）。
【０１７６】
６，１３−ビス（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，９，９，１０，１０，１０−ヘプタデカフルオロデシル−ジイソプロピルシリルエチニル）−２−ペンタフルオロエチルペンタセンの合成
実施例１５で得られた（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，９，９，１０，１０，１０−ヘプタデカフルオロデシルジイソプロピルシリル）アセチレン（１．５ｇ、２．６ｍｍｏｌ）をオーブン乾燥した丸底フラスコに加えてヘキサン（１８ｍＬ）に溶解した。０℃に冷却した後、溶液をｎ−ブチルリチウム（０．８ｍＬ、２．０ｍｍｏｌ、２．５Ｍヘキサン溶液）の滴下により処理し、攪拌を１時間継続した。２−ペンタフルオロエチルペンタセン−６，１３−ジオン（０．２６ｇ、０．６１ｍｍｏｌ）を加え、攪拌を１５時間継続した。無水ＴＨＦ（１０ｍＬ）を加え、反応を１時間継続させた後、飽和塩化アンモニウム溶液（１０ｍＬ）を加えることによって反応を停止させた。反応グレードのＴＨＦ（１０ｍＬ）、塩化第一スズ二水和物（２ｇ）、及び１０％ ＨＣｌ（１０ｍＬ）を加え、溶液を３０分間激しく攪拌した。ヘキサン（２０ｍＬ）を加えて有機層を分離し、１０％ ＨＣｌ（２×１０ｍＬ）及び水（２×１０ｍＬ）で洗い、硫酸マグネシウム上で乾燥し、薄いシリカパッドに通した（ヘキサン：ＤＣＭ＝５：１）。溶媒を除去した後、青色油状物をヘキサンに溶かして厚いシリカパッド上に流し、更なるヘキサン（２００ｍＬ）によって流して余分なアセチレンを溶出させた。生成物をヘキサン：ＤＣＭの９：１混合物によって溶出し、溶媒を除去することによって非常にゆっくりと固まる青色の液体として純粋な生成物を得た（０．１６ｇ、０．１０ｍｍｏｌ、キノンからの収率１７％）。生成物を分析して以下のデータを得た：１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ＝９．３（ｓ，１Ｈ），９．３（ｓ，１Ｈ），９．２（ｓ，１Ｈ），９，．２（ｓ，１Ｈ），８．２（ｓ，１Ｈ），８．１（ｄ，Ｊ＝９．２Ｈｚ，１Ｈ），７．９（ｄｄ，Ｊ＝６．８Ｈｚ，３．２Ｈｚ，２Ｈ），７．５（ｓ，１Ｈ），７．５（ｓ，１Ｈ），７．４（ｄｄ，Ｊ＝６．８Ｈｚ，３．２Ｈｚ，１Ｈ），２．５（ｓ，４Ｈ），１．４（ｍ，２８Ｈ），１．２（ｍ，４Ｈ）。
【０１７７】
実施例２２−６，１３−ビス（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，９，９，１０，１０，１０−ヘプタデカフルオロデシルジイソプロピルシリルエチニル）−ペンタセンの溶液を硬化トリメチロールプロパントリアクリレートのゲート誘電体層上にナイフコーティングすることによる薄膜トランジスタの調製
実施例１５で得られた６，１３−ビス（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，９，９，１０，１０，１０−ヘプタデカフルオロデシルジイソプロピルシリル−エチニル）ペンタセン（０．０２６９ｇ）をガラスバイアルに加え、３−（トリフルオロメチル）アニソール（１．４７１３ｇ）をバイアルに加えた。バイアルにキャップをし、アルミホイルで覆って組成物を光から遮断した。バイアルを２時間静置した後、ＩＫＡ ＬＡＢＯＲＴＥＣＨＮＩＫ ＨＳ５０１シェーカー（ＩＫＡ Ｗｅｒｋｅ ＧｍｂＨ ＆ Ｃｏ．ＫＧ（ドイツ、シュタウフェン））上に置き、約４８時間振盪した。バイアルの内容物を、Ｐａｌｌ Ｌｉｆｅ Ｓｃｉｅｎｃｅｓ（ニューヨーク州イーストヒルズ）よりＡＣＲＯＤＩＳＣ（登録商標）ＣＲの商品名で市販される孔径０．２マイクロメートル、直径２５ｍｍのポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）フィルターによって濾過して有機半導体溶液を得た。
【０１７８】
トリメチロールプロパントリアクリレート（１６．９９９２ｇ、ＳＡＲＴＯＭＥＲ（商標）ＳＲ−３５１）及び１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン（２．９９５９ｇ、ＩＲＧＡＣＵＲＥ（商標）１８４）を磁気攪拌子と共にアンバーガラス容器に入れて容器にキャップをし、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンが溶解するまで内容物を攪拌した。３．９９３１ｇのこの溶液と１５．９６７８ｇの３，５，５−トリメチル−２−シクロヘキセン−１−オン（イソホロンとも称され、Ａｌｆａ Ａｅｓａｒ（米国マサチューセッツ州ウォードヒル）より販売される）を磁気攪拌子と共に別のアンバーガラス容器に加えて容器にキャップをし、内容物を攪拌してゲート誘電体配合物を得た。
【０１７９】
熱酸化物を有するｎ型シリコンウェーハ（直径１０．１６ｃｍ（４インチ））（すなわち、Ｎｏｅｌ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ，Ｉｎｃ．（カリフォルニア州キャンベル）より供給される、前面に１０００オングストロームの熱酸化物（ＳｉＯ２）、裏面に１００オングストロームの窒化チタン及び５０００オングストロームのアルミニウムがコーティングされた、固有抵抗が０．００５Ω−ｃｍ未満の高濃度にｎ＋（砒素）型ドープされたのシリコン＜１００＞ウェーハ）を酸素プラズマによってクリーニングした。Ｐｌａｓｍａ Ｃｌｅａｎｉｎｇシステム（Ｙｉｅｌｄ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｓｙｓｔｅｍｓ，Ｉｎｃ．（カリフォルニア州リバモア）より販売されるモデルＹＥＳ−Ｇ１０００）において５００Ｗの出力設定及び１標準立方ｃｍ／分（ｓｃｃｍ）の酸素流を使用してウェーハを３分間処理した。プラズマクリーニングしたウェーハはクリーニング後に数分間冷まして確実に室温としてから、ゲート誘電体配合物を、４３２ｒｐｍ／ｓのランプレートで、２０００ｒｐｍで１分間、ウェーハの熱酸化物表面上にスピンコーティングした。コーティングした基材を１００℃に予熱したホットプレート上に１０分間置いた。次いで基材を窒素でパージした紫外線照射室（２５４ｎｍ殺菌ランプ）に移動し、コーティングされた誘電体に１０分間照射を行った（線量＝１．２Ｊ／ｃｍ２）。紫外線照射後、基材を１００℃に予熱したホットプレート上に１０分間置いた。基材をホットプレートから離して室温にまで冷ました。硬化したトリメチロールプロパントリアクリレートのゲート誘電体層の厚さは、約５４８オングストロームであった。ゲート誘電体は、硬化したトリメチロールプロパントリアクリレート層と厚さ１０００オングストロームの熱酸化物（ＳｉＯ２）層との複合体であった。基材を大まかに６分割して有機半導体溶液をコーティングするための試験片とした。
【０１８０】
ナイフコーターのブレード（ナイフコーターはＧａｒｄｃｏ Ｍｉｃｒｏｍアプリケータ−（Ｐａｕｌ Ｎ．Ｇａｒｄｎｅｒ Ｃｏｍｐａｎｙ，Ｉｎｃ．（米国フロリダ州ポンパノビーチ）である。）をシリコンウェーハの試験片の硬化トリメチロールプロパントリアクリレート層の表面の約３０５マイクロメートル（０．０１２インチ）上に配置し、使い捨てガラスピペットを使用して小さなビーズ状の半導体溶液をブレードと表面との間に置いた。次いでナイフコーターを手でウェーハ上で引くことによってウェーハを半導体溶液でコーティングした。半導体溶液をナイフコーティングした直後に、溶液がコーティングされたウェーハをガラスペトリ皿（直径約９０ｍｍ×深さ約１５ｍｍ）で覆って、溶媒である３−（トリフルオロメチル）アニソールの蒸発を遅らせた。試料を暗所で室温で乾燥させた。
【０１８１】
約３時間後に試料は乾燥した。金のソース電極及びドレイン電極（厚さ約１０００オングストローム）を、サーマルエバポレータを使用してシャドーマスクを通して半導体層上に蒸着させ、これによりボトムゲート、トップコンタクト構造のトランジスタを形成した。チャネル長さを約１００マイクロメートルとし、チャネル幅を約１０００マイクロメートルとした。結晶性又は半結晶性のペンタセンがチャネル領域の全体又はほぼ全体を覆った１０個のトランジスタの移動度を移動度値の試験方法Ｉによって測定したところ、その平均値は７．７４×１０−３ｃｍ２／Ｖ−ｓであった。
【０１８２】
実施例２３−６，１３−ビス（（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，９，１０，１０，１０−ヘキサデカフルオロ−９−トリフルオロメチルデシル）ジイソプロピル−シリルエチニル）−ペンタセンの溶液をＳｉＯ２ゲート誘電体層上にナイフコーティングすることによる薄膜トランジスタの調製
実施例１６で得られた６，１３−ビス（（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，９，１０，１０，１０−ヘキサデカフルオロ−９−トリフルオロメチルデシル）−ジイソプロピルシリルエチニル）ペンタセン（０．０２７１ｇ）をガラスバイアルに加え、３−（トリフルオロメチル）アニソール（１．４７１９ｇ）をバイアルに加えた。バイアルにキャップをし、アルミホイルで覆って組成物を光から遮断した。バイアルを２時間静置した後、ＩＫＡ ＬＡＢＯＲＴＥＣＨＮＩＫ ＨＳ５０１シェーカー（ＩＫＡ Ｗｅｒｋｅ ＧｍｂＨ ＆ Ｃｏ．ＫＧ）（ドイツ、シュタウフェン）上に置き、約４８時間振盪した。バイアルの内容物を、Ｐａｌｌ Ｌｉｆｅ Ｓｃｉｅｎｃｅｓ（ニューヨーク州イーストヒルズ）よりＡＣＲＯＤＩＳＣ（登録商標）ＣＲの商品名で市販される孔径０．２マイクロメートル、直径２５ｍｍのポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）フィルターによって濾過した。
【０１８３】
熱酸化物を有するｎ型シリコンウェーハ（Ｎｏｅｌ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ，Ｉｎｃ．（カリフォルニア州キャンベル）より供給される、前面に１０００オングストロームの熱酸化物（ＳｉＯ２）、裏面に１００オングストロームのＴｉＮ及び５０００オングストロームのアルミニウムがコーティングされた、固有抵抗０．００５Ω−ｃｍ未満の高濃度にｎ＋（砒素）型ドープされた直径１０．１６ｃｍ（４インチ）のシリコン＜１００＞ウェーハを大まかに６分割して試験片を得た。）の試験片を、半導体溶液をナイフコーティングするのに先立って、Ｐｌａｓｍａ Ｃｌｅａｎｉｎｇシステム（Ｙｉｅｌｄ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｓｙｓｔｅｍｓ，Ｉｎｃ．（カリフォルニア州リバモア）より市販されるモデルＹＥＳ−Ｇ１０００）において５００Ｗの出力設定及び約２００ｍＴｏｒｒ（２６．７ｋＰａ）の酸素圧を使用して４分間処理を行った。
【０１８４】
ナイフコーターのブレードをシリコンウェーハ試験片の熱酸化物表面の約０．０１２インチ（３０５マイクロメートル）上に配置し、使い捨てガラスピペットを使用して小さなビーズ状の半導体溶液をブレードと熱酸化物表面との間に置いた。次いでナイフコーターを手でウェーハ上で引くことによってウェーハを半導体溶液でコーティングした。半導体溶液をナイフコーティングした直後に、溶液がコーティングされたウェーハをガラスペトリ皿（直径約９０ｍｍ×深さ約１５ｍｍ）で覆って、溶媒である３−（トリフルオロメチル）アニソールの蒸発を遅らせた。試料を暗所で室温で乾燥させた。
【０１８５】
約３時間後に試料は乾燥した。金のソース電極及びドレイン電極（厚さ約１０００オングストローム）を、サーマルエバポレータを使用して、シャドーマスクを通して半導体層上に蒸着させ、これによりボトムゲート、トップコンタクト構造のトランジスタを形成した。チャネル長さを約１００マイクロメートルとし、チャネル幅を約１０００マイクロメートルとした。結晶性又は半結晶性のペンタセンがチャネル領域の全体又はほぼ全体を覆った７個のトランジスタの移動度を移動度値の試験方法Ｉによって測定したところ、その平均値は１．４６×１０−３ｃｍ２／Ｖ−ｓであった。
【０１８６】
実施例２４−紫外線（ＵＶ）に対するペンタセン溶液の安定性
６，１３−ビス（トリイソプロピルシリルエチニル）ペンタセン（ＴＩＰＳ、基本的に米国特許第６，６９０，０２９号（Ａｎｔｈｏｎｙらに述べられるようにして調製したもの））、６，１３−ビス（３，３，３−トリフルオロプロピル−ジイソプロピルシリルエチニル）ペンタセン（ＣＦ３）、６，１３−ビス（３，３，４，４，５，５，５−ヘプタフルオロペンチルジイソプロピルシリルエチニル）ペンタセン（Ｃ３Ｆ７）、６，１３−ビス（３，３，４，４，５，５，６，６，６−ノナフルオロヘキシルジイソプロピルシリルエチニル）ペンタセン（Ｃ４Ｆ９）、６，１３−ビス（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，８−トリデカフルオロオクチル−ジイソプロピルシリルエチニル）ペンタセン（Ｃ６Ｆ１３）、及び６，１３−ビス（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，９，９，１０，１０，１０−ヘプタデカフルオロデシルジイソプロピルシリルエチニル）ペンタセン（Ｃ８Ｆ１７）を別々のガラスバイアル中に秤量し、トルエン（ＥＭＤ Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ，Ｉｎｃ．（米国ニュージャージー州ギブズタウン）の販売する分光測定に適したＯｍｎｉＳｏｌｖ高純度溶媒）を各バイアル中に秤量して７．６１×１０−５Ｍ（モル）の溶液とした。バイアルにキャップをし、アルミ箔で包んで暗所に約１６時間置いてペンタセンを確実に溶解させた。溶液はいずれも青色であった。約２．０ｇの各ペンタセン溶液を別々の紫外／可視分光光度計のクォーツセルに入れた。セル（Ｓｐｅｃｔｒｏｃｅｌｌ Ｉｎｃ．（米国ペンシルベニア州オールランド）より販売されるＲＦ−３０１０−Ｔセル）は、１０×１０ｍｍ（経路長＝１０ｍｍ）、体積３．５ｍｌの、スペクトル範囲すなわちウインドウが１７０〜２２００ｎｍのものであった。温度２３℃における溶液中のペンタセンの紫外／可視スペクトルを、Ａｇｉｌｅｎｔ ８４５３ Ｄｉｏｄｅ Ａｒｒａｙ分光計（Ａｇｉｌｅｎｔ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ（米国カリフォルニア州サンタクララ）部品番号Ｇ１１０３８）により求めた。紫外／可視スペクトルは、１ｎｍ間隔で１９０〜８３０ｎｍの範囲で吸光度モードで積分時間を５秒間として得た。スペクトルはいずれもよく似ていた。
【０１８７】
次に各溶液に紫外線を合計時間で９０分間照射した。紫外線はランプハウジング（Ｂｌａｋ−Ｒａｙランプ、モデルＸＸ−１５Ｌ、ＵＶＰ（米国カリフォルニア州アップランド））内の２個の１５ワット（Ｗ）ブラックライト電球（Ｓｙｌｖａｎｉａ ＧＴＥ ３５０ Ｂｌａｃｋｌｉｇｈｔ Ｆ１５Ｔ８／３５０ＢＬ電球）によって得た。２個のブラックライト電球の両方の外周に接する仮想平面が紫外／可視セルの最も近い面とほぼ平行になるように保持し、この平面とセルの最も近い面との間の距離を約７０ｍｍとした。セルの紫外線照射の強度は約５．２７ｍＷ／ｃｍ２であった。溶液中のペンタセンの紫外／可視スペクトルを紫外線照射の間の異なる時点（約１５分毎）で得た。ペンタセンの分解により、各溶液の青色の強さが次第に弱くなり、黄色味がかった色となった。
【０１８８】
６４３〜６４５ナノメートル（ｎｍ）における吸収極大における吸光度をすべてのペンタセンについて紫外線照射時間と共に監視した。吸光度は、紫外線照射によるペンタセンの分解を反映して時間と共に低下した。標準化した吸光度Ａｔ／Ａ０（すなわち、照射時間ｔ後の吸光度を紫外線照射前の吸光度Ａ０（ｔ＝０における吸光度）で割ったもの）を各ペンタセンについて図５に示されるようにプロットした。紫外線照射時間に対する標準化吸光度の減少速度は６，１３−ビス（トリイソプロピルシリルエチニル）ペンタセンで最も大きかったが、このことはフルオロアルキル置換されたシリルエチニル基を有するペンタセンが紫外線に対してより安定であることを示している。
【０１８９】
実施例２５−６，１３−ビス（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，９，９，１０，１０，１０−ヘプタデカフルオロデシルジイソプロピルシリルエチニル）−２，３，９，１０−テトラメチルペンタセンの溶液をＳｉＯ２ゲート誘電体層上にナイフコーティングすることによる薄膜トランジスタの調製
実施例１７で得られた６，１３−ビス（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，９，９，１０，１０，１０−ヘプタデカフルオロデシルジイソプロピルシリル−エチニル）−２，３，９，１０−テトラメチルペンタセン（０．０１７８ｇ）をガラスバイアルに加え、３−（トリフルオロメチル）アニソール（０．９８６８ｇ）をバイアルに加えた。バイアルにキャップをし、アルミホイルで覆って組成物を光から遮断した。バイアルを約２２時間静置した後、ＩＫＡ ＬＡＢＯＲＴＥＣＨＮＩＫ ＨＳ５０１シェーカー（ＩＫＡ Ｗｅｒｋｅ ＧｍｂＨ ＆ Ｃｏ．ＫＧ）（ドイツ、シュタウフェン）上に置き、約４８時間振盪した。バイアルに加えたペンタセンの全部は溶解しなかった。バイアルの内容物を、Ｐａｌｌ Ｌｉｆｅ Ｓｃｉｅｎｃｅｓ（ニューヨーク州イーストヒルズ）よりＡＣＲＯＤＩＳＣ（登録商標）ＣＲの商品名で市販される孔径０．２マイクロメートル、直径２５ｍｍのポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）フィルターによって濾過した。
【０１９０】
６，１３−ビス（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，９，９，１０，１０，１０−ヘプタデカフルオロデシル−ジイソプロピルシリルエチニル）−２，３，９，１０−テトラメチルペンタセンの３−（トリフルオロメチル）アニソール溶液を使用した以外は、実施例２３に述べたのと同様にして薄膜トランジスタを作製及び試験した。１２個のトランジスタの平均移動度は、８．４５×１０−３ｃｍ２／Ｖ−ｓであった。
【０１９１】
実施例２６−６，１３−ビス（３，３，４，４，５，５，６，６，６−ノナフルオロヘキシルジイソプロピルシリルエチニル）−２，３，９，１０−テトラメチルペンタセンの溶液をＳｉＯ２ゲート誘電体層上にナイフコーティングすることによる薄膜トランジスタの調製
実施例２０で得られた６，１３−ビス（３，３，４，４，５，５，６，６，６−ノナフルオロヘキシルジイソプロピルシリルエチニル）−２，３，９，１０−テトラ−メチルペンタセン（０．０１１５ｇ）をガラスバイアルに加え、３−（トリフルオロメチル）アニソール（０．６２９３ｇ）をバイアルに加えた。バイアルにキャップをし、アルミホイルで覆って組成物を光から遮断した。バイアルを２２時間静置した後、ＩＫＡ ＬＡＢＯＲＴＥＣＨＮＩＫ ＨＳ５０１シェーカー（ＩＫＡ Ｗｅｒｋｅ ＧｍｂＨ ＆ Ｃｏ．ＫＧ（ドイツ、シュタウフェン））上に置き、約４８時間振盪した。バイアルに加えたペンタセンの全部は溶解しなかった。バイアルの内容物を、Ｐａｌｌ Ｌｉｆｅ Ｓｃｉｅｎｃｅｓ（ニューヨーク州イーストヒルズ）よりＡＣＲＯＤＩＳＣ（登録商標）ＣＲの商品名で市販される孔径０．２マイクロメートル、直径２５ｍｍのポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）フィルターによって濾過した。
【０１９２】
６，１３−ビス（３，３，４，４，５，５，６，６，６−ノナフルオロヘキシルジイソプロピルシリルエチニル）−２，３，９，１０−テトラメチルペンタセンの３−（トリフルオロメチル）アニソール溶液を使用した以外は、実施例２３に述べたのと同様にして薄膜トランジスタを作製及び試験した。９個のトランジスタの平均移動度は、１．２０×１０−２ｃｍ２／Ｖ−ｓであった。
【０１９３】
実施例２７−６，１３−ビス（（Ｎ−メチル−ノナフルオロブチルスルホンアミドプロピル）ジイソプロピルシリルエチニル）ペンタセンの合成
Ｎ−アリル−Ｎ−メチルノナフルオロブタンスルホンアミドの合成
３１３ｇ（１ｍｏｌ）のＮ−メチルノナフルオロブタンスルホンアミド（３Ｍ Ｃｏ．、米国特許第第６，６６４，３５４号、Ｓａｖｕ）、２１６ｇ（１ｍｏｌ）のナトリウムメトキシドの２５％メタノール溶液（Ａｌｄｒｉｃｈ）、及び１００ｍＬのＴＨＦ（ＥＭＤ）の混合物を５０℃で１時間攪拌し、溶媒を除去した。残渣を６００ｍＬのＴＨＦで希釈し、１００ｍＬ（１．１５ｍｏｌ）の臭化アリル（Ａｌｄｒｉｃｈ）で処理した。混合物を４０℃で約８時間攪拌してから水で希釈した。塩化メチレンで抽出してから蒸留することによって３２１．７ｇの無色の液体を得た（ｂｐ＝７５〜８０℃／１．１ｍｍ Ｈｇ（１４６．７Ｐａ））。
【０１９４】
３−（Ｎ−メチルノナフルオロブタンスルホンアミド）プロピル）ジイソプロピルシリルクロリドの合成
Ｎ−アリル−Ｎ−メチルノナフルオロブタンスルホンアミド（３．５３ｇ、０．０１ｍｏｌ）、１．５１ｇ（０．０１ｍｏｌ）のジイソプロピルクロロシラン（本明細書ではジイソプロピルシリルクロリドとも呼ぶ（Ａｌｆａ Ａｅｓａｒ））、及び０．４ｇの白金（０）−１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン錯体（１８％トルエン溶液。スリー・エム社（３Ｍ）より供給されるが、同化合物のキシレン溶液がＳｉｇｍａ−Ａｌｄｒｉｃｈより販売されている）を混合し、約６０℃に１．５時間加温した。短行程蒸留により１０５℃／０．１ｍｍ Ｈｇ（１３．３Ｐａ）で主留分が得られ、ＧＣ／ＭＳによって、主成分である所望の生成物（質量５０３）に、ＮＭｅＳＯ２Ｃ４Ｆ９によるＣｌの置換に相当する一定量の質量７８０をともなっていることが示された。３５．３ｇ（０．１ｍｏｌ）のＮ−アリル−Ｎ−メチルノナフルオロブタンスルホンアミド、１５．１ｇ（０．１ｍｏｌ）のジイソプロピルクロロシラン、及び４．０ｇの白金（０）−１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン錯体に反応の規模を大きくし、得られた４９．７ｇに２４時間後に１プレート蒸留を行ったところ、ｂｐ １３０〜１８５／１ｍｍ Ｈｇ（１３３．３Ｐａ）の留分２３．４ｇが得られ、ＧＬＣにより両成分がほぼ等量で含まれることが示された。
【０１９５】
３−（Ｎ−メチルノナフルオロブタンスルホンアミド）プロピル）ジイソプロピルシリルアセチレンの合成
窒素雰囲気を含むオーブン乾燥した５００ｍＬの丸底フラスコにヘキサン（１００ｍＬ）、テトラヒドロフラン（２０ｍＬ）、及びトリメチルシリルアセチレン（４．８ｇ、４８．９ｍｍｏｌ）を入れ、氷浴で冷却した。Ｎ−ブチルリチウム（２．５Ｍヘキサン溶液，１９．４ｍＬ）を滴下し、反応混合物を室温にまで昇温させた。上記した「３−（Ｎ−メチルノナフルオロブタンスルホンアミド）プロピル）ジイソプロピルシリルクロリドの合成」の工程で得られた反応生成物（２０．０ｇ）をゆっくりと加え、内容物を１６時間攪拌した。水（１００ｍＬ）をゆっくりと加え、混合物を激しく攪拌した。有機層を分離し、水層を１００ｍＬのヘキサンで抽出した。有機層を合わせ、減圧下で褐色油状物となるまで濃縮した。油状物を溶離剤としてヘキサンを用いてシリカゲル上でクロマトグラフィーを使用して精製することにより、２３．９ｇのトリメチルシリル保護されたアセチレンを透明な油状物として得た。この油状物（２３．９ｇ、４２．２ｍｍｏｌ）をオーブン乾燥した５００ｍＬの丸底フラスコに入れた。メタノール（５０ｍＬ）、テトラヒドロフラン（５０ｍＬ）、及び５％水酸化ナトリウム水溶液（１ｍＬ）を加え、１時間攪拌した。次に水（１００ｍＬ）を加え、激しく攪拌した。有機層を分離し、水層をヘキサンで２回抽出した（２×１００ｍＬ）。有機層を合わせ、減圧下で濃縮して３−（Ｎ−メチルノナフルオロブタンスルホンアミド）プロピル）ジイソプロピルシリルアセチレンを透明な油状物として得た（１１．２ｇ、５４％）。
【０１９６】
６，１３−ビス（（Ｎ−メチル−ノナフルオロブチルスルホンアミドプロピル）ジイソプロピルシリル−エチニル）ペンタセンの合成
窒素雰囲気を含むオーブン乾燥した５００ｍＬの丸底フラスコに３−（Ｎ−メチルノナフルオロブタンスルホンアミド）プロピル）ジイソプロピルシリルアセチレン（１１．２ｇ、２２．７ｍｍｏｌ）及びヘキサン（１００ｍＬ）を入れた。これを氷浴で冷却し、ｎ−ブチルリチウム（２．５Ｍヘキサン溶液，７．６ｍＬ）を滴下した。反応混合物を室温にまで昇温させた。６，１３−ペンタセンキノン（２．１ｇ、６．８ｍｍｏｌ）を反応混合物に加え、これを１６時間攪拌した。テトラヒドロフラン（８０ｍＬ）を加え、混合物を６日間攪拌した。飽和塩化アンモニウム（６０ｍＬ）、次いで塩化第一スズ二水和物（１６ｇ、７０．９ｍｍｏｌ）及び１０％塩酸水溶液（６０ｍＬ）を加えた。丸底フラスコをアルミ箔で覆って光を遮断した。反応混合物を１時間激しく攪拌してから有機層を分離し、１０％塩酸水溶液（２×６０ｍＬ）、次いで６０ｍＬの水で洗った。次いで有機層を硫酸マグネシウムで乾燥し、濾過してから減圧下で濃縮して褐色油状物を得た。ジクロロメタンをヘキサンに加えたものを溶離剤として用いてシリカゲル上でクロマトグラフィーによって油状物を精製することによって６，１３−ビス（（Ｎ−メチルノナフルオロブチルスルホンアミドプロピル）ジイソプロピルシリルエチニル）ペンタセンを暗青色の固体として得た（４７３ｍｇ、２％）。少量の１，４−ビス−トリフルオロメチルベンゼンを参照用基準物質として加えた重水素化クロロホルム中で生成物を分析して以下のデータを得た：１Ｈ−ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ：９．２３〜９．３１（ｍ，４Ｈ），７．９５〜８．０２（ｍ，４Ｈ），７．４１〜７．４７（ｍ，４Ｈ），３．７０〜３．８７（ｍ，２Ｈ），３．２２〜３．３９（ｍ，２Ｈ），３．０１〜３．０５（ｍ，６Ｈ），２．０２〜２．１５（ｍ，４Ｈ），１．３１〜１．４１（ｍ，２４Ｈ），１．０１〜１．１０（ｍ，４Ｈ），０．９４〜１．０１（ｍ，４Ｈ）；１９Ｆ ＮＭＲ（４７０ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ ｐｐｍ−１２６．９９−−１２６．１１（ｍ，２Ｆ），−１２１．９６（ｄｄ，Ｊ＝９．３４Ｈｚ，４．００Ｈｚ，２Ｆ），−１１２．４８（幅広のｓ，２Ｆ），−８２．００−−８０．８０（ｍ，３Ｆ）。
