【課題】低い等価酸化膜厚（ＥＯＴ）および低い漏洩電流を有する金属−絶縁体−金属キャパシタを提供する。
【解決手段】低温原子層堆積（ＡＬＤ）法を用いて、Ｓｒ_ｘＴｉ_ｙＯ_３ベースの金属−絶縁体−金属（ＭＩＭ）キャパシタを製造する方法が開示される。好ましくは、下部電極を形成するためにＴｉＮが用いられる。キャパシタのＳｒ_ｘＴｉ_ｙＯ_３誘電体層でのＳｒ／Ｔｉ比率は、キャパシタの電気的特性を調整するために変化できる。Ｓｒ_ｘＴｉ_ｙＯ_３誘電体層の誘電率および漏洩電流は、このＳｒ_ｘＴｉ_１−ｘＯ_３誘電体層のＳｒ含有量とともに単調に減少する。Ｓｒ_ｘＴｉ_ｙＯ_３誘電体層とＴｉＮ下部電極との間の界面でのＳｒ含有量を増加させることによって、界面の等価酸化膜厚（ＥＯＴ）をさらに低減できる。 （もっと読む）

【課題】高品質な半導体の製造し、光電変換効率に優れる太陽電池、燃料電池を提供すること。
【解決手段】半導体材料２２の表面２３にレーザー光２４を照射することで、表面２３に二酸化チタンの層が形成されるとともに、ナノオーダーの酸化膜が成長して半導体２１の薄膜が完成する。前記半導体材料は純チタン又はチタンをコーティングした材料である。シリコンや化合物、さらには電解溶液や色素ゲルを使用することなく、従来と全く異なる方法で製造することができる。 （もっと読む）

【解決手段】 パターニングされた金属フィーチャの上方に誘電体エッチストップ層を選択的に形成する方法を開示する。実施形態には、当該方法に従って形成されたエッチストップ層をゲート電極の上方に設けているトランジスタが含まれる。本発明の特定の実施形態によると、ゲート電極の表面上に金属を選択的に形成して、当該金属をケイ化物またはゲルマニウム化物に変換する。他の実施形態によると、ゲート電極の表面上に選択的に形成された金属によって、ゲート電極の上方にシリコンまたはゲルマニウムのメサを触媒成長させる。ケイ化物、ゲルマニウム化物、シリコンメサ、またはゲルマニウムメサの少なくとも一部を酸化、窒化、または炭化して、ゲート電極の上方にのみ誘電体エッチストップ層を形成する。 （もっと読む）

【課題】良好な強誘電体膜を形成する。
【解決手段】本発明の強誘電体メモリ素子の製造方法は、基板の上方に第１電極３３ａを形成する工程と、第１電極３３ａ上に、チタン膜３４１を形成する工程と、第１有機金属ガス及び第１酸素ガスを反応させることにより生成された生成物をチタン膜３４１上に成膜するとともに、この生成物とチタン膜３４１とを固溶させて、第１電極３３ａ上に第１強誘電体膜３４ａを形成する工程と、第１強誘電体膜３４ａの上方に第２電極３５ａを形成する工程と、を含む （もっと読む）

