【課題】高静電容量、低損失正接、および許容できる静電容量対温度特性を有する薄膜コンデンサ。
【解決手段】高誘電率（誘電定数）の、薄膜ＣＳＤチタン酸ベース誘電体組成物であって、チタンがジルコニウム、スズまたはハフニウムによって部分的に置換された組成物を提供すること。組成物は、Ｘ７Ｒ要求条件をより良く満足させる温度の関数としての静電容量を示す。 （もっと読む）

【課題】 高温で硬化した後も十分な絶縁性を保持する被膜を形成可能なシリカ系被膜形成用組成物を提供すること。
【解決手段】 （Ａ）シリカ粒子と、（Ｂ）加水分解性基を有するシラン化合物と、を加水分解縮合してなるシラン変性シリカ粒子を含む、シリカ系被膜形成用組成物。 （もっと読む）

【課題】電気絶縁性と可撓性と優れた耐熱性を有し平坦化され高温に曝されても変質、劣化、変形することのないシリカ系ガラス薄層付き無機質基板、その製造方法、そのためのコーテイング剤および半導体装置を提供する。
【解決手段】無機質基板に環状ジハイドロジェンポリシロキサン(Ａ)または特定の単位式を有するハイドロジェンポリシロキサン(Ｂ)を被覆し硬化させる、鉛筆硬度が２Ｈ〜９Ｈであるシリカ系ガラス薄層を有する無機質基板の製造方法。前記シリカ系ガラス薄層付き無機質基板。前記 (Ａ)または(Ｂ)からなる無機質基板のコーテイング剤。前記シリカ系ガラス薄層付き無機質基板を有する半導体装置。 （もっと読む）

【課題】 同じ反応容器内での枚葉式処理の繰返し回数に拘りなく、膜厚や膜質が均一な窒化膜を形成可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体装置の製造方法では、反応容器の内部で枚葉式処理によってウエハ（半導体基板）上に窒化膜を形成する。反応容器内で所定の圧力下で半導体基板上に窒化膜を形成する工程（ｔ_２〜ｔ_３）と、反応容器内の圧力を一旦低下させる工程（ｔ_４〜ｔ_８）と、反応容器内の圧力を上記所定の圧力まで上昇させる工程（ｔ_８〜ｔ_９）と、窒化膜を形成した半導体基板と次に窒化膜を形成すべき半導体基板とを入れ換える工程と、上記所定の圧力下で入れ換えた後の半導体基板上に窒化膜を形成する工程とを順次に有する。 （もっと読む）

本発明は、一種以上のβ‐ジケチミナート配位子を含む金属含有化合物、およびそれを生成する方法と使用する方法を提供する。いくつかの実施形態では、金属含有化合物は非対称のβ‐ジケチミナート配位子を含むホモレプティックな錯体である。他の実施形態では、金属含有化合物は一種以上のβ‐ジケチミナート配位子を含むヘテロレプティックな錯体である。化合物は蒸着法を用いて金属含有層を堆積させるために利用できる。化合物を含む蒸着システムも提供される。β‐ジケチミナート配位子の源も提供される。 （もっと読む）

【課題】半導体用途における高ｋ誘電体膜を形成するためのシステム及び方法を提供する。
【解決手段】本発明は、多層多成分高ｋ誘電体膜を形成するためのシステム及び方法を提供する。一部の実施形態では、本発明は、ハフニウム、チタン、酸素、窒素、及び他の成分を含む高ｋ誘電体膜を形成するためのシステム及び方法を提供する。本発明の更に別の態様では、誘電体膜は、組成勾配を有して形成される。 （もっと読む）

シリル化剤を含む超臨界二酸化炭素不動態化溶液を用いたシリコンオキサイドベースの低ｋ材料の不動態化の方法が開示されている。シリル化剤は、好ましくはヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）、クロロトリメチルシラン（ＴＭＣＳ）、トリクロロメチルシラン（ＴＣＭＳ）およびそれらの組み合わせなど、５炭素原子を含む有機基を含む有機シリコン化合物である。本発明の更なる実施態様によれば、誘電体を含むポストアッシュ基材は超臨界二酸化炭素洗浄溶液を用いて同時に洗浄および不動態化される。
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【課題】 本発明は、透明性、緻密性、密着性等に優れた金属酸化物膜を得ることができる金属酸化物膜の製造方法を提供することを主目的とするものである。
【解決手段】 本発明は、スプレー装置により、金属源として金属塩または金属錯体が溶解した金属酸化物膜形成用溶液を霧化し、霧化された上記金属酸化物膜形成用溶液と、金属酸化物膜形成温度以上の温度まで加熱した基材とを接触させることにより、上記基材上に金属酸化物膜を得る金属酸化物膜の製造方法であって、上記スプレー装置が、上記金属酸化物膜形成用溶液を霧化するためにエアーを使用しない方式の装置であることを特徴とする金属酸化物膜の製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

集積回路のための相互接続構造体における使用のための銅相互接続配線層（602）の表面上のキャッピング層（614）およびガスクラスタイオンビーム処理の適用による集積回路のための改良された集積相互接続構造体を形成する方法。低減された銅拡散と改善されたエレクトロマイグレーション寿命が結果として得られ、また選択的金属キャッピング技法の使用とそれらに付随する歩留まり問題とが回避される。 （もっと読む）