【０１９７】
以上、本明細書をその特定の実施形態について詳述したが、当業者であれば、上記の記載内容を理解することで、これらの実施形態に対する変更、変形、及びその均等物を容易を想到し得ることは明らかである。したがって、本発明の範囲は、添付された特許請求の範囲及びその均等物のいずれかとして評価されるべきである。
【技術分野】
【０００１】
本願は、２００９年５月２９日出願の発明の名称が「ＦＬＵＯＲＩＮＡＴＥＤ ＳＩＬＹＬＥＴＨＹＮＹＬ ＰＥＮＴＡＣＥＮＥ ＣＯＭＰＯＵＮＤＳ ＡＮＤ ＣＯＭＰＯＳＩＴＩＯＮＳ ＡＮＤ ＭＥＴＨＯＤＳ ＯＦ ＭＡＫＩＮＧ ＡＮＤ ＵＳＩＮＧ ＴＨＥ ＳＡＭＥ」である米国仮特許出願第６１／１８２，５６１号に基づく優先権を主張する国際特許出願として出願されるものである。
【０００２】
本発明は、一般的に、フッ素化シリルエチニルペンタセン及びフッ素化シリルエチニルペンタセンを含有する組成物に関する。本発明は更に、一般的に、フッ素化シリルエチニルペンタセンの製造方法及び使用方法、並びにフッ素化シリルエチニルペンタセンを含有する組成物に関する。
【背景技術】
【０００３】
有機ベースのトランジスタで構成される電子デバイスは、無機ベースのトランジスタで構成される電子デバイスと比較した場合に、典型的にはより低コストで製造可能であり、より大きな面積のフォーマットに適用することができる。しかしながら、有機ベーストランジスタは典型的には、性能面で見劣りがするものであった。一般に有機ベーストランジスタでは、小分子又はポリマーを半導体材料として利用している。典型的には、小分子半導体材料は有機溶媒に対する溶解度が低いため、典型的には薄膜を形成するには真空蒸着法を必要とする。有用なデバイスを製造するために多層パターニングを行うには、シャドーマスク又はフォトリソグラフィー法が通常必要とされる。真空蒸着法及びリソグラフィーでは、通常は真空蒸着法及びリソグラフィーを必要としないプロセス（例えば溶液コーティング法）と比較して大幅にコストが嵩むプロセスがしばしば必要とされる。
【０００４】
安価な電子デバイスを製造するためのコスト効率の高い手法の１つとして、以下の例示的なコーティング法、すなわちスピンコーティング、ナイフコーティング、ロール・ツー・ロール・ウェブコーティング、及びディップコーティング、並びにインクジェット印刷、スクリーン印刷、及びオフセットリソグラフィーなどの印刷法のいずれかによって有機半導体材料を塗布することがある。しかしながら、上記したように、多くの有機半導体材料は溶媒に溶けにくいことで有名であり、溶解するものも一般に溶液中で不安定である。不溶性及び不安定性の問題のため、安価な電子デバイスを作製するために上記したような安価なコーティング工程を使用して多くの有機半導体材料を塗布する可能性は限定されている。
【０００５】
６，１３−シリルエチニル置換されたペンタセンに基づいた特定の有機半導体は、（ｉ）有機溶媒に溶解し、（ｉｉ）溶液中で安定であり、（ｉｉｉ）有機電界トランジスタ（ＯＦＥＴ）で高い性能を与えることが示されている。例えば、６，１３−ビス［（トリイソプロピルシラニル）エチニル］ペンタセン（６，１３−ビス［（トリイソプロピルシリル）−エチニル］ペンタセンとも呼ばれ、本明細書では「ＴＩＰＳペンタセン」と呼ぶ）は、（ｉ）有機溶媒に対して一定の溶解度を有し、（ｉｉ）溶液中で一定の安定性を有し、（ｉｉｉ）有機電界トランジスタ（ＯＦＥＴ）で高い性能を与えることが示されている。しかしながら、ＴＩＰＳペンタセンであっても、特定の有機溶媒に対しては溶解度が限定されており、例えば電荷キャリア移動度の値によって測定されるような電子デバイスにおける性能も限定されている。
【０００６】
更に多くの既知のペンタセン化合物は、以下の難点、すなわち、（ｉ）表面を濡らす性質が限定されている、（ｉｉ）疎水性及び／又は疎油性が限定されている、（ｉｉｉ）耐酸化性が限定されている、（ｉｖ）光化学的安定性が限定されている、の１つ以上を有する。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は有機化合物、すなわち以下の性質の１つ以上を有する６，１３−シリルエチニル置換されたペンタセン化合物の発見によって、当該技術分野における幾つかの問題を解決するものである。すなわち、（ｉ）１つ以上の有機溶媒（例えばフッ素化溶媒）に対する高い溶解度、（ｉｉ）所定の有機溶媒（例えばフッ素化溶媒）に取り入れられる際の高い安定性、（ｉｉｉ）表面を濡らす高い性質、（ｉｖ）高い疎水性及び／又は疎油性、（ｖ）高い耐酸化性、（ｖｉ）電子デバイスの電荷キャリア移動度の値によって測定されるような、電子デバイスに組み込まれる際の高い性能、（ｖｉｉ）電子デバイスのエネルギー変換効率によって測定されるような、半導体層として電子デバイスに組み込まれる際の高い性能、及び（ｖｉｉｉ）環境中における装置の電子的特性の経時的な安定性によって測定されるような、半導体層として電子デバイスに組み込まれる際の高い性能。本発明のペンタセン化合物は、電子デバイス及び他のコーティングされた基材の製造においてコーティング可能な組成物中で利用することができる。
【０００８】
本発明は、特定の６，１３−シリルエチニル置換を有するペンタセン化合物に関するものである。例示的な一実施形態では、本発明は下記化学構造を有するペンタセン化合物に関する。
【０００９】
【化１】
【００１０】
（以後、「構造Ａ」とも呼ぶ）
［式中、
Ｒ、Ｒ’及びＲ”はそれぞれ独立して、（ｉ）水素、（ｉｉ）分枝若しくは非分枝、置換若しくは非置換のアルキル基、（ｉｉｉ）分枝若しくは非分枝、置換若しくは非置換のアルケニル基、（ｉｖ）置換若しくは非置換のシクロアルキル基、（ｖ）置換若しくは非置換のシクロアルキルアルキレン基、（ｖｉ）分枝若しくは非分枝、置換若しくは非置換のアルキニル基、（ｖｉｉ）置換若しくは非置換のアリール基、（ｖｉｉｉ）置換若しくは非置換のアリールアルキレン基、（ｉｘ）アセチル基、（ｘ）環内にＯ、Ｎ、Ｓ及びＳｅの少なくとも１つを有する置換若しくは非置換の複素環、（ｘｉ）置換若しくは非置換のエーテル基又はポリエーテル基、又は（ｘｉｉ）置換若しくは非置換のスルホンアミド基を含み；Ｒ、Ｒ’及びＲ”の少なくとも１つが存在し、かつそれが、分枝若しくは非分枝の置換アルキル基、分枝若しくは非分枝の置換アルケニル基、置換シクロアルキル基、置換シクロアルキルアルキレン基、分枝若しくは非分枝の置換アルキニル基、置換アリール基、置換アリールアルキレン基、環内にＯ、Ｎ、Ｓ及びＳｅの少なくとも１つを有する置換複素環、置換エーテル基若しくはポリエーテル基、又は置換スルホンアミド基を含むフッ素化一価ラジカルを含み、該フッ素化一価ラジカルは１以上のフッ素原子を含み、該１以上のフッ素原子は両方のケイ素原子から少なくとも原子３個分又は少なくとも共有結合４つ分だけ離れており、
ｘ、ｙ及びｚはそれぞれ独立して０、１、２又は３に等しく、
（ｘ＋ｙ＋ｚ）＝３であり、かつ、
Ｘはそれぞれ独立して、（ｉ）水素、（ｉｉ）ハロゲン、（ｉｉｉ）分枝若しくは非分枝、置換若しくは非置換のアルキル基、（ｉｖ）置換若しくは非置換のアリール基、（ｖ）分枝若しくは非分枝、置換若しくは非置換のアルケニル基、（ｖｉ）分枝若しくは非分枝、置換若しくは非置換のアルキニル基、（ｖｉｉ）シアノ基、（ｖｉｉｉ）ニトロ基、（ｉｘ）分枝若しくは非分枝、置換若しくは非置換のアルコキシ基を含むか、又は（ｘ）任意の２個の隣り合うＸ基が互いに結合して（ａ）置換若しくは非置換の炭素環、又は（ｂ）置換若しくは非置換の複素環を形成する。］
本発明は更に、（ｉ）Ｒ、Ｒ’、Ｒ”、ｘ、ｙ、ｚ及びＸが上記したものであるような構造Ａを有する少なくとも１種類のペンタセン化合物、及び（ＩＩ）溶媒を含む組成物に関する。本発明の組成物は、少なくとも１種類のペンタセン化合物及び溶媒をそれらのみで、又はポリマー添加剤、レオロジー調整剤、界面活性剤、若しくはこれらの任意の組み合わせなどの１つ以上の更なる組成物成分と組み合わせて含んでもよい。
【００１１】
本発明は更に、少なくとも１つのコーティング可能な表面と、少なくとも１つのコーティング可能な表面上にコーティングされた層とを有する基材であって、コーティング層が、Ｒ、Ｒ’、Ｒ”、ｘ、ｙ、ｚ及びＸが上記したものであるような構造Ａを有するペンタセン化合物を含む基材に関する。例示的な一実施形態では、基材は電子デバイス又は電子デバイス要素を含む。
【００１２】
本発明はまた、Ｒ、Ｒ’、Ｒ”、ｘ、ｙ、ｚ及びＸが上記したものであるような構造Ａを有するペンタセン化合物の製造方法にも関する。
【００１３】
本発明は更に、組成物（例えばインクジェット印刷用組成物）、コーティング、その上にコーティング層を有する基材、電子デバイス要素、及び電子デバイスを形成するために、Ｒ、Ｒ’、Ｒ”、ｘ、ｙ、ｚ及びＸが上記したものであるような構造Ａを有する少なくとも１つのペンタセン化合物を使用する方法に関する。
【００１４】
本発明のこれらの特徴及び利点、並びに他の特徴及び利点は、以下の開示される実施形態の詳細な説明及び付属の「特許請求の範囲」を参照することで明らかとなるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
添付の図面を参照しながら本発明を更に説明する。
【図１】本発明の少なくとも１つのフッ素化ペンタセン化合物を含有する組成物の溶液を成膜することによって形成された半導体層を含む例示的な薄膜トランジスタの断面図。
【図２】本発明の少なくとも１つのフッ素化ペンタセン化合物を含有する組成物の溶液を成膜することによって形成された半導体層を含む別の例示的な薄膜トランジスタの断面図。
【図３】本発明の少なくとも１つのフッ素化ペンタセン化合物を含有する組成物の溶液を成膜することによって形成された半導体層を含む更に別の例示的な薄膜トランジスタの断面図。
【図４】掃引ゲートバイアスの関数としてトランジスタ出力（ＩＤＳ及び（ＩＤＳ）１／２）をプロットした代表的なプロット。
【図５】本発明の異なるフッ素化ペンタセン化合物について約６４３〜６４５ナノメートルに吸収極大を有する標準化吸光度（Ａｔ／Ａｏ）を、各溶液を紫外線（ＵＶ）で照射した時間の関数としてＴＩＰＳ−ペンタセン溶液と比較してプロットした代表的なプロット。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
本発明は、所定の化学構造（本明細書においては「化合物Ａ」とも呼ぶ）を有するフッ素化ペンタセン化合物に関するものである。
【００１７】
【化２】
【００１８】
［式中、
Ｒ、Ｒ’及びＲ”はそれぞれ独立して、（ｉ）水素、（ｉｉ）分枝若しくは非分枝、置換若しくは非置換のアルキル基、（ｉｉｉ）分枝若しくは非分枝、置換若しくは非置換のアルケニル基、（ｉｖ）置換若しくは非置換のシクロアルキル基、（ｖ）置換若しくは非置換のシクロアルキルアルキレン基、（ｖｉ）分枝若しくは非分枝、置換若しくは非置換のアルキニル基、（ｖｉｉ）置換若しくは非置換のアリール基、（ｖｉｉｉ）置換若しくは非置換のアリールアルキレン基、（ｉｘ）アセチル基、（ｘ）環内にＯ、Ｎ、Ｓ及びＳｅの少なくとも１つを有する置換若しくは非置換の複素環、（ｘｉ）置換若しくは非置換のエーテル基又はポリエーテル基、又は（ｘｉｉ）置換若しくは非置換のスルホンアミド基を含み；Ｒ、Ｒ’及びＲ”の少なくとも１つが存在し、かつそれが、分枝若しくは非分枝の置換アルキル基、分枝若しくは非分枝の置換アルケニル基、置換シクロアルキル基、置換シクロアルキルアルキレン基、分枝若しくは非分枝の置換アルキニル基、置換アリール基、置換アリールアルキレン基、環内にＯ、Ｎ、Ｓ及びＳｅの少なくとも１つを有する置換複素環、置換エーテル基若しくはポリエーテル基、又は置換スルホンアミド基を含むフッ素化一価ラジカルを含み、該フッ素化一価ラジカルは１以上のフッ素原子を含み、該１以上のフッ素原子は両方のケイ素原子から少なくとも原子３個分又は少なくとも共有結合４つ分だけ離れており、
ｘ、ｙ及びｚは、それぞれ独立して０、１、２又は３に等しく、
（ｘ＋ｙ＋ｚ）＝３であり、かつ、
Ｘはそれぞれ独立して、（ｉ）水素、（ｉｉ）ハロゲン、（ｉｉｉ）分枝若しくは非分枝、置換若しくは非置換のアルキル基、（ｉｖ）置換若しくは非置換のアリール基、（ｖ）分枝若しくは非分枝、置換若しくは非置換のアルケニル基、（ｖｉ）分枝若しくは非分枝、置換若しくは非置換のアルキニル基、（ｖｉｉ）シアノ基、（ｖｉｉｉ）ニトロ基、（ｉｘ）分枝若しくは非分枝、置換若しくは非置換のアルコキシ基を含むか、又は（ｘ）任意の２個の隣り合うＸ基が互いに結合して（ａ）置換若しくは非置換の炭素環、又は（ｂ）置換若しくは非置換の複素環を形成する。］
本発明のペンタセン化合物を述べるうえで多くの用語が使用される。本明細書中で使用する様々な用語を以下に定義する。
【００１９】
「アルキル基」とは、飽和炭化水素であるアルカンのラジカルである一価の基のことを指す。アルキルは、直鎖状、分枝状、環状、又はこれらの組み合わせであってよく、典型的には１〜３０個の炭素原子を含有する。特定の実施形態では、アルキル基は、４〜３０個、１〜２０個、４〜２０個、１〜１４個、１〜１０個、４〜１０個、４〜８個、１〜８個、１〜６個、又は１〜４個の炭素原子を含有する。アルキル基の例としては、これらに限定されるものではないが、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、第３ブチル、イソブチル、ｎ−ペンチル、ｎ−ヘキシル、シクロヘキシル、ｎ−オクチル、ｎ−ヘプチル、及びエチルヘキシルが挙げられる。
【００２０】
「置換アルキル基」とは、１つ以上の置換基を有するアルキル基のことを指し、１つ以上の置換基はそれぞれ、炭素及び水素以外の１以上の原子を単独で（例えばＦなどのハロゲン）、又は炭素（例えばシアノ基）及び／若しくは水素原子（例えば水酸基又はカルボン酸基）と組み合わせて含有する一価の部分を含む。
【００２１】
「アルケニル基」とは、少なくとも１個の炭素−炭素二重結合を有する炭化水素であるアルケンのラジカルである一価の基のことを指す。アルケニルは、直鎖状、分枝状、環状、又はこれらの組み合わせであってよく、典型的には２〜３０個の炭素原子を含有する。特定の実施形態では、アルケニルは、２〜２０個、２〜１４個、２〜１０個、４〜１０個、４〜８個、２〜８個、２〜６個、又は２〜４個の炭素原子を含有する。例示的なアルケニル基としては、これらに限定されるものではないが、エテニル、プロペニル、及びブテニルが挙げられる。
【００２２】
「置換アルケニル基」とは、（ｉ）１つ以上のＣ−Ｃ二重結合、及び（ｉｉ）１つ以上の置換基を有するアルケニル基のことを指し、１つ以上の置換基はそれぞれ、炭素及び水素以外の１以上の原子を単独で（例えばＦなどのハロゲン）、又は炭素（例えばシアノ基）及び／若しくは水素原子（例えば水酸基又はカルボン酸基）と組み合わせて含有する一価の部分を含む。
【００２３】
「アルキニル基」とは、少なくとも１個の炭素−炭素三重結合を有する炭化水素であるアルキンのラジカルである一価の基のことを指す。アルキニルは、直鎖状、分枝状、環状、又はそれらの組み合わせであってよく、典型的には２〜３０個の炭素原子を含有する。特定の実施形態では、アルキニルは、２〜２０個、２〜１４個、２〜１０個、４〜１０個、４〜８個、２〜８個、２〜６個、又は２〜４個の炭素原子を含有する。例示的なアルキニル基としては、これらに限定されるものではないが、エチニル、プロピニル、及びブチニルが挙げられる。
【００２４】
「置換アルキニル基」とは、（ｉ）１つ以上のＣ−Ｃ三重結合、及び（ｉｉ）１つ以上の置換基を有するアルキニル基のことを指し、１つ以上の置換基はそれぞれ、炭素及び水素以外の１以上の原子を単独で（例えばＦなどのハロゲン）、又は炭素（例えばシアノ基）及び／若しくは水素原子（例えば水酸基又はカルボン酸基）と組み合わせて含有する一価の部分を含む。
【００２５】
「シクロアルキル基」とは、環構造内の３個以上の炭素原子から構成される環構造である一価の基のことを指す（環構造は炭素原子のみからなり、環構造の炭素原子の１個がラジカルである）。
【００２６】
「置換シクロアルキル基」とは、１つ以上の置換基を有するシクロアルキル基のことを指し、１つ以上の置換基はそれぞれ、１以上の原子を含有する一価の部分（例えばＦなどのハロゲン、アルキル基、シアノ基、水酸基、又はカルボン酸基）を含む。
【００２７】
「シクロアルキルアルキレン基」とは、環構造内の３個以上の炭素原子から構成される環構造である一価の基（環構造は炭素原子のみからなる）のことを指し、環構造は非環状アルキル基（典型的には１〜３個の炭素原子、より典型的には１個の炭素原子）に結合し、非環状アルキル基の炭素原子の１個がラジカルである。
【００２８】
「置換シクロアルキルアルキレン基」とは、１つ以上の置換基を有するシクロアルキルアルキレン基のことを指し、１つ以上の置換基はそれぞれ、１以上の原子を含有する一価の部分（例えばフッ素などのハロゲン、アルキル基、シアノ基、水酸基、又はカルボン酸基）を含む。
【００２９】
「アリール基」とは、芳香族炭素環式化合物のラジカルである一価の基を指す。アリールは１個の芳香環を有するか、あるいは芳香環と結合又は縮合した最大で５個の炭素環式環構造を含み得る。他の環構造は、芳香族、非芳香族、又はこれらの組み合わせであり得る。アリール基の例としては、これらに限定されるものではないが、フェニル、ビフェニル、テルフェニル、アンスリル、ナフチル、アセナフチル、アントラキノニル、フェナンスリル、アントラセニル、ピレニル、ペリレニル、及びフルオレニルが挙げられる。
【００３０】
「置換アリール基」とは、１つ以上の置換基を有するアリール基のことを指し、１つ以上の置換基はそれぞれ、１以上の原子を含有する一価の部分（例えばＦなどのハロゲン、アルキル基、シアノ基、水酸基、又はカルボン酸基）を含む。
【００３１】
「アリールアルキレン基」とは、環構造内の５〜１０個の炭素原子から構成される芳香環構造である一価の基（環構造は炭素原子のみからなる）のことを指し、芳香環構造は１以上の炭素原子（典型的には１〜３個の炭素原子、より典型的には１個の炭素原子）を有する非環状アルキル基に結合し、非環状アルキル基の炭素原子の１個がラジカルである。
【００３２】
「置換アリールアルキレン基」とは、１つ以上の置換基を有するアリールアルキレン基のことを指し、１つ以上の置換基はそれぞれ、１以上の原子を含有する１価の部分（例えばＦなどのハロゲン、アルキル基、シアノ基、水酸基、又はカルボン酸基）を含む。
【００３３】
「アセチル基」とは、式−Ｃ（Ｏ）ＣＨ３を有する一価のラジカルのことを指す。
【００３４】
「複素環」とは、環構造内にＯ、Ｎ、Ｓ及びＳｅの少なくとも１つを有する飽和、部分飽和、又は不飽和環構造のことを指す。
【００３５】
「置換複素環」とは、環構造の１つ以上の環員に１つ以上の置換基が結合した複素環のことを指し、１つ以上の置換基はそれぞれ、１以上の原子を含有する一価の部分（例えばＦなどのハロゲン、アルキル基、シアノ基、水酸基、又はカルボン酸基）を含む。
【００３６】
「炭素環」とは、環構造内に炭素のみを含む飽和、部分飽和、又は不飽和環構造のことを指す。
【００３７】
「置換炭素環」とは、環構造の１つ以上の環員に１つ以上の置換基が結合した炭素環のことを指し、該１つ以上の置換基はそれぞれ、１以上の原子を含有する一価の部分（例えばＦなどのハロゲン、アルキル基、シアノ基、水酸基、又はカルボン酸基）を含む。
【００３８】
「エーテル基」とは、Ｒａが分枝又は非分枝のアルキレン、アリーレン、アルキルアリーレン、又はアリールアルキレン炭化水素であり、Ｒｂが分枝又は非分枝のアルキル、アリール、アルキルアリール、又はアリールアルキル炭化水素であるような−Ｒａ−Ｏ−Ｒｂラジカルを指す。
【００３９】
「置換エーテル基」とは、１つ以上の置換基を有するエーテル基のことを指し、１つ以上の置換基はそれぞれ、炭素及び水素以外の１以上の原子を単独で（例えばＦなどのハロゲン）、又は炭素（例えばシアノ基）及び／若しくは水素原子（例えば水酸基又はカルボン酸基）と組み合わせて含有する一価の部分を含む。
【００４０】
「ポリエーテル基」とは、Ｒａ及びＲｂが上記に定義したものであり、ｍが１よりも大きい整数であるような−（Ｒａ−Ｏ）ｍ−Ｒｂラジカルのことを指す。
【００４１】
「置換ポリエーテル基」とは、１つ以上の置換基を有するポリエーテル基のことを指し、１つ以上の置換基はそれぞれ、炭素及び水素以外の１以上の原子を単独で（例えばＦなどのハロゲン）、又は炭素（例えばシアノ基）及び／若しくは水素原子（例えば水酸基又はカルボン酸基）と組み合わせて含有する一価の部分を含む。
【００４２】
「スルホンアミド基」とは、Ｒａ及びＲｂがそれぞれ上記に定義したものであり、Ｒｃがそれぞれ独立して水素、又は分枝又は非分枝のアルキル、アリール、アルキルアリール若しくはアリールアルキル炭化水素であるような−Ｒａ−Ｎ（Ｒｃ）Ｓ（Ｏ）２−Ｒｂラジカルのことを指す。
【００４３】
「置換スルホンアミド基」とは、１つ以上の置換基を有するスルホンアミド基のことを指し、１つ以上の置換基はそれぞれ、炭素及び水素以外の１以上の原子を単独で（例えばＦなどのハロゲン）、又は炭素（例えばシアノ基）及び／若しくは水素原子（例えば水酸基又はカルボン酸基）と組み合わせて含有する一価の部分を含む。
【００４４】
「アルコキシ基」とは、Ｒがアルキル基であるような式−ＯＲの一価の基のことを指す。例としては、これらに限定されるものではないが、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、及びブトキシが挙げられる。
【００４５】
「置換アルコキシ基」とは、１つ以上の置換基を有するアルコキシ基のことを指し、１つ以上の置換基はそれぞれ、炭素及び水素以外の１以上の原子を単独で（例えばＦなどのハロゲン）、又は炭素（例えばシアノ基）及び／若しくは水素原子（例えば水酸基又はカルボン酸基）と組み合わせて含有する１価の部分を含む。
【００４６】
「電荷キャリア移動度の値」とは、電荷キャリアの移動速度を測定するための任意の試験方法によって測定される、印加された単位電場（Ｖ／ｃｍ）当たりの電荷キャリアの移動速度（ｃｍ／ｓ）のことを指し、その測定単位は「ｃｍ２／Ｖ−ｓ」である。
【００４７】
上記の化学構造を有するフッ素化ペンタセン化合物は、以下の性質の少なくとも１つを有することが示されている。すなわち、（ｉ）１つ以上の有機溶媒（例えばフッ素化溶媒）に対する高い溶解度、（ｉｉ）所定の有機溶媒（例えばフッ素化溶媒）に取り入れられる際の高い安定性、（ｉｉｉ）表面を濡らす高い性質、（ｉｖ）高い疎水性及び／又は疎油性、（ｖ）高い耐酸化性、（ｖｉ）電子デバイスの電荷キャリア移動度の値によって測定されるような、電子デバイスに組み込まれる際の高い性能、（ｖｉｉ）電子デバイスのエネルギー変換効率によって測定されるような、半導体層として電子デバイスに組み込まれる際の高い性能、及び（ｖｉｉｉ）環境中における装置の電子的特性の経時的な安定性によって測定されるような、半導体層として電子デバイスに組み込まれる際の高い性能。上記の化学構造のＲ基（すなわちＲ、Ｒ’及びＲ”）及びＸ基を変えることによって、得られるペンタセン化合物を所定の用途（例えば電池装置の半導体層として）に合わせて調整することができる。
【００４８】
例えば、本発明の所定のフッ素化ペンタセン化合物を電子デバイスの半導体層を形成する目的で使用しようとする場合、得られる半導体層の電荷キャリア移動度の値に大きく影響する、二次元のスタッキング性（すなわち個々の分子の二次元のスタッキング性）を示すフッ素化ペンタセン化合物の能力が考慮すべき重要な点となる。所定のスタッキング形態の次元性は、所定の材料の単結晶Ｘ線構造を調べることによって容易に測定することができる。二次元性、すなわち「レンガ積み」状のスタッキング性を示す所定の材料は、芳香族炭素原子間の接点が概ね炭素のファンデルワールス半径（理想的には３．３〜３．６Å）内に存在する４個の最も近接した隣接分子を有することによって特徴付けられる。単純なペンタセン単位を考えると、ペンタセン環の平面よりも上側に２個の芳香族近接隣接分子を、ペンタセン環の平面よりも下側に２個の芳香族近接隣接分子を有するあらゆる材料は、二次元的相互作用すなわち二次元スタッキング性を有するものとして典型的には分類される。一般的に見られる別の例として、ペンタセン環の平面の上下に近接隣接分子が１個のみ存在する一次元的スタッキング性がある。一般に、二次元的なπスタッキング性を有する分子は、電界効果トランジスタ用途において優れた薄膜形態、及び固体状態における高い電荷移動性を示す。同様に、一次元的なπスタッキング性を有する材料は、光起電力デバイスにおいて、電子供与体要素又は電子受容体要素として使用されるかによらず優れた性能を示す。本発明のフッ素化ペンタセン化合物は、一次元的又は二次元的スタッキング性のいずれかを示すように改変することができる。
【００４９】
特定の例示的な実施形態では、フッ素化ペンタセン化合物は、１つ以上のフッ素化一価ラジカルが存在し、該フッ素化一価ラジカルがそれぞれ独立して、分枝若しくは非分枝の置換アルキル基、分枝若しくは非分枝の置換アルケニル基、置換シクロアルキル基、置換シクロアルキルアルキレン基、分枝若しくは非分枝の置換アルキニル基、置換アリール基、置換アリールアルキレン基、環内にＯ、Ｎ、Ｓ及びＳｅの少なくとも１つを有する置換複素環、置換エーテル基若しくはポリエーテル基、又は置換スルホンアミド基を含み、更に該フッ素化一価ラジカルがそれぞれ１以上のフッ素原子を含み、該１以上のフッ素原子がペンタセン化合物の両方のケイ素原子（構造Ａに示される）から少なくとも原子３個分（あるいは例えば３個よりも多く最大で約１８個の任意の数の原子分）、又は少なくとも共有結合４つ分（あるいは例えば４個よりも多く最大で約１９個の任意の数の共有結合分）だけ離れているような構造Ａを有する。
【００５０】
特定の例示的な実施形態では、フッ素化一価ラジカルはそれぞれ独立して、（ｉ）分枝若しくは非分枝の置換アルキル基（例えばフッ素化されたＣ３〜Ｃ１８アルキル基）、（ｉｉ）分枝若しくは非分枝の置換アルケニル基（例えばフッ素化されたＣ３〜Ｃ１８アルケニル基）、（ｉｉｉ）置換シクロアルキル基、（ｉｖ）置換シクロアルキルアルキレン基、（ｖ）分枝若しくは非分枝の置換アルキニル基（例えばフッ素化されたＣ３〜Ｃ１８アルキニル基）、（ｖｉ）置換アリール基、又は（ｖｉｉ）置換アリールアルキレン基を含み、所定のフッ素化一価ラジカルの１以上のフッ素原子が、ペンタセン化合物の両方のケイ素原子（構造Ａに示される）から少なくとも原子３個分又は少なくとも共有結合４つ分だけ離れている。
【００５１】