【課題】強誘電体キャパシタを含む強誘電体素子において、強誘電体膜の配向方向を制御して従来よりも残留分極特性を向上させることを目的とする。
【解決手段】基板１０の上方にストライプ状の凹凸を有する第１絶縁膜１１を形成し、その上にＨＤＰＣＶＤ法によりテーパ部１２ａを有する下地絶縁膜１２を形成する。この下地絶縁膜１２の上に、下地絶縁膜の上面に垂直な方向が（１１１）方向となるように自己配向したＰｔ膜を形成しこれを平坦化して第１導電膜１４ａを形成する。その上に、強誘電体膜１５としてＰＺＴ膜を形成し、その上に上部電極１６を形成する。ＰＺＴ膜は第１導電導電膜１４ａと同じ方向に配向するため、分極軸である（００１）方向が、上下の電極間を結ぶ方向（印加電界方向）に揃う。これにより強誘電体膜１５の単位面積当たりの残留分極量が増加し、強誘電体素子の残留分極特性が向上する。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ等の金属層の酸化が生じ難く、かつ、結晶性がよく、かつ、クラックの発生し難いＢａ及びＴｉ含有酸化物層の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｂａ及びＴｉ含有酸化物のアモルファス層２０Ｂ，２０Ｃを金属層１４上に形成するアモルファス層形成工程と、Ｂａ及びＴｉ含有酸化物のアモルファス層２０Ｃを結晶化する結晶化工程と、を備える。アモルファス層形成工程では、Ｂａ及びＴｉ含有酸化物の前駆体層を形成すること、及び、Ｂａ及びＴｉ含有酸化物の前駆体層に１パルスあたり１〜１００ｍＪ／ｃｍ^２の紫外線パルスレーザ光を照射することの組合わせを１回行う又は複数回繰り返し行うことにより厚みが３００〜６６０ｎｍのＢａ及びＴｉ含有酸化物のアモルファス層２０Ｂ，２０Ｃを形成する。また、結晶化工程では、酸化物のアモルファス層２０Ｃに１パルスあたり６０〜４００ｍＪ／ｃｍ^２の紫外線パルスレーザ光を照射する。 （もっと読む）

【課題】圧電膜等のパターニングに有効であり、パターン形状精度が良好で、パターニングが容易で低コストな新規な無機膜のパターニング技術を提供する。
【解決手段】無機膜３０は、単数又は複数の凸部３１からなる所定パターンを有する膜であり、表面酸化レベルが低い低酸化部２１と表面酸化レベルが高い高酸化部２２とを有する金属膜２０を下地として形成され、単数又は複数の凸部３１が低酸化部２１上にパターン形成されたものである。無機膜３０は、低酸化部２１と高酸化部２２とを有する金属膜２０上にベタ無機膜３０Ｘを成膜した後、ベタ無機膜３０Ｘの高酸化部２２上に位置する部分を除去して、製造することができる。 （もっと読む）

【課題】安価なハロゲン化アルミニウムを酸化アルミニウム系薄膜のプレカーサとして用いた化学気相成長用原料及び該原料を用いた酸化アルミニウム系薄膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】化学気相成長用原料として、下記一般式（１）で表されるハロゲン化アルミニウム化合物及び下記一般式（２）で表されるシアノ基を有する有機化合物からなる化学気相成長用原料を用いる。


（式中、Ｘはハロゲン原子を表し、Ｒは炭素数１〜１０の炭化水素基を表し、ｎは１又は２を表す。） （もっと読む）

【課題】強磁性層と該強磁性層上のバリア層とからなる積層構造を含む磁気抵抗効果素子の製造方法であって、高いＭＲ比を有し、量産性を高め、実用性を高めた磁気抵抗効果素子の製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも表面がアモルファス状態である強磁性層を成膜した後、スパッタリング法を用いて、全層にわたって（００１）面が界面に平行に配向した単結晶構造の酸化マグネシウムのバリア層を成膜し、更にアニーリング処理を行う。 （もっと読む）

【課題】誘電体膜を形成する耐熱性基板上の下地電極にあらかじめ剥離性の高い積層構造を導入しておいて転写することにより、低コストで高誘電率を有し、しかも所要の場所に無駄なく形成することのできる誘電体構造体及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】耐熱性基板５１上に形成された絶縁膜５２上に第２の電極５３及び誘電体５４の順に形成する工程と、非耐熱性基板５５上に第１の電極５６を形成する工程と、非耐熱性基板５５上に形成された第１の電極５６上に、耐熱性基板５１上に第２の電極５３及び誘電体５４の順に形成された誘電体側を圧着する工程と、耐熱性基板５１上に形成された絶縁膜５２と前記第２の電極５３間を剥離して、非耐熱性基板５５上に第１の電極５６、誘電体５４、及び第２の電極５３の順に形成された誘電体構造体を取得する工程とからなることを特徴とする誘電体構造体の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】有機金属化合物を原料に使用して気相成長法により形成される膜内でのパーティクル数を少なくして、膜質を向上することができる成膜方法を提供すること。
【解決手段】含有水分が１．０質量％以下、好ましくは０．８質量％以下の有機溶剤に有機金属化合物を溶解した溶液からなる少なくとも１つの有機金属原料を気化する工程と、気化した有機金属原料の気相成長により基板上に金属を含む膜を形成する工程とを有し、これによりパーティクルの生成を抑制する （もっと読む）