原子層堆積によって鉛含有酸化物薄膜を製造する方法であって、酸化鉛の原料物質として、炭素−鉛結合により鉛原子に結合した有機リガンドを有する有機金属鉛化合物を用いる工程を含む。例えば、250℃及び300℃での前駆体としてＰｈ₄Ｐｂ、Ｏ₃、Ｔｉ(ＯⁱＰｒ)₄及びＨ₂Ｏを用いるＡＬＤ成長により、優れた均一性を有する化学量論のＰｂＴｉＯ₃薄膜を支持体上に堆積することができる。 （もっと読む）

【課題】酸化膜を簡便に形成し得る酸化膜形成方法、この酸化膜形成方法により形成された酸化膜、この酸化膜を備える部品および電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明の酸化膜形成方法は、無機物で構成される表層１２（基材）の表面に、無機物の酸化物を主材料として構成される酸化膜３を形成する方法であり、被処理部材１（表層１２）の表面にアルコールを含有する処理液を供給して、この処理液の液状被膜２を形成し、液状被膜２中において、無機物とアルコールとの反応を経て、無機物の酸化物を生成させるとともに、液状被膜２中に残存する処理液を除去して酸化膜３を得る。 （もっと読む）

【課題】 誘電率及び／又はＳｉＣＯＨ膜の信頼性に影響を及ぼさない方法を用いて、漏れ電流が改善されたＳｉＣＯＨ膜を提供すること。
【解決手段】 深紫外線（ＤＵＶ）に曝されていない従来技術のＳｉＣＯＨ誘電体膜を含む従来技術の誘電体膜に比べて改善された絶縁特性を有するＳｉ、Ｃ、Ｏ及びＨ原子（以下ＳｉＣＯＨ）からなる誘電体膜の製造方法が開示される。改善された特性は、ＳｉＣＯＨ誘電体膜の誘電率に悪影響を及ぼす（増加させる）ことなく達成される、漏れ電流の減少を含む。本発明によれば、堆積時のＳｉＣＯＨ誘電体膜をＤＵＶレーザ・アニールに曝すことにより、減少された漏れ電流及び改善された信頼性を呈するＳｉＣＯＨ誘電体膜が得られる。本発明のＤＵＶレーザ・アニール・ステップは、おそらく、膜から弱く結合されたＣを除去し、それにより漏れ電流を改善する。 （もっと読む）

本発明は、原子層堆積（ＡＬＤ）プロセスの単一パルス段階中に前駆体の混合物がチャンバ内に共に存在して多成分薄膜を形成するように前駆体を混合するシステム及び方法を提供する。前駆体は、少なくとも１つの異なる化学成分からなり、このような異なる成分は多成分薄膜を製造するために単層を形成することになる。本発明の別の態様では、組成勾配を有する誘電体膜が提供される。
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有機強誘電体高分子と有機両極性半導体との組み合わせを備える不揮発性強誘電体メモリデバイスが提案されている。本発明に係るデバイスは、高分子に適合し、また、高分子の利点、即ち、溶液処理、低コスト、低温層堆積及びフレキシブル基板との適合性を十分に活用している。
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【課題】 基板上に構造体をパターン加工するための装置及び方法を提供すること。
【解決手段】 走査先端部を有するイメージング装置と、発光装置と、走査先端部の周りにあって、分解されたときに基板上での化学気相堆積法に適したものとなる材料の蒸気を有する空間とを含む、基板上に構造体をパターン加工するための装置であり、この発光装置は、蒸気を分解できない強度を有する光ビームを、走査先端部付近の光ビームが引き起こす電磁場が蒸気を分解するのに十分な程強くなるように、走査先端部上に射出するように適合される。 （もっと読む）

酸化物薄膜の酸素欠損の低下とエピタキシャル成長との促進を図ることにより、優れた特性を有する酸化物薄膜を製造する薄膜製造方法であって、原料ガス、キャリアガス及び酸化ガスを混合して得た混合ガスを、加熱手段により原料の液化、析出、成膜が起こらない温度に維持されたガス活性化手段を通してシャワープレートから反応室内の加熱基板上に供給して反応させ、基板上に酸化物薄膜を製造する。その際、酸化ガスの割合を混合ガス基準で６０％以上とする。また、核形成による初期層を形成する場合、その成膜プロセスにおける酸化ガス流量割合を６０％未満とし、その後の成膜プロセスにおける酸化ガス流量割合を６０％以上として行う。また、酸化物薄膜製造装置において、混合器とシャワープレートとの間に加熱手段を備えてなる。 （もっと読む）

【課題】半導体用途における誘電体膜を形成するためのシステム及び方法、特に、混合気化前駆体を用いて基板上に多成分誘電体膜を作製するためのシステム及び方法を提供する。
【解決手段】本発明は、気化した前駆体の混合物が、原子層堆積（ＡＬＤ）処理における単一パルス段階中にチャンバ内に一緒に存在して多成分膜を形成するような気化前駆体の混合をもたらすためのシステム及び方法を提供する。気化前駆体は、少なくとも１つの異なる化学成分から成り、そのような異なる成分が単層を形成して多成分膜を生成することになる。本発明の更に別の態様では、組成勾配を有する誘電体膜が提供される。 （もっと読む）