特定の例示的な実施形態では、フッ素化ペンタセン化合物は、少なくとも１個のフッ素化一価ラジカルが式：
＊−ＣＨ２ＣＨ２Ｒｆ
［式中、Ｒｆは一部（すなわち１以上の水素原子を含有する）又は完全にフッ素化（すなわち水素原子を含有しない）アルキル基、典型的にはＣ１〜Ｃ１６アルキル基である。］を含むような構造Ａを有する。フッ素化アルキル基Ｒｆは、分枝、非分枝、非環状、環状、又はこれらの組み合わせである。アスタリスクは、構造Ａ内のケイ素原子への結合位置を示す。
【００５２】
特定の例示的な実施形態では、フッ素化ペンタセン化合物は、少なくとも１個のフッ素化一価ラジカルが式：
＊−ＣＨ２ＣＨ２ＯＲｆ
［式中、Ｒｆは上記と同様である。］を含むような構造Ａを有する。アスタリスクは、構造Ａ内のケイ素原子への結合位置を示す。
【００５３】
特定の例示的な実施形態では、フッ素化ペンタセン化合物は、少なくとも１個のフッ素化一価ラジカルが式：
＊−（ＣＨ２）ｏＯＲｆ
［式中、Ｒｆは上記と同様であり、ｏは１以上、典型的には１〜５の範囲の整数である。］を含むような構造Ａを有する。アスタリスクは、構造Ａ内のケイ素原子への結合位置を示す。
【００５４】
特定の例示的な実施形態では、フッ素化ペンタセン化合物は、少なくとも１個のフッ素化一価ラジカルが式：
＊−（ＣＨ２）ｐＮ（Ｚ）Ｓ（Ｏ）２Ｒｆ
［式中、Ｒｆは上記と同様であり、ｐは２以上、典型的には２〜５の整数であり、Ｚは、−Ｈ、−ＣＨ３、又は−ＣＨ２ＣＨ３である。］を含むような構造Ａを有する。アスタリスクは、構造Ａ内のケイ素原子への結合位置を示す。
【００５５】
特定の例示的な実施形態では、フッ素化ペンタセン化合物は、少なくとも１個のフッ素化一価ラジカルが式：
＊−ＣＨ２ＣＨ＝ＣＦＲｆ
［式中、Ｒｆは上記と同様である。］を含むような構造Ａを有する。アスタリスクは、構造Ａ内のケイ素原子への結合位置を示す。
【００５６】
特定の例示的な実施形態では、フッ素化ペンタセン化合物は、少なくとも１個のフッ素化一価ラジカルが式：
【００５７】
【化３】
【００５８】
［式中、各Ｒｆは独立して、最大で約１０個の炭素原子（又は最大で約１４個の炭素原子）を有する一部（すなわち１以上の水素原子を含有する）又は完全にフッ素化（すなわち水素原子を含有しない）アルキル基である。］を含むような構造Ａを有する。アスタリスクは、構造Ａ内のケイ素原子への結合位置を示す。
【００５９】
特定の例示的な実施形態では、フッ素化ペンタセン化合物は、少なくとも１個のフッ素化一価ラジカルが式：
【００６０】
【化４】
【００６１】
［式中、Ｒｆはそれぞれ独立して、最大で約１０個の炭素原子（又は最大で約１４個の炭素原子）を有する一部（すなわち１以上の水素原子を含有する）又は完全にフッ素化（すなわち水素原子を含有しない）アルキル基である。］を含むような構造Ａを有する。アスタリスクは、構造Ａ内のケイ素原子への結合位置を示す。
【００６２】
特定の例示的な実施形態では、フッ素化ペンタセン化合物は、少なくとも１個のフッ素化一価ラジカルが式：
【００６３】
【化５】
【００６４】
［式中、ｎ＝０又は１又は２又は３である。］を含むような構造Ａを有する。アスタリスクは、構造Ａ内のケイ素原子への結合位置を示す。
【００６５】
特定の実施形態では、Ｒ、Ｒ’及びＲ”の１つが存在し、かつそれが本明細書で述べるようなフッ素化一価ラジカルを含み、Ｒ、Ｒ’及びＲ”の残りの基が同じか又は異なる部分を含む。Ｒ、Ｒ’及びＲ”の残りの基の１つ以上は水素を含み得るが、より典型的にはＲ、Ｒ’及びＲ”の残りの基はそれぞれ独立して水素以外の一価のラジカルを含む。例えば、特定の実施形態では、Ｒ、Ｒ’及びＲ”の１つが存在し、かつそれが本明細書で述べるようなフッ素化一価ラジカルを含み、Ｒ、Ｒ’及びＲ”の残りの基がそれぞれ独立して同じか又は異なる分枝若しくは非分枝のアルキル基、より典型的には同じ分枝若しくは非分枝のアルキル基を含む。
【００６６】
上記した構造を有する特定の例示的なフッ素化ペンタセン化合物を以下に示す。
【００６７】
【化６】
【００６８】
【化７】
【００６９】
［式中、
Ｉ＝６，１３−ビス（３，３，４，４，５，５，６，６，６−ノナフルオロヘキシルジメチルシリルエチニル）ペンタセン；
ＩＩ＝６，１３−ビス（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，８−トリデカフルオロオクチルジメチルシリルエチニル）ペンタセン；
ＩＩＩ＝６，１３−ビス（３，３，３−トリフルオロプロピルジイソプロピルシリルエチニル）ペンタセン；
ＩＶ＝６，１３−ビス（３，３，４，４，５，５，６，６，６−ノナフルオロヘキシルジイソプロピルシリルエチニル）ペンタセン；
Ｖ＝６，１３−ビス（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，９，９，１０，１０，１０−ヘプタデカフルオロデシルジイソプロピルシリルエチニル）ペンタセン；
ＸＸＶＩＩ＝６，１３−ビス（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，８−トリデカフルオロオクチルジイソプロピルシリルエチニル）ペンタセン；
ＸＸ＝６，１３−ビス（（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，９，１０，１０，１０−ヘキサデカフルオロ−９−トリフルオロメチルデシル）−ジイソプロピルシリルエチニル）ペンタセン；及び
ＸＸＩ＝６，１３−ビス（３，３，４，４，５，５，５−ヘプタフルオロペンチルジイソプロピルシリルエチニル）ペンタセン］。
【００７０】
特定の実施形態では、Ｒ、Ｒ’及びＲ”の１つが存在し、かつそれが本明細書で述べるようなフッ素化一価ラジカルを含み、Ｒ、Ｒ’及びＲ”の残りの基がそれぞれ独立して同じか又は異なる分枝若しくは非分枝のアルキレン基、より典型的には同じ分枝若しくは非分枝のアルキレン基を含む。例えば、上記した例示的な化合物ＩＩＩ、ＩＶ、Ｖ、ＸＸ、ＸＸＩ及びＸＸＶＩＩのそれぞれにおいて、イソプロピルラジカルをイソプロペニルラジカルに置き換えることができる。
【００７１】
他の例示的な実施形態では、フッ素化ペンタセン化合物は、１つ以上のフッ素化一価ラジカルが存在し、少なくとも１つのフッ素化一価ラジカルが、（ｉ）環内にＯ、Ｎ、Ｓ及びＳｅの少なくとも１つを有する置換複素環、置換エーテル基若しくはポリエーテル基、又は置換スルホンアミド基を含み、（ｉｉ）１以上のフッ素原子を含み、該１以上のフッ素原子がペンタセン化合物の両方のケイ素原子（構造Ａに示される）から少なくとも原子３個分、又は少なくとも共有結合４つ分だけ離れており、（ｉｉｉ）前記少なくとも原子３個分（すなわち構造Ａに示される両方のケイ素原子からすべてのフッ素原子を分離する前記少なくとも原子３個分）の少なくとも１個の原子が炭素以外の原子を含むような構造Ａを有する。例えば、特定の例示的な実施形態では、少なくとも３個の原子の少なくとも１個の原子は、スルホンアミド基におけるような窒素又は硫黄を含む。例えば、特定の例示的な実施形態では、少なくとも３個の原子の少なくとも１個の原子は、酸素を含む。
【００７２】
このような構造を有する例示的なフッ素化ペンタセン化合物を下記に示す。
【００７３】
【化８】
【００７４】
［式中、
ＶＩＩ＝６，１３−ビス（（３−ヘプタフルオロイソプロポキシ）プロピルジイソプロピルシリルエチニル）ペンタセン；及び
ＸＸＶＩ＝６，１３−ビス（（Ｎ−メチル−ノナフルオロブチルスルホンアミドプロピル）ジイソプロピルシリルエチニル）ペンタセン］。
【００７５】
特定の例示的な実施形態では、フッ素化ペンタセン化合物は、Ｒ、Ｒ’及びＲ”が共に、（ｉ）１つ以上の本明細書で述べるようなフッ素化一価ラジカルなどの少なくとも１個のフッ素化一価ラジカルを、（ｉｉ）少なくとも１個のＣ１〜Ｃ８アルキル基、（ｉｉｉ）少なくとも１個のＣ３〜Ｃ８シクロアルキル基、（ｉｖ）少なくとも１個のＣ２〜Ｃ８アルケニル基、又は（ｖ）Ｃ１〜Ｃ８アルキル基とＣ３〜Ｃ８シクロアルキル基若しくはＣ２〜Ｃ８アルケニル基との組み合わせ、と組み合わせて含むような構造Ａを有する。他の例示的な実施形態では、フッ素化ペンタセン化合物は、Ｒ、Ｒ’及びＲ”が共に、（ｉ）１つ以上の本明細書で述べるようなフッ素化一価ラジカルなどの１個のフッ素化一価ラジカルを、（ｉｉ）２個のＣ１〜Ｃ８アルキル基、（ｉｉｉ）２個のＣ３〜Ｃ８シクロアルキル基（例えば２個のシクロプロピル基、２個のシクロブチル基、若しくは２個のシクロペンチル基）、又は（ｉｖ）２個のＣ２〜Ｃ８アルケニル基と組み合わせて含むような構造Ａを有する。
【００７６】
特定の例示的な実施形態では、フッ素化ペンタセン化合物は、Ｒ、Ｒ’及びＲ”が共に、（ｉ）１つ以上の本明細書で述べるようなフッ素化一価ラジカルなどの少なくとも１個のフッ素化一価ラジカルを、（ｉｉ）少なくとも１個のイソプロピル基、（ｉｉｉ）少なくとも１個のイソプロペニル基、又は（ｉｖ）イソプロピル基及びイソプロペニル基と組み合わせて含むような構造Ａを有する。特定の例示的な実施形態では、フッ素化ペンタセン化合物は、Ｒ、Ｒ’及びＲ”が共に、（ｉ）１つ以上の本明細書で述べるようなフッ素化一価ラジカルなどの少なくとも１個のフッ素化一価ラジカルを、（ｉｉ）少なくとも１個のイソプロピル基と組み合わせて含むような構造Ａを有する。特定の例示的な実施形態では、フッ素化ペンタセン化合物は、Ｒ、Ｒ’及びＲ”が共に、（ｉ）１つ以上の本明細書で述べるようなフッ素化一価ラジカルなどの少なくとも１個のフッ素化一価ラジカルを、（ｉｉ）少なくとも１個のイソプロペニル基と組み合わせて含むような構造Ａを有する。
【００７７】
特定の例示的な実施形態では、フッ素化ペンタセン化合物は、ｚ＝０（すなわちケイ素原子に結合した少なくとも２個の基が同じである）であり、かつＲ、Ｒ’及びＲ”が共に、（ｉ）１つ以上の本明細書で述べるようなフッ素化一価ラジカルなどの少なくとも１個のフッ素化一価ラジカルを、（ｉｉ）２個のイソプロピル基又は２個のイソプロペニル基と組み合わせて含むような構造Ａを有する。
【００７８】
上記に示されるように、本明細書のフッ素化ペンタセン化合物の多くは、ｚ＝０（すなわちケイ素原子に結合した少なくとも２個の基が同じである）であるような構造Ａを有するフッ素化ペンタセン化合物を含む。ｚ＝０（すなわちケイ素原子に結合した少なくとも２個の基が同じである）であるような本発明の他の例示的なフッ素化ペンタセン化合物を下記表１に示す。
【００７９】
【表１】
【００８０】
表１には示されていないが、本発明の他のペンタセン化合物は、ケイ素原子に結合した少なくとも１個のＲ基が、置換若しくは非置換のフラニル基、置換若しくは非置換のピロリル基、置換若しくは非置換のチエニル基、又は置換若しくは非置換のセレノフェニル基などの環内にＯ、Ｎ、Ｓ及びＳｅの少なくとも１つを有する置換若しくは非置換の複素環を含むような構造Ａを有し得る点には注意を要する。
【００８１】
上記したフッ素化ペンタセン化合物のすべてにおいて、Ｒ、Ｒ’及び／又はＲ”の１つ以上が１つ以上の置換基で置換されていてよい。上記したＲ、Ｒ’及び／又はＲ”基に好適な置換基としては、これらに限定されるものではないが、ハロゲン、水酸基、アルキル基、シアノ基、アミノ基、カルボニル基、アルコキシ基、チオアルコキシ基、ニトロ基、カルボン酸基、カルボン酸エステル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロアリール基、又はこれらの組み合わせが挙げられる。アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、エーテル基、及びスルホンアミド基の典型的な置換基としては、これらに限定されるものではないが、−Ｆ、−ＯＨ、−ＯＣＨ３、−ＣＮ、及び−ＣＯＯＨが挙げられる。シクロアルキル基、シクロアルキレン基、アリール基、アリールアルキレン基、アセチル基、及び環内にＯ、Ｎ、Ｓ及びＳｅの少なくとも１つを有する複素環（すなわち芳香族又は非芳香族複素環）の典型的な置換基としてはこれらに限定されるものではないが、−Ｆ、−ＯＨ、−ＯＣＨ３、−ＣＮ、及び−ＣＯＯＨが挙げられる。
【００８２】
更に、上記した例示的なフッ素化ペンタセン化合物のすべてにおいて、ペンタセン環は１つ以上の上記した置換基Ｘを更に有し得る。１つ以上の置換基Ｘを利用することによって所定のペンタセン化合物を所定の用途に合わせて更に調整することができる。例えば、１つ以上の置換基Ｘを利用することによって、（１）二次元的スタッキング性を示す所定のペンタセン化合物の性質を更に高め、（２）所定のペンタセンの特定の溶媒（例えばフッ素化溶媒）に対する溶解度を高め、（３）所定のペンタセンの特定の溶媒（例えば非フッ素化溶媒）に対する溶解度を低下させ、（４）所定のペンタセンの耐熱性を高め、（５）溶液中又は固体状態での特定のペンタセンの耐酸化性を高め、（６）所定のペンタセンとポリマー又は他の半導体とのブレンドの形態を変化させる、といった１つ以上の更なる効果を得ることができる。
【００８３】
特定の例示的な実施形態では、上記したペンタセン化合物のすべてを含む本発明のフッ素化ペンタセン化合物は、各Ｘが独立して（ｉ）水素、（ｉｉ）ハロゲン、又は（ｉｉｉ）分枝若しくは非分枝、置換若しくは非置換のアルキル基を含むような１つ以上の置換基Ｘを更に含む。例示的な置換基Ｘとしてはこれらに限定されるものではないが、（ｉ）フッ素、（ｉｉ）アルキル基（例えばメチル基）、又は（ｉｉｉ）ペルフルオロアルキル基（例えばトリフルオロメチル基）が挙げられる。
【００８４】
特定の例示的な実施形態では、上記したペンタセン化合物のすべてを含む本発明のフッ素化ペンタセン化合物は、少なくとも１個のＸがハロゲン、望ましくはフッ素を含むような１つ以上の置換基Ｘを更に含む。特定の例示的な実施形態では、上記したペンタセン化合物のすべてを含む本発明のフッ素化ペンタセン化合物は、少なくとも１個のＸがメチル基又はトリフルオロメチル基などの分枝又は非分枝、置換又は非置換のアルキル基を含むような１つ以上の置換基Ｘを更に含む。
【００８５】
特定の例示的な実施形態では、上記したペンタセン化合物のすべてを含む本発明のフッ素化ペンタセン化合物は、少なくとも２個の隣り合うＸ基が結合して（ａ）置換若しくは非置換の炭素環、又は（ｂ）置換若しくは非置換の複素環を形成するような１つ以上の置換基Ｘを更に含む。特定の実施形態では、２個の隣り合うＸ基が結合してペンタセン核のいずれか一方の末端環と縮合した置換若しくは非置換の非芳香族性の、炭素環であるか又は酸素、窒素、硫黄、又はセレンから選択される１又は２個のヘテロ原子を含む５〜７員環を形成する。
【００８６】
１つ以上の置換基Ｘが−Ｈ（水素）以外のものである特定の例示的なフッ素化ペンタセン化合物としては、これらに限定されるものではないが、以下の化合物が挙げられる。
【００８７】
【化９】
【００８８】
［式中、
ＸＸＩＩ＝６，１３−ビス（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，９，９，１０，１０，１０−ヘプタデカフルオロデシルジイソプロピルシリル−エチニル）−２，３，９，１０−テトラメチルペンタセン；
ＸＸＩＩＩ＝６，１３−ビス（３，３，４，４，５，５，６，６，６−ノナフルオロヘキシルジイソプロピルシリルエチニル）−２，３，９，１０−テトラ−メチルペンタセン；
ＸＸＩＶ＝６，１３−ビス（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，９，９，１０，１０，１０−ヘプタデカフルオロデシルジイソプロピルシリル−エチニル）−２−ペンタフルオロエチルペンタセン；及び
ＸＸＶ＝６，１３−ビス（３，３，４，４，５，５，６，６，６−ノナフルオロヘキシルジイソプロピルシリルエチニル）−１−フルオロペンタセン］。
【００８９】
本発明は更に、（Ｉ）１つ以上の上記したフッ素化ペンタセン化合物、及び（ＩＩ）溶媒を含む組成物に関する。本発明の組成物を形成するのに好適な典型的な溶媒としてはこれらに限定されるものではないが、ケトン、芳香族炭化水素、フッ素化溶媒などの有機溶媒が挙げられる。好適な溶媒としてはこれらに限定されるものではないが、トルエン、エチルベンゼン、ブチルベンゼン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、テトラヒドロフラン、イソホロン、アニソール、テトラヒドロナフタレン、ブチルシクロヘキサン、及びシクロヘキサノンが挙げられる。溶媒のブレンドもまた利用することができる。好適な溶媒のブレンドとしてはこれらに限定されるものではないが、デカンとブレンドされたアニソール、及びデカンとブレンドされたブチルベンゼンが挙げられる。
【００９０】
例示的な一実施形態では、組成物は１つ以上の上記したフッ素化ペンタセン化合物、及びヘキサフルオロベンゼン、オクタフルオロトルエン、（トリフルオロメチル）ベンゼン、１，３−ビス（トリフルオロメチル）−ベンゼン、１，３，５−トリス（トリフルオロメチル）ベンゼン、（トリフルオロメトキシ）ベンゼン、３−（トリフルオロ−メチル）アニソール、２，３，４，５，６−ペンタフルオロアニソール、２，３，５，６−テトラフルオロアニソール、ペンタフルオロ−ベンゾニトリル、２，３，４，５，６−ペンタフルオロトルエン、２，２，２−トリフルオロアセトフェノン、２’，４’，５’−トリフルオロアセトフェノン、２’−（トリフルオロメチル）アセトフェノン、及び３’−（トリフルオロメチル）−アセトフェノンなどのフッ素化溶媒を含む。組成物は、フッ素化溶媒及び非フッ素化有機溶媒を含む溶媒混合物を含んでもよい。
【００９１】
特定の組成物は、上記したフッ素化ペンタセン化合物、フッ素化溶媒、場合に応じて用いられる非フッ素化溶媒、並びに、ペルフルオロアルカン、ペルフルオロシクロアルカン（例えばペルフルオロデカリン）、ペルフルオロヘテロアルカン（例えばペルフルオロトリブチルアミン及びペルフルオロポリエーテル）、ペルフルオロヘテロシクロアルカン（例えばペルフルオロ（ブチルテトラヒドロフラン））、及びフッ素化エーテル又はポリエーテル（例えば３−エトキシ−１，１，１，２，３，４，４，５，５，６，６，６−ドデカフルオロ−２−トリフルオロメチル−ヘキサン及び２Ｈ−ペルフルオロ−５，８，１１−トリメチル−３，６，９，１２−テトラオキサペンタデカン）などの別のフッ素化された液体を含み得る。これらのフッ素化された液体が添加される場合、フッ素化された液体はしばしば組成物の表面張力を低下させ、各種の基材表面の表面における濡れを促進する。これらのフッ素化された液体は、フッ素化ペンタセン化合物の良好な溶媒としては機能しない場合もある。
【００９２】
典型的には、１つ以上の上記したフッ素化ペンタセン化合物は、所定の組成物中に組成物の全重量に対して少なくとも０．１重量％の濃度で存在する。組成物中のフッ素化ペンタセン化合物の濃度の上限値は、電子デバイスの製造時におけるような基材への塗布時の組成物の温度における特定の溶媒に対するその化合物の溶解度の限界値にしばしば近い値である。本発明の典型的な組成物は、上記したフッ素化ペンタセン化合物の１つを、約０．１重量％〜約５．０重量％、より典型的には約０．５重量％〜約３．０重量％の範囲の濃度で含む。
【００９３】
特定の実施形態では、本発明の組成物は上記したフッ素化ペンタセン化合物の少なくとも１つ及び溶媒を含む。他の実施形態では、本発明の組成物は、上記したフッ素化ペンタセン化合物の少なくとも１つ及び溶媒を、１つ以上の更なる組成物成分と組み合わせて含む。好適な更なる組成物成分が添加される場合、更なる組成物成分としてはこれらに限定されるものではないが、ポリマー添加剤、レオロジー調整剤、界面活性剤、フッ素化ペンタセンの相補的な電子移動パートナーである別の半導体、又はこれらの組み合わせが挙げられる。特定の例示的な実施形態では、本組成物には、ポリスチレン、ポリ（α−メチルスチレン）、ポリ（ペンタフルオロスチレン）、ポリ（メチルメタクリレート）、ポリ（４−シアノメチルスチレン）、ポリ（４−ビニルフェノール）、又は米国特許出願公開第２００４／０２２２４１２（Ａ１）号若しくは同第２００７／０１４６４２６（Ａ１）号（これらの発明の主題をその全容にわたって本願に援用する）に開示される他の任意の好適なポリマーからなる群から選択されるポリマー添加剤が含まれる。特定の望ましい実施形態では、ポリマー添加剤には、ポリスチレン、ポリ（α−メチルスチレン）、ポリ（ペンタフルオロスチレン）、又はポリ（メチルメタクリレート）が含まれる。特定の例示的な実施形態では、本組成物には、界面活性剤又はフッ素化界面活性剤から選択される界面活性剤が含まれる。
【００９４】
含まれる場合、更なる組成物成分（すなわちフッ素化ペンタセン化合物以外の成分）はそれぞれ、組成物の全重量に対して０〜約５０重量％の量で独立して含まれる。典型的には、更なる組成物成分（すなわちフッ素化ペンタセン化合物以外の成分）はそれぞれ、組成物の全重量に対して約０．０００１〜約１０．０重量％の範囲の量で独立して含まれる。例えば、ポリマー添加剤（例えばポリスチレン）が組成物に含まれる場合、ポリマー添加剤は、組成物の全重量に対して典型的には０〜約５．０重量％、より典型的には約０．５〜約３．０重量％の量で含まれる。例えば、界面活性剤が組成物に含まれる場合、界面活性剤は、組成物の全重量に対して典型的には０〜約１．０重量％、より典型的には約０．００１〜約０．５重量％の量で含まれる。
【００９５】
特定の実施形態では、得られる組成物が、従来のコーティング法によって基材上に組成物をコーティングすることができるような組成物としての性質（例えば組成物安定性、粘性など）を有することが望ましい。好適な従来のコーティング法としては、これらに限定されるものではないが、スピンコーティング、ナイフコーティング、ロール・ツー・ロール・ウェブコーティング、及びディップコーティング、並びにインクジェット印刷、スクリーン印刷、及びオフセットリソグラフィーなどの印刷法が挙げられる。望ましい一実施形態では、得られる組成物は印刷可能な組成物であり、更により望ましくはインクジェット印刷可能な組成物である。
【００９６】
上記した組成物は基材上にコーティングすることができる。得られる基材は、少なくとも１つのコーティング可能な表面と、該少なくとも１つのコーティング可能な表面上のコーティング層とを有し、コーティング層はＲ、Ｒ’、Ｒ”、ｘ、ｙ、ｚ及びＸが上記したものであるような構造Ａを有するフッ素化ペンタセン化合物を含む。上記したように、コーティング層は更に、少なくとも１つの上記したフッ素化ペンタセン化合物以外の１つ以上の更なる組成物成分を含んでもよい。
【００９７】
本発明の組成物は各種の基材上にコーティングすることができる。好適な基材としてはこれらに限定されるものではないが、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、及びポリイミドなどのポリマーフィルム、並びにシリカ、アルミナ、シリコンウェーハ、及びガラスなどの無機基材が挙げられる。所定の基材の表面は、例えばその表面に固有の化学官能基をシランなどの化学試薬と反応させたり、あるいは表面をプラズマに曝露するといった処理を行うことによって表面特性を改変することができる。例示的な一実施形態では、基材は電子デバイス又は電子デバイス要素を含む。例えば、本発明の組成物を基材上にコーティングすることによって、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、光電池、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）、又はセンサなどの電子デバイスの半導体層を形成することができる。
【００９８】
基材表面にコーティングした時点で、コーティング層中の溶媒を除去して半導体層を形成する。任意の好適な方法を使用して、コーティング層中の溶媒を除去する（すなわち乾燥又は蒸発させる）ことができる。例えば溶媒は蒸発によって除去することができる。典型的には、半導体層を形成するためには溶媒の少なくとも約８０％を除去する。例えば、溶媒の少なくとも８５重量％、少なくとも９０重量％、少なくとも９２重量％、少なくとも９５重量％、少なくとも９７重量％、少なくとも９８重量％、少なくとも９９重量％、又は少なくとも９９．５重量％を除去する。
【００９９】
溶媒はしばしば任意の好適な温度で蒸発させることができる。特定の方法では、溶媒混合物を周囲温度（すなわち、コーティング工程が行われる部屋又は設備の温度で）蒸発させる。他の方法では、溶媒混合物を周囲温度よりも高い又は低い温度で蒸発させる。例えば、基材を支持するプラテンを周囲温度よりも高い又は低い温度に加熱又は冷却することができる。更に他の方法では、溶媒混合物の一部又は大部分を室温で蒸発させ、残りの溶媒を周囲温度よりも高い温度で蒸発させることができる。溶媒混合物を室温より高い温度で蒸発させる方法では、窒素雰囲気などの不活性雰囲気下で蒸発を行うことができる。
【０１００】
また、真空の使用など、低圧（すなわち大気圧より低い圧力）を作用させることによって溶媒を除去することもできる。低圧を作用させる際、溶媒は上記したような任意の適当な温度で除去することができる。
【０１０１】
コーティング層からの溶媒の除去速度は得られる半導体層に影響し得る。例えば除去プロセスが速すぎると、結晶化の際に半導体分子の充填不良が起こりやすくなる。半導体分子の充填不良は、半導体層の電気的性能を低下させ得る。溶媒は、制御しない条件（すなわち時間的制約がない）下で自然に完全に蒸発させるか、又は蒸発の速度を調節するために条件を制御することができる。充填不良を最小に抑えるため、コーティング層を被覆することによって蒸発速度を遅くしつつ溶媒を蒸発させることができる。このような条件によって比較的結晶度の高い半導体層が形成され得る。
【０１０２】
所望の量の溶媒を除去して半導体層を形成した後、熱又は溶媒蒸気（すなわち熱アニーリング若しくは溶媒アニーリングによる）に半導体層を曝露することによってアニールすることができる。
【０１０３】
本発明の例示的な電子デバイスは、上記したフッ素化ペンタセンを基材上に成膜することによって製造することができる。フッ素化ペンタセンの成膜は、気相蒸着（例えば真空蒸着）、ペンタセンの溶融物の塗布又はコーティング、又は溶液コーティング及び印刷プロセスなどの任意の手段によって行うことができる。
【０１０４】
本発明の例示的な電子デバイスは、図１に示されるようなトップコンタクト／ボトムゲート型のＴＦＴの構造を有し得る。図１に示されるように、例示的な電子デバイス１０は、基材１１、ゲート電極１６、誘電体層１２、半導体層１３、ソース電極１４、及びドレイン電極１５を含む。例示的な電子デバイス１０の基材１１、ゲート電極１６、誘電体層１２、ソース電極１４、及びドレイン電極１５を形成するための材料は、ＴＦＴ電子デバイスを形成するために典型的には使用される任意の材料であってよい。