【課題】ハイドロジェンシロキサン系ポリマーを使用して、無機質基材上の凹凸、段差を平坦化でき、クラック、ピンホールがなく、シラノール基等を実質的に含有していないセラミック状酸化ケイ素系被膜を形成する方法、かかる被膜を有する無機質基材の製造方法、かかる被膜に変換可能な被膜形成剤および半導体装置を提供する。
【解決手段】無機質基材にオルガノハイドロジェンシロキサン・ハイドロジェンシロキサンコポリマーを被覆し不活性ガス又は酸素ガス含有不活性ガス（酸素ガスは２０体積％未満である）中で高温加熱して、該被膜をセラミック状酸化ケイ素系被膜に変換することによる、セラミック状酸化ケイ素系被膜の形成方法、該被膜を有する無機質基材の製造方法。オルガノハイドロジェンシロキサン・ハイドロジェンシロキサンコポリマー又はその溶液からなるセラミック状酸化ケイ素系被膜形成剤。無機質基板の酸化ケイ素系被膜上に少なくとも半導体層が形成されている半導体装置。 （もっと読む）

【課題】 金属薄膜上に金属酸化膜を形成する際に、金属薄膜の酸化を抑制させる。
【解決手段】 表面に金属薄膜が形成された基板上に、ハフニウム、イットリウム、ランタン、アルミニウム、ジルコニウム、ストロンチウム、チタン、バリウム、タンタル、ニオブからなる群から選択される少なくとも１種類以上の元素を含む金属酸化膜を、金属薄膜の酸化が起こらない温度であって、かつ、金属酸化膜がアモルファス状態となる第１温度で形成する第１ステップと、第１ステップで形成した金属酸化膜上に、ハフニウム、イットリウム、ランタン、アルミニウム、ジルコニウム、ストロンチウム、チタン、バリウム、タンタル、ニオブからなる群から選択される少なくとも１種類以上の元素を含む金属酸化膜を、第１温度を超える第２温度で、目標の膜厚まで形成する第２ステップと、を有する。 （もっと読む）

【課題】低温プロセスで得ることができ、電気的絶縁性が高く、表面性状が良好なシルセスキオキサン系絶縁膜を得ることを可能とする方法を提供する。
【解決手段】アルコキシシランと、前記アルコキシシランの加水分解を促進するための酸触媒と、水と、第１の非プロトン性溶媒とを含む溶液を用意する工程と、前記溶液を０℃〜５０℃の温度に維持して加水分解する工程と、前記加水分解後に、前記溶液を５０℃〜７０℃の温度に維持し、加水分解重縮合を進行させる工程と、前記加水分解重縮合を進行させた後に、酸触媒及び副生成物を少なくとも留去するために減圧する工程と、減圧後に前記溶液を塗工する工程と、塗工された溶液を１５０℃〜１７０℃の温度で焼付けてシルセスキオキサン系膜を形成する工程とを備える、シルセスキオキサン系絶縁膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】配線間におけるリーク電流の発生を防止することができる、半導体装置を提供する。
【解決手段】層間絶縁膜１は、ＳｉＯ₂からなる。層間絶縁膜１には、その上面から掘り下がった溝２ａ，２ｂが形成されている。この溝２ａ，２ｂには、ＣｕＭｎからなる配線４ａ，４ｂが埋設されている。層間絶縁膜１および配線４ａ、４ｂ上には、ＳｉＯ₂からなるバリア形成用膜５が積層されている。バリア形成用膜５上には、パッシベーション膜６が積層されている。また、配線４ａ，４ｂと層間絶縁膜１およびバリア形成用膜５との間には、ＭｎＳｉＯからなるバリア膜３ａ，３ｂが介在されている。このバリア膜３ａ，３ｂによって、配線４ａ，４ｂの全面が被覆されている。 （もっと読む）

