【課題】配線パターンに対する電子ビーム露光のスループットを高くする。
【解決手段】トラックパターンが連結された複数の平行配線パターンを生成する工程Ｓ２と、異なる配線経路の経路端部が同じトラックパターン内に配置されないように生成する工程Ｓ４と、前記経路端部が配置されたトラックパターンのトラックパターン終端部および当該トラックパターンのトラックパターン始端部に連結された隣接トラックパターンのトラックパターン終端部のうちの前記配線経路が通らないトラックパターン終端部を切り欠く工程Ｓ６と、前記トラックパターン終端部の切り欠き後に前記トラックパターンが並置された基本ブロックパターンに対応するブロックパターン識別子と当該基本ブロックパターンの配置位置とを有する配線パターンデータを生成する工程Ｓ１０とを有すること。 （もっと読む）

【課題】所望のパターンの未開口や開口不良を抑止ないしは解消することを可能とする荷電粒子線露光用マスクとその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の荷電粒子線露光用マスクは、第１層１６と第２層１８から成る２層構造とし、第１層１６には所望のパターンデータを用いてパターンを加工し、第２層１８には所望のパターンを左右反転させたデータを用いてパターンを加工して、これら２層を接合する。第１層１６、第２層１８の厚さa、ｂは、加工されるパターンの開口部の最小幅に対し、ドライエッチングで生じるマイクロローディングの影響が一定以下となる厚さとなるようにする。また、第１層１６、第２層１８の厚さの和Ｄが荷電粒子線の遮蔽効果が一定以上となる厚さとなるようにする。 （もっと読む）

【課題】スループットを改善することのできる基板処理装置、及び基板処理装置の温調方法、及びこれら基板処理装置や温調方法を用いるデバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】大気圧下にあるウエハＷの雰囲気を減圧して減圧雰囲気に変更する第１チャンバ１６と、減圧雰囲気に維持され、第１チャンバ１６から搬送されたウエハＷに所定の処理を施す第２チャンバ１２とを備える。そして、第２チャンバ１２内の温度を、第１チャンバ１６内で大気圧から減圧雰囲気への変更に伴って変化するウエハＷの温度に対応する設定温度に調整する温調機構を備える。 （もっと読む）

【課題】荷電粒子ビーム露光方法と半導体装置の製造方法において、近接効果を考慮して露光データを補正すること。
【解決手段】露光データD_Eを準備するステップＳ１と、露光強度分布の中心の近傍にあるデバイスパターン３０の各々を積分領域にし、露光強度分布の前方散乱成分の積分値を求めるステップＳ２と、上記積分値が基準値e0に等しくなるようにデバイスパターン３０の形状を補正するステップＳ３と、デバイスパターン３０に重心g同士が一致するようにマスクパターン１４ｃを割り当てるステップＳ４と、マスクパターン１４ｃを透過した荷電粒子で露光したレジスト層によって設計幅を有するレジストパターンが得られるように、マスクパターン１４ｃに露光量を割り当てるステップＳ５と、露光データD_Eに基づいて前記レジスト層を露光するステップＳ８とを有する荷電粒子ビーム露光方法による。 （もっと読む）

【課題】薄膜化及び応力調整が容易であるとともに、機械的強度が高くかつ電子線照射耐性に優れた電子線露光用のステンシルマスクを得るために好適で、かつ製造プロセスが簡便かつパターン位置精度の高いステンシルマスク、その製造方法、およびそのパターン転写方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基体と、この基体により支持された透過孔パターンを有し、ダイヤモンド膜又はダイヤモンドライクカーボン膜からなるマスク母体と、該マスク母体の基体側の少なくとも一部に導電体、半導体、抵抗体のいずれかよりなるマスク母体下地層を備え、前記ダイヤモンド膜又はダイヤモンドライクカーボン膜には、不純物として、硼素、硫黄、窒素、リン若しくはシリコンからなる群から選ばれた少なくとも１種がドーピングされているステンシルマスク。 （もっと読む）