【０１０５】
基材１１を形成するうえで適当な材料としては、これらに限定されるものではないが、ガラス、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、及びポリイミドが挙げられる。誘電体層１２を形成するうえで適当な材料としては、これらに限定されるものではないが、ポリ（４−ビニルフェノール）、ポリ（メチルメタクリレート）、及びポリ（４−シアノメチルスチレン）などの各種のポリマーの任意のものが含まれ、これらは典型的には溶液から成膜されるが、官能性モノマー及び／又はオリゴマーと硬化剤とを含有する配合物を硬化させることによって定位置に形成することもできる。誘電体層１２は、これらに限定されるものではないが、誘電体層１２の誘電率を高める機能を有するＢａＴｉＯ３、ＳｉＯ２、ＺｒＯ２などの無機充填剤を更に含んでもよい。
【０１０６】
半導体層１３を形成するうえで好適な材料には、上記した本発明の組成物が含まれる。ゲート電極１６、ソース電極１４、及びドレイン電極１５のそれぞれを形成するうえで好適な材料としては、これらに限定されるものではないが、カーボンナノチューブ、スルホン化ポリスチレンをドープしたポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＯＴ）、ポリアニリン（ＰＡＮＩ）、金、銀、アルミニウム、銅、チタン、パラジウム、白金、クロム、及びこれらのブレンド（例えば各種の電極材料のブレンド、合金、多層複合体）が挙げられる。
【０１０７】
特定の場合では、基材１１、ゲート電極１６、及び誘電体層１２は、熱酸化物を有する高濃度ドープしたｎ型シリコンウェーハ（例えばＮｏｅｌ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ，Ｉｎｃ．（カリフォルニア州キャンベル）より市販されるもの）であり、その場合、高濃度ドープしたｎ型シリコンウェーハが基材及びゲート電極の両方として機能し、熱酸化物が誘電体層として機能する。
【０１０８】
特定の例示的実施形態では、以下の層、すなわち、ゲート電極１６、誘電体層１２、半導体層１３、ソース電極１４、及びドレイン電極１５のうちの１つ以上のものが印刷可能（例えばインクジェット印刷可能）な層である。例えば、誘電体層１２、ゲート電極１６、ソース電極１４、及びドレイン電極１５を形成するうえで好適な印刷可能な組成物が、現在米国特許第７，４９８，６６２号となっている米国特許出願公開第２００７０１１４５１６（Ａ１）号に開示されている（その発明の主題をその全容にわたって本願に援用する）。
【０１０９】
本発明の電子デバイスは、上記したフッ素化ペンタセン化合物の少なくとも１つを含むことが望ましい。このような電子デバイスは、例えば図２の例示的なデバイス２０に示されるような以下の特定のトップコンタクト／ボトムゲート型のＴＦＴ構造を有し得る。すなわち、ゲート電極層１６を覆って配置された熱酸化物（ＳｉＯ２）層としての第１の誘電体層１２ａを有する、高濃度にｎ型ドープされたシリコンウェーハを含むゲート電極層１６（例えばＮｏｅｌ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ，Ｉｎｃ．（カリフォルニア州キャンベル）より市販される高濃度にｎ型ドープされたシリコンウェーハ）；ＳＡＲＴＯＭＥＲ（商標）ＳＲ−３６８（Ｓａｒｔｏｍｅｒ Ｃｏｍｐａｎｙ Ｉｎｃ．（ペンシルベニア州エクストン））（約８．５重量％）、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン（ＯＳｉ Ｓｐｅｃｉａｌｔｉｅｓ（ウェストバージニア州サウスチャールストン）より販売されるＳＩＬＱＵＥＳＴ（登録商標）Ａ−１７４シラン）で表面処理され、その発明の主題をその全容にわたって本願に援用する米国特許出願第１１／７７１，７８７号（現在米国特許出願公開第２００９／０００４７７１号として公開）、及び米国特許出願第１１／７７１，８５９号（現在米国特許出願公開第２００９／０００１３５６号として公開）の開示にしたがって形成されたジルコニア粒子（例えばそれぞれの出願の「調製例１−誘電体インク」を参照）（約４０．０重量％）、ＩＲＧＡＣＵＲＥ（商標）１８４光開始剤（Ｃｉｂａ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ（デラウェア州ニューポート））（約１．５重量％）、及びイソホロン（Ｓｉｇｍａ−Ａｌｄｒｉｃｈ（ウィスコンシン州ミルウォーキー））（約５０．０重量％）からなるポリマー誘電体組成物を含む第２の誘電体層１２ｂ；上記したフッ素化ペンタセン化合物の少なくとも１つ（約２．０重量％）、ポリスチレン（Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｓｏｕｒｃｅ Ｉｎｃ．（モントリオール、カナダ））（約１．０重量％）、及びブチルベンゼン（Ｓｉｇｍａ−Ａｌｄｒｉｃｈ（ウィスコンシン州ミルウォーキー））（約９７．０重量％）からなる組成物で形成された半導体層１３；金を含むソース電極１４；並びに、金を含むドレイン電極１５。
【０１１０】
本発明の他の例示的な電子デバイスは、図３に示されるような構造を有し得る。図３に示されるように、例示的な電子デバイス３０は、ゲート電極１６、誘電体層１２、ソース電極１４、ドレイン電極１５、及び少なくとも１つの本発明のフッ素化ペンタセン化合物を含む半導体層１３を有する。
【０１１１】
上記したフッ素化ペンタセン化合物を本発明の組成物又は電子デバイスに添加することによって以下の１つ以上の効果が得られると考えられる。
【０１１２】
（１）本発明のフッ素化ペンタセン化合物のいずれかを添加しない同様の半導体層と比較して、より多くの半導体が、表面から離れる方向すなわち表面のＸＹ平面から外れる方向（すなわちＺ方向）ではなく、表面に沿って横方向（すなわちＸＹ平面内）に堆積及び結晶化する。
【０１１３】
（２）半導体が、（ｉ）表面とポリマーとの間の界面、又は（ｉｉ）空気とポリマーの界面に存在するような形態となる（前者の場合、表面がゲート誘電体である場合にボトムゲート型ＴＦＴに好ましい形態となる。後者の場合、ゲート誘電体を有機半導体上に更に成膜することによってトップゲート型ＴＦＴの構造に有利な形態となる）。
【０１１４】
（３）本発明のフッ素化ペンタセン化合物のいずれかを添加しない同様の半導体によって得られるものと比較して表面を濡らす溶液の性能が向上する。
【０１１５】
（４）単独で、又はフッ素化界面活性剤若しくは他のフッ素化液と組み合わせた場合に極めて低い表面張力を有するために、炭化水素及びフルオロカーボン表面を含む低エネルギー表面のような表面に対する優れた濡れ性を与えるフッ素化溶媒に対する溶解度又は分散性が向上する。
【０１１６】
（５）高い疎水性及び／又は疎油性により、水分及び有機溶媒から電子デバイスが保護される。
【０１１７】
（６）組成物又は電子デバイスが酸化を受けにくくなる。
【０１１８】
（７）組成物又は電子デバイスの光化学的安定性が向上する。
【０１１９】
上記した本発明のフッ素化ペンタセン化合物は、Ｒ、Ｒ’及びＲ”置換基の所望の組み合わせを有する置換シリルアセチレンを形成する工程と、次いでこの置換シリルアセチレンを６，１３−ペンタセンキノンと反応させる工程とを含む方法によって調製することができる。Ｒ、Ｒ’及びＲ”置換基の所望の組み合わせを有する置換シリルアセチレンを形成する工程は、これらに限定されるものではないが、２置換クロロシラン（例えばクロロジイソプロピルシラン）上の不安定基（典型的にはハロゲン）をトリメチルシリルアセチレン基で置換し、次いで多くの既知の変換反応のいずれか（例えばジクロロメタンなどの溶媒中でＮ−ブロモスクシンイミドで処理するなど）によってシラニル水素をハロゲンに変換し、次いでこの新たに生成した不安定基を第３の置換基（例えばフッ素化一価ラジカル）によって置換する第１の置換反応などの多くの反応工程を含み得る。また、フルオロアルキルトリクロロシランの１個の不安定基をアルキン（例えばトリメチルシリル置換アセチレン）で置換し、次いで残りのハロゲンを他の置換基（例えばイソプロピル基）で置換してもよい。次いで弱塩基性条件下でトリメチリルシリル基を選択的に除去することで、所望の末端アセチレンが生成される。第３の代替法では、市販のフルオロアルキルジアルキルシリル塩化物の塩素置換基を末端アセチリドによって置換することで、所望のアセチレンを直接生成する。第４の代替法では、例えば臭化アリル又は臭化アルキルの存在下で遷移金属触媒を使用した水素−臭素交換反応によって市販のフルオロアルキルジアルキルシランのシラニル水素をハロゲンに変換し、次いでこの新たに生成された不安定基（ハロゲン）をアセチレン又はトリメチルシリルアセチレンによって置換する。後者の場合では、弱塩基性条件下でトリメチルシリル基を選択的に除去することによって所望の末端アセチレンを生成する。本発明のフッ素化ペンタセン化合物を形成する方法は、更に以下の反応工程の１つ以上を含んでもよい。すなわち、少なくとも１工程、場合により２又は３工程の再結晶化工程によるアセトンなどの好適な溶媒からの精製であり、その場合、フッ素化ペンタセン化合物を所定量の沸騰したアセトンに溶解して固形分をすべて溶解した後、光分解を防止するために溶液を光から保護しながら約０℃〜４℃に冷却する。この後、固形分を濾過により回収し、真空下で乾燥して残留アセトンを除去する。
【０１２０】
本発明のフッ素化ペンタセン化合物が一旦形成されたなら、溶媒及び１つ以上の更なる成分と合わせて印刷可能な組成物などの組成物とすることができる。上記したように、本発明のフッ素化ペンタセン化合物を上記した有機溶媒（例えば３−（トリフルオロメチル）アニソール）の少なくとも１つに加えて第１の組成物を形成することができる。上記したような更なる組成物成分（例えばポリスチレン）を第１の組成物に加えて最終的な組成物としてもよい。この最終組成物は、インクジェット印刷装置によって印刷可能なものであることが望ましい。
【０１２１】
上記した本発明のフッ素化ペンタセン化合物の少なくとも１つを含有する本発明の組成物を使用することによって、様々なコーティング、コーティング層を有する基材、電子デバイス部品、及び電子デバイスを作ることができる。得られるコーティング、コーティング層を有する基材、電子デバイス部品、又は電子デバイスは、Ｒ、Ｒ’、Ｒ”、ｘ、ｙ、ｚ及びＸが上記したものであるような構造Ａを有するフッ素化ペンタセン化合物を含んでいることが望ましい。得られるコーティング、コーティング層を有する基材、電子デバイス部品、又は電子デバイスは、ｚ＝０であり、Ｒ及びＲ’が共に２個の同じ基（例えば２個のアルキル基、２個のシクロアルキル基、又は２個のアルケニル基）及び１個の異なる基（例えば、１以上のフッ素原子を含み、該１以上のフッ素原子がいずれのケイ素原子からも少なくとも原子３個分又は共有結合４つ分だけ離れているようなフッ素化一価ラジカル）を含むような構造Ａを有するフッ素化ペンタセン化合物を含んでいることがより望ましい。特定の望ましい実施形態では、得られるコーティング、コーティング層を有する基材、電子デバイス部品、又は電子デバイスは、ｚ＝０であり、Ｒがメチル、イソプロピル、イソプロペニル、又はシクロアルキル（例えばシクロプロピル、シクロブチル、又はシクロペンチル）を含み、Ｒ’が上記したフッ素化一価ラジカルのいずれか１つを含むような構造Ａを有するフッ素化ペンタセン化合物を含む。
【０１２２】
本発明を上記に説明し、更に実施例により下記に説明するが、こうした実施例はいかなる意味においても発明の範囲を限定するものとして解釈すべきではない。逆に本明細書の説明を読むことで、本発明の趣旨及び／又は添付の特許請求の範囲から逸脱することなく当業者にそれ自体を示唆し得る様々な他の実施形態、改変及びその均等物が考えられることは明確に理解されるはずである。
【実施例】
【０１２３】
以下の実施例は、あくまで例示を目的としたものであって添付の特許請求の範囲を限定することを目的としたものではない。実施例及び明細書の残りの部分における部、比率、比などは、特に断らないかぎりはすべて重量に基づいたものである。実施例で使用する材料は、個々の実施例において特に断らないかぎりは表３に示す供給元より入手した。
【０１２４】
【表２−１】
【０１２５】
【表２−２】
【０１２６】
１ 本発明で使用するシランＡ−１７４で表面処理されたジルコニアナノ粒子を形成する方法については、いずれも３Ｍ Ｃｏｍｐａｎｙ（ミネソタ州セントポール）の出願人名で出願され、同社に譲渡された米国特許出願第１１／７７１，７８７号及び同第１１／７７１，８５９号（現在、米国特許出願公開第２００９／０００４７７１号及び同第２００９／０００１３５６号としてそれぞれ公開されている）（これらの出願の発明の主題をその全容において本願に援用する）に開示されている（例えば各出願の「調製例１−誘電体インク」を参照）。
【０１２７】
試験方法：
移動度値の試験方法Ｉ：
２台のＳｏｕｒｓｅ Ｍｅａｓｕｒｅユニット（Ｋｅｉｔｈｌｅｙ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ，Ｉｎｃ．）（オハイオ州クリーブランド）より販売されるモデル２４００）を使用して空気中で飽和電界効果移動度（μ）を測定した。各装置はＳ−１１６０シリーズプローブステーション上に置き、Ｓ−７２５−ＰＲＭマニピュレータ（いずれもＳｉｇｎａｔｏｎｅ Ｃｏｒｐ．（カリフォルニア州ギルロイ））を使用してプローブを接続した。ドレイン・ソース間バイアス電圧（ＶＤＳ）を−４０Ｖに維持し、ゲート・ソース間バイアス（ＶＧＳ）を＋１０Ｖ〜−４０Ｖの範囲で１Ｖ刻みで増加させた。ドレイン・ソース間電圧バイアス（ＶＤＳ）を−４０Ｖに一定に維持し、ゲート・ソース間電圧バイアス（ＶＧＳ）を＋１０Ｖ〜−４０Ｖで変化させてドレイン・ソース間電流（ＩＤＳ）を測定した。飽和電界効果移動度（μ）を、ＶＧＳに対してＩＤＳの平方根をプロットした直線部分の傾きから次式を使用して計算した。
【０１２８】
ＩＤＳ＝μＷＣ（ＶＧＳ−Ｖｔ）２÷２Ｌ
式中、Ｃはゲート誘電体の固有キャパシタンス、Ｗはチャネル幅、及びＬはチャネル長さである。
【０１２９】
ＶＧＳに対するＩＤＳの平方根の曲線のプロットを使用し、直線フィッティングのＸ軸外挿を閾値電圧（Ｖｔ）とした。更に、ＩＤＳをＶＧＳの関数としてプロット（対数スケールを使用する）して曲線を得て、Ｖｔを含む曲線部分に沿って直線フィッティングを行った。この線の傾きの逆数は、閾値下の傾き（Ｓ）であった。オン／オフ比を、ＩＤＳ−ＶＧＳ曲線のドレイン電流（ＩＤＳ）の最小値と最大値との差とした。
【０１３０】
移動度値の試験方法ＩＩ：
各試料の平均移動度を、２台のＳｏｕｒｃｅ Ｍｅａｓｕｒｅユニット（Ｋｅｉｔｈｌｅｙ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ，Ｉｎｃ．（オハイオ州クリーブランド）より販売されるモデル２４００）を使用して、空気中、周辺光下で測定した。各装置はＳ−１１６０シリーズプローブステーション上に置き、Ｓ−７２５−ＰＲＭマニピュレータ（いずれもＳｉｇｎａｔｏｎｅ Ｃｏｒｐ．（カリフォルニア州ギルロイ））を使用してプローブを接続した。ドレイン・ソース間バイアス電圧（ＶＤＳ）を−４０Ｖに維持し、ゲート・ソース間バイアス（ＶＧＳ）を＋１０Ｖ〜−４０Ｖの範囲で１Ｖ刻みで増加させた。平均移動度を、各基材について１０個のトランジスタの測定値から計算した。
【０１３１】
ディップコーティングは必ずしも基材を完全に覆うものではないことから、各デバイスの「有効チャネル幅」を測定した。乾燥した半導体組成物で被覆された基材表面の比率（％）を、（ｉ）基材のデジタル写真を高倍率（１００倍）で３枚撮影し、次いで（ｉｉ）写真編集用ソフトウェア（Ａｄｏｂｅ Ｓｙｓｔｅｍｓ Ｉｎｃ．（カリフォルニア州サンホセ）から商品名ＰＨＯＴＯＳＨＯＰ ＣＳ３として市販されるもの）を使用して、露光した基材の領域をＬ，ａ，ｂ色空間における均一な黒色（０，０，０）として識別及びレンダリングし、次いで（ｉｉｉ）写真編集ソフトウェアのヒストグラム機能を使用して明度（Ｌ）＜１５である写真の比率（％）を識別し、次いで（ｉｖ）３枚の写真の結果を平均して、基材の表面被覆率の値を得ることによって測定した。次いで表面被覆率の値を使用してＴＦＴの有効チャネル幅を計算し、この有効チャネル幅を使用して電荷キャリア移動度の値を計算した。次式を使用して有効チャネル幅を計算した。
【０１３２】
【数１】
【０１３３】
式中、Ｗｅｆｆは有効チャネル幅であり、Ｗｄｅｐはソース及びドレイン端子の長さ（成膜時）であり、Ｃｏｖは表面被覆率（％）である。例えば、ソース及びドレイン電極が長さ１０００マイクロメートル、表面被覆率が８０％である場合、有効チャネル幅は８００マイクロメートルとなる。
【０１３４】
図４は、例示的な測定パラメータをグラフで示したものである。図４で、「Ａ」として示されるトレースは、測定されたドレイン電流（ＩＤＳ）をＶＧＳの関数として示したものである。「Ｂ」として示されるトレースは、測定されたドレイン電流（ＩＤＳ）の平方根をＶＧＳに対して示したものであり、「Ｃ」として示されるトレースは測定されたゲート電流（ＩＧＳ）をＶＧＳに対して示したものである。ＶＧＳに対するドレイン電流の平方根のプロット（トレース「Ｂ」）の傾き（ｍ）から次式を使用して飽和電界効果移動度（μ）を計算した。
【０１３５】
【数２】
【０１３６】
式中、Ｃはゲート誘電体の固有キャパシタンス、Ｗは有効チャネル幅、及びＬはチャネル長さである。各試料の移動度を、測定範囲において観察された移動度の最大値とした。
【０１３７】
実施例１−６，１３−ビス（３，３，３−トリフルオロプロピルジイソプロピルシリルエチニル）ペンタセンの合成
（３，３，３−トリフルオロプロピルジイソプロピルシリル）アセチレンの合成
オーブン乾燥した２５０ｍＬ丸底フラスコ中で４．１２ｇ（４２．０ｍｍｏｌ）のトリメチルシリルアセチレンを４５ｍＬの無水ＴＨＦに溶解した。この溶液を０℃に冷却してからｎ−ブチルリチウム（１４．８ｍＬ、３７ｍｍｏｌ、２．５Ｍヘキサン中）を滴下した。攪拌を１時間継続し、無色の溶液を室温にまで昇温させた。第２のオーブン乾燥した５００ｍＬ丸底フラスコ中で３，３，３−トリフルオロプロピル−トリクロロシラン（８．１ｇ、３５ｍｍｏｌ）を無水ＴＨＦ（３５ｍＬ）中に溶解した。第１の反応混合物を第２の溶液に１時間かけて滴下した後、５時間攪拌した。この新たな反応混合物を０℃に冷却し、次いでイソプロピルリチウム（１２３ｍＬ、８６ｍｍｏｌ、０．７Ｍペンタン溶液）を滴下し、溶液を１２時間かけて室温にまで昇温させた。混合物の全体を１５０ｍＬの塩化アンモニウムの希釈溶液に注ぎ、ヘキサン（１００ｍＬ）を加えた。有機層を分離し、水層をヘキサンで再度抽出した（２０ｍＬ）。有機層を合わせ、水で洗い（３×２０ｍＬ）、硫酸マグネシウム上で乾燥し、濾過し、真空下で濃縮した。トリメチルシリルでキャップされた生成物を溶離剤としてヘキサンを使用してシリカゲル上でカラムクロマトグラフィーによって精製し（ヘキサン中、Ｒｆ＝約０．６）、７．７ｇの無色の液体を得た。生成物をＴＨＦ（２０ｍＬ）中に溶解し、メタノール（２０ｍＬ）及び１５％水酸化ナトリウム溶液を３滴加えた後、３０分間攪拌することによってトリメチルシリル基を除去した。粗生成物を単離し、ヘキサンを使用して薄いシリカパッドを通して流し、真空下で濃縮することによって４．９ｇ（２１ｍｍｏｌ、開始物質のシランからの収率６０％）の無色の液体を得た。無色の生成物を分析して以下のデータを得た：１Ｈ−ＮＭＲ（２００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ＝２．４（ｓ，１Ｈ），２．２（ｍ，２Ｈ），１．１（ｍ，１４Ｈ），０．８（ｍ，２Ｈ）。
【０１３８】
６，１３−ビス（３，３，３−トリフルオロプロピルジイソプロピルシリルエチニル）ペンタセンの合成
（３，３，３，−トリフルオロプロピルジイソプロピルシリル）アセチレン（１．３ｇ、５．７ｍｍｏｌ）及び無水ＴＨＦを攪拌子を備えたオーブン乾燥した１００ｍＬ丸底フラスコに加えた。イソプロピルマグネシウムクロリド（２ｍＬ、２Ｍ ＴＨＦ溶液）を滴下し、溶液を６０℃に１時間加熱した。混合物を熱から外してペンタセンキノン（０．４７ｇ、１．５ｍｍｏｌ）を加えた。６０℃での加熱を再開し、１２時間継続した。得られた均質な反応混合物を室温に冷却した後、０．５ｍＬの塩化アンモニウムの飽和溶液を加えて反応を停止させた。塩化第一スズ二水和物（１．２ｇ、５．３ｍｍｏｌ）を３ｍＬの１０％塩酸溶液に溶解し、反応停止させた反応混合物に加え、攪拌を１５分間継続した。ヘキサン（５０ｍＬ）及び水（２０ｍＬ）を加え、有機層を分離した。有機層を１０％塩酸溶液及び水で繰り返し交互に洗い、硫酸マグネシウム上で乾燥させ、厚いシリカゲルパッド上に流し、更なるヘキサン（２００ｍＬ）で流した。生成物をヘキサン：ジクロロメタンの９：１混合物により溶出した。溶媒を除去することにより０．５０ｇ（０．６７ｍｍｏｌ、キノンに対する収率４５％）の青色粉末が得られ、これをアセトンから再結晶化させて０．４４ｇの青色の針状結晶を得た。生成物を分析して以下のデータを得た：１Ｈ−ＮＭＲ（２００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ＝９．２（ｓ，４Ｈ），８．０（ｄｄ，Ｊ＝３．３Ｈｚ，６．６Ｈｚ，４Ｈ），７．４（ｄｄ，Ｊ＝３．３Ｈｚ，６．６Ｈｚ，４Ｈ），２．５（ｍ，４Ｈ），１．４（ｍ，２８Ｈ），１．２（ｍ，４Ｈ）。
【０１３９】
実施例２−６，１３−ビス（３，３，４，４，５，５，６，６，６−ノナフルオロヘキシルジメチルシリル−エチニル）ペンタセンの合成
（３，３，４，４，５，５，６，６，６−ノナフルオロヘキシルジメチルシリル）アセチレンの合成
オーブン乾燥した２５０ｍＬの丸底フラスコ中で３，３，４，４，５，５，６，６，６−ノナフルオロ−ヘキシルジメチルクロロシラン（４．５８ｇ、１３．４ｍｍｏｌ）を無水ＴＨＦ（１０ｍＬ）に溶解し、氷浴中で冷却した。エチニルマグネシウムブロミド（３４ｍＬ、１７ｍｍｏｌ、０．５Ｍ ＴＨＦ溶液）をゆっくりと加えた後、混合物を６０℃に１２時間加熱した。水を加えて反応を停止させ、希硫酸（硫酸（９５〜９８％）の１０重量％水溶液）を加えて塩を溶かした後、ヘキサンを加え、有機層を分離した。有機層を水で洗い（５×２０ｍＬ）、硫酸マグネシウム上で乾燥し、濾過し、真空下で濃縮して粗生成物を得た。溶離剤としてヘキサンを用いてシリカゲル上でクロマトグラフィー使用して精製し無色の液体を得た（３．５２ｇ、１０．６ｍｍｏｌ、８０％）。無色の生成物を分析して以下のデータを得た：１Ｈ−ＮＭＲ（２００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ＝２．４（ｓ，１Ｈ），２．１（ｍ，２Ｈ），０．８（ｍ，２Ｈ），０．２（ｓ，６Ｈ）。
【０１４０】
６，１３−ビス（３，３，４，４，５，５，６，６，６−ノナフルオロヘキシルジメチルシリルエチニル）−ペンタセンの合成
オーブン乾燥した１００ｍＬの丸底フラスコ中で（３，３，４，４，５，５，６，６，６−ノナフルオロヘキシルジメチルシリル）アセチレン（１．２５ｇ、３．７８ｍｍｏｌ）を無水ＴＨＦ（５ｍＬ）に溶解した。イソプロピルマグネシウムクロリド（１．１ｍＬ、２．２ｍｍｏｌ、２Ｍ ＴＨＦ溶液）を加え、溶液を６０℃に２時間加熱した。反応溶液を熱から外し、ペンタセンキノン（０．２５ｇ、０．８０ｍｍｏｌ）を加えてから６０℃に１２時間加熱した。飽和塩化アンモニウム溶液を４滴加えることにより反応を停止させ、１ｍＬの１０％塩酸溶液に溶解した塩化第一スズ二水和物（０．６３ｇ、２．８ｍｍｏｌ）を加え、攪拌を５分間継続した。水（１０ｍＬ）を加えることにより生成物を沈殿させ、濾過により回収し、次いでヘキサンに溶解して硫酸マグネシウム上で乾燥した。このヘキサン溶液を厚いシリカゲルパッド上に流し、更なるヘキサンで流して余分なアセチレンを溶出させた後、ヘキサン：ジクロロメタンの９：１混合物によって生成物を溶出した。溶媒を除去することにより０．４ｇの青色固体が得られ、これをアセトン（約１２ｍＬ）から再結晶化させて０．２３ｇ（０．２５ｍｍｏｌ、３１％）の青色の針状結晶を得た。生成物を分析して以下のデータを得た。１Ｈ−ＮＭＲ（２００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ＝９．１（ｓ，４Ｈ），８．０（ｄｄ，Ｊ＝３．２Ｈｚ，６．６Ｈｚ，４Ｈ），７．６（ｄｄ，Ｊ＝３．０Ｈｚ，６．６Ｈｚ，４Ｈ），２．４（ｍ，４Ｈ），１．２（ｍ，４Ｈ），０．６（ｓ，１２Ｈ）。
【０１４１】
実施例３−６，１３−ビス（３，３，４，４，５，５，６，６，６−ノナフルオロヘキシルジイソプロピルシリル−エチニル）ペンタセンの合成
（３，３，４，４，５，５，６，６，６−ノナフルオロヘキシルジイソプロピルシリル）アセチレンの合成
オーブン乾燥させた２５０ｍＬの丸底フラスコに３，３，４，４，５，５，６，６，６−ノナフルオロヘキシルトリクロロシラン（４．５２ｇ、１１．９ｍｍｏｌ）及び無水ＴＨＦ（２０ｍＬ）を加えた。イソプロピルリチウム（３４ｍＬ、２４ｍｍｏｌ、０．７Ｍペンタン溶液）を１時間かけて滴下した後、攪拌を４時間継続した。エチニルマグネシウムブロミド（３２ｍＬ、１６ｍｍｏｌ、０．５Ｍ ＴＨＦ溶液）をゆっくりと加えてから反応混合物を５０℃に１２時間加熱した。水を加えて反応を停止させ、希硫酸を加えて塩を溶かした後、ヘキサンを加え、有機層を分離した。有機層を水で洗い（５×２０ｍＬ）、硫酸マグネシウム上で乾燥し、濾過し、真空下で濃縮して粗混合生成物を得た。溶離剤としてヘキサンを用いてシリカゲルクロマトグラフィー（ヘキサン中、Ｒｆ＝約０．６）により精製して１．８ｇ（４．６ｍｍｏｌ、３１％）の所望の生成物を無色の液体として得た。無色の生成物を分析して以下のデータを得た：１Ｈ−ＮＭＲ（２００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ＝２．４（ｓ，１Ｈ），２．２（ｍ，２Ｈ），１．１（ｍ，１４Ｈ），０．８（ｍ，２Ｈ）。
【０１４２】
６，１３−ビス（３，３，４，４，５，５，６，６，６−ノナフルオロヘキシルジイソプロピルシリルエチニル）−ペンタセンの合成