【課題】配向性に優れ、良好な圧電特性を得ることのできる圧電体膜の製造方法及び圧電素子を提供する。
【解決手段】本発明の圧電体膜の製造方法は、互いに直交する３つの磁化軸（Ｘ_１，Ｘ_２，Ｘ_３）に対応する３つの磁化率（Ｍｘ，Ｍｙ，Ｍｚ）が異なる粒子と、粒子を分散させる分散媒と、強度及び方向のうち少なくとも一方が時間的に変動する変動磁場からなる成膜材料を基板上に供給する工程と、成膜材料が供給された基板に、磁場を印加する工程と、磁場を印加した状態で分散媒を除去する工程と、を備え、分散媒を除去して残存した膜材料から圧電体膜を得る。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタの特性を低減することなく、量産が可能な表示装置の作製方法を提案することを課題とする。
【解決手段】微結晶半導体膜と、微結晶半導体膜に接するゲート絶縁膜と、ゲート電極とが重畳する薄膜トランジスタを備えた表示装置において、微結晶半導体膜の表面に酸化防止膜が形成されている。微結晶半導体膜の表面に酸化防止膜を形成するため、微結晶粒の表面が酸化することを低減することが可能であるため、薄膜トランジスタの移動度の低下を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】
シリコン基板上に（１１０）配向したＰｔ薄膜を形成し、優れた特性の強誘電体素子を得ることを目的とする。
【解決手段】
ＭＦＭＩＳ構造２の最下層のシリコン基板４上には、γ−Ａｌ_２Ｏ_３膜６が形成されている。γ−Ａｌ_２Ｏ_３膜６の直上には、酸化物導電体であるＬａＮｉＯ_３膜８が形成されている。ＬａＮｉＯ_３膜８の直上には、下部電極材料であるＰｔ膜１０が形成され、さらにその直上に強誘電体材料であるＰＺＴ薄膜１０が形成されている。ＰＺＴ薄膜１０の上面には、上部電極であるＰｔ層１２が形成されている。 （もっと読む）

【課題】下部電極と強誘電体膜との界面におけるリーク電流を低減できる強誘電体メモリ装置の製造方法及び強誘電体メモリ装置を提供すること。
【解決手段】下部電極２３ａを形成する工程と、下部電極２３ａ上にＡＢＯ_３型のペロブスカイト型の結晶構造を有する強誘電体膜２４ａを形成する工程と、強誘電体膜２４ａ上に上部電極２５ａを形成する工程とを備え、下部電極２３ａの形成工程が、下部電極２３ａの表層に強誘電体膜２４ａに対して（１１１）面方位に配向を付与するバッファ膜３３ａを形成する工程を有し、強誘電体膜２４ａの形成工程が、下部電極２３ａ上にＡＢＯ_３のＢ元素の一部をＮｂに置換したアモルファス状の初期膜３４ａを形成する工程と、初期膜３４ａを結晶化する工程と、初期膜３４ａ上にコア膜３５ａを形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】ＰＺＴ系の強誘電体膜において、焼結助剤やアクセプタイオンを添加することなく、Ｂサイトに１０モル％以上のドナイオンを添加することを可能とする。
【解決手段】本発明の強誘電体膜は、多数の柱状結晶からなる柱状結晶膜構造を有し、下記式（Ｐ）で表されるペロブスカイト型酸化物を主成分とするものである。
Ａ_１＋δ［（Ｚｒ_ｘＴｉ_１−ｘ）_１−ｙＭ_ｙ］Ｏ_ｚ・・・（Ｐ）
（式中、ＡはＡサイト元素であり、Ｐｂを主成分とする少なくとも１種の元素である。Ｚｒ，Ｔｉ，及びＭはＢサイト元素である。ＭはＶ，Ｎｂ，Ｔａ，及びＳｂからなる群より選ばれた少なくとも１種の元素である。０＜ｘ≦０．７、０．１≦ｙ≦０．４。δ＝０及びｚ＝３が標準であるが、これらの値はペロブスカイト構造を取り得る範囲内で基準値からずれてもよい。） （もっと読む）