【課題】帯電防止膜が用いられる場合よりも帯電防止膜を塗布・剥離する時間およびコストを削減しつつ、マスク30のレジスト表面30aに照射される荷電粒子ビーム1b1'の描画位置精度を向上させる。
【解決手段】大気圧領域13から真空領域11にマスク30を搬入し、描画室1aのステージ1a1上にマスク30を載置し、荷電粒子銃1b1からの荷電粒子ビーム1b1'によってマスク30のレジスト表面30aにパターンを描画する荷電粒子ビーム描画装置100において、マスク30が真空領域11から大気圧領域13に搬出される前に、マスク30のレジスト表面30aのうち、荷電粒子ビーム1b1'によってパターンが描画された描画済み部分の電荷分布を電荷分布測定手段3b2により測定し、その電荷分布に基づいて荷電粒子ビーム1b1'の描画位置補正量を算出する。 （もっと読む）

【課題】導電膜による薄膜層の撓みの影響を抑制するステンシルマスクを製造するのに好適なステンシルマスク製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】少なくとも、支持層と、前記支持層上に設けたエッチングストッパ層と、前記エッチングストッパ層上に設けた薄膜層と、を備えた基板を用意する工程と、
前記基板の支持層を研磨する工程と、前記基板の薄膜層に貫通孔パターンを形成する工程と、前記支持層に開口部を設け、支持層とする工程と、前記基板の全面に導電膜を形成する工程と、を有することを特徴とするステンシルマスク製造方法である。 （もっと読む）

【課題】描画状況下での高さ測定位置の検出が可能なフォトマスク高さ測定方法及びこの高さ測定が可能な電子線描画装置を提供することを課題とする。
【解決手段】 キャリブレーションマークに光の反射率が異なるパターンを作成し、このパターンを光で走査し、検出された光量データと対応させて高さ測定する測定点の位置を特定し、描画状況下で、前記走査及び前記高さ測定する測定点の位置の特定を行い、所定の光量データに対応する測定点の位置を前記描画状況の前後で比較し、描画状況下における位置ずれを検出し、この位置ずれから、描画状況下の高さ測定する測定点の位置の補正データを生成する高さ測定方法及び電子線描画装置を提供する。
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【課題】大電流の電子ビームを利用する場合でも、ウェハにパターンを精度良く露光する電子ビーム露光装置を提供する。
【解決手段】電子ビーム露光装置１００は、電子ビームを成形する第１及び第２のブロックパターンを有するマスク３０を備え、第１のブロックパターンで成形され、第１の電流を有する電子ビームが露光すべき第１の露光パターンに対する第１のブロックパターンの倍率は、第２のブロックパターンで成形され、第２の電流を有する電子ビームが露光すべき第２の露光パターンに対する第２のブロックパターンの倍率とは異なる。 （もっと読む）

【課題】化学増幅系レジストにおけるかぶりや膜減り現象防止に優れた帯電防止剤、該帯電防止剤を用いた帯電防止膜及び被覆物品を提供することを目的とする。
【解決手段】水溶性導電性高分子、溶媒及び水溶性高分子を含む帯電防止剤。特定の水溶性高分子、特に、ポリビニル構造を有する特定の水溶性高分子を水溶性導電性高分子と併用することにより、安価で簡単にレジストへの塗布性を付与できる界面活性剤を用いても、塗布性を維持しながら、レジストへの影響（レジストの溶解やレジストの現像の結果生じるレジストのかぶりや膜べり現象）を抑止できる。界面活性剤を含有させることにより塗布性を向上させた帯電防止剤は、化学増幅系レジスト、および非化学増幅系レジストに対するミキシング抑制に効果がある。 （もっと読む）