オーブン乾燥した１００ｍＬの丸底フラスコ中で（３，３，４，４，５，５，６，６，６−ノナフルオロ−ヘキシルジイソプロピルシリル）アセチレン（１．７ｇ、４．５ｍｍｏｌ）を無水ＴＨＦ（５ｍＬ）に溶解し、氷浴中で冷却した。ｎ−ブチルリチウム（１．４ｍＬ、３．６ｍｍｏｌ、２．５Ｍヘキサン溶液）を滴下してから攪拌を３０分間継続した。ペンタセンキノン（０．４４ｇ、１．４ｍｍｏｌ）を加え、反応混合物を１２時間攪拌した。飽和塩化アンモニウム溶液を４滴加えることにより反応を停止させ、１ｍＬの１０％塩酸溶液に溶解した塩化第一スズ二水和物（１．１ｇ、５．０ｍｍｏｌ）を加え、この溶液を５分間攪拌した。ヘキサンを加え、有機層を分離して硫酸マグネシウム上で乾燥し、真空下で濃縮した。粗生成物をヘキサンに溶かし、厚いシリカパッド上に流した後、ヘキサンで流して余分なアセチレンを溶出させた。生成物をヘキサン：ジクロロメタンの９：１混合物により溶出した。真空下で濃縮することにより粘稠な青色油状物が得られ、これをアセトン（約２ｍＬ）から再結晶化させて（室温で５日間）、３０ｍｇ（０．０３ｍｍｏｌ、２％）の赤紫色の細長い板状物を得た。生成物を分析して以下のデータを得た：１Ｈ−ＮＭＲ（２００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ＝９．２（ｓ，４Ｈ），８．０（ｄｄ，Ｊ＝３．０Ｈｚ，６．６Ｈｚ，４Ｈ），７．４（ｄｄ，Ｊ＝３．２Ｈｚ，７．０Ｈｚ，４Ｈ），２．５（ｍ，４Ｈ），１．３（ｍ，２８Ｈ），０．８（ｍ，４Ｈ）。
【０１４３】
実施例４−６，１３−ビス（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，８−トリデカフルオロオクチルジメチル−シリルエチニル）ペンタセンの合成
（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，８−トリデカフルオロオクチルジメチルシリル）アセチレンの合成
オーブン乾燥した２５０ｍＬの丸底フラスコ中で３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，８−トリデカフルオロオクチルジメチルクロロシラン（９．６７ｇ、２１．９ｍｍｏｌ）を２０ｍＬの無水ＴＨＦに溶解した。エチニルマグネシウムブロミド（５０ｍＬ、２５ｍｍｏｌ、０．５Ｍ ＴＨＦ溶液）を加え、混合物を６０℃に１２時間加熱した。混合物を室温にまで冷却させた後、水を滴下することにより反応を停止させ、希硫酸を加えてマグネシウム塩を溶解した。有機層を分離し、水（３×２０ｍＬ）及び食塩水で洗い、硫酸マグネシウム上で乾燥、濾過し、真空下で濃縮した。粗生成物を溶離剤としてヘキサンを使用してシリカゲル上でクロマトグラフィーによって濾過した。溶媒を除去することにより９．０ｇ（２１ｍｍｏｌ、９６％）の生成物を無色の液体として得た。無色の生成物を分析して以下のデータを得た：１Ｈ−ＮＭＲ（２００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ＝２．４（ｓ，１Ｈ），２．１（ｍ，２Ｈ），０．８（ｍ，２Ｈ），０．２（ｓ，６Ｈ）。
【０１４４】
第１の方法を使用した６，１３−ビス（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，８−トリデカフルオロオクチルジメチルシリル−エチニル）ペンタセンの合成
オーブン乾燥した１００ｍＬの丸底フラスコ中で（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，８−トリデカフルオロオクチルジメチルシリル）アセチレン（２．３ｇ、５．３ｍｍｏｌ）を８ｍＬの無水ＴＨＦに溶解した。イソプロピルマグネシウムクロリド（２．４ｍＬ、２Ｍ ＴＨＦ溶液）を滴下し、この溶液を６０℃に２時間加熱した。混合物を熱から外してペンタセンキノン（０．６３ｇ、２．０ｍｍｏｌ）を加えた。６０℃での加熱を再開し、１２時間継続した。得られた均質な反応混合物を室温に冷却した後、０．５ｍＬの塩化アンモニウムの飽和溶液を加えて反応を停止させた。攪拌子を備えた別の三角フラスコ中で塩化第一スズ二水和物（７．０ｍｍｏｌ、１．６ｇ）をメタノール（１５０ｍＬ）に溶解し、２ｍＬの１０％塩酸を加えた。メタノール溶液を１時間冷却した後、反応混合物をメタノール（５０ｍＬ）で希釈し、更なるメタノール（２０ｍＬ）ですすいで三角フラスコに入れ、室温で１５分間攪拌した。この混合物を１時間冷却した後、固体を濾過により回収し、メタノールですすぎ、周囲雰囲気中で乾燥した。この固体を最小量のジクロロメタンに溶かし、ヘキサンで希釈（ヘキサン：ジクロロメタン＝約９：１）してから中程度の厚さのシリカゲルパッド上に流し、ヘキサン：ジクロロメタンの９：１混合物で溶出した。溶媒を除去することにより０．６１ｇの光沢のある青色固体が得られ、これをアセトン（約１６０ｍＬ）から再結晶化させて０．４８ｇの青色の針状結晶を得た（０．４２ｍｍｏｌ、キノンからの収率２１％）。生成物を分析して以下のデータを得た：１Ｈ−ＮＭＲ（２００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ＝９．１（ｓ，４Ｈ），８．０（ｄｄ，Ｊ＝３．３Ｈｚ，６．６Ｈｚ，４Ｈ），７．４（ｄｄ，Ｊ＝３．３Ｈｚ，６．６Ｈｚ，４Ｈ），２．４（ｍ，４Ｈ），１．２（ｍ，４Ｈ），０．６（ｓ，１２Ｈ）。
【０１４５】
実施例５−６，１３−ビス（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，９，９，１０，１０，１０−ヘプタデカフルオロ−デシルジイソプロピルシリルエチニル）ペンタセンの合成
（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，９，９，１０，１０，１０−ヘプタデカフルオロデシルジイソプロピル−シリル）アセチレンの合成
オーブン乾燥した２５０ｍＬの丸底フラスコ中で３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，９，９，１０，１０，１０−ヘプタデカフルオロデシルトリクロロシラン（８．７ｇ、１５ｍｍｏｌ）を無水ＴＨＦ（１０ｍＬ）に溶解した。別のオーブン乾燥した１００ｍＬの丸底フラスコ中で（トリメチルシリル）アセチレン（１．７ｇ、１８ｍｍｏｌ）を無水ＴＨＦ（１５ｍＬ）に溶解し、氷浴中で冷却した後、ｎ−ブチルリチウム（６．０ｍＬ、１５ｍｍｏｌ、２．５Ｍヘキサン溶液）を滴下した。この第２の溶液を１時間攪拌してから第１の溶液に４５分間かけて滴下した。得られた溶液を５時間攪拌し、氷浴中で冷却した。イソプロピルリチウム（４３ｍＬ、３０ｍｍｏｌ、０．７Ｍペンタン溶液）をゆっくりと加えてから攪拌を１２時間継続した。反応混合物を１００ｍＬの希釈塩化アンモニウム溶液に流し込み、次にヘキサン（４０ｍＬ）で洗った。有機層を分離し、水層を再度抽出した（３０ｍＬヘキサン）。有機層を合わせ、水で洗い（３×２０ｍＬ）、硫酸マグネシウム上で乾燥し、濾過し、真空下で濃縮して粗混合生成物を得た。生成物を溶離剤としてヘキサンを用いてシリカゲル上でクロマトグラフィーを使用して単離し（ヘキサン中、Ｒｆ＝約０．６）、濃縮することによって無色の液体を得た（３．９ｇ、６．０ｍｍｏｌ）。トリメチルシリルエンドキャップを除去するため、生成物をＴＨＦ（約１５ｍＬ）及びメタノール（約５ｍＬ）に溶かし、１５分間激しくパージした。１５％水酸化ナトリウム水溶液を４滴加えた後、パージを継続した。パージを（それほど激しくなく）継続しながら反応液を４５分間攪拌した。混合物に水を加えてヘキサンで抽出し、１０％塩酸溶液（＜５ｍＬ）及び水（３×２０ｍＬ）で洗い、硫酸マグネシウム上で乾燥し、濾過し、真空下で濃縮することにより生成物を無色の液体として得た（３．４ｇ、５．９ｍｍｏｌ、３９％）。無色の生成物を分析して以下のデータを得た：１Ｈ−ＮＭＲ（２００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ＝２．４（ｓ，１Ｈ），２．２（ｍ，２Ｈ），１．０（ｍ，１４Ｈ），０．８（ｍ，２Ｈ）。
【０１４６】
６，１３−ビス（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，９，９，１０，１０，１０−ヘプタデカフルオロデシル−ジイソプロピルシリルエチニル）ペンタセンの合成
オーブン乾燥した１００ｍＬの丸底フラスコ中で１．８ｇの（３，３，４，４，５，５，６，６，−７，７，８，８，９，９，１０，１０，１０−ヘプタデカフルオロデシルジイソプロピルシリル）アセチレン（３．１ｍｍｏｌ）を無水ＴＨＦ（５ｍＬ）に溶解した。イソプロピルマグネシウムクロリド（１．３ｍＬ、２．５ｍｍｏｌ、２Ｍ ＴＨＦ溶液）を加え、混合物を６０℃に２時間加熱した。反応混合物を熱から外した後、ペンタセンキノン（０．３４ｇ、１．１ｍｍｏｌ）を加え、フラスコを再び６０℃に加熱し、これを１２時間継続した。飽和塩化アンモニウム溶液を３滴加えることによって反応を停止させた。これとは別に、塩化第一スズ二水和物（０．９０グラム、４．０ｍｍｏｌ）を１．５ｍＬの１０％塩酸水溶液に溶解することにより塩化第一スズ水溶液を調製し、この溶液を反応を停止した反応混合物に加えた。攪拌を１０分間継続した後、５０ｍＬのメタノールを加え、１時間冷蔵して生成物を沈殿させた。固体を濾過により回収し、ヘキサンに溶かして厚いシリガゲルプラグ上に流した。このプラグにヘキサンを流して余分なアセチレンを溶出させてから生成物をヘキサン：ジクロロメタンの８：１混合物によって溶出した。溶媒を除去することにより０．２５グラム（０．１７ｍｍｏｌ）の青色固体が得られ、これを約１５ｍＬのアセトンから再結晶化させることによって０．１３グラム（０．９ｍｍｏｌ、キノンからの収率８％）の結晶質の青色板状物を得た。生成物を分析して以下のデータを得た：１Ｈ−ＮＭＲ（２００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ＝９．２（ｓ，４Ｈ），８．０（ｄｄ，Ｊ＝３．４Ｈｚ，６．６Ｈｚ），７．４（ｄｄ，Ｊ＝３．２Ｈｚ，７．０Ｈｚ），２．５（ｍ，４Ｈ），１．４（ｍ，２８Ｈ）．１．２（ｍ，４Ｈ）。
【０１４７】
実施例６−６，１３−ビス−（（３−ヘプタフルオロイソプロポキシ）プロピルジイソプロピルシリル−エチニル）ペンタセンの合成
（（３−ヘプタフルオロイソプロポキシ）プロピルジイソプロピルシリル）アセチレンの合成
乾燥した２５０ｍＬの丸底フラスコ中で、（３−ヘプタフルオロイソプロポキシ）プロピルトリクロロシラン（４．８７ｇ、１３．５ｍｍｏｌ）を無水ＴＨＦ（１５ｍＬ）に溶解した。溶液を氷浴中で冷却し、イソプロピルリチウム（４１ｍＬ、２８ｍｍｏｌ、０．７Ｍペンタン溶液）を１時間かけて滴下した後、１２時間かけて室温にまで昇温させた。エチニルマグネシウムブロミド（３５ｍＬ、１７ｍｍｏｌ、０．５Ｍ ＴＨＦ溶液）を加えてから溶液を６０℃に１２時間加熱した。水をゆっくりと加えて反応を停止させ、希硫酸を加えてマグネシウム塩を溶解した。混合物をヘキサンで抽出し（２×５０ｍＬ）、水で洗い（５×１０ｍＬ）、硫酸マグネシウム上で乾燥し、濾過してから濃縮した。生成物をヘキサンを溶離剤として用いてシリカゲル上でクロマトグラフィーを使用して精製し（ヘキサン中、Ｒｆ＝約０．６）、２．４ｇ（６．５ｍｍｏｌ、４８％）の無色の液体を得た。無色の生成物を分析して以下のデータを得た：１Ｈ−ＮＭＲ（２００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ＝４．０（ｔ，Ｊ＝６．２Ｈｚ，２Ｈ），２．４（ｓ，１Ｈ），１．８（ｍ，２Ｈ），１．０（ｍ，１４Ｈ），０．６（ｍ，２Ｈ）。
【０１４８】
６，１３−ビス−（（３−ヘプタフルオロイソプロポキシ）プロピルジイソプロピルシリルエチニル）−ペンタセンの合成
オーブン乾燥した１００ｍＬの丸底フラスコ中で（（３−ヘプタフルオロイソプロポキシ）−プロピルジイソプロピルシリル）アセチレン（２．０ｇ、５．４ｍｍｏｌ）を無水ＴＨＦ（５ｍＬ）に溶解し、氷浴中で冷却した。ｎ−ブチルリチウム（１．８ｍＬ、４．５ｍｍｏｌ、２．５Ｍヘキサン溶液）を滴下し、溶液を浴中で３０分間攪拌した。ペンタセンキノン（０．５７ｇ、１．８ｍｍｏｌ）を加え、溶液を１２時間攪拌した。別の三角フラスコ中で塩化第一スズ二水和物（１．４ｇ、６．４ｍｍｏｌ）をメタノール（１００ｍＬ）に溶解し、１ｍＬの１０％塩酸溶液を加えてから、この溶液を１時間冷蔵した。反応混合物に０．５ｍＬの飽和塩化アンモニウム溶液を加えて反応を停止させ、メタノール（２０ｍＬ）で希釈した。反応を停止させた反応混合物を攪拌下、塩化第一スズ混合物にゆっくりと流し込み、更なるメタノールで洗った。攪拌を３０分間継続し、混合物の全体を３時間冷蔵した。固体を濾過により除去し、周囲雰囲気中で乾燥し、次いで溶離剤としてヘキサン：ジクロロメタンの９：１混合物を使用してシリカゲル上でクロマトグラフィーにより精製して０．６８ｇの青色固体を得た。アセトン（約３０ｍＬ）から再結晶化することにより、０．６ｇ（０．６ｍｍｏｌ、３４％）の生成物を赤紫色の板状物として得た。無色の生成物を分析して以下のデータを得た：１Ｈ−ＮＭＲ（２００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ＝９．２（ｓ，４Ｈ），７．９（ｄｄ，Ｊ＝３．４Ｈｚ，７．０Ｈｚ，４Ｈ），７．４（ｄｄ，Ｊ＝３．４Ｈｚ，７．０Ｈｚ，４Ｈ），４．１（ｔ，Ｊ＝６．０Ｈｚ，４Ｈ），２．１（ｍ，４Ｈ），１．３（ｍ，２８Ｈ），１．０（ｍ，４Ｈ）。
【０１４９】
実施例７−１０−６，１３−ビス（３，３，３−トリフルオロプロピルジイソプロピルシリルエチニル）ペンタセンのディップコーティング溶液による薄膜トランジスタの調製
６，１３−ビス（３，３，３−トリフルオロプロピルジイソプロピルシリルエチニル）ペンタセン及び場合によりポリスチレンの４つの溶液を表３に述べられるように以下の方法によって調製した。所定量の６，１３−ビス（３，３，３−トリフルオロプロピルジイソプロピルシリルエチニル）ペンタセンと、場合により加える所定量のポリスチレンを、磁気攪拌子の入ったアンバーガラスバイアル中に秤量し、溶媒（ｎ−ブチルベンゼン（ｎｂｂ）、アニソール、又はデカン）を秤量して加えることによって、組成物中に所望の濃度の有機半導体、６，１３−ビス（３，３，３−トリフルオロプロピル−ジイソプロピルシリルエチニル）ペンタセン、及び場合により加えるポリスチレン、更に複数の溶媒を含む組成物の場合には所望の重量比の溶媒を含有する組成物を調製した。このバイアルにキャップをし、攪拌プレート上に置いて、内容物を攪拌した。バイアルは金属缶で覆い、組成物を光から遮断した。内容物は最低１２時間攪拌した。
【０１５０】
各半導体溶液を、Ｐａｌｌ Ｌｉｆｅ Ｓｃｉｅｎｃｅｓ（ニューヨーク州イーストヒルズ）よりＡＣＲＯＤＩＳＣ（登録商標）ＣＲの商品名で市販される孔径０．２マイクロメートル、直径２５ｍｍのポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）フィルターによって濾過し、ディップコーティング槽（幅約５０ｍｍ、深さ約５ｍｍ、高さ約３０ｍｍ）に入れた。約５ｍＬの各溶液を使用した。各溶液／組成物につき、熱酸化物を有するｎ型シリコンウェーハ（Ｎｏｅｌ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ，Ｉｎｃ．（カリフォルニア州キャンベル）より供給される、前面に１０００オングストロームの熱酸化物（ＳｉＯ２）、裏面に１００オングストロームのＴｉＮ及び５０００オングストロームのアルミニウムがコーティングされた、固有抵抗０．００５Ω−ｃｍ未満の高濃度にｎ＋（砒素）型ドープされたシリコン＜１００＞ウェーハ）の基材１枚をディップコーティングした。各基材は、ディップコーティングに先立って、Ｐｌａｓｍａ Ｃｌｅａｎｉｎｇシステム（Ｙｉｅｌｄ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｓｙｓｔｅｍｓ，Ｉｎｃ．（カリフォルニア州リバモア）より市販されるモデルＹＥＳ−Ｇ１０００）において５００Ｗの出力設定及び約２００ｍＴｏｒｒ（２６．７ｋＰａ）の酸素圧を使用して３分間処理を行った。各基材試料は、Ｎｉｍａ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｌｔｄ．（英国コベントリー）よりＮＩＭＡ Ｄ１Ｌの商品名で市販されるディップコーティング装置を使用して、３ｍｍ／分の引き上げ速度で浸漬した。各試料を室温で乾燥させた。
【０１５１】
コーティング後、基材のＳｉＯ２表面上に長結晶が存在し、典型的には浸漬軸に平行に配向していた。これは、結晶の長手方向が浸漬方向と同じ方向であったということである。金のソース電極及びドレイン電極（厚さ約８００〜１０００オングストローム）を、熱エバポレータを使用してシャドーマスクを通して蒸着し、これによりボトムゲート、トップコンタクト構造のトランジスタを形成した。ソース及びドレイン電極は各電極の長手方向（チャネル幅）が浸漬軸と直交する向きに形成した。チャネル幅は約１００マイクロメートルとした。移動度値の試験方法ＩＩによって各基材上で１０個のトランジスタの移動度を測定し、その平均値を表４に示した。
【０１５２】
【表３】
【０１５３】
実施例１１−６，１３−ビス（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，９，９，１０，１０，１０−ヘプタデカフルオロデシルジイソプロピルシリルエチニル）−ペンタセンのナイフコーティング溶液による薄膜トランジスタの調製
６，１３−ビス（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，９，９，１０，１０，１０−ヘプタデカフルオロデシルジイソプロピルシリル−エチニル）ペンタセン（０．０２３４ｇ）をガラスバイアルに加え、次に３−（トリフルオロメチル）アニソール（１．３０１６ｇ）をバイアルに加えた。バイアルにキャップをし、アルミホイルで覆って組成物を光から遮断した。バイアルを２時間静置した後、ＩＫＡ ＬＡＢＯＲＴＥＣＨＮＩＫ ＨＳ５０１シェーカー（ＩＫＡ Ｗｅｒｋｅ ＧｍｂＨ ＆ Ｃｏ．ＫＧ（ドイツ、シュタウフェン））上に置き、約４８時間振盪した。バイアルの内容物を、Ｐａｌｌ Ｌｉｆｅ Ｓｃｉｅｎｃｅｓ（ニューヨーク州イーストヒルズ）よりＡＣＲＯＤＩＳＣ（登録商標）ＣＲの商品名で市販される孔径０．２マイクロメートル、直径２５ｍｍのポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）フィルターによって濾過した。
【０１５４】
熱酸化物を有するｎ型シリコンウェーハ（Ｎｏｅｌ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ，Ｉｎｃ．（カリフォルニア州キャンベル）より供給される、前面に１０００オングストロームの熱酸化物（ＳｉＯ２）、裏面に１００オングストロームのＴｉＮ及び５０００オングストロームのアルミニウムがコーティングされた、固有抵抗０．００５Ω−ｃｍ未満の高濃度にｎ＋（砒素）型ドープされた直径４インチ（１０．１６ｃｍ）のシリコン＜１００＞ウェーハを大まかに６分割して試験片を得た。）の試験片を、半導体溶液をナイフコーティングするのに先立って、Ｐｌａｓｍａ Ｃｌｅａｎｉｎｇシステム（Ｙｉｅｌｄ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｓｙｓｔｅｍｓ，Ｉｎｃ．（カリフォルニア州リバモア）より市販されるモデルＹＥＳ−Ｇ１０００）において５００Ｗの出力設定及び約２００ｍＴｏｒｒ（２６．７ｋＰａ）の酸素圧を使用して４分間処理を行った。
【０１５５】
ナイフコーターのブレードをシリコンウェーハ試験片の熱酸化物表面の約０．００５インチ（０．０１３ｃｍ）上に配置し、使い捨てガラスピペットを使用して小さなビーズ状の半導体溶液をブレードと熱酸化物表面との間に置いた。次いでナイフコーターを手でウェーハ上で引くことによってウェーハを半導体溶液でコーティングした。半導体溶液をナイフコーティングした直後に、溶液がコーティングされたウェーハをガラスペトリ皿（直径約９０ｍｍ×深さ約１５ｍｍ）で覆って、溶媒である３−（トリフルオロメチル）アニソールの蒸発を遅らせた。室内光を極力落とし、室温で試料を乾燥させた。
【０１５６】
約３時間後に試料は乾燥した。金のソース電極及びドレイン電極（厚さ約１０００オングストローム）を、サーマルエバポレータを使用してシャドーマスクを通して半導体層上に蒸着させ、これによりボトムゲート、トップコンタクト構造のトランジスタを形成した。ソース及びドレイン電極は、各電極の長手方向（チャネル幅）がナイフコーティング方向と直交する向きに形成した。チャネル幅は約１００マイクロメートルとした。移動度値の試験方法Ｉによって９個のトランジスタの移動度を測定したところ、その平均値は１．２０×１０−３ｃｍ２／Ｖ−ｓであった。
【０１５７】
実施例１２−第２の方法を使用した６，１３−ビス（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，８−トリデカフルオロオクチルジメチルシリル−エチニル）ペンタセンの合成
オーブン乾燥した１００ｍＬの丸底フラスコ中で、（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，８−トリデカフルオロオクチルジメチルシリル）アセチレン（２．４ｇ、５．６ｍｍｏｌ）（実施例４において合成したもの）をトルエン（１０ｍＬ）に溶解した。イソプロピルマグネシウムクロリド（２．４ｍＬ、２Ｍ ＴＨＦ溶液）を滴下し、溶液を６０℃に１時間加熱した。無水ＴＨＦ（６ｍＬ）を加えると溶液は均質となった。混合物を熱から外してペンタセンキノン（０．６３ｇ、２．０ｍｍｏｌ）を加えた。６０℃での加熱を再開し、１２時間継続した。得られた均質な反応混合物を室温に冷却した後、０．５ｍＬの塩化アンモニウムの飽和溶液を加えて反応を停止した。攪拌子を備えた別の三角フラスコ中で塩化第一スズ二水和物（７．０ｍｍｏｌ、１．６ｇ）をメタノール（１５０ｍＬ）に溶解し、２ｍＬの１０％塩酸を加えた。メタノール溶液を１時間冷却した後、反応混合物をメタノール（５０ｍＬ）で希釈し、更なるメタノール（２０ｍＬ）ですすいで三角フラスコに入れ、室温で１５分間攪拌した。この混合物を１時間冷却した。固体を濾過により回収し、メタノールですすぎ、周囲雰囲気中で乾燥した。この固体を最小量のジクロロメタンに溶かし、ヘキサンで希釈（ヘキサン：ジクロロメタン＝約９：１）してから中程度の厚さのシリカゲルパッド上に流し、ヘキサン：ジクロロメタンの９：１混合物で溶出した。溶媒を除去することにより０．９５ｇの光沢のある青色固体が得られ、これをアセトンから２回再結晶化させて０．８０ｇの青色の針状結晶を得た（０．７０ｍｍｏｌ、キノンからの収率３５％）。生成物を分析して以下のデータを得た：１Ｈ−ＮＭＲ（２００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ＝９．１（ｓ，４Ｈ），８．０（ｄｄ，Ｊ＝３．３Ｈｚ，６．６Ｈｚ，４Ｈ），７．４（ｄｄ，Ｊ＝３．３Ｈｚ，６．６Ｈｚ，４Ｈ），２．４（ｍ，４Ｈ），１．２（ｍ，４Ｈ），０．６（ｓ，１２Ｈ）。
【０１５８】
実施例１３−６，１３−ビス（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，８−トリデカフルオロオクチルジイソプロピル−シリルエチニル）ペンタセンの合成
第１の方法を使用した（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，８−トリデカフルオロオクチルジイソプロピルシリル）アセチレンの合成
オーブン乾燥した２５０ｍＬの丸底フラスコ中で３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，８−トリデカフルオロオクチルトリクロロシラン（９．８ｇ、２１．２ｍｍｏｌ）を無水ＴＨＦ（１４ｍＬ）に溶解した。別のオーブン乾燥した１００ｍＬの丸底フラスコ中でトリメチルシリルアセチレン（２．５ｇ、２５ｍｍｏｌ）を無水ＴＨＦ（１８ｍＬ）に溶解し、氷浴中で冷却した後、ｎ−ブチルリチウム（８．４ｍＬ、２１ｍｍｏｌ、２．５Ｍヘキサン溶液）を滴下した。この第２の溶液を１時間攪拌してから第１の溶液に４５分間かけて滴下した。得られた溶液を５時間攪拌し、氷浴中で冷却した。イソプロピルリチウム（６６ｍＬ、４６ｍｍｏｌ、０．７Ｍペンタン溶液）をゆっくりと加えてから攪拌を１２時間継続した。反応混合物を１００ｍＬの希釈塩化アンモニウム溶液に流し込み、次にヘキサン（４０ｍＬ）で洗った。有機層を分離し、水層を再度抽出した（３０ｍＬヘキサン）。有機層を合わせ、水で洗い（３×２０ｍＬ）、硫酸マグネシウム上で乾燥し、濾過し、真空下で濃縮して粗混合生成物を淡褐色の液体として得た。生成物を溶離剤としてヘキサンを用いてシリカゲル上でクロマトグラフィーを使用して単離し（ヘキサン中、Ｒｆ＝約０．６）、濃縮することによって無色の液体を得た（４．９ｇ、８．８ｍｍｏｌ）。トリメチルシリルエンドキャップを除去するため、生成物をＴＨＦ（約１５ｍＬ）及びメタノール（約５ｍＬ）に溶かして１５％水酸化ナトリウム水溶液（１０滴）で処理した。１時間攪拌した後、混合物に水を加えてヘキサンで抽出し、１０％ ＨＣｌ（５ｍＬ）及び水（３×２０ｍＬ）で洗い、硫酸マグネシウム上で乾燥し、濾過し、真空下で濃縮して生成物（４．２ｇ、８．７ｍｍｏｌ、４１％）を無色の液体として得た。生成物を分析して以下のデータを得た：１Ｈ−ＮＭＲ（２００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ＝２．４（ｓ，１Ｈ），２．２（ｍ，２Ｈ），１．０（ｍ，１４Ｈ），０．８（ｍ，２Ｈ）。
【０１５９】
第２の方法を使用した（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，８−トリデカフルオロオクチルジイソプロピルシリル）アセチレンの合成
窒素下で冷却した、攪拌子を備えたオーブン乾燥した丸底フラスコ中で、３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，８−トリデカフルオロオクチルジイソプロピルシラン（１．９ｇ、４．１ｍｍｏｌ）を１２ｍＬの無水ベンゼン（使用前に１０体積％を煮沸で飛ばして乾燥させたベンゼン）に溶解した。この混合物に臭化アリル（０．７６ｇ、６．３ｍｍｏｌ、１．５当量）及び塩化パラジウム（３０ｍｇ）を加えた。この溶液を６０℃に１５時間加熱してから冷却し、回転蒸発により濃縮した。得られた溶液をペンタンに溶解し、濾過して残留触媒を除去した後、溶媒を除去して（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，８−トリデカフルオロオクチルジイソプロピル−シリル）ブロミド（２．０ｇ）を淡褐色の液体として得た。この臭化物を１．２当量（最初のシランに対して）のエチニルマグネシウムブロミドによって無水条件下で処理し、４０℃に６時間加熱した。水及び希硫酸を加えて反応を停止させ、ペンタンを加えて有機層を分離した。有機層を水で洗い（６×５０ｍＬ）、硫酸マグネシウム上で乾燥し、濾過し、回転蒸発により濃縮した。ヘキサンを使用したフラッシュクロマトグラフィーによって更に精製して純粋な（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，８−トリデカフルオロオクチルジイソプロピルシリル）アセチレン（１．５ｇ、３．１ｍｍｏｌ、７７％）を無色の液体として得た。
【０１６０】
６，１３−ビス（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，８−トリデカフルオロオクチルジイソプロピルシリル−エチニル）ペンタセンの合成
オーブン乾燥した丸底フラスコ中で（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，８−トリデカフルオロオクチル−ジイソプロピルシリル）アセチレン（１．４ｇ、２．９ｍｍｏｌ）（上記の第１及び第２の方法のいずれかによって調製したもの）をヘキサン（２０ｍＬ）に溶解し、０℃でｎ−ブチルリチウム（０．９ｍＬ、２．３ｍｍｏｌ、２．５Ｍヘキサン溶液）の滴下により処理した。この溶液を１時間かけて室温にまで昇温させた後、ペンタセンキノン（０．２２ｇ、０．７０ｍｍｏｌ）を加えた。攪拌を１５時間継続した後、飽和塩化アンモニウム溶液（１０ｍＬ）を加えることにより反応を停止させた。反応グレードのＴＨＦ（２５ｍＬ）、塩化第一スズ二水和物（２ｇ）、及び１０％ ＨＣｌ（６ｍＬ）を加え、混合物を３０分間激しく攪拌した。ヘキサンを加え、有機層を分離してから１０％ ＨＣｌ（２×１０ｍＬ）及び水（２×１０ｍＬ）で洗い、硫酸マグネシウム上で乾燥して薄いシリカパッドに通して濾過した（ヘキサン：ＤＣＭ＝５：１）。回転蒸発により溶媒を除去し、得られた青色油状物をヘキサンに溶かして厚いシリカパッド上に流した。ヘキサン（２００ｍＬ）を使用して余分なアセチレンを溶出させた後、ヘキサン：ＤＣＭの９：１混合物によって生成物を溶出した。溶媒を除去することにより０．５５ｇの青色固体が得られ、これをアセトン（約２０ｍＬ）から再結晶化させて小さな青色の針状結晶を得た（０．３５ｇ、０．２８ｍｍｏｌ、キノンからの収率４０％）。生成物を分析して以下のデータを得た：１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ＝９．２（ｓ，４Ｈ），７．９（ｄｄ，Ｊ＝６．４Ｈｚ，３．２Ｈｚ，４Ｈ），７．４（ｄｄ，Ｊ＝６．８Ｈｚ，２．８Ｈｚ，４Ｈ），２．５（ｍ，４Ｈ），１．４（ｍ，２８Ｈ），１．２（ｍ，４Ｈ）。
【０１６１】
実施例１４−６，１３−ビス（３，３，４，４，５，５，６，６，６−ノナフルオロヘキシルジイソプロピルシリル−エチニル）ペンタセンの合成
（３，３，４，４，５，５，６，６，６−ノナフルオロヘキシルジイソプロピルシリル）アセチレンの合成
窒素下で冷却した、攪拌子を備えたオーブン乾燥した丸底フラスコ中で、３，３，４，４，５，５，６，６，６−ノナフルオロヘキシルジイソプロピルシラン（１０．１ｇ、２７．８ｍｍｏｌ）を臭化アリル（２０ｍＬ）に溶解し、塩化パラジウム（５０ｍｇ）を加えた。この溶液を６０℃に１５時間加熱してから冷却し、回転蒸発により濃縮した。得られた溶液をペンタンに溶解し、濾過して残留触媒を除去した後、溶媒を除去して（３，３，４，４，５，５，６，６，６−ノナフルオロヘキシルジイソプロピルシリル）ブロミド（１２．１ｇ）を淡褐色の液体として得た。この臭化物を１．２当量（最初のシランに対して）のエチニルマグネシウムブロミドによって無水条件下で処理し、４０℃に６時間加熱した。水及び希硫酸を加えて反応を停止させ、ペンタンを加えて有機層を分離した。有機層を水で洗い（６×５０ｍＬ）、硫酸マグネシウム上で乾燥し、濾過し、回転蒸発により濃縮した。ヘキサンを使用したフラッシュクロマトグラフィーによって更に精製して純粋な（３，３，４，４，５，５，６，６，６−ノナフルオロヘキシルジイソプロピルシリル）アセチレン（９．９０ｇ、２５．６ｍｍｏｌ、９２％）を無色の液体として得た。生成物を分析して以下のデータを得た：１Ｈ−ＮＭＲ（２００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ＝２．４（ｓ，１Ｈ），２．２（ｍ，２Ｈ），１．１（ｍ，１４Ｈ），０．８（ｍ，２Ｈ）。
【０１６２】
６，１３−ビス（３，３，４，４，５，５，６，６，６−ノナフルオロヘキシルジイソプロピルシリルエチニル）−ペンタセンの合成
オーブン乾燥した１００ｍＬの丸底フラスコ中で（３，３，４，４，５，５，６，６，６−ノナフルオロヘキシルジイソプロピルシリル）アセチレン（１．１ｇ、２．９ｍｍｏｌ）をヘキサン（１５ｍＬ）に溶解し、氷浴中で冷却した。ｎ−ブチルリチウム（０．８ｍＬ、２．０ｍｍｏｌ、２．５Ｍヘキサン溶液）を滴下してから攪拌を１時間継続した。ペンタセンキノン（０．２２ｇ、０．７ｍｍｏｌ）を加え、反応混合物を１２時間攪拌した。飽和塩化アンモニウム溶液（１０ｍＬ）を加えることによって反応を停止させた後、反応グレードのＴＨＦ（２０ｍＬ）、塩化第一スズ二水和物（１．３ｇ）及び１０％ ＨＣｌ（６ｍＬ）を加えた。３０分間攪拌した後、ヘキサン（２０ｍＬ）を加え、有機層を分離した。有機層を１０％ ＨＣｌ（２×１０ｍＬ）及び水（２×１０ｍＬ）で洗い、硫酸マグネシウム上で乾燥し、溶離剤としてヘキサン：ＤＣＭの５：１混合物を使用して薄いシリカパッドに通した。溶媒を除去し、得られた青色油状物をヘキサンに溶かして厚いシリカパッド上に流した。余分なアセチレンをヘキサンにより溶出し、生成物をヘキサン：ＤＣＭの９：１混合物で溶出した。真空下で濃縮することにより０．５２ｇの青色固体が得られ、これをジクロロメタン（約８ｍＬ）から再結晶化させて０．２４ｇ（０．２３ｍｍｏｌ、キノンからの収率３３％）の赤紫色の板状物を得た。生成物を分析して以下のデータを得た：１Ｈ−ＮＭＲ（２００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ＝９．２（ｓ，４Ｈ），８．０（ｄｄ，Ｊ＝３．０Ｈｚ，６．６Ｈｚ，４Ｈ），７．４（ｄｄ，Ｊ＝３．２Ｈｚ，７．０Ｈｚ，４Ｈ），２．５（ｍ，４Ｈ），１．３（ｍ，２８Ｈ），０．８（ｍ，４Ｈ）。
【０１６３】
実施例１５−６，１３−ビス（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，９，９，１０，１０，１０−ヘプタデカフルオロ−デシルジイソプロピルシリルエチニル）ペンタセンの合成
（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，９，９，１０，１０，１０−ヘプタデカフルオロデシルジイソプロピル−シリル）アセチレンの合成
窒素下で冷却した、攪拌子を備えたオーブン乾燥した丸底フラスコ中で、３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，９，９，１０，１０，１０−ヘプタデカフルオロデシルジイソプロピルシラン（９．９７ｇ、１７．７ｍｍｏｌ）を１５ｍＬの無水ベンゼン（使用前に１０体積％を煮沸で飛ばして乾燥させたベンゼン）に溶解した。これに臭化アリル（３．２２ｇ、２６．６ｍｍｏｌ、１．５当量）及び塩化パラジウム（３５ｍｇ、１ｍｏｌ％）を加えた。この溶液を６０℃に１５時間加熱してから冷却し、回転蒸発により濃縮した。得られた溶液をペンタンに溶解し、濾過して残留触媒を除去した後、溶媒を除去して（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，９，９，１０，１０，１０−ヘプタデカフルオロデシルジイソプロピルシリル）ブロミド（１１．３ｇ）を淡褐色の液体として得た。この臭化物を１．２当量（最初のシランに対して）のエチニルマグネシウムブロミドによって無水条件下で処理し、４０℃に６時間加熱した。水及び希硫酸を加えて反応を停止させ、ペンタンを加えて有機層を分離した。有機層を水で洗い（６×５０ｍＬ）、硫酸マグネシウム上で乾燥し、濾過し、回転蒸発により濃縮した。ヘキサンを使用したフラッシュクロマトグラフィーによる更なる精製によって、純粋な（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，９，９，１０，１０，１０−ヘプタデカフルオロデシルジイソプロピル−シリル）アセチレン（９．０ｇ、１５ｍｍｏｌ、８７％）を無色の液体として得た。生成物を分析して以下のデータを得た：１Ｈ−ＮＭＲ（２００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ＝２．４（ｓ，１Ｈ），２．２（ｍ，２Ｈ），１．０（ｍ，１４Ｈ），０．８（ｍ，２Ｈ）。
【０１６４】
６，１３−ビス（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，９，９，１０，１０，１０−ヘプタデカフルオロデシル−ジイソプロピルシリルエチニル）ペンタセンの合成
本実施例の上記の手順によって合成したアセチレンを用いた以外は、実施例５で述べたのと同様にしてペンタセン合成を行った。生成物を分析して以下のデータを得た：１Ｈ−ＮＭＲ（２００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ＝９．２（ｓ，４Ｈ），８．０（ｄｄ，Ｊ＝３．４Ｈｚ，６．６Ｈｚ），７．４（ｄｄ，Ｊ＝３．２Ｈｚ，７．０Ｈｚ），２．５（ｍ，４Ｈ），１．４（ｍ，２８Ｈ），１．２（ｍ，４Ｈ）。
【０１６５】
実施例１６−６，１３−ビス（（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，９，１０，１０，１０−ヘキサデカフルオロ−９−トリフルオロメチルデシル）ジイソプロピルシリルエチニル）ペンタセンの合成
（（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，９，１０，１０，１０−ヘキサデカフルオロ−９−トリフルオロメチル−デシル）ジイソプロピルシリル）アセチレンの合成
窒素下で冷却した、攪拌子を備えたオーブン乾燥した丸底フラスコ中で、（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，９，１０，１０，１０−ヘキサデカフルオロ−９−トリフルオロメチルデシル）ジイソプロピルシラン（４．８６ｇ、７．９４ｍｍｏｌ）を１０ｍＬの無水ベンゼン（使用前に１０体積％を煮沸で飛ばして乾燥させたベンゼン）に溶解した。この混合物に臭化アリル（１．４４ｇ、１１．９ｍｍｏｌ、１．５当量）及び塩化パラジウム（３０ｍｇ）を加えた。この溶液を６０℃に１５時間加熱してから冷却し、回転蒸発により濃縮した。得られた溶液をペンタンに溶解し、濾過して残留触媒を除去した後、溶媒を除去して（（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，９，１０，１０，１０−ヘキサデカフルオロ−９−トリフルオロメチルデシル）ジイソプロピルシリル）−ブロミド（１１．３ｇ）を淡褐色の液体として得た。この臭化物を１．２当量（最初のシランに対して）のエチニルマグネシウムブロミドによって無水条件下で処理し、４０℃に６時間加熱した。水及び希硫酸を加えて反応を停止させ、ペンタンを加えて有機層を分離した。有機層を水で洗い（６×５０ｍＬ）、硫酸マグネシウム上で乾燥し、濾過し、回転蒸発により濃縮した。ヘキサンを使用したフラッシュクロマトグラフィーによる更なる精製によって純粋な（（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，９，１０，１０，１０−ヘキサデカフルオロ−９−トリフルオロメチルデシル）ジイソプロピルシリル）−アセチレン（４．１ｇ、６．５ｍｍｏｌ、８２％）を無色の液体として得た。生成物を分析して以下のデータを得た：１Ｈ−ＮＭＲ（２００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ＝２．４（ｓ，１Ｈ），２．２（ｍ，２Ｈ），１．０（ｍ，１４Ｈ），０．８（ｍ，２Ｈ）。
【０１６６】
６，１３−ビス（（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，９，１０，１０，１０−ヘキサデカフルオロ−９−トリフルオロメチルデシル）ジイソプロピルシリルエチニル）ペンタセンの合成
オーブン乾燥した丸底フラスコ中で（（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，９，１０，１０，１０−ヘキサデカフルオロ−９−トリフルオロメチルデシル）ジイソプロピルシリル）アセチレン（０．６４ｇ、１．０ｍｍｏｌ）をヘキサン（１０ｍＬ）に溶解し、０℃でｎ−ブチルリチウム（０．２８ｍＬ、０．７ｍｍｏｌ、２．５Ｍヘキサン溶液）により処理した。１時間後、ペンタセンキノン（７７ｍｇ、０．２５ｍｍｏｌ）を加え、攪拌を１５時間継続した。無水ＴＨＦ（１０ｍＬ）を加えたところ溶液は均一となり、攪拌を１時間継続した。飽和塩化アンモニウム溶液（１０ｍＬ）を加えることにより反応を停止させた。反応グレードのＴＨＦ（１０ｍＬ）、塩化第一スズ二水和物（１．０ｇ、４．４ｍｍｏｌ）及び１０％ ＨＣｌ（６ｍＬ）を加え、激しい攪拌を３０分間継続した。ヘキサンを加え、有機層を分離してから１０％ ＨＣｌ（２×１０ｍＬ）及び水（２×１０ｍＬ）で洗い、硫酸マグネシウム上で乾燥し、薄いシリカパッドに通した（ヘキサン：ＤＣＭ＝５：１）。溶媒を除去することにより粗ペンタセンが得られ、これをヘキサン（５０ｍＬ）に溶かして厚いシリカパッド上に流した。シリカをヘキサンで流して余分なアセチレンを溶出させた後、生成物をヘキサン：ＤＣＭの９：１混合物によって溶出した。溶媒を除去することにより０．１６ｇの青色固体として粗生成物が得られ、これをジクロロエタン（１０ｍＬ）から再結晶化させて純粋な生成物を小さな青色針状結晶（０．１０ｇ、０．０６５ｍｍｏｌ、２６％）として得た。生成物を分析して以下のデータを得た：１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ＝９．２（ｓ，４Ｈ），７．９（ｄｄ，Ｊ＝６．４Ｈｚ，３．２Ｈｚ，４Ｈ），７．４（ｄｄ，Ｊ＝６．８Ｈｚ，３．２Ｈｚ，４Ｈ），２．５（ｍ，４Ｈ），１．４（ｍ，２８Ｈ），１．２（ｍ，４Ｈ）。
【０１６７】
実施例１７−６，１３−ビス（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，９，９，１０，１０，１０−ヘプタデカフルオロ−デシルジイソプロピルシリルエチニル）−２，３，９，１０−テトラメチルペンタセンの合成
２，３，９，１０−テトラメチルペンタセン−６，１３−ジオンの合成
１．６ｇ（１０ｍｍｏｌ）の４，５−ジメチルフタルアルデヒドを２０ｍＬエタノールに加えた溶液に０．５６ｇ（５ｍｍｏｌ）のシクロヘキサン−１，４−ジエンを加えた。開始物質が完全に溶解した時点で１５％水酸化ナトリウム水溶液を２滴加えるとキノンが直ちに沈殿しはじめた。この懸濁液を更に２時間攪拌した後、１０倍量のメタノールで希釈し、固体を濾過して回収した。固体のキノンを大量のメタノール、次いでエーテルで洗い、一晩風乾した。このキノン（１．５ｇ、８２％）を更に精製することなく使用した。
【０１６８】
６，１３−ビス（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，９，９，１０，１０，１０−ヘプタデカフルオロデシル−ジイソプロピルシリルエチニル）−２，３，９，１０−テトラメチルペンタセンの合成
上記実施例１５で得られた（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，９，９，１０，１０，１０−ヘプタデカフルオロデシルジイソプロピルシリル）アセチレン（１．８ｇ、３．０ｍｍｏｌ）をオーブン乾燥した丸底フラスコに加えてヘキサン（２０ｍＬ）に溶解した。０℃に冷却した後、溶液をｎ−ブチルリチウム（１．０ｍＬ、２．５ｍｍｏｌ、２．５Ｍヘキサン溶液）の滴下により処理し、攪拌を１時間継続した。２，３，９，１０−テトラメチルペンタセン−６，１３−ジオン（０．２８ｇ、０．８０ｍｍｏｌ）を加え、１０分後に無水ＴＨＦ（３ｍＬ）を加えた。反応を１５時間継続させると均質な溶液となった。この溶液に飽和塩化アンモニウム溶液（２０ｍＬ）、反応グレードのＴＨＦ（３０ｍＬ）、塩化第一スズ二水和物（３ｇ）、及び１０％ ＨＣｌ（２５ｍＬ）を加えてから３０分間激しく攪拌した。ヘキサン（２０ｍＬ）を加えた後、有機層を分離し、１０％ ＨＣｌ（２×１０ｍＬ）及び水（２×１０ｍＬ）で洗い、硫酸マグネシウム上で乾燥し、薄いシリカパッドに通した（ヘキサン：ＤＣＭ＝１：１）。溶媒を除去することにより青色油状物が得られ、これをヘキサンに溶かして厚いシリカパッド上に流した。更なるヘキサンをシリカに通して余分なアセチレンを溶出させた後、生成物をヘキサン：ＤＣＭの７：１混合物によって溶出した。溶媒を除去することによって青色固体が得られ、これをヘプタン：トルエンの約１：１の混合物から再結晶化させることにより、微細な青色針状結晶の繊維状の塊として生成物を得た（０．３ｇ、０．２ｍｍｏｌ、キノンからの収率２５％）。生成物を分析して以下のデータを得た：１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ＝９．０（ｓ，４Ｈ），７．７（ｓ，４Ｈ），２．６（ｍ，４Ｈ），２．５（ｓ，１２Ｈ），１．３（ｍ，２８Ｈ），１．２（ｍ，４Ｈ）．１３Ｃ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ＝１３７，１３２，１３１，１２５，１２４，１１８，１０７，１０４，２１〜１８の間に分離不能な多くのピーク，１２．
実施例１８−６，１３−ビス（３，３，４，４，５，５，５−ヘプタフルオロペンチルジイソプロピルシリルエチニル）−ペンタセンの合成
（３，３，４，４，５，５，５−ヘプタフルオロペンチルジイソプロピルシリル）アセチレンの合成
オーブン乾燥した丸底フラスコ中で（３，３，４，４，５，５，５−ヘプタフルオロペンチル）ジイソプロピル−シラン（１０ｇ、３２ｍｍｏｌ）を臭化アリル（２０ｍＬ）に溶解し、フラスコを窒素でフラッシュした。塩化パラジウム（４０ｍｇ）を加え、溶液を６０℃に１２時間加熱した。溶媒をロータリーエバポレータで除去することにより褐色の懸濁液が得られ、これをペンタンに溶かして濾過した。溶媒を除去することによりブロモシランを褐色の液体（１２．１ｇ）として得た。このブロモシラン、すなわち（３，３，４，４，５，５，５−ヘプタフルオロペンチルジイソプロピルシリル）ブロミドを無水ＴＨＦ（２０ｍＬ）中でエチニルマグネシウムブロミド（７０ｍＬ、３５ｍｍｏｌ、０．５Ｍ ＴＨＦ溶液）で処理し、４０℃に４時間加熱した。冷却後、水（２０ｍＬ）及びマグネシウム塩を溶解するうえで充分な希硫酸をゆっくりと加えることによって反応を停止させた。ペンタンを加え、有機層を分離した。水層をペンタンで更なる時間、抽出した後、有機層を合わせ、水（５×１０ｍＬ）及び食塩水で洗い、硫酸マグネシウム上で乾燥し、濾過した。溶媒を除去し、粗生成物をヘキサンに溶かして薄いシリカパッドに通した。溶媒を除去することにより生成物を無色の液体として得た（９．７ｇ、２９ｍｍｏｌ、９０％）。生成物を分析して以下のデータを得た：１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ＝２．４（ｓ，１Ｈ），２．２（ｍ，２Ｈ），１．０（ｍ，１４Ｈ），０．８（ｍ，２Ｈ）。
【０１６９】
６，１３−ビス（３，３，４，４，５，５，５−ヘプタフルオロペンチルジイソプロピルシリルエチニル）−ペンタセンの合成
（３，３，４，４，５，５，５−ヘプタフルオロペンチルジイソプロピルシリル）アセチレン（１．９ｇ、５．７ｍｍｏｌ）をオーブン乾燥した丸底フラスコ中でヘキサンに溶解し、０℃でｎ−ブチルリチウム（１．９ｍＬ、４．２ｍｍｏｌ、２．５Ｍヘキサン溶液）の滴下により処理した。１時間攪拌した後、ペンタセンキノン（０．５２ｇ、１．７ｍｍｏｌ）を加え、攪拌を１５時間継続し、無水ＴＨＦ（１５ｍＬ）を加えて更に２時間攪拌した。飽和塩化アンモニウム溶液（１５ｍＬ）、塩化第一スズ二水和物（４ｇ）、及び１０％ ＨＣｌ（１５ｍＬ）を加え、得られた溶液を３０分間激しく攪拌した。ヘキサン（３０ｍＬ）を加え、有機層を分離した後、１０％ ＨＣｌ（２×１０ｍＬ）及び水で洗い、硫酸マグネシウム上で乾燥し、ヘキサン：ＤＣＭの５：１混合物を使用して薄いシリカパッドを通して流した。溶媒を除去し、得られた青色油状物をヘキサンに溶かして薄いシリカパッド上に流し、これをヘキサン（２００ｍＬ）で流して余分なアセチレンを溶出させた。生成物をヘキサン：ＤＣＭの９：１混合物を使用して溶出し、溶媒を除去して青色固体を得た。粗生成物をアセトン（２５ｍＬ）から再結晶化させて純粋な生成物を赤紫色の板状物（０．９１ｇ、０．９７ｍｍｏｌ、キノンに対する収率５７％）として得た。生成物を分析して以下のデータを得た：１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ＝９．２（ｓ，４Ｈ），７．９（ｄｄ，Ｊ＝６．４Ｈｚ，３．２Ｈｚ，４Ｈ），７．４（ｄｄ，Ｊ＝６．４Ｈｚ，３．２Ｈｚ，４Ｈ），２．５（ｍ，４Ｈ），１．４（ｍ，２８Ｈ），１．２（ｍ，４Ｈ）。
【０１７０】
実施例１９−６，１３−ビス（３，３，４，４，５，５，６，６，６−ノナフルオロヘキシルジイソプロピル−シリルエチニル）−１−フルオロペンタセンの合成
１−フルオロペンタセン−６，１３−ジオンの合成
３−フルオロ−ｏ−キシレン（１．２ｇ、９．７ｍｍｏｌ）を攪拌子を備えた丸底フラスコに加え、３０ｍＬのジクロロメタンに溶解した。Ｎ−ブロモスクシンイミド（７．０ｇ、３９ｍｍｏｌ）及び少量のＡＩＢＮを加え、環流冷却器を取付けて混合物を６時間還流した時点でＧＣ−ＭＳによる点分析を行ったところ、三臭化物が主成分であることが示された。冷却後、水及びジクロロメタンを加え、有機層を分離して水及び希塩酸で洗い、硫酸マグネシウム上で乾燥し、ジクロロメタンを溶離剤として使用して薄いシリカゲルのパッドに通した。溶媒を除去して３．４ｇの混合生成物を得た。冷却器及び攪拌子を備えた１００ｍＬの丸底フラスコに１２ｍＬのジメチルホルムアミドを加え、次いで０．５４ｇ（２．０７ｍｍｏｌ）の上記で得られた三臭化物及び０．４３ｇ（２．１ｍｍｏｌ）の１，４−アントラキノンを加えた。溶液に窒素を２０分間バブリングした後、２．１ｇ（１２ｍｍｏｌ）のヨウ化カリウムを加え、反応液を１１０℃に３日間加熱した。反応液を冷却し、沈殿物を濾過して回収し、水、アセトン及びジエチルエーテルで順次洗った。得られた固体を風乾して０．２９ｇ（０．８８ｍｍｏｌ、４２％）の１−フルオロペンタセン−６，１３−ジオン（又は１−フルオロペンタセンキノン）を淡褐色の固体として得た。
【０１７１】
６，１３−ビス（３，３，４，４，５，５，６，６，６−ノナフルオロヘキシルジイソプロピルシリルエチニル）−１−フルオロペンタセンの合成
オーブン乾燥し、冷却したフラスコ中で、実施例１４で得られた（３，３，４，４，５，５，６，６，６−ノナフルオロヘキシルジイソプロピル−シリル）アセチレン（１．１ｇ、３．０ｍｍｏｌ）をヘキサン（１５ｍＬ）に溶解して氷浴中で冷却した。ｎ−ブチルリチウム（０．９６ｍＬ、２．４ｍｍｏｌ、２．５Ｍヘキサン溶液）を滴下し、溶液を１時間かけて室温にまで昇温させた。１−フルオロペンタセン−６，１３−ジオン（０．２８ｇ、０．８５ｍｍｏｌ）を加え、攪拌を一晩継続した。飽和塩化アンモニウム溶液（１０ｍＬ）を加えて反応を停止させてから、試薬グレードのＴＨＦ（１０ｍＬ）、塩化第一スズ二水和物（１．５ｇ）、及び１０％ ＨＣｌを加え、反応液を１時間激しく攪拌した。ヘキサンを加えて有機層を分離し、１０％ ＨＣｌ（２×１０ｍＬ）及び水（１０ｍＬ）で洗ってから硫酸マグネシウム上で乾燥し、薄いシリカパッド上に流した。粗生成物をヘキサン：ＤＣＭの５：１混合物を使用して溶出させ、溶媒をロータリーエバポレータで除去した。得られた青色油状物をヘキサンに溶かして厚いシリカパッド上に流した。更なるヘキサンをシリカに通して余分なアセチレンを溶出させた後、生成物をヘキサン：ＤＣＭの９：１混合物によって溶出した。溶媒を除去することによって０．２８ｇの青色固体が得られ、これをエタノール：クロロホルム（１５ｍＬ：２ｍＬ）から再結晶化させることによって０．２０ｇ（０．２０ｍｍｏｌ、キノンからの収率２４％）の赤紫色の板状物を得た。青色の針状結晶を分析して以下のデータを得た：１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ＝９．５（ｓ，１Ｈ），９．２（ｓ，１Ｈ），９．２（ｓ，２Ｈ），７，９（ｍ，２Ｈ），７．７（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，１Ｈ），７．４（ｄｄ，Ｊ＝６．８，３．２Ｈｚ，１Ｈ），７．２（ｍ，１Ｈ），７．０（ｍ，１Ｈ），２．５（ｍ，４Ｈ），１．４（ｍ，２８Ｈ），１．２（ｍ，４Ｈ）。
【０１７２】
実施例２０−６，１３−ビス（３，３，４，４，５，５，６，６，６−ノナフルオロヘキシルジイソプロピルシリル−エチニル）−２，３，９，１０−テトラメチルペンタセンの合成