【課題】表面に凹凸部や可動部を有する半導体装置を、この凹凸部や可動部に固着、損傷を生じることなく製造する方法の提供。
【解決手段】半導体装置の凹凸部や可動部を液体処理し、この液体を純水で置換した後、純水を溶剤で置換し、この溶剤中に昇華性物質を含ませ、溶剤を蒸発して半導体装置の表面に昇華性物質を析出せしめ、この昇華性物質を昇華により除去することからなる。 （もっと読む）

【課題】装置を大気開放すること無しに、簡便にマスクを検査することができる電子ビーム露光装置、及び電子ビーム露光装置用マスクの検査方法を提供すること。
【解決手段】
ブロックパターン８ａの形状に電子ビームEBを整形するブロックマスク８と、複数のブロックパターン８ａのうちの一つに電子ビームEBを偏向する偏向器１３、１４と、ブロックパターン８ａを通った電子ビームEBをウエハ２６表面に結像させるレンズ系２１と、レンズ系２１を通った電子ビームEBの電流値を測定する電流計２７ａと、上記電流値をブロックパターン８ａの開口面積で割ることにより電子ビームEBの電流密度を算出し、更に該電流密度が基準値の許容範囲を超えているかどうかを調べ、超えている場合にブロックパターン８ａに異常があると判断する制御部３０とを有する電子ビーム露光装置による。 （もっと読む）

【課題】短時間で照射位置の調整が可能な荷電粒子ビーム描画システムを提供する。
【解決手段】荷電粒子ビームを、複数の図形アパーチャのいずれかを透過するように偏向させる第１、第２偏向器２５ａ、２５ｂ、並びにビーム軸に振り戻すように偏向させる第３、第４偏向器２５ｃ、２５ｄを有する荷電粒子ビーム照射装置９０と、第１〜第４信号比から算出した第１〜第４偏向信号を第１〜第４偏向器に印加する図形選択偏向回路４６と、参照図形アパーチャを透過して照射位置を照射するように第１〜第４参照偏向信号を算出し、調整図形アパーチャを透過させる第１調整偏向信号、参照図形アパーチャを透過させる第２調整偏向信号、調整図形アパーチャを透過して照射位置に偏向させる第３調整偏向信号、並びに、調整図形アパーチャを透過して照射位置に偏向させる第４調整偏向信号から第１〜第４信号比を調整する処理ユニット５４とを備える。 （もっと読む）

【課題】 前方散乱の影響が隣のパターンまで及ぶような微細なパターンを高精度に形成することができる荷電粒子ビーム露光方法を提供する。
【解決手段】 荷電粒子ビームをレジスト膜に入射させたときの露光強度分布を、各々がガウス分布で表される複数の要素分布の和で近似する。要素分布の少なくとも一部について、要素分布ごとに、パターン配置面を複数の少領域に区分した面積密度マップを定義する。面積密度マップの各々について、次の第１、第２の小工程を繰り返す。第１の小工程では、小領域ごとに面積密度を求める。第２の小工程では、エネルギ蓄積レート、第１の小領域内のパターンに割り当てられている露光量、当該パターンの面積、及び第１の小領域の面積密度に基づいて、着目する小領域に与えられる露光強度を求め、実効面積密度を算出する。実効面積密度から、パターン配置面上の評価点における露光強度を算出する。 （もっと読む）

【課題】データ変換に要する時間を短縮する。
【解決手段】データ変換装置におけるデータ変換作業では、セル名とセルデータ要素に対して矩形分割処理を行って得られる処理済データ要素との関連づけを示す処理データベースが予め用意されており、処理対象データ要素に対応する処理済データ要素が処理データベースにおいて検索される（ステップＳ１６）。そして、処理済データ要素が検出された場合（ステップＳ１７）、処理対象データ要素に対して矩形分割処理を行って処理済データ要素を生成する代わりに、処理対象データ要素と検出された処理済データ要素との同名異形チェックが行われた後に当該処理済データ要素が出力データに追加される（ステップＳ１７１，Ｓ１９）。これにより、入力データに含まれる複数のセルデータ要素に対して行われる矩形分割処理の回数を減らすことができ、データ変換作業に要する時間を短縮することができる。 （もっと読む）