オーブン乾燥し、冷却したフラスコ中で、実施例１４で得られた（３，３，４，４，５，５，６，６，６−ノナフルオロヘキシルジイソプロピルシリル）アセチレン（１．５ｇ、４．２ｍｍｏｌ）をヘキサン（２０ｍＬ）に溶解し、氷浴中で冷却した。ｎ−ブチルリチウム（１．４ｍＬ、３．４ｍｍｏｌ、２．５Ｍヘキサン溶液）を滴下し、溶液を１時間かけて室温にまで昇温させた。実施例１７で得られた２，３，９，１０−テトラメチル−ペンタセン−６，１３−ジオン（０．４４ｇ、１．２ｍｍｏｌ）を加え、攪拌を２０分間継続した後、無水ＴＨＦ（３ｍＬ）を加えた。１２時間後、更なる無水ＴＨＦ（１５ｍＬ）を加えたところ、淡黄色の懸濁液が残った。飽和塩化アンモニウム溶液（１５ｍＬ）を加えて反応を停止させてから、塩化第一スズ二水和物（３ｇ）及び１０％ ＨＣｌ（１０ｍＬ）を加え、反応混合物を１時間激しく攪拌した。ヘキサンを加えて有機層を分離し、１０％ ＨＣｌ（２×１０ｍＬ）及び水（１０ｍＬ）で洗ってから硫酸マグネシウム上で乾燥し、薄いシリカパッド上に流した。粗生成物をヘキサン：ＤＣＭの５：１混合物を使用して溶出させ、溶媒をロータリーエバポレータで除去した。得られた青色油状物をヘキサンに溶かして厚いシリカパッド上に流した。更なるヘキサンをシリカに通して余分なアセチレンを溶出させた後、生成物をヘキサン：ＤＣＭの５：１混合物によって溶出した。溶媒を除去することにより０．１１ｇの青色油状物が得られ、これをアセトン（約８ｍＬ）から再結晶化させて０．０２５ｇ（０．０２４ｍｍｏｌ、キノンに対する収率２％）の青色板状物を得た。生成物を分析して以下のデータを得た：１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ＝９．０（ｓ，４Ｈ），７．７（ｓ，４Ｈ），２．６（ｍ，４Ｈ），２．５（ｓ，１２Ｈ），１．３（ｍ，２８Ｈ），１．２（ｍ，４Ｈ）。
【０１７３】
実施例２１−６，１３−ビス（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，９，９，１０，１０，１０−ヘプタデカフルオロ−デシルジイソプロピルシリルエチニル）−２−ペンタフルオロエチルペンタセンの合成
１，２−ジメチル−４−ペンタフルオロエチルベンゼンの合成
窒素でパージし、火炎乾燥した丸底フラスコに、４−ヨード−ｏ−キシレン（１５．０ｇ、６４．７ｍｍｏｌ）、ペンタフルオロプロピオン酸ナトリウム（１６．８ｇ、９０．５ｍｍｏｌ）、ヨウ化銅（Ｉ）（１２．３ｇ、６４．６ｍｍｏｌ）及び１００ｍＬの無水Ｎ−メチルピロリドンを加えた。反応混合物を１７０℃に１６時間加熱した後、室温に冷却し、ヘキサンにより厚いシリカゲルプラグを通じて流した。次いで回収した黄色の液体をロータリーエバポレータで乾燥状態にまで蒸発させ、油状物を６０℃（１０−１Ｔｏｒｒ（１３．３Ｐａ））で蒸留して所望の生成物（９．１４ｇ、６３％）を無色の液体として回収した。生成物を分析して以下のデータを得た：１Ｈ ＮＭＲ（２００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ＝２．３４７（ｓ，６Ｈ），７．２４７（ｄ，Ｊ＝７．８Ｈｚ，１Ｈ），７．３５７（ｓ，１Ｈ），７．４０１（ｓ，１Ｈ）．１３Ｃ ＮＭＲ（５０ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ＝１９．８１０，１９．８４０，１２４．０１３（ｔ，Ｊ＝６．１Ｈｚ），１２７．４７２（ｔ，Ｊ＝６．１Ｈｚ），１３０．１５８，１３７．５６３，１４１．２０５．ＧＣ−ＭＳ：ｍ／ｚ：２２４（Ｃ１０Ｈ９Ｆ５）。
【０１７４】
１，２−ビス−ブロモメチル−４−ペンタフルオロエチルベンゼン、１−ブロモメチル−２−ジブロモメチル−４−ペンタフルオロエチルベンゼン、及び１，２−ビス−ジブロモメチル−４−ペンタ−フルオロエチルベンゼンの合成
窒素でパージし、火炎乾燥した２つ口丸底フラスコに９．１４ｇ（４０．８ｍｍｏｌ）の１，２−ジメチル−４−ペンタフルオロエチルベンゼン及び３６．３ｇ（２０４ｍｍｏｌ）のＮ−ブロモスクシンイミドを加えた。１，２−ジクロロエタン（２００ｍＬ）及び触媒量のＡＩＢＮを加えた。反応液を１６時間、環流加熱（７５℃）した。この後、反応混合物を冷却し、ジクロロメタン：ヘキサンの１：１混合物で洗いながら薄いシリカゲルパッドにより濾過した。２８．２ｇの液体生成物が回収され、ＧＣ／ＭＳにより臭素化された２−ペンタフルオロエチル−ｏ−キシレンの混合物であることが示された。この臭素化混合生成物を更に精製することなく次の工程で使用した。臭素化混合生成物を分析して以下のデータを得た：ＧＣ−ＭＳ：ｍ／ｚ：３８２（Ｃ１０Ｈ７Ｂｒ２Ｆ５），３７９（Ｃ１０Ｈ６Ｂｒ３Ｆ５＋−Ｂｒ），４２０（Ｃ１０Ｈ５Ｂｒ４Ｆ５＋−Ｂｒ，−２Ｆ）。
【０１７５】
２−ペンタフルオロエチルペンタセン−６，１３−ジオンの合成
窒素でパージした丸底フラスコに１，４−アントラキノン（８．５０ｇ、４０．９ｍｍｏｌ）及び約４０ｍｍｏｌの臭素化２−ペンタフルオロエチル−ｏ−キシレンの混合物を加えた。パージしたジメチルホルムアミド（３０ｍＬ）を窒素下でフラスコに加え、反応物質を９０℃に加熱した。次いでヨウ化カリウム（４５．４ｇ、２７４ｍｍｏｌ）を反応液にゆっくりと加え、温度を１３０℃にまで昇温した。反応混合物を３２時間攪拌した後、室温にまで冷却し、固体を濾過してアセトン、次いで大量のＴＨＦ及びジエチルエーテルで洗った。得られた不溶性の黄色固体を空気中で数時間乾燥させることによって５．９ｇ（３４％）の生成物を得た。生成物を分析して以下のデータを得た：ＭＳ（ＥＩ ７０ｅＶ）ｍ／ｚ ４２６（１００％，Ｍ＋）。
【０１７６】
６，１３−ビス（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，９，９，１０，１０，１０−ヘプタデカフルオロデシル−ジイソプロピルシリルエチニル）−２−ペンタフルオロエチルペンタセンの合成
実施例１５で得られた（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，９，９，１０，１０，１０−ヘプタデカフルオロデシルジイソプロピルシリル）アセチレン（１．５ｇ、２．６ｍｍｏｌ）をオーブン乾燥した丸底フラスコに加えてヘキサン（１８ｍＬ）に溶解した。０℃に冷却した後、溶液をｎ−ブチルリチウム（０．８ｍＬ、２．０ｍｍｏｌ、２．５Ｍヘキサン溶液）の滴下により処理し、攪拌を１時間継続した。２−ペンタフルオロエチルペンタセン−６，１３−ジオン（０．２６ｇ、０．６１ｍｍｏｌ）を加え、攪拌を１５時間継続した。無水ＴＨＦ（１０ｍＬ）を加え、反応を１時間継続させた後、飽和塩化アンモニウム溶液（１０ｍＬ）を加えることによって反応を停止させた。反応グレードのＴＨＦ（１０ｍＬ）、塩化第一スズ二水和物（２ｇ）、及び１０％ ＨＣｌ（１０ｍＬ）を加え、溶液を３０分間激しく攪拌した。ヘキサン（２０ｍＬ）を加えて有機層を分離し、１０％ ＨＣｌ（２×１０ｍＬ）及び水（２×１０ｍＬ）で洗い、硫酸マグネシウム上で乾燥し、薄いシリカパッドに通した（ヘキサン：ＤＣＭ＝５：１）。溶媒を除去した後、青色油状物をヘキサンに溶かして厚いシリカパッド上に流し、更なるヘキサン（２００ｍＬ）によって流して余分なアセチレンを溶出させた。生成物をヘキサン：ＤＣＭの９：１混合物によって溶出し、溶媒を除去することによって非常にゆっくりと固まる青色の液体として純粋な生成物を得た（０．１６ｇ、０．１０ｍｍｏｌ、キノンからの収率１７％）。生成物を分析して以下のデータを得た：１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ＝９．３（ｓ，１Ｈ），９．３（ｓ，１Ｈ），９．２（ｓ，１Ｈ），９，．２（ｓ，１Ｈ），８．２（ｓ，１Ｈ），８．１（ｄ，Ｊ＝９．２Ｈｚ，１Ｈ），７．９（ｄｄ，Ｊ＝６．８Ｈｚ，３．２Ｈｚ，２Ｈ），７．５（ｓ，１Ｈ），７．５（ｓ，１Ｈ），７．４（ｄｄ，Ｊ＝６．８Ｈｚ，３．２Ｈｚ，１Ｈ），２．５（ｓ，４Ｈ），１．４（ｍ，２８Ｈ），１．２（ｍ，４Ｈ）。
【０１７７】
実施例２２−６，１３−ビス（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，９，９，１０，１０，１０−ヘプタデカフルオロデシルジイソプロピルシリルエチニル）−ペンタセンの溶液を硬化トリメチロールプロパントリアクリレートのゲート誘電体層上にナイフコーティングすることによる薄膜トランジスタの調製
実施例１５で得られた６，１３−ビス（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，９，９，１０，１０，１０−ヘプタデカフルオロデシルジイソプロピルシリル−エチニル）ペンタセン（０．０２６９ｇ）をガラスバイアルに加え、３−（トリフルオロメチル）アニソール（１．４７１３ｇ）をバイアルに加えた。バイアルにキャップをし、アルミホイルで覆って組成物を光から遮断した。バイアルを２時間静置した後、ＩＫＡ ＬＡＢＯＲＴＥＣＨＮＩＫ ＨＳ５０１シェーカー（ＩＫＡ Ｗｅｒｋｅ ＧｍｂＨ ＆ Ｃｏ．ＫＧ（ドイツ、シュタウフェン））上に置き、約４８時間振盪した。バイアルの内容物を、Ｐａｌｌ Ｌｉｆｅ Ｓｃｉｅｎｃｅｓ（ニューヨーク州イーストヒルズ）よりＡＣＲＯＤＩＳＣ（登録商標）ＣＲの商品名で市販される孔径０．２マイクロメートル、直径２５ｍｍのポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）フィルターによって濾過して有機半導体溶液を得た。
【０１７８】
トリメチロールプロパントリアクリレート（１６．９９９２ｇ、ＳＡＲＴＯＭＥＲ（商標）ＳＲ−３５１）及び１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン（２．９９５９ｇ、ＩＲＧＡＣＵＲＥ（商標）１８４）を磁気攪拌子と共にアンバーガラス容器に入れて容器にキャップをし、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンが溶解するまで内容物を攪拌した。３．９９３１ｇのこの溶液と１５．９６７８ｇの３，５，５−トリメチル−２−シクロヘキセン−１−オン（イソホロンとも称され、Ａｌｆａ Ａｅｓａｒ（米国マサチューセッツ州ウォードヒル）より販売される）を磁気攪拌子と共に別のアンバーガラス容器に加えて容器にキャップをし、内容物を攪拌してゲート誘電体配合物を得た。
【０１７９】
熱酸化物を有するｎ型シリコンウェーハ（直径１０．１６ｃｍ（４インチ））（すなわち、Ｎｏｅｌ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ，Ｉｎｃ．（カリフォルニア州キャンベル）より供給される、前面に１０００オングストロームの熱酸化物（ＳｉＯ２）、裏面に１００オングストロームの窒化チタン及び５０００オングストロームのアルミニウムがコーティングされた、固有抵抗が０．００５Ω−ｃｍ未満の高濃度にｎ＋（砒素）型ドープされたのシリコン＜１００＞ウェーハ）を酸素プラズマによってクリーニングした。Ｐｌａｓｍａ Ｃｌｅａｎｉｎｇシステム（Ｙｉｅｌｄ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｓｙｓｔｅｍｓ，Ｉｎｃ．（カリフォルニア州リバモア）より販売されるモデルＹＥＳ−Ｇ１０００）において５００Ｗの出力設定及び１標準立方ｃｍ／分（ｓｃｃｍ）の酸素流を使用してウェーハを３分間処理した。プラズマクリーニングしたウェーハはクリーニング後に数分間冷まして確実に室温としてから、ゲート誘電体配合物を、４３２ｒｐｍ／ｓのランプレートで、２０００ｒｐｍで１分間、ウェーハの熱酸化物表面上にスピンコーティングした。コーティングした基材を１００℃に予熱したホットプレート上に１０分間置いた。次いで基材を窒素でパージした紫外線照射室（２５４ｎｍ殺菌ランプ）に移動し、コーティングされた誘電体に１０分間照射を行った（線量＝１．２Ｊ／ｃｍ２）。紫外線照射後、基材を１００℃に予熱したホットプレート上に１０分間置いた。基材をホットプレートから離して室温にまで冷ました。硬化したトリメチロールプロパントリアクリレートのゲート誘電体層の厚さは、約５４８オングストロームであった。ゲート誘電体は、硬化したトリメチロールプロパントリアクリレート層と厚さ１０００オングストロームの熱酸化物（ＳｉＯ２）層との複合体であった。基材を大まかに６分割して有機半導体溶液をコーティングするための試験片とした。
【０１８０】
ナイフコーターのブレード（ナイフコーターはＧａｒｄｃｏ Ｍｉｃｒｏｍアプリケータ−（Ｐａｕｌ Ｎ．Ｇａｒｄｎｅｒ Ｃｏｍｐａｎｙ，Ｉｎｃ．（米国フロリダ州ポンパノビーチ）である。）をシリコンウェーハの試験片の硬化トリメチロールプロパントリアクリレート層の表面の約３０５マイクロメートル（０．０１２インチ）上に配置し、使い捨てガラスピペットを使用して小さなビーズ状の半導体溶液をブレードと表面との間に置いた。次いでナイフコーターを手でウェーハ上で引くことによってウェーハを半導体溶液でコーティングした。半導体溶液をナイフコーティングした直後に、溶液がコーティングされたウェーハをガラスペトリ皿（直径約９０ｍｍ×深さ約１５ｍｍ）で覆って、溶媒である３−（トリフルオロメチル）アニソールの蒸発を遅らせた。試料を暗所で室温で乾燥させた。
【０１８１】
約３時間後に試料は乾燥した。金のソース電極及びドレイン電極（厚さ約１０００オングストローム）を、サーマルエバポレータを使用してシャドーマスクを通して半導体層上に蒸着させ、これによりボトムゲート、トップコンタクト構造のトランジスタを形成した。チャネル長さを約１００マイクロメートルとし、チャネル幅を約１０００マイクロメートルとした。結晶性又は半結晶性のペンタセンがチャネル領域の全体又はほぼ全体を覆った１０個のトランジスタの移動度を移動度値の試験方法Ｉによって測定したところ、その平均値は７．７４×１０−３ｃｍ２／Ｖ−ｓであった。
【０１８２】
実施例２３−６，１３−ビス（（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，９，１０，１０，１０−ヘキサデカフルオロ−９−トリフルオロメチルデシル）ジイソプロピル−シリルエチニル）−ペンタセンの溶液をＳｉＯ２ゲート誘電体層上にナイフコーティングすることによる薄膜トランジスタの調製
実施例１６で得られた６，１３−ビス（（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，９，１０，１０，１０−ヘキサデカフルオロ−９−トリフルオロメチルデシル）−ジイソプロピルシリルエチニル）ペンタセン（０．０２７１ｇ）をガラスバイアルに加え、３−（トリフルオロメチル）アニソール（１．４７１９ｇ）をバイアルに加えた。バイアルにキャップをし、アルミホイルで覆って組成物を光から遮断した。バイアルを２時間静置した後、ＩＫＡ ＬＡＢＯＲＴＥＣＨＮＩＫ ＨＳ５０１シェーカー（ＩＫＡ Ｗｅｒｋｅ ＧｍｂＨ ＆ Ｃｏ．ＫＧ）（ドイツ、シュタウフェン）上に置き、約４８時間振盪した。バイアルの内容物を、Ｐａｌｌ Ｌｉｆｅ Ｓｃｉｅｎｃｅｓ（ニューヨーク州イーストヒルズ）よりＡＣＲＯＤＩＳＣ（登録商標）ＣＲの商品名で市販される孔径０．２マイクロメートル、直径２５ｍｍのポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）フィルターによって濾過した。
【０１８３】
熱酸化物を有するｎ型シリコンウェーハ（Ｎｏｅｌ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ，Ｉｎｃ．（カリフォルニア州キャンベル）より供給される、前面に１０００オングストロームの熱酸化物（ＳｉＯ２）、裏面に１００オングストロームのＴｉＮ及び５０００オングストロームのアルミニウムがコーティングされた、固有抵抗０．００５Ω−ｃｍ未満の高濃度にｎ＋（砒素）型ドープされた直径１０．１６ｃｍ（４インチ）のシリコン＜１００＞ウェーハを大まかに６分割して試験片を得た。）の試験片を、半導体溶液をナイフコーティングするのに先立って、Ｐｌａｓｍａ Ｃｌｅａｎｉｎｇシステム（Ｙｉｅｌｄ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｓｙｓｔｅｍｓ，Ｉｎｃ．（カリフォルニア州リバモア）より市販されるモデルＹＥＳ−Ｇ１０００）において５００Ｗの出力設定及び約２００ｍＴｏｒｒ（２６．７ｋＰａ）の酸素圧を使用して４分間処理を行った。
【０１８４】
ナイフコーターのブレードをシリコンウェーハ試験片の熱酸化物表面の約０．０１２インチ（３０５マイクロメートル）上に配置し、使い捨てガラスピペットを使用して小さなビーズ状の半導体溶液をブレードと熱酸化物表面との間に置いた。次いでナイフコーターを手でウェーハ上で引くことによってウェーハを半導体溶液でコーティングした。半導体溶液をナイフコーティングした直後に、溶液がコーティングされたウェーハをガラスペトリ皿（直径約９０ｍｍ×深さ約１５ｍｍ）で覆って、溶媒である３−（トリフルオロメチル）アニソールの蒸発を遅らせた。試料を暗所で室温で乾燥させた。
【０１８５】
約３時間後に試料は乾燥した。金のソース電極及びドレイン電極（厚さ約１０００オングストローム）を、サーマルエバポレータを使用して、シャドーマスクを通して半導体層上に蒸着させ、これによりボトムゲート、トップコンタクト構造のトランジスタを形成した。チャネル長さを約１００マイクロメートルとし、チャネル幅を約１０００マイクロメートルとした。結晶性又は半結晶性のペンタセンがチャネル領域の全体又はほぼ全体を覆った７個のトランジスタの移動度を移動度値の試験方法Ｉによって測定したところ、その平均値は１．４６×１０−３ｃｍ２／Ｖ−ｓであった。
【０１８６】
実施例２４−紫外線（ＵＶ）に対するペンタセン溶液の安定性
６，１３−ビス（トリイソプロピルシリルエチニル）ペンタセン（ＴＩＰＳ、基本的に米国特許第６，６９０，０２９号（Ａｎｔｈｏｎｙらに述べられるようにして調製したもの））、６，１３−ビス（３，３，３−トリフルオロプロピル−ジイソプロピルシリルエチニル）ペンタセン（ＣＦ３）、６，１３−ビス（３，３，４，４，５，５，５−ヘプタフルオロペンチルジイソプロピルシリルエチニル）ペンタセン（Ｃ３Ｆ７）、６，１３−ビス（３，３，４，４，５，５，６，６，６−ノナフルオロヘキシルジイソプロピルシリルエチニル）ペンタセン（Ｃ４Ｆ９）、６，１３−ビス（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，８−トリデカフルオロオクチル−ジイソプロピルシリルエチニル）ペンタセン（Ｃ６Ｆ１３）、及び６，１３−ビス（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，９，９，１０，１０，１０−ヘプタデカフルオロデシルジイソプロピルシリルエチニル）ペンタセン（Ｃ８Ｆ１７）を別々のガラスバイアル中に秤量し、トルエン（ＥＭＤ Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ，Ｉｎｃ．（米国ニュージャージー州ギブズタウン）の販売する分光測定に適したＯｍｎｉＳｏｌｖ高純度溶媒）を各バイアル中に秤量して７．６１×１０−５Ｍ（モル）の溶液とした。バイアルにキャップをし、アルミ箔で包んで暗所に約１６時間置いてペンタセンを確実に溶解させた。溶液はいずれも青色であった。約２．０ｇの各ペンタセン溶液を別々の紫外／可視分光光度計のクォーツセルに入れた。セル（Ｓｐｅｃｔｒｏｃｅｌｌ Ｉｎｃ．（米国ペンシルベニア州オールランド）より販売されるＲＦ−３０１０−Ｔセル）は、１０×１０ｍｍ（経路長＝１０ｍｍ）、体積３．５ｍｌの、スペクトル範囲すなわちウインドウが１７０〜２２００ｎｍのものであった。温度２３℃における溶液中のペンタセンの紫外／可視スペクトルを、Ａｇｉｌｅｎｔ ８４５３ Ｄｉｏｄｅ Ａｒｒａｙ分光計（Ａｇｉｌｅｎｔ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ（米国カリフォルニア州サンタクララ）部品番号Ｇ１１０３８）により求めた。紫外／可視スペクトルは、１ｎｍ間隔で１９０〜８３０ｎｍの範囲で吸光度モードで積分時間を５秒間として得た。スペクトルはいずれもよく似ていた。
【０１８７】
次に各溶液に紫外線を合計時間で９０分間照射した。紫外線はランプハウジング（Ｂｌａｋ−Ｒａｙランプ、モデルＸＸ−１５Ｌ、ＵＶＰ（米国カリフォルニア州アップランド））内の２個の１５ワット（Ｗ）ブラックライト電球（Ｓｙｌｖａｎｉａ ＧＴＥ ３５０ Ｂｌａｃｋｌｉｇｈｔ Ｆ１５Ｔ８／３５０ＢＬ電球）によって得た。２個のブラックライト電球の両方の外周に接する仮想平面が紫外／可視セルの最も近い面とほぼ平行になるように保持し、この平面とセルの最も近い面との間の距離を約７０ｍｍとした。セルの紫外線照射の強度は約５．２７ｍＷ／ｃｍ２であった。溶液中のペンタセンの紫外／可視スペクトルを紫外線照射の間の異なる時点（約１５分毎）で得た。ペンタセンの分解により、各溶液の青色の強さが次第に弱くなり、黄色味がかった色となった。
【０１８８】
６４３〜６４５ナノメートル（ｎｍ）における吸収極大における吸光度をすべてのペンタセンについて紫外線照射時間と共に監視した。吸光度は、紫外線照射によるペンタセンの分解を反映して時間と共に低下した。標準化した吸光度Ａｔ／Ａ０（すなわち、照射時間ｔ後の吸光度を紫外線照射前の吸光度Ａ０（ｔ＝０における吸光度）で割ったもの）を各ペンタセンについて図５に示されるようにプロットした。紫外線照射時間に対する標準化吸光度の減少速度は６，１３−ビス（トリイソプロピルシリルエチニル）ペンタセンで最も大きかったが、このことはフルオロアルキル置換されたシリルエチニル基を有するペンタセンが紫外線に対してより安定であることを示している。
【０１８９】
実施例２５−６，１３−ビス（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，９，９，１０，１０，１０−ヘプタデカフルオロデシルジイソプロピルシリルエチニル）−２，３，９，１０−テトラメチルペンタセンの溶液をＳｉＯ２ゲート誘電体層上にナイフコーティングすることによる薄膜トランジスタの調製
実施例１７で得られた６，１３−ビス（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，９，９，１０，１０，１０−ヘプタデカフルオロデシルジイソプロピルシリル−エチニル）−２，３，９，１０−テトラメチルペンタセン（０．０１７８ｇ）をガラスバイアルに加え、３−（トリフルオロメチル）アニソール（０．９８６８ｇ）をバイアルに加えた。バイアルにキャップをし、アルミホイルで覆って組成物を光から遮断した。バイアルを約２２時間静置した後、ＩＫＡ ＬＡＢＯＲＴＥＣＨＮＩＫ ＨＳ５０１シェーカー（ＩＫＡ Ｗｅｒｋｅ ＧｍｂＨ ＆ Ｃｏ．ＫＧ）（ドイツ、シュタウフェン）上に置き、約４８時間振盪した。バイアルに加えたペンタセンの全部は溶解しなかった。バイアルの内容物を、Ｐａｌｌ Ｌｉｆｅ Ｓｃｉｅｎｃｅｓ（ニューヨーク州イーストヒルズ）よりＡＣＲＯＤＩＳＣ（登録商標）ＣＲの商品名で市販される孔径０．２マイクロメートル、直径２５ｍｍのポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）フィルターによって濾過した。
【０１９０】
６，１３−ビス（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，９，９，１０，１０，１０−ヘプタデカフルオロデシル−ジイソプロピルシリルエチニル）−２，３，９，１０−テトラメチルペンタセンの３−（トリフルオロメチル）アニソール溶液を使用した以外は、実施例２３に述べたのと同様にして薄膜トランジスタを作製及び試験した。１２個のトランジスタの平均移動度は、８．４５×１０−３ｃｍ２／Ｖ−ｓであった。
【０１９１】
実施例２６−６，１３−ビス（３，３，４，４，５，５，６，６，６−ノナフルオロヘキシルジイソプロピルシリルエチニル）−２，３，９，１０−テトラメチルペンタセンの溶液をＳｉＯ２ゲート誘電体層上にナイフコーティングすることによる薄膜トランジスタの調製
実施例２０で得られた６，１３−ビス（３，３，４，４，５，５，６，６，６−ノナフルオロヘキシルジイソプロピルシリルエチニル）−２，３，９，１０−テトラ−メチルペンタセン（０．０１１５ｇ）をガラスバイアルに加え、３−（トリフルオロメチル）アニソール（０．６２９３ｇ）をバイアルに加えた。バイアルにキャップをし、アルミホイルで覆って組成物を光から遮断した。バイアルを２２時間静置した後、ＩＫＡ ＬＡＢＯＲＴＥＣＨＮＩＫ ＨＳ５０１シェーカー（ＩＫＡ Ｗｅｒｋｅ ＧｍｂＨ ＆ Ｃｏ．ＫＧ（ドイツ、シュタウフェン））上に置き、約４８時間振盪した。バイアルに加えたペンタセンの全部は溶解しなかった。バイアルの内容物を、Ｐａｌｌ Ｌｉｆｅ Ｓｃｉｅｎｃｅｓ（ニューヨーク州イーストヒルズ）よりＡＣＲＯＤＩＳＣ（登録商標）ＣＲの商品名で市販される孔径０．２マイクロメートル、直径２５ｍｍのポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）フィルターによって濾過した。
【０１９２】
６，１３−ビス（３，３，４，４，５，５，６，６，６−ノナフルオロヘキシルジイソプロピルシリルエチニル）−２，３，９，１０−テトラメチルペンタセンの３−（トリフルオロメチル）アニソール溶液を使用した以外は、実施例２３に述べたのと同様にして薄膜トランジスタを作製及び試験した。９個のトランジスタの平均移動度は、１．２０×１０−２ｃｍ２／Ｖ−ｓであった。
【０１９３】
実施例２７−６，１３−ビス（（Ｎ−メチル−ノナフルオロブチルスルホンアミドプロピル）ジイソプロピルシリルエチニル）ペンタセンの合成
Ｎ−アリル−Ｎ−メチルノナフルオロブタンスルホンアミドの合成
３１３ｇ（１ｍｏｌ）のＮ−メチルノナフルオロブタンスルホンアミド（３Ｍ Ｃｏ．、米国特許第第６，６６４，３５４号、Ｓａｖｕ）、２１６ｇ（１ｍｏｌ）のナトリウムメトキシドの２５％メタノール溶液（Ａｌｄｒｉｃｈ）、及び１００ｍＬのＴＨＦ（ＥＭＤ）の混合物を５０℃で１時間攪拌し、溶媒を除去した。残渣を６００ｍＬのＴＨＦで希釈し、１００ｍＬ（１．１５ｍｏｌ）の臭化アリル（Ａｌｄｒｉｃｈ）で処理した。混合物を４０℃で約８時間攪拌してから水で希釈した。塩化メチレンで抽出してから蒸留することによって３２１．７ｇの無色の液体を得た（ｂｐ＝７５〜８０℃／１．１ｍｍ Ｈｇ（１４６．７Ｐａ））。
【０１９４】
３−（Ｎ−メチルノナフルオロブタンスルホンアミド）プロピル）ジイソプロピルシリルクロリドの合成
Ｎ−アリル−Ｎ−メチルノナフルオロブタンスルホンアミド（３．５３ｇ、０．０１ｍｏｌ）、１．５１ｇ（０．０１ｍｏｌ）のジイソプロピルクロロシラン（本明細書ではジイソプロピルシリルクロリドとも呼ぶ（Ａｌｆａ Ａｅｓａｒ））、及び０．４ｇの白金（０）−１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン錯体（１８％トルエン溶液。スリー・エム社（３Ｍ）より供給されるが、同化合物のキシレン溶液がＳｉｇｍａ−Ａｌｄｒｉｃｈより販売されている）を混合し、約６０℃に１．５時間加温した。短行程蒸留により１０５℃／０．１ｍｍ Ｈｇ（１３．３Ｐａ）で主留分が得られ、ＧＣ／ＭＳによって、主成分である所望の生成物（質量５０３）に、ＮＭｅＳＯ２Ｃ４Ｆ９によるＣｌの置換に相当する一定量の質量７８０をともなっていることが示された。３５．３ｇ（０．１ｍｏｌ）のＮ−アリル−Ｎ−メチルノナフルオロブタンスルホンアミド、１５．１ｇ（０．１ｍｏｌ）のジイソプロピルクロロシラン、及び４．０ｇの白金（０）−１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン錯体に反応の規模を大きくし、得られた４９．７ｇに２４時間後に１プレート蒸留を行ったところ、ｂｐ １３０〜１８５／１ｍｍ Ｈｇ（１３３．３Ｐａ）の留分２３．４ｇが得られ、ＧＬＣにより両成分がほぼ等量で含まれることが示された。
【０１９５】
３−（Ｎ−メチルノナフルオロブタンスルホンアミド）プロピル）ジイソプロピルシリルアセチレンの合成
窒素雰囲気を含むオーブン乾燥した５００ｍＬの丸底フラスコにヘキサン（１００ｍＬ）、テトラヒドロフラン（２０ｍＬ）、及びトリメチルシリルアセチレン（４．８ｇ、４８．９ｍｍｏｌ）を入れ、氷浴で冷却した。Ｎ−ブチルリチウム（２．５Ｍヘキサン溶液，１９．４ｍＬ）を滴下し、反応混合物を室温にまで昇温させた。上記した「３−（Ｎ−メチルノナフルオロブタンスルホンアミド）プロピル）ジイソプロピルシリルクロリドの合成」の工程で得られた反応生成物（２０．０ｇ）をゆっくりと加え、内容物を１６時間攪拌した。水（１００ｍＬ）をゆっくりと加え、混合物を激しく攪拌した。有機層を分離し、水層を１００ｍＬのヘキサンで抽出した。有機層を合わせ、減圧下で褐色油状物となるまで濃縮した。油状物を溶離剤としてヘキサンを用いてシリカゲル上でクロマトグラフィーを使用して精製することにより、２３．９ｇのトリメチルシリル保護されたアセチレンを透明な油状物として得た。この油状物（２３．９ｇ、４２．２ｍｍｏｌ）をオーブン乾燥した５００ｍＬの丸底フラスコに入れた。メタノール（５０ｍＬ）、テトラヒドロフラン（５０ｍＬ）、及び５％水酸化ナトリウム水溶液（１ｍＬ）を加え、１時間攪拌した。次に水（１００ｍＬ）を加え、激しく攪拌した。有機層を分離し、水層をヘキサンで２回抽出した（２×１００ｍＬ）。有機層を合わせ、減圧下で濃縮して３−（Ｎ−メチルノナフルオロブタンスルホンアミド）プロピル）ジイソプロピルシリルアセチレンを透明な油状物として得た（１１．２ｇ、５４％）。
【０１９６】
６，１３−ビス（（Ｎ−メチル−ノナフルオロブチルスルホンアミドプロピル）ジイソプロピルシリル−エチニル）ペンタセンの合成
窒素雰囲気を含むオーブン乾燥した５００ｍＬの丸底フラスコに３−（Ｎ−メチルノナフルオロブタンスルホンアミド）プロピル）ジイソプロピルシリルアセチレン（１１．２ｇ、２２．７ｍｍｏｌ）及びヘキサン（１００ｍＬ）を入れた。これを氷浴で冷却し、ｎ−ブチルリチウム（２．５Ｍヘキサン溶液，７．６ｍＬ）を滴下した。反応混合物を室温にまで昇温させた。６，１３−ペンタセンキノン（２．１ｇ、６．８ｍｍｏｌ）を反応混合物に加え、これを１６時間攪拌した。テトラヒドロフラン（８０ｍＬ）を加え、混合物を６日間攪拌した。飽和塩化アンモニウム（６０ｍＬ）、次いで塩化第一スズ二水和物（１６ｇ、７０．９ｍｍｏｌ）及び１０％塩酸水溶液（６０ｍＬ）を加えた。丸底フラスコをアルミ箔で覆って光を遮断した。反応混合物を１時間激しく攪拌してから有機層を分離し、１０％塩酸水溶液（２×６０ｍＬ）、次いで６０ｍＬの水で洗った。次いで有機層を硫酸マグネシウムで乾燥し、濾過してから減圧下で濃縮して褐色油状物を得た。ジクロロメタンをヘキサンに加えたものを溶離剤として用いてシリカゲル上でクロマトグラフィーによって油状物を精製することによって６，１３−ビス（（Ｎ−メチルノナフルオロブチルスルホンアミドプロピル）ジイソプロピルシリルエチニル）ペンタセンを暗青色の固体として得た（４７３ｍｇ、２％）。少量の１，４−ビス−トリフルオロメチルベンゼンを参照用基準物質として加えた重水素化クロロホルム中で生成物を分析して以下のデータを得た：１Ｈ−ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ：９．２３〜９．３１（ｍ，４Ｈ），７．９５〜８．０２（ｍ，４Ｈ），７．４１〜７．４７（ｍ，４Ｈ），３．７０〜３．８７（ｍ，２Ｈ），３．２２〜３．３９（ｍ，２Ｈ），３．０１〜３．０５（ｍ，６Ｈ），２．０２〜２．１５（ｍ，４Ｈ），１．３１〜１．４１（ｍ，２４Ｈ），１．０１〜１．１０（ｍ，４Ｈ），０．９４〜１．０１（ｍ，４Ｈ）；１９Ｆ ＮＭＲ（４７０ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ ｐｐｍ−１２６．９９−−１２６．１１（ｍ，２Ｆ），−１２１．９６（ｄｄ，Ｊ＝９．３４Ｈｚ，４．００Ｈｚ，２Ｆ），−１１２．４８（幅広のｓ，２Ｆ），−８２．００−−８０．８０（ｍ，３Ｆ）。
【０１９７】
以上、本明細書をその特定の実施形態について詳述したが、当業者であれば、上記の記載内容を理解することで、これらの実施形態に対する変更、変形、及びその均等物を容易を想到し得ることは明らかである。したがって、本発明の範囲は、添付された特許請求の範囲及びその均等物のいずれかとして評価されるべきである。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記化学構造：
【化１】
［式中、
Ｒ、Ｒ’及びＲ”はそれぞれ独立して、（ｉ）水素、（ｉｉ）分枝若しくは非分枝、置換若しくは非置換のアルキル基、（ｉｉｉ）分枝若しくは非分枝、置換若しくは非置換のアルケニル基、（ｉｖ）置換若しくは非置換のシクロアルキル基、（ｖ）置換若しくは非置換のシクロアルキルアルキレン基、（ｖｉ）分枝若しくは非分枝、置換若しくは非置換のアルキニル基、（ｖｉｉ）置換若しくは非置換のアリール基、（ｖｉｉｉ）置換若しくは非置換のアリールアルキレン基、（ｉｘ）アセチル基、（ｘ）環内にＯ、Ｎ、Ｓ及びＳｅの少なくとも１つを有する置換若しくは非置換の複素環、（ｘｉ）置換若しくは非置換のエーテル基又はポリエーテル基、又は（ｘｉｉ）置換若しくは非置換のスルホンアミド基を含み；Ｒ、Ｒ’及びＲ”の少なくとも１つが存在し、かつそれが、分枝若しくは非分枝の置換アルキル基、分枝若しくは非分枝の置換アルケニル基、置換シクロアルキル基、置換シクロアルキルアルキレン基、分枝若しくは非分枝の置換アルキニル基、置換アリール基、置換アリールアルキレン基、環内にＯ、Ｎ、Ｓ及びＳｅの少なくとも１つを有する置換複素環、置換エーテル基若しくはポリエーテル基、又は置換スルホンアミド基を含むフッ素化一価ラジカルを含み、該フッ素化一価ラジカルは１以上のフッ素原子を含み、該１以上のフッ素原子は両方のケイ素原子から少なくとも原子３個分又は少なくとも共有結合４つ分だけ離れており、
ｘ、ｙ及びｚは、それぞれ独立して０、１、２又は３に等しく、
（ｘ＋ｙ＋ｚ）＝３であり、かつ、
ｘはそれぞれ独立して、（ｉ）水素、（ｉｉ）ハロゲン、（ｉｉｉ）分枝若しくは非分枝、置換若しくは非置換のアルキル基、（ｉｖ）置換若しくは非置換のアリール基、（ｖ）分枝若しくは非分枝、置換若しくは非置換のアルケニル基、（ｖｉ）分枝若しくは非分枝、置換若しくは非置換のアルキニル基、（ｖｉｉ）シアノ基、（ｖｉｉｉ）ニトロ基、（ｉｘ）分枝若しくは非分枝、置換若しくは非置換のアルコキシ基を含むか、又は（ｘ）任意の２個の隣り合うｘ基が互いに結合して（ａ）置換若しくは非置換の炭素環、又は（ｂ）置換若しくは非置換の複素環を形成する。］を有する、ペンタセン化合物。
【請求項２】
Ｒ、Ｒ’及びＲ”が共に、２個の同じ基及び１個の異なる基を含む、請求項１に記載のペンタセン化合物。
【請求項３】
前記フッ素化一価ラジカルが、（ｉ）分枝若しくは非分枝のフッ素化されたＣ３〜Ｃ１８アルキル基、（ｉｉ）分枝若しくは非分枝のフッ素化されたＣ３〜Ｃ１８アルケニル基、（ｉｉｉ）フッ素化されたシクロアルキル基、（ｉｖ）フッ素化されたシクロアルキルアルキレン基、（ｖ）分枝若しくは非分枝のフッ素化されたＣ３〜Ｃ１８アルキニル基、（ｖｉ）フッ素化されたアリール基、又は（ｖｉｉ）フッ素化されたアリールアルキレン基を含む、請求項１又は２に記載のペンタセン化合物。
【請求項４】
前記フッ素化一価ラジカルが、（ｉ）分枝若しくは非分枝のフッ素化されたＣ３〜Ｃ１８アルキル基、（ｉｉ）分枝若しくは非分枝のフッ素化されたＣ３〜Ｃ１８アルケニル基、（ｉｉｉ）フッ素化されたシクロアルキル基、又は（ｉｖ）フッ素化されたシクロアルキルアルキレン基を含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載のペンタセン化合物。
【請求項５】
前記フッ素化一価ラジカルが−ＣＨ２ＣＨ２Ｒｆを含み、Ｒｆが一部又は完全にフッ素化されたＣ１〜Ｃ１６アルキル基である、請求項１〜４のいずれか一項に記載のペンタセン化合物。
【請求項６】
前記フッ素化一価ラジカルが下式：
【化２】
を有し、Ｒｆがそれぞれ独立して、４個以下の炭素原子を有する一部又は完全にフッ素化されたアルキル基である、請求項１〜４のいずれか一項に記載のペンタセン化合物。
【請求項７】
前記フッ素化一価ラジカルが下式：
【化３】
を有し、Ｒｆがそれぞれ独立して、４個以下の炭素原子を有する一部又は完全にフッ素化されたアルキル基である、請求項１〜４のいずれか一項に記載のペンタセン化合物。
【請求項８】
前記フッ素化一価ラジカルが下式：
【化４】
［式中、ｎ＝０又は１又は２又は３である。］を有する、請求項１〜４のいずれか一項に記載のペンタセン化合物。
【請求項９】
前記少なくとも３個の原子の少なくとも１個の原子が炭素以外の原子を含む、請求項１又は２に記載のペンタセン化合物。
【請求項１０】
前記少なくとも３個の原子の少なくとも１個の原子が酸素、窒素、また硫黄を含む、請求項１、２又は９のいずれか一項に記載のペンタセン化合物。
【請求項１１】
前記フッ素化一価ラジカルが、（ｉ）分枝若しくは非分枝のフッ素化されたエーテル基又はポリエーテル基、又は（ｉｉ）分枝若しくは非分枝のフッ素化されたスルホンアミド基を含む、請求項１、２、９又は１０のいずれか一項に記載のペンタセン化合物。
【請求項１２】
Ｒ、Ｒ’及びＲ”が共に、（ｉ）少なくとも１個の前記フッ素化一価ラジカルを、（ｉｉ）少なくとも１個のＣ１〜Ｃ８アルキル基、（ｉｉｉ）少なくとも１個のＣ２〜Ｃ８アルケニル基、（ｉｖ）少なくとも１個のＣ３〜Ｃ８シクロアルキル基、又は（ｖ）Ｃ１〜Ｃ８アルキル基とＣ３〜Ｃ８シクロアルキル基若しくはＣ２〜Ｃ８アルケニル基との組み合わせと、組み合わせて含む、請求項１〜１１のいずれか一項に記載のペンタセン化合物。
【請求項１３】
Ｒ、Ｒ’及びＲ”が共に、（ｉ）少なくとも１個のフッ素化一価ラジカルを、（ｉｉ）２個のＣ１〜Ｃ８アルキル基、（ｉｉｉ）２個のＣ３〜Ｃ８シクロアルキル基、又は（ｉｖ）２個のＣ２〜Ｃ８アルケニル基と組み合わせて含む、請求項１〜１２のいずれか一項に記載のペンタセン化合物。
【請求項１４】
Ｒ、Ｒ’及びＲ”が共に、（ｉ）少なくとも１個の前記フッ素化一価ラジカルを、（ｉｉ）少なくとも１個のイソプロピル基、（ｉｉｉ）少なくとも１個のイソプロペニル基、又は（ｉｖ）イソプロピル基及びイソプロペニル基と組み合わせて含む、請求項１〜１２のいずれか一項に記載のペンタセン化合物。
【請求項１５】
Ｒ、Ｒ’及びＲ”が共に、（ｉ）少なくとも１個の前記フッ素化一価ラジカルを、（ｉｉ）少なくとも１個のイソプロピル基と組み合わせて含む、請求項１〜１２又は請求項１４のいずれか一項に記載のペンタセン化合物。
【請求項１６】
Ｒ、Ｒ’及びＲ”が共に、（ｉ）少なくとも１個の前記フッ素化一価ラジカルを、（ｉｉ）少なくとも１個のイソプロペニル基と組み合わせて含む、請求項１〜１２又は請求項１４のいずれか一項に記載のペンタセン化合物。
【請求項１７】
ｘがそれぞれ独立して、（ｉ）水素、（ｉｉ）ハロゲン、（ｉｉｉ）分枝若しくは非分枝、置換若しくは非置換のアルキル基、（ｉｖ）シアノ基、又は（ｖ）分枝若しくは非分枝、置換若しくは非置換のアルコキシ基を含む、請求項１〜１６のいずれか一項に記載のペンタセン化合物。
【請求項１８】
少なくとも１個のｘが、（ｉ）フッ素、（ｉｉ）アルキル基、又は（ｉｉｉ）ペルフルオロアルキル基を含む、請求項１〜１７のいずれか一項に記載のペンタセン化合物。
【請求項１９】
少なくとも１個のｘが、（ｉ）フッ素、（ｉｉ）メチル基、又は（ｉｉｉ）トリフルオロメチル基を含む、請求項１〜１８のいずれか一項に記載のペンタセン化合物。
【請求項２０】
前記組成物が溶媒を更に含む、請求項１〜１９のいずれか一項に記載のペンタセン化合物を含む組成物。
【請求項２１】
前記溶媒がフッ素化溶媒を含む、請求項２０に記載の組成物。
【請求項２２】
前記フッ素化溶媒が、ヘキサフルオロベンゼン、オクタフルオロトルエン、２，３，４，５，６−ペンタフルオロトルエン、（トリフルオロメチル）−ベンゼン、１，３−ビス（トリフルオロメチル）ベンゼン、１，３，５−トリス（トリフルオロメチル）ベンゼン、（トリフルオロメトキシ）ベンゼン、３−（トリフルオロメチル）アニソール、２，３，４，５，６−ペンタフルオロアニソール、２，３，５，６−テトラフルオロアニソール、ペンタフルオロベンゾニトリル、２，２，２−トリフルオロアセトフェノン、２’，４’，５’−トリフルオロ−アセトフェノン、２’−（トリフルオロメチル）アセトフェノン、又は３’−（トリフルオロメチル）アセトフェノンを含む、請求項２１に記載の組成物。
【請求項２３】
前記組成物が、（ｉ）フッ素化されていない有機溶媒、（ｉｉ）更なるフッ素化された液体、（ｉｉｉ）界面活性剤、又は（ｉｖ）（ｉ）〜（ｉｉｉ）の任意の組み合わせを更に含む、請求項２１又は２２に記載の組成物。
【請求項２４】
前記界面活性剤がフッ素系界面活性剤である、請求項２３に記載の組成物。
【請求項２５】
ポリマーを更に含む、請求項２０〜２４のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項２６】
前記ポリマーが、ポリスチレン、ポリ（α−メチルスチレン）、ポリ（ペンタフルオロスチレン）、ポリ（メチルメタクリレート）、ポリ（４−シアノメチルスチレン）、ポリ（４−ビニルフェノール）、及びこれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項２５に記載の組成物。
【請求項２７】
少なくとも１つのコーティング可能な表面と、前記少なくとも１つのコーティング可能な表面上にコーティングされた層と、を有し、前記コーティング層が、請求項１〜１９のいずれか一項に記載のペンタセン化合物を含む、基材。
【請求項２８】
前記コーティング可能な表面上における水滴の静的接触角が、７５°よりも大きい、請求項２７に記載の基材。
【請求項２９】
半導体層を含み、該半導体層が請求項１〜１９のいずれか一項に記載のペンタセン化合物を含む、電子デバイス。
【請求項３０】
前記デバイスが、トランジスタ、光電池、発光ダイオード、又はセンサである、請求項２９に記載の電子デバイス。
【請求項１】
下記化学構造：
【化１】
［式中、
Ｒ、Ｒ’及びＲ”はそれぞれ独立して、（ｉ）水素、（ｉｉ）分枝若しくは非分枝、置換若しくは非置換のアルキル基、（ｉｉｉ）分枝若しくは非分枝、置換若しくは非置換のアルケニル基、（ｉｖ）置換若しくは非置換のシクロアルキル基、（ｖ）置換若しくは非置換のシクロアルキルアルキレン基、（ｖｉ）分枝若しくは非分枝、置換若しくは非置換のアルキニル基、（ｖｉｉ）置換若しくは非置換のアリール基、（ｖｉｉｉ）置換若しくは非置換のアリールアルキレン基、（ｉｘ）アセチル基、（ｘ）環内にＯ、Ｎ、Ｓ及びＳｅの少なくとも１つを有する置換若しくは非置換の複素環、（ｘｉ）置換若しくは非置換のエーテル基又はポリエーテル基、又は（ｘｉｉ）置換若しくは非置換のスルホンアミド基を含み；Ｒ、Ｒ’及びＲ”の少なくとも１つが存在し、かつそれが、分枝若しくは非分枝の置換アルキル基、分枝若しくは非分枝の置換アルケニル基、置換シクロアルキル基、置換シクロアルキルアルキレン基、分枝若しくは非分枝の置換アルキニル基、置換アリール基、置換アリールアルキレン基、環内にＯ、Ｎ、Ｓ及びＳｅの少なくとも１つを有する置換複素環、置換エーテル基若しくはポリエーテル基、又は置換スルホンアミド基を含むフッ素化一価ラジカルを含み、該フッ素化一価ラジカルは１以上のフッ素原子を含み、該１以上のフッ素原子は両方のケイ素原子から少なくとも原子３個分又は少なくとも共有結合４つ分だけ離れており、
ｘ、ｙ及びｚは、それぞれ独立して０、１、２又は３に等しく、
（ｘ＋ｙ＋ｚ）＝３であり、かつ、
ｘはそれぞれ独立して、（ｉ）水素、（ｉｉ）ハロゲン、（ｉｉｉ）分枝若しくは非分枝、置換若しくは非置換のアルキル基、（ｉｖ）置換若しくは非置換のアリール基、（ｖ）分枝若しくは非分枝、置換若しくは非置換のアルケニル基、（ｖｉ）分枝若しくは非分枝、置換若しくは非置換のアルキニル基、（ｖｉｉ）シアノ基、（ｖｉｉｉ）ニトロ基、（ｉｘ）分枝若しくは非分枝、置換若しくは非置換のアルコキシ基を含むか、又は（ｘ）任意の２個の隣り合うｘ基が互いに結合して（ａ）置換若しくは非置換の炭素環、又は（ｂ）置換若しくは非置換の複素環を形成する。］を有する、ペンタセン化合物。
【請求項２】
Ｒ、Ｒ’及びＲ”が共に、２個の同じ基及び１個の異なる基を含む、請求項１に記載のペンタセン化合物。
【請求項３】
前記フッ素化一価ラジカルが、（ｉ）分枝若しくは非分枝のフッ素化されたＣ３〜Ｃ１８アルキル基、（ｉｉ）分枝若しくは非分枝のフッ素化されたＣ３〜Ｃ１８アルケニル基、（ｉｉｉ）フッ素化されたシクロアルキル基、（ｉｖ）フッ素化されたシクロアルキルアルキレン基、（ｖ）分枝若しくは非分枝のフッ素化されたＣ３〜Ｃ１８アルキニル基、（ｖｉ）フッ素化されたアリール基、又は（ｖｉｉ）フッ素化されたアリールアルキレン基を含む、請求項１又は２に記載のペンタセン化合物。
【請求項４】
前記フッ素化一価ラジカルが、（ｉ）分枝若しくは非分枝のフッ素化されたＣ３〜Ｃ１８アルキル基、（ｉｉ）分枝若しくは非分枝のフッ素化されたＣ３〜Ｃ１８アルケニル基、（ｉｉｉ）フッ素化されたシクロアルキル基、又は（ｉｖ）フッ素化されたシクロアルキルアルキレン基を含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載のペンタセン化合物。
【請求項５】
前記フッ素化一価ラジカルが−ＣＨ２ＣＨ２Ｒｆを含み、Ｒｆが一部又は完全にフッ素化されたＣ１〜Ｃ１６アルキル基である、請求項１〜４のいずれか一項に記載のペンタセン化合物。
【請求項６】
前記フッ素化一価ラジカルが下式：
【化２】
を有し、Ｒｆがそれぞれ独立して、４個以下の炭素原子を有する一部又は完全にフッ素化されたアルキル基である、請求項１〜４のいずれか一項に記載のペンタセン化合物。
【請求項７】
前記フッ素化一価ラジカルが下式：
【化３】
を有し、Ｒｆがそれぞれ独立して、４個以下の炭素原子を有する一部又は完全にフッ素化されたアルキル基である、請求項１〜４のいずれか一項に記載のペンタセン化合物。
【請求項８】
前記フッ素化一価ラジカルが下式：
【化４】
［式中、ｎ＝０又は１又は２又は３である。］を有する、請求項１〜４のいずれか一項に記載のペンタセン化合物。
【請求項９】
前記少なくとも３個の原子の少なくとも１個の原子が炭素以外の原子を含む、請求項１又は２に記載のペンタセン化合物。
【請求項１０】
前記少なくとも３個の原子の少なくとも１個の原子が酸素、窒素、また硫黄を含む、請求項１、２又は９のいずれか一項に記載のペンタセン化合物。
【請求項１１】
前記フッ素化一価ラジカルが、（ｉ）分枝若しくは非分枝のフッ素化されたエーテル基又はポリエーテル基、又は（ｉｉ）分枝若しくは非分枝のフッ素化されたスルホンアミド基を含む、請求項１、２、９又は１０のいずれか一項に記載のペンタセン化合物。
【請求項１２】
Ｒ、Ｒ’及びＲ”が共に、（ｉ）少なくとも１個の前記フッ素化一価ラジカルを、（ｉｉ）少なくとも１個のＣ１〜Ｃ８アルキル基、（ｉｉｉ）少なくとも１個のＣ２〜Ｃ８アルケニル基、（ｉｖ）少なくとも１個のＣ３〜Ｃ８シクロアルキル基、又は（ｖ）Ｃ１〜Ｃ８アルキル基とＣ３〜Ｃ８シクロアルキル基若しくはＣ２〜Ｃ８アルケニル基との組み合わせと、組み合わせて含む、請求項１〜１１のいずれか一項に記載のペンタセン化合物。
【請求項１３】
Ｒ、Ｒ’及びＲ”が共に、（ｉ）少なくとも１個のフッ素化一価ラジカルを、（ｉｉ）２個のＣ１〜Ｃ８アルキル基、（ｉｉｉ）２個のＣ３〜Ｃ８シクロアルキル基、又は（ｉｖ）２個のＣ２〜Ｃ８アルケニル基と組み合わせて含む、請求項１〜１２のいずれか一項に記載のペンタセン化合物。
【請求項１４】
Ｒ、Ｒ’及びＲ”が共に、（ｉ）少なくとも１個の前記フッ素化一価ラジカルを、（ｉｉ）少なくとも１個のイソプロピル基、（ｉｉｉ）少なくとも１個のイソプロペニル基、又は（ｉｖ）イソプロピル基及びイソプロペニル基と組み合わせて含む、請求項１〜１２のいずれか一項に記載のペンタセン化合物。
【請求項１５】
Ｒ、Ｒ’及びＲ”が共に、（ｉ）少なくとも１個の前記フッ素化一価ラジカルを、（ｉｉ）少なくとも１個のイソプロピル基と組み合わせて含む、請求項１〜１２又は請求項１４のいずれか一項に記載のペンタセン化合物。
【請求項１６】
Ｒ、Ｒ’及びＲ”が共に、（ｉ）少なくとも１個の前記フッ素化一価ラジカルを、（ｉｉ）少なくとも１個のイソプロペニル基と組み合わせて含む、請求項１〜１２又は請求項１４のいずれか一項に記載のペンタセン化合物。
【請求項１７】
ｘがそれぞれ独立して、（ｉ）水素、（ｉｉ）ハロゲン、（ｉｉｉ）分枝若しくは非分枝、置換若しくは非置換のアルキル基、（ｉｖ）シアノ基、又は（ｖ）分枝若しくは非分枝、置換若しくは非置換のアルコキシ基を含む、請求項１〜１６のいずれか一項に記載のペンタセン化合物。
【請求項１８】
少なくとも１個のｘが、（ｉ）フッ素、（ｉｉ）アルキル基、又は（ｉｉｉ）ペルフルオロアルキル基を含む、請求項１〜１７のいずれか一項に記載のペンタセン化合物。
【請求項１９】
少なくとも１個のｘが、（ｉ）フッ素、（ｉｉ）メチル基、又は（ｉｉｉ）トリフルオロメチル基を含む、請求項１〜１８のいずれか一項に記載のペンタセン化合物。
【請求項２０】
前記組成物が溶媒を更に含む、請求項１〜１９のいずれか一項に記載のペンタセン化合物を含む組成物。
【請求項２１】
前記溶媒がフッ素化溶媒を含む、請求項２０に記載の組成物。
【請求項２２】
前記フッ素化溶媒が、ヘキサフルオロベンゼン、オクタフルオロトルエン、２，３，４，５，６−ペンタフルオロトルエン、（トリフルオロメチル）−ベンゼン、１，３−ビス（トリフルオロメチル）ベンゼン、１，３，５−トリス（トリフルオロメチル）ベンゼン、（トリフルオロメトキシ）ベンゼン、３−（トリフルオロメチル）アニソール、２，３，４，５，６−ペンタフルオロアニソール、２，３，５，６−テトラフルオロアニソール、ペンタフルオロベンゾニトリル、２，２，２−トリフルオロアセトフェノン、２’，４’，５’−トリフルオロ−アセトフェノン、２’−（トリフルオロメチル）アセトフェノン、又は３’−（トリフルオロメチル）アセトフェノンを含む、請求項２１に記載の組成物。
【請求項２３】
前記組成物が、（ｉ）フッ素化されていない有機溶媒、（ｉｉ）更なるフッ素化された液体、（ｉｉｉ）界面活性剤、又は（ｉｖ）（ｉ）〜（ｉｉｉ）の任意の組み合わせを更に含む、請求項２１又は２２に記載の組成物。
【請求項２４】
前記界面活性剤がフッ素系界面活性剤である、請求項２３に記載の組成物。
【請求項２５】
ポリマーを更に含む、請求項２０〜２４のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項２６】
前記ポリマーが、ポリスチレン、ポリ（α−メチルスチレン）、ポリ（ペンタフルオロスチレン）、ポリ（メチルメタクリレート）、ポリ（４−シアノメチルスチレン）、ポリ（４−ビニルフェノール）、及びこれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項２５に記載の組成物。
【請求項２７】
少なくとも１つのコーティング可能な表面と、前記少なくとも１つのコーティング可能な表面上にコーティングされた層と、を有し、前記コーティング層が、請求項１〜１９のいずれか一項に記載のペンタセン化合物を含む、基材。
【請求項２８】
前記コーティング可能な表面上における水滴の静的接触角が、７５°よりも大きい、請求項２７に記載の基材。
【請求項２９】
半導体層を含み、該半導体層が請求項１〜１９のいずれか一項に記載のペンタセン化合物を含む、電子デバイス。
【請求項３０】
前記デバイスが、トランジスタ、光電池、発光ダイオード、又はセンサである、請求項２９に記載の電子デバイス。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【公表番号】特表２０１２−５２８１９６（Ｐ２０１２−５２８１９６Ａ）
【公表日】平成２４年１１月１２日（２０１２．１１．１２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１２−５１３２９１（Ｐ２０１２−５１３２９１）
【出願日】平成２２年５月２８日（２０１０．５．２８）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＵＳ２０１０／０３６５５９
【国際公開番号】ＷＯ２０１０／１３８８０７
【国際公開日】平成２２年１２月２日（２０１０．１２．２）
【出願人】（５０５００５０４９）スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー (2,080)
【出願人】（５１０３１４３０１）アウトライダー テクノロジーズ (2)
【Ｆターム（参考）】
【公表日】平成２４年１１月１２日（２０１２．１１．１２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年５月２８日（２０１０．５．２８）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＵＳ２０１０／０３６５５９
【国際公開番号】ＷＯ２０１０／１３８８０７
【国際公開日】平成２２年１２月２日（２０１０．１２．２）
【出願人】（５０５００５０４９）スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー (2,080)
【出願人】（５１０３１４３０１）アウトライダー テクノロジーズ (2)
【Ｆターム（参考）】
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