【課題】
荷電粒子線露光装置において、部品破損をなくし、精度良く照明強度を調整する方法を提供すること。
【解決手段】
荷電粒子線投影露光装置において、荷電粒子線源から放射される電流値とレチクル上の照明強度との関係を事前に校正して、必要な放射電流をレチクル上の照明強度の関数として表した近似式として定義する。レチクル上の照明強度を設定変更する際に、設定変更動作の前に現在の放射電流値とレチクル上の照明強度を計測し、照明強度計測値が、放射電流値と上記の近似式から計算された照明強度の目標値に対し、許容誤差範囲１内にあるかどうかを判断する。その結果、照明強度計測値が許容誤差範囲１内の場合は、荷電粒子線源から放射される電流値を変更する。許容誤差範囲１外の場合は、放射電流値を変更せずに処理を終了する。 （もっと読む）

【課題】 転写式の電子ビーム露光装置における電子ビームによるマスクの走査に起因する発熱の問題を解決することを目的とする。
【解決手段】 電子線露光装置１を、予め定めた所定の電子ビーム照射位置間の間隔である所定の走査ピッチよりも大きな飛び越し走査ピッチで電子ビーム１５を走査する走査手段５２と、走査手段５２による電子ビーム１５の走査に位置オフセットを与えるオフセット手段５３と、オフセット手段５３による位置オフセットを変えながら、走査手段５２による電子ビーム１５の走査を反復する走査反復手段５１とを備えて構成する。 （もっと読む）

【課題】被処理基板の全ての領域に、マスクをダイバイダイアライメント方式でアライメントすることができ、高精度なアライメントおよびパターン転写を実現することができる露光装置および露光方法、並びに当該露光装置および露光方法に使用するマスクおよび半導体装置を提供する。
【解決手段】マスクＭの各相補露光領域にアライメント用のマスクマークＭＭが形成されている。マスクマークＭＭは、ｘ方向およびｙ方向に繰り返し配列されたパターンＰを含み、ｘ方向あるいはｙ方向のいずれかにおいて、マーク中心位置を検出し得るようにパターンＰの間隔が不規則に規定されている。また、ウエハＷ側には、マスクマークＭＭを挟むように２つのウエハマークＷＭが配置されており、各ウエハマークＷＭは、マスクマークＭＭと同様のパターン配列をもつ。 （もっと読む）

粒子ビーム装置のパターンロック装置において、パターンの投影は少なくとも２つの連続する投影段を用いてなされ、記録手段は、中間投影面の公称位置の箇所に配置され、基準マークは、最終でない投影段により生成された基準マークの中間像の位置において、粒子ビームの位置を決定する記録手段上に投影される。さらに、記録手段上の走査動作を起こすため、基準ビームレットは、パターン描画手段に設けられた偏向手段を用いて、時間依存性の電圧に依存して横方向にシフトされる。 （もっと読む）

【課題】 投影型リソグラフィに用いるマスクにおいて、マスクに生じる歪を高精度に補正することが可能な荷電粒子線リソグラフィマスクの製造方法及びパターン露光方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 シリコンからなる格子状の梁構造と、その梁構造により支持される薄膜と、を有し、前記梁によって仕切られた前記薄膜にマスクパターンが互いに分割されて形成された荷電粒子線リソグラフィマスクの製造方法であって、前記マスクパターンを形成するための露光に際して、前記梁によって仕切られた個々の分割領域毎にマスクパターン描画装置の露光フィールドの同じ偏向位置を用いて露光し、かつ各分割領域を露光したのと同じ露光フィールドの設定と同じ状態で個々の分割領域を取り囲む前記梁の部分にパターン位置精度測定のためのマークを描画することを特徴とする荷電粒子線リソグラフィマスクの製造方法を提案する。 （もっと